標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 42968.2-2024《集成電路 電磁抗擾度測量 第2部分:輻射抗擾度測量TEM小室和寬帶TEM小室法》是針對集成電路在面對外部電磁場干擾時,如何通過特定方法評估其性能穩(wěn)定性的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)主要關(guān)注的是使用TEM(橫電磁波)小室及寬帶TEM小室對集成電路進(jìn)行輻射抗擾度測試的方法。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),TEM小室作為一種能夠模擬自由空間傳播條件的測試環(huán)境被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品的EMC(電磁兼容性)測試中。它能提供一個均勻的電磁場分布區(qū)域,使得放置于其中的待測設(shè)備可以接受到較為一致的電磁波照射,從而準(zhǔn)確地評估其對外界電磁干擾的抵抗能力。對于集成電路而言,這種測試尤為重要,因為它們通常集成在更復(fù)雜的系統(tǒng)內(nèi)工作,任何微小的電磁干擾都可能導(dǎo)致整個系統(tǒng)的故障或性能下降。
寬帶TEM小室則是在傳統(tǒng)TEM小室基礎(chǔ)上發(fā)展而來的一種改進(jìn)型裝置,能夠在較寬頻率范圍內(nèi)保持良好的阻抗匹配特性,進(jìn)而支持更廣泛的頻率范圍內(nèi)的測試需求。這使得研究人員能夠更加全面地了解集成電路在整個頻譜上對抗電磁干擾的能力。
本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了采用這兩種類型的小室進(jìn)行輻射抗擾度測量的具體步驟、參數(shù)設(shè)置以及結(jié)果分析方法等,旨在為行業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)提供一套科學(xué)合理的測試指南,以確保所生產(chǎn)集成電路產(chǎn)品具備足夠的電磁兼容性能。同時,也為第三方檢測機(jī)構(gòu)提供了統(tǒng)一的測試依據(jù),促進(jìn)了行業(yè)間的技術(shù)交流與合作。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-10-26 頒布
- 2024-10-26 實施
文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T429682—2024/IEC62132-22010
.:
集成電路電磁抗擾度測量
第2部分輻射抗擾度測量
:
TEM小室和寬帶TEM小室法
Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity—
Part2Measurementofradiatedimmunit—TEMcellandwideband
:y
TEMcellmethod
IEC62132-22010IDT
(:,)
2024-10-26發(fā)布2024-10-26實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T429682—2024/IEC62132-22010
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
概述
4………………………2
試驗條件
5…………………3
試驗設(shè)備
6…………………3
通則
6.1…………………3
電纜
6.2…………………3
騷擾源
6.3RF……………3
小室
6.4TEM……………3
小室
6.5GTEM…………………………4
終端
6.650Ω……………4
監(jiān)測設(shè)備
6.7DUT………………………4
試驗布置
7…………………4
通則
7.1…………………4
試驗布置
7.2……………4
試驗板
7.3EMC…………………………6
試驗程序
8…………………6
通則
8.1…………………6
抗擾度測量
8.2…………………………6
試驗報告
9…………………8
附錄規(guī)范性場強特性測量程序
A()……………………9
附錄資料性小室和小室描述
B()TEMGTEM………16
參考文獻(xiàn)
……………………17
Ⅰ
GB/T429682—2024/IEC62132-22010
.:
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是集成電路電磁抗擾度測量的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下
GB/T42968《》2。GB/T42968
部分
:
第部分通用條件和定義
———1:;
第部分輻射抗擾度測量小室和寬帶小室法
———2:TEMTEM;
第部分射頻功率直接注入法
———4:;
第部分輻射抗擾度測量帶狀線法
———8:IC。
本文件等同采用集成電路電磁抗擾度測量第部分輻射抗擾度測量
IEC62132-2:2010《2:
小室和寬帶小室法
TEMTEM》。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC599)。
本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國汽車工程研究院股份有限公司安徽中認(rèn)倍佳
:、、
科技有限公司廈門海諾達(dá)科學(xué)儀器有限公司深圳市北測標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司北京智芯微電子科
、、、
技有限公司天津先進(jìn)技術(shù)研究院工業(yè)和信息化部電子第五研究所中國家用電器研究院重慶郵電大
、、、、
學(xué)北京星河億??萍加邢薰菊憬Z益科技有限公司中國信息通信研究院重慶仕益產(chǎn)品質(zhì)量檢測
、、、、
有限責(zé)任公司北京郵電大學(xué)東莞職業(yè)技術(shù)學(xué)院
、、。
本文件主要起草人付君崔強黃雪梅喬彥彬吳建飛方文嘯朱賽亓新李旸梁吉明謝玉章
:、、、、、、、、、、、
張紅升熊偉杰張艷艷周昕鄭益民王雪熊璞張金玲麥強康志能陳梅雙
、、、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T429682—2024/IEC62132-22010
.:
引言
為規(guī)范集成電路電磁抗擾度測量以及為集成電路制造商和檢測機(jī)構(gòu)提供不同的電磁抗擾度測量
,
方法規(guī)定了集成電路電磁抗擾度測量的通用條件定義和不同測量方法的試驗程序和試
,GB/T42968、
驗要求擬由個部分構(gòu)成
,7。
第部分通用條件和定義目的在于規(guī)定集成電路電磁抗擾度測量的通用條件和定義
———1:。。
第部分輻射抗擾度測量小室和寬帶小室法目的在于規(guī)定小室和寬
———2:TEMTEM。TEM
帶小室法的試驗程序和試驗要求
TEM。
第部分大電流注入法目的在于規(guī)定大電流注入法的試驗程序和試驗要求
———3:(BCI)。。
第部分射頻功率直接注入法目的在于規(guī)定射頻功率直接注入法的試驗程序和試驗要求
———4:。。
第部分工作臺法拉第籠法目的在于規(guī)定工作臺法拉第籠法的試驗程序和試驗要求
———5:。。
第部分輻射抗擾度測量帶狀線法目的在于規(guī)定帶狀線法的試驗程序和試驗要求
———8:IC。。
第部分輻射抗擾度測量表面掃描法目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗程序和試驗要求
———9:。。
Ⅳ
GB/T429682—2024/IEC62132-22010
.:
集成電路電磁抗擾度測量
第2部分輻射抗擾度測量
:
TEM小室和寬帶TEM小室法
1范圍
本文件描述了集成電路對射頻輻射電磁騷擾的抗擾度測量方法
(IC)(RF)。
本文件適用的頻率范圍為或為小室和寬帶小室的特性決定的頻率
150kHz~1GHzTEMTEM
范圍
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
國際電工術(shù)語第部分電路理論
IEC60050-131131:(InternationalElectrotechnicalVocabulary
(IEV)—Part131:Circuittheory)
注電工術(shù)語電路理論
:GB/T2900.74—2008(IEC60050-131:2002,MOD)
國際電工術(shù)語第部分電磁兼容
IEC60050-161161:(InternationalElectrotechnicalVocabulary
(IEV)—Part161:Electromagneticcompatibility)
注電工術(shù)語電磁兼容
:GB/T4365—2003(idtIEC60050-161:1990)
集成電路電磁發(fā)射測量第部分輻射發(fā)射測量小室
IEC61967-2150kHz~1GHz2:TEM
和寬帶小室法
TEM(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions,150kHzto
1GHz—Part2:Measurementofradiatedemissions—
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