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ICS27.160F12T/CEC中國電力企業(yè)聯(lián)合會標準T/CEC20191128光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片技術要求Technicalrequirementofinterdigitatedbackcontactmonocrystallinesiliconwaferforphotovoltaicsystem(征求意見稿)20XX-XX-XX發(fā)布 20XX-XX-XX實施中國電力企業(yè)聯(lián)合會發(fā) 布II1范圍 12規(guī)范性引用文件 13術語和定義 14性能要求 25檢驗規(guī)則 36標志、包裝、運輸和貯存 5附錄A(資料性附錄)單晶硅片尺寸規(guī)格 6附錄B(規(guī)范性附錄)單晶硅片性能檢驗記錄表 7附錄C(規(guī)范性附錄)單晶硅片抽樣檢驗表 8T/CEC20191128前言本標準按照GB/T1.1-2009《標準化工作導則第1部分:標準的結構和編寫》給出的規(guī)則起草。請注意本標準的某些內容可能涉及專利,本標準的發(fā)布機構不應承擔識別這些專利的責任。本標準由提出。本標準由中國電力企業(yè)聯(lián)合會歸口。本標準起草單位:本標準主要起草人:本標準首次發(fā)布。本標準在執(zhí)行過程中的意見或建議反饋至中國電力企業(yè)聯(lián)合會標準化管理中心(北京市白廣路二條一號,100761)。___

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