ReliabilityandEnvironmentalConformationSpecificationforClientSolidStateDrive2023-11-13發(fā)布2023-11-13實(shí)施ICT產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量與綠色發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布 II 2 2 2 2 2 3 4 5 5 5 6 6 7 7 7 7 8 9 T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICT本文件起草單位：北京市閃聯(lián)信息產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)、深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司、司、聯(lián)想信息產(chǎn)品（深圳）有限公司、聯(lián)想開(kāi)天科技有限公羅培中、陶宏芝、呂飛燕、謝曉波、和志華、李楊、武瑞1GB/T2423.50電工電子產(chǎn)品環(huán)GB/T9254.1信息技術(shù)設(shè)備、多媒體設(shè)備和接收機(jī)電磁兼容第1部JESD22-A104TemperatureJESD22-B103Vibration,VariableFJESD22-B110MechanicalShock–DeviceandSub一種以閃存為存儲(chǔ)媒體的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，主要T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICT平均無(wú)故障工作時(shí)間MeanOperatingTimeBetween相鄰兩次故障之間的平均工作時(shí)間，稱為平MTBFMeanOperatingTimeBetweenFailuresUBERUncorrectableBitErrorRateUECCUncorrectableErrorCorrectionCode可靠性要求應(yīng)符合表1的規(guī)定。應(yīng)在產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中標(biāo)明其MTBF、壽命、UBER表1可靠性要求無(wú)線電騷擾的輻射要求應(yīng)符合表2的規(guī)定，項(xiàng)目1、212333BCBCAAA注1：性能判據(jù)A為在制造商、委托方或購(gòu)買(mǎi)方規(guī)定的限值內(nèi)性能正常。性能判據(jù)B功能或性能暫時(shí)喪失或降級(jí)，但在騷擾停止后能自行恢復(fù)，不需要操作者干預(yù)。性能判據(jù)C為功能或性能暫時(shí)喪失或降低，但需操作者干預(yù)才能恢復(fù)。注2：本表格中溫度范圍為樣品周?chē)h(huán)境溫度T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICT工作濕度和貯存濕度范圍應(yīng)符合表5的規(guī)定，試驗(yàn)方法參表5濕度適應(yīng)性要求溫度變化(溫度循環(huán)、溫度沖擊)要求應(yīng)符合表6的規(guī)定，試驗(yàn)方法參考JESD22-A104和G表6溫度變化適應(yīng)性要求振動(dòng)(運(yùn)輸態(tài)、工作態(tài))適應(yīng)性要求應(yīng)符合表9的規(guī)定，試驗(yàn)方法參考JESD注3：本表格中的軸指X、Y、Z三軸注4：本表格中的軸向指X、Y、Z、-X、-Y、-Z6個(gè)軸向6T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICT本文件要求的所有試驗(yàn)在未加特殊說(shuō)明時(shí)，均應(yīng)在下a)能夠生成指定的試驗(yàn)負(fù)載，同時(shí)能夠記錄試驗(yàn)h)能夠針對(duì)不同的試驗(yàn)指標(biāo)提供相應(yīng)2)連接被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)與試驗(yàn)系統(tǒng)，確認(rèn)1)將230*塊被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)置于恒c)掉電試驗(yàn)（包含正常掉電和異常掉電）；注5：230為建議樣品數(shù)量，該樣品量按文中試驗(yàn)條件進(jìn)行試驗(yàn)，累計(jì)故障數(shù)r=1時(shí)仍滿足5.1MTBF≧200萬(wàn)小時(shí)。若需調(diào)節(jié)樣品數(shù)量其調(diào)節(jié)后的MTBF結(jié)果仍應(yīng)滿足5.1要求。7a)將6.1.2中230塊被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)置于恒溫箱中；c)從試驗(yàn)箱取出試驗(yàn)樣品，上電進(jìn)行全盤(pán)數(shù)據(jù)讀校故障時(shí)的工作條件和環(huán)境條件，單項(xiàng)試驗(yàn)時(shí)間和累計(jì)試驗(yàn)結(jié)束后，統(tǒng)計(jì)故障數(shù)量r及等效累計(jì)相關(guān)試驗(yàn)時(shí)間T后，可由公式B.1(附錄b)硬件環(huán)境：與被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)擁有相同硬件接口的微8T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICT對(duì)于各項(xiàng)抗擾度試驗(yàn)，按照表3列出的參考標(biāo)準(zhǔn)在本文件表4規(guī)定的存儲(chǔ)極限低溫條件下存放96小時(shí)，最后在室溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能在本文件表4規(guī)定的存儲(chǔ)極限高溫條件下存放336小時(shí)，最后在室溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能果整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中上電和讀寫(xiě)試驗(yàn)無(wú)異常，沒(méi)有出現(xiàn)新增壞塊、不可修復(fù)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)校驗(yàn)錯(cuò)誤、按GB/T2423.22試驗(yàn)方法進(jìn)行。被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)在常溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能試驗(yàn)，隨后在本文件表6規(guī)定的試驗(yàn)條件進(jìn)行300次循環(huán)，最后在室溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能試驗(yàn)，按GB/T2423.22試驗(yàn)方法進(jìn)行。選擇溫度持續(xù)時(shí)間48小時(shí)(低溫/高溫持續(xù)48小時(shí))，溫度變化嚴(yán)苛等級(jí)選擇（1±0.2）K/min，對(duì)被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行5個(gè)周期溫度循環(huán)試驗(yàn)，即被升溫到工作溫度極限高溫，極限高溫持續(xù)48小時(shí)，采用（1±0.2）K/min降溫到度變化時(shí)間5小時(shí)，對(duì)被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行12個(gè)周期濕度循環(huán)試驗(yàn)，即被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)在有讀寫(xiě)業(yè)務(wù)的情況下，設(shè)置溫箱濕度變化曲線如下：濕度下限持續(xù)2小時(shí)，然后采用17%/hour速率升濕到濕度上限，濕度試驗(yàn)步驟：按照GB/T2423.50方法進(jìn)行。被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)在常溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能試驗(yàn)，隨后在本文件表7規(guī)定的試驗(yàn)條件進(jìn)行504小時(shí)，最后在室溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能b)硬件環(huán)境：與被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)接口相同微型計(jì)算機(jī)；預(yù)置條件：被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)安裝于微型計(jì)算機(jī)，運(yùn)行試驗(yàn)工具對(duì)被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行持續(xù)讀寫(xiě)，同時(shí)試驗(yàn)步驟：按照GB/T2423.21試驗(yàn)方法進(jìn)行。對(duì)被測(cè)微型計(jì)算機(jī)依次進(jìn)行2小時(shí)如表8嚴(yán)酷度等級(jí)異常、被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)讀寫(xiě)正常且無(wú)數(shù)據(jù)一致性校驗(yàn)錯(cuò)能試驗(yàn)，隨后分別在本文件表9規(guī)定的試驗(yàn)條件進(jìn)行正弦掃頻振動(dòng)和隨機(jī)振動(dòng)，最后在室溫下進(jìn)行24小時(shí)一個(gè)循環(huán)6.1.2的功能試驗(yàn)，如果整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中上電和讀寫(xiě)試驗(yàn)無(wú)異常，沒(méi)有修復(fù)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)校驗(yàn)錯(cuò)誤、SMART信息警告事T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICT預(yù)置條件：被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)安裝于專用試驗(yàn)夾具，且與試驗(yàn)步驟：按照J(rèn)ESD22-B103試驗(yàn)方法進(jìn)行。被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)在有讀寫(xiě)業(yè)務(wù)的情況下，同時(shí)進(jìn)行本文件表9規(guī)定的試驗(yàn)條件進(jìn)行正弦掃頻振動(dòng)和隨機(jī)振動(dòng)，試驗(yàn)過(guò)程中被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)應(yīng)讀寫(xiě)正常且無(wú)數(shù)據(jù)一預(yù)置條件：被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)安裝于專用試驗(yàn)夾具，且與試驗(yàn)步驟：按照J(rèn)ESD22-B110試驗(yàn)方法進(jìn)行。被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)在有讀寫(xiě)業(yè)務(wù)的情況下，同時(shí)進(jìn)行本文預(yù)置條件：被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)安裝于專用試驗(yàn)夾具，且與試驗(yàn)步驟：按照GB/T2423.6試驗(yàn)方法進(jìn)行。被測(cè)固態(tài)硬盤(pán)在有讀寫(xiě)業(yè)務(wù)的情況下，同時(shí)進(jìn)行本文AT=e-Tfield——客戶端工作態(tài)閃存介質(zhì)的殼溫；將各個(gè)參數(shù)代入公式A.1，可得AT=18.6T/IGRS0020-2023T/AHQGD-ICTB.1推薦的置信區(qū)間為c;X2——卡方分布假設(shè)230個(gè)樣品均完成1000小時(shí)的高溫加速試驗(yàn)，那么實(shí)其中選取附錄1中加速因子AT=18.6；那么等效累計(jì)相關(guān)試驗(yàn)時(shí)間EQ\*jc3\*hps14\o\al(\s\up