ICS29.045國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T41652—2022本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任。本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件起草單位：有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、新美光(蘇州)半導(dǎo)體科技有限公司、浙江海納半導(dǎo)體有限公司。1GB/T41652—2022刻蝕機(jī)用硅電極及硅環(huán)1范圍行文件以及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于p<100>直拉硅單晶加工成的刻蝕機(jī)用直徑200mm～450mm的硅電極及硅環(huán)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測(cè)定直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)℅B/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T14264界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1平面度f(wàn)latness硅電極或硅環(huán)厚度的最大值與最小值之間的差值。4技術(shù)要求硅電極及硅環(huán)的電學(xué)參數(shù)應(yīng)符合表1的規(guī)定。2GB/T41652—2022導(dǎo)電類(lèi)型(摻雜劑)電阻率徑向電阻率變化p(B)65～854.2幾何尺寸硅電極及硅環(huán)的幾何尺寸應(yīng)符合表2的規(guī)定，如有特殊要求由供需雙方協(xié)商確定。表2幾何尺寸幾何尺寸硅電極硅環(huán)直徑”及允許偏差(200mm～450mm)±0.2mm,具體直徑根據(jù)刻蝕機(jī)型號(hào)確定厚度允許偏差士0.1mm平面度定位孔直徑允許偏差士0.1mm倒角b硅電極的直徑倒角和硅環(huán)的內(nèi)外徑倒角通常為R型，長(zhǎng)度及允許偏差為0.3mm±0.1mm微孔倒角形狀及長(zhǎng)度由供需雙方協(xié)商確定微孔直徑及允許偏差0.5mm±0.1mm—內(nèi)徑允許偏差—+8.2mm同心度—垂直度硅環(huán)的直徑指外徑。定位孔的倒角為保護(hù)性倒角，其倒角形狀、長(zhǎng)度無(wú)具體要求。4.3晶向及晶向偏離度硅電極及硅環(huán)的晶向?yàn)?lt;100>,晶向偏離度應(yīng)不大于1°。硅電極及硅環(huán)的間隙氧含量應(yīng)不大于1.2×101?cm-3(以原子數(shù)計(jì)，即24ppma),或由供需雙方協(xié)商確定。4.5碳含量硅電極及硅環(huán)的代位碳含量應(yīng)不大于5×101?cm-3(以原子數(shù)計(jì)，即1ppma),或由供需雙方協(xié)商3GB/T41652—2022確定。油污。5試驗(yàn)方法5.1.1硅電極及硅環(huán)導(dǎo)電類(lèi)型的測(cè)試按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。5.1.2硅電極及硅環(huán)電阻率的測(cè)試按GB/T1551中直排四探針?lè)ǖ囊?guī)定進(jìn)行。5.1.3硅電極及硅環(huán)徑向電阻率變化的測(cè)試按GB/T11073的規(guī)定進(jìn)行，也可按供需雙方協(xié)商確定的度測(cè)量還可用帶刻度的放大鏡進(jìn)行。硅電極及硅環(huán)晶向及晶向偏離度的測(cè)試按GB/T1555的規(guī)定進(jìn)行。硅電極及硅環(huán)間隙氧含量的測(cè)試按GB/T1557的規(guī)定進(jìn)行。硅電極及硅環(huán)代位碳含量的測(cè)試按GB/T1558的規(guī)定進(jìn)行。硅電極及硅環(huán)晶體缺陷的測(cè)試按GB/T1554的規(guī)定進(jìn)行。硅電極及硅環(huán)表面粗糙度的測(cè)試按GB/T29505的規(guī)定進(jìn)行。硅電極及硅環(huán)表面質(zhì)量的測(cè)試按GB/T6624的規(guī)定在強(qiáng)光燈下目視進(jìn)行。4GB/T41652—20226檢驗(yàn)規(guī)則6.1檢查和驗(yàn)收6.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符表3取樣檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣/測(cè)試位置取樣數(shù)量技術(shù)要求的章條號(hào)試驗(yàn)方法的章條號(hào)導(dǎo)電類(lèi)型供需雙方協(xié)商確定每批產(chǎn)品隨機(jī)抽取5%,且不少于1個(gè)試樣4.15.1.1電阻率在產(chǎn)品的表面每批產(chǎn)品隨機(jī)抽取5%,且不少于1個(gè)試樣4.15.1.2徑向電阻率變化在產(chǎn)品的表面每批產(chǎn)品隨機(jī)抽取5%.且不少于1個(gè)試樣4.15.1.3幾何尺寸—供需雙方協(xié)商確定4.2晶向及晶向偏離度在產(chǎn)品的表面每批產(chǎn)品隨機(jī)抽取1個(gè)試樣4.3氧含量在硅單晶的頭部切取1個(gè)試樣，當(dāng)不能區(qū)分頭尾時(shí)，在硅單晶的兩端各取1個(gè)試樣4.4碳含量在硅單晶的尾部切取1個(gè)試樣，當(dāng)不能區(qū)分頭尾時(shí)，在硅單晶的兩端各取1個(gè)試樣4.5晶體缺陷在硅單晶的尾部切取1個(gè)試樣，當(dāng)不能區(qū)分頭尾時(shí)，在硅單晶的兩端各取1個(gè)試樣4.6表面粗糙度供需雙方協(xié)商確定每批產(chǎn)品隨機(jī)抽取1個(gè)試樣4.7表面質(zhì)量供需雙方協(xié)商確定4.85GB/T41652—20226.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定6.5.1導(dǎo)電類(lèi)型、晶向及晶向偏離度的檢驗(yàn)結(jié)果中如有任一試樣的任一檢驗(yàn)項(xiàng)目不合格時(shí)，判該批產(chǎn)不合格時(shí)，則對(duì)不合格的項(xiàng)目按照表3中對(duì)應(yīng)的規(guī)定進(jìn)行重復(fù)試驗(yàn)，重復(fù)試驗(yàn)結(jié)果仍有不合格者，判