第一章實際晶體中的位錯§1.1

FCC晶體中的位錯和位錯反應(yīng)一.單位位錯xzyFCC晶體中純?nèi)行臀诲e含有兩個多余的半原子面，當(dāng)它們分開一定距離時即形成擴展位錯。二.湯普森四面體及其符號xzyDBAC

[100][001][010]ＡＣＢＤＤＤ

（1）四個滑移面：，，，；（2）單位位錯：等；（3）Frank位錯：等；（4）Shockley位錯：等；（5）壓桿位錯：等；問題：比較這幾種位錯的能量，那一種位錯的能量最低？ＡＤＣＢ

三.單位位錯間的合成反應(yīng)在不同滑移面上移動的兩個單位位錯相遇發(fā)生位錯反應(yīng)，所形成的新位錯可能是可動位錯，也可能是不動位錯。例如：

面上矢量，

面上矢量發(fā)生合成反應(yīng)?；蛘撸?/p>

面上矢量，

面上矢量發(fā)生合成反應(yīng)。層錯的形成方式：通過原子面滑移方式，并產(chǎn)生Shockley位錯；通過抽出一層原子面方式，并產(chǎn)生負Frank位錯；通過插入一層原子面方式，并產(chǎn)生正Frank位錯。不全位錯的性質(zhì)：Shockley位錯：可以并只能在層錯面上滑移；位錯線可以是刃型、螺型和混合型的。Frank位錯：是純?nèi)行臀诲e，只能在層錯面上做攀移運動。

b1b3b2位錯線2）擴展位錯擴展位錯寬度的計算：擴展位錯寬度：當(dāng)擴展位錯的運動：擴展位錯可以在層錯面上（也是滑移面）滑移，螺型位錯形成的擴展位錯還可以進行交滑移。束集交滑移二次擴展擴展位錯的交滑移需要克服一定的激活能才能完成。ABAB面角位錯（L-C位錯鎖）的形成：一種方式面角位錯是一種不動位錯組態(tài)，對材料的加工硬化有重要貢獻。另一種方式＋ABCDABCDABCD3）空位凝聚形成的位錯結(jié)構(gòu)在層錯能低的材料中層錯四面體的形成四個面均為層錯，六個棱均為壓桿位錯的四面體。Frank位錯環(huán)粗略估算一下形成層錯四面體的臨界尺寸：根據(jù)：反應(yīng)前的能量之和>反應(yīng)后的能量之和即：層錯能＋Frank位錯能量>層錯能＋壓桿位錯能量計算得：l=40nm,實際觀察到這種缺陷的最大尺寸約50nm，因此可認為層錯四面體的形成理論是正確的。4）擴展位錯網(wǎng)絡(luò)的形成面上一組位錯群；

與面交線上有螺位錯，它們分別在各自滑移面上擴展。R擴展位錯寬度的估算：曲率半徑為R的彎曲位錯產(chǎn)生一指向曲率中心的力F＝T／R。同時受到反方向?qū)渝e能

作用

，平衡時：

＝T／R＝b2/R,

0.5由此得：R

6d[112]1a2b3c4d5e6f7a(112)面堆垛序ZYX§1.2

BCC晶體中的位錯一.單位位錯二.層錯1）通過在｛112｝面上做1/6[111]矢量滑移產(chǎn)生。2）通過在｛110｝面上做1/8[110]和1/4[112]矢量滑移產(chǎn)生。［112］abcdefaa

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在面上的投影圖層錯和孿晶的形成ABBCC晶體面堆垛序和層錯的形成三.擴展位錯1）共面分解的擴展位錯a)在{112}面上分解b)在{110}面上分解可以整體滑移可以整體滑移2）不共面分解的擴展位錯a)在{112}面上擴展（不可以整體滑移）缺少中心不全位錯，不穩(wěn)定b)在{110}面上分解在應(yīng)力作用下可轉(zhuǎn)化成：（不可以整體滑移）（可以整體滑移）OACB（）BCC晶體中孿晶的位錯形成機制極軸位錯概念：OA和OB為極軸位錯，OC為掃動位錯。（螺位錯螺距）有一螺位錯垂直于面，其柏氏矢量即為d值,平行的面為其螺旋面。AODBCAODBC’Cd