芯片封裝工(中級)理論考試題庫(濃縮400題)1.HIC電路老煉是指()。6.有效復合中心的能級必靠近()。8.從業(yè)人員在作業(yè)過程中不應當()。11.從金屬利用的歷史來看，先是青銅器時代，而后百年的事。這個先后順序跟下列有關的是()。13.釬焊密封工藝溫度控制包括()。14.實驗室用氧化鈉配制50g質量分數為6%的氯化鈉溶液。下列說法中不正確A、所需氯化鈉的質量為3gC、金絲的耐磨性好D、水汽首先腐蝕芯片表面的鋁層17.鋁具有較強的抗腐蝕性能，主要是因為()。B、鋁性質不活潑19.金錫共晶焊料的熔點為()。芯片的()小。43.使用顯微鏡時，()。D、加速度10g,頻率120HZA、10W48.陶瓷封裝一般采用()工藝制造，用90%~95%氧化A、2002年9月1日B、2002年10月1日C、2002年11月1日D、2002年12月1日B、小于1×109Q54.重空穴是指()。55.粗檢漏使用()氣體施加壓力。59.X射線照相時，應采用()放大倍數觀察X射線照片。C、6-25倍D、A和B77.電對人體的傷害種類是()。A、EC因此焊接速度可隨()的不同加以選擇。A、N287.用紙盒包裝電路必須使用()紙。89.氦氣是一種()氣體。B、氧化性C、惰性104.穩(wěn)壓管()。溶液立即呈紅色的是()。壓力箱充()并保持一段時間；(3)取出器件將表面吸附的氦氣體吹掉。137.關鍵過程是()。D、指生產過程中的銜接環(huán)節(jié)139.一塊半導體壽命t=15μs,光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的()。A、1/4140.陶瓷扁平封裝代號是()。錯誤的是()。A、10W6.在Si中摻入P,則引入的雜質能級靠近導帶底。()前檢驗中被發(fā)現和拒收。()孔。()清洗等方法。()擔。()塑料封裝。()54.可用萬用表測試場效應管的管腳。()率電路中，還有散熱的作用。()圖樣，技術條件無關的物質。()上實際數量檢驗后入庫。()相接觸。()濕度小于等于65%,潔凈度10萬級。()99.生產經營單位的主要負責人對本單位的安全生產工作負領導責任。()100.化學試劑用做清洗時，對純度沒有什么要求。()跨導gm表示的。()裝應該先進行加工。()不能再使用了。()去規(guī)定的功能叫失效。()抗彎強度較高。()6W/cm2,使硅片熔化并揮發(fā)穿孔，留下一排整齊的114.安全生產管理，堅持“安全第一、預防為主、綜合治理”的方針。()115.人工目檢不是焊點檢查的，最基本的檢測手段。()態(tài)。()1.平行縫焊化鍍鎳蓋板的熔點約為()。4.DIP是指()封裝。擊穿|主要的擊穿機理有兩種：()擊穿和()擊穿。6.()分為熱固性和熱塑性兩類。7.比例是指圖中()與()之比。義在于其反映了晶體材料的()的作用。析技術能較好地探測到()。13.半導體導帶中的電子濃度取決于導帶的()(即量子態(tài)按能量如何分布)和()(即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布)。17.()雜質可顯著改變載流子濃度；()雜質可顯著改變非平衡載流子的壽命|20.晶圓級封裝以BGA技術為基礎|是一種特殊類型的()又稱為圓片級芯片尺電流會迅速增大|這時二極管處于()。22.JFET按導電載流子類型不同|可分為()和()兩種。23.細檢壓檢漏使用的氣體為()。28.BGA根據焊料球的排列方式分為：()、()、()。29.調整厚膜電阻的阻止有改變電阻膜()和改變電阻膜()兩類方法。33.當PN結正向連接時|阻擋載流子擴散的PN結空間電荷層()_|允許PN結上衡后兩者的費米能級()。35.BGA是指()封裝。38.載流子在電場作用下的運動為()運動。完整的系統和設備|這個過程為()。41.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別是：()()()42.通孔插裝式安裝器件又分為以下幾種：塑料雙列直插式封裝；();塑料針45.錫須不僅可能發(fā)生在純錫表面|在一些()上也可能級2kT能級處的占據概率為()。為此必須把圓片厚度減薄到芯片的()厚度。50.空間兩直線的相對位置有()、()、()三種。51.具有()作用和()作用的三端或四端半導體器件|稱為晶體管。52.平行縫焊時若蓋板平整度差|容易發(fā)生(53.生產經營單位應當在有較大危險因素的生產經營(場所)和有關()上|設置明顯的()。54.生產經營單位必須執(zhí)行依法制定的保障安全生產的()或者()。在各類基板(PCB)上進行直接安裝|且與SMT工藝()。59.組裝工藝的好壞將影響到器件和集成電路的()、()、()和()。61.電子是帶()電的粒子。62.芯片封裝所使用的材料有：()、()、()、()。物體的散射作用形成衍射譜()通過干涉重新在像平面上形成反映物的特征的65.薄膜型CSP封裝主要結構是()和焊料凸點。66.集成電路的發(fā)展趨勢是體積越來越()、電路工作速度越來越()、電路規(guī)模越來越()、電路功能越來越()。其目標就是要小型化、高速、低成本和高67.物質按導電能力的強弱可分為()、()和()三大類。71.封裝材料的性能可以分為4類：()、()、()_、()。75.表面粗糙度中|Ra的單位為()。77.比例1:2是指實物尺寸是圖形尺寸的()倍|屬于()比例。80.集成電路封裝關系到電路的()和()|并對電路的電性能和熱性能以及對整2)無鉛釬料中Sn含量較高。答案：根據配制過程中溶質的質量不變，設需要6%的氯化鈉溶液質量為x可得出需溶質質最分數為6%的氯化鈉溶液為25g答需溶質質最分數為6%的氯化鈉溶液為25g。3.封裝材料的濕-熱機械性能包括那些?4.將5g固態(tài)氫氧化鈉溶入45g水中，求所得的氫氧化鈉溶液的質量百分比濃度為多少?答案：溶液的總質量應為5+45=50(g)則NaOH的質量百分比濃度為5÷50×100%=10%答氫氧化鈉溶液的質量百分比濃度為10%。答案：當光照到PN結上時，光能被吸收進入晶格，使電子的能級提高，這就導答案：(1)小外形塑料封裝芯片(SOJSmall0ut-LineJ-Leadpackage):主要用于存儲芯片。(2)LCCC(LeadlessCeramicChipCarrier)無引線陶瓷封裝載體，接。(4)四周扁平封裝(QFP):多用于各類型的集成電路，引腳形態(tài)基本上分為塑料(PQFP)或陶瓷(CQFP)。答案：能提供IC芯片氣密性的密封保護，使其具有優(yōu)良的答案：與環(huán)氧樹脂PCB基板熱匹配性好；最薄型BGA封裝化；成本較之CBGA低；對熱和濕較為敏感；芯片輕、小，自校準偏差較之其他25.三極管放大電路如圖2-31所示，已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ2,三極管的β=40,試求：(1)估算各靜態(tài)值IB,IC,UCE;(2)在靜態(tài)時，C1和C2上的電壓各為多少?極性如何?答案：(1)從已知電路可畫出它的直流通路，接著計算出30.什么是引線材料?答案：用于集成電路引線的材料，需要注意的特性為電答案：設45g原溶液中有Wg溶質；(W+25g×160g/250g)/(4答60℃時CuS04的溶解度為40g。32.熱固性粘接劑有什么性質?答案：助焊劑按固體含量來分類，主要可分為低固含量答收縮率為1%?；w(10-30%)(高分子化合物樹脂)、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、1,2-聚