《高純銅蒸發(fā)料》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)編制說明（送審稿）2025年3月高純銅蒸發(fā)料編制說明1工作簡況任務(wù)來源根據(jù)工業(yè)和信息化部辦公廳《關(guān)于印發(fā)2023年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項目計劃的通知》（工信廳科函〔2023〕18號）的要求，下達(dá)了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《高純銅蒸發(fā)料》（標(biāo)準(zhǔn)項目號為2023-0077T-YS）的制定任務(wù)，技術(shù)歸口單位為全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會，標(biāo)準(zhǔn)起草單位為有研億金新材料有限公司、有研億金新材料（山東）有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、金川集團股份有限公司，計劃于2025年完成。1.2標(biāo)準(zhǔn)制定的必要性半導(dǎo)體（集成電路、分立器件、LED等）、平板顯示（液晶、等離子體、有機發(fā)光二極管等）以及太陽能光伏（晶體硅電池、薄膜電池等）等一系列戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)是電子信息領(lǐng)域發(fā)展的重點。高純金屬蒸發(fā)料在電子信息領(lǐng)域占據(jù)重要的地位，尤其是高純銅蒸發(fā)料，由于其具有突出的導(dǎo)電性、傳熱性等，成為高端電子器件中的核心關(guān)鍵原材料。在電子工業(yè)中，常用作各種互聯(lián)線、集成電路、液晶顯示器等高技術(shù)領(lǐng)域。隨著全球分立器件產(chǎn)業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移和新興太陽能產(chǎn)業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，高純銅蒸發(fā)料更多地應(yīng)用在高端產(chǎn)線，包含8寸及以上產(chǎn)線，大陸客戶群體如中芯國際、杭州士蘭、UMAT等；高純銅蒸發(fā)料在臺灣半導(dǎo)體市場需求量最大，客戶群如元隆電子、UMC等；同時，國外市場也有大量應(yīng)用，如新加坡、韓國等。高純度銅蒸發(fā)料在這些國際集成電路廠商中，通過高真空蒸發(fā)鍍膜工藝，實現(xiàn)大尺寸硅片的背面金屬化。充分發(fā)揮了高純度銅的高導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和其他一些優(yōu)異的物理性能，這些廠家的需求量很大。通常高純銅蒸發(fā)料由國外廠家供應(yīng)，近年來國內(nèi)研發(fā)和生產(chǎn)的高純銅蒸發(fā)料質(zhì)量不斷提升，已經(jīng)可以替代國外進口產(chǎn)品。隨著我國高端集成電路生產(chǎn)線的大規(guī)模投入使用，我國高純銅蒸發(fā)料市場將快速增加，預(yù)計年增速可達(dá)15%以上，經(jīng)濟效益和社會效益可觀。目前我國已有多家企業(yè)可提供該類產(chǎn)品，但由于未對高純銅蒸發(fā)料制定相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，也未檢索到相應(yīng)的國際標(biāo)準(zhǔn)或國外先進標(biāo)準(zhǔn)，市場上的高純銅蒸發(fā)料質(zhì)量、規(guī)格多樣，驗收規(guī)則也千差萬別，因此需要建立我國高純銅蒸發(fā)料行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可促進現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量的提高，確保產(chǎn)品生產(chǎn)、檢驗和驗收的規(guī)范及統(tǒng)一。目前美國材料協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)、日本電子協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)、歐盟標(biāo)準(zhǔn)中均沒有高純銅蒸發(fā)料的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，因此高純銅蒸發(fā)料產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的制定對該產(chǎn)品技術(shù)水平的不斷提高將起到一定的推動作用。高純銅蒸發(fā)料的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的建立，將樹立我國自主知識產(chǎn)權(quán)的標(biāo)準(zhǔn)，補充我國在高純銅蒸發(fā)料領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)的缺失，填補國內(nèi)空白，建立符合我國的高純銅供應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈，補齊我國在該領(lǐng)域的短板，實現(xiàn)國產(chǎn)高純銅蒸發(fā)料的自主可控。本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)多年產(chǎn)品的生產(chǎn)經(jīng)驗和使用要求，積累一定數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上制定的，充分考慮了標(biāo)準(zhǔn)的先進性、適用性和可操作性。1.3起草單位及起草人所作工作（1）有研億金新材料有限公司有研億金新材料有限公司簡稱有研億金。公司屬于中關(guān)村科技園高新技術(shù)企業(yè)、“十百千工程”重點培育企業(yè)，擁有北京市企業(yè)技術(shù)中心，2012年公司被評定為“國家級科技創(chuàng)新型示范企業(yè)”。公司是中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會支撐分會理事單位、中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事單位。經(jīng)過10多年的發(fā)展，有研億金已成為具備一定產(chǎn)業(yè)規(guī)模、在微電子領(lǐng)域和醫(yī)療器械行業(yè)內(nèi)具有良好影響力的快速成長性企業(yè)。有研億金擁有30多年專業(yè)從事稀有和貴金屬材料研究、開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，獲得并積累了一大批國家和部級科研成果，培養(yǎng)造就了大批科研、生產(chǎn)人才。有研億金是國內(nèi)率先開展高純銅蒸發(fā)料研究開發(fā)的單位，在半導(dǎo)體領(lǐng)域用高純銅蒸發(fā)料制備加工領(lǐng)域具有國內(nèi)領(lǐng)先的優(yōu)勢。多年來，有研億金利用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能金屬材料制備技術(shù)，開發(fā)了獨具特色的高純金屬蒸發(fā)料及靶材產(chǎn)品，產(chǎn)品涉及面很廣，包含各種材質(zhì)的高純蒸發(fā)料，如Cu、Ag、Al、V、Ni、Pt、Ni及Ni合金、Au及Au合金等，以及各種材質(zhì)靶材，如Al、Cu、Ti、Co、Ta及Coil、Ni及其合金、Ru及其合金，各種難熔金屬靶材等，形成了具有年產(chǎn)值近億元的產(chǎn)業(yè)基地，如先進鍍膜用半導(dǎo)體材料、光學(xué)材料、稀土材料、集成電路相關(guān)材料、磁存儲相關(guān)材料等，具備一大批對高純金屬材料制備加工技術(shù)具有堅實理論基礎(chǔ)和豐富實踐經(jīng)驗的專家和技術(shù)人員。有研億金新材料（山東）有限公司有研億金新材料（山東）有限公司是有研億金新材料有限公司的全資子公司，為中央直屬企業(yè)中國有研科技集團有限公司下屬公司。公司2021年9月注冊成立，注冊資金5億元，位于德州市天衢新區(qū)，占地面積138.8畝，主要從事集成電路用高純?yōu)R射靶材等電子專用材料研發(fā)、制造、銷售。公司一期項目投資近6億元，打造集成電路用高純銅及銅合金、高純鈷、高純鉭、鎳基合金靶材以及粉末冶金靶材研發(fā)、生產(chǎn)基地，一期項目達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能將達(dá)到4.3萬塊/年。項目于2022年5月開工建設(shè)，2023年1月廠房主體工程完工，同步推進關(guān)鍵工藝裝備產(chǎn)線及配套設(shè)施建設(shè)，9月份項目全面投產(chǎn)。項目的建成，有研億金高端靶材產(chǎn)品可滿足90～7納米集成電路先進制程使用需求，為國內(nèi)芯片制造企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)定制化服務(wù)及配套保障，提升我國集成電路關(guān)鍵配套材料自主可控能力。金川集團股份有限公司金川集團股份有限公司是由甘肅省人民政府控股的特大型采、選、冶、化、深加工聯(lián)合企業(yè)，主要生產(chǎn)鎳、銅、鈷、鉑族貴金屬及有色金屬壓延加工產(chǎn)品、化工產(chǎn)品、有色金屬化學(xué)品、有色金屬新材料等，具備鎳23萬噸、銅110萬噸、鈷1.7萬噸、鉑族金屬10噸、黃金30噸、白銀600噸、硒碲220噸和化工產(chǎn)品600萬噸的生產(chǎn)能力，擁有世界第五座、亞洲第一座鎳閃速熔煉爐，世界首座富氧頂吹鎳熔煉爐等國際領(lǐng)先的裝備和工藝技術(shù)。金川集團擁有一支高素質(zhì)、年輕化、專業(yè)化的研發(fā)團隊，形成了以鎳鈷資源綜合利用國家重點實驗室、國家鎳鈷新材料工程技術(shù)中心、甘肅省鎳鈷資源高效利用及新產(chǎn)品開發(fā)創(chuàng)新聯(lián)合體等為主的產(chǎn)學(xué)研用一體的聯(lián)合攻關(guān)平臺，長期與國內(nèi)相關(guān)高校、科研院所等保持緊密聯(lián)系，有完善高效的科技創(chuàng)新體制機制。累計獲得省部級以上科技獎勵180項，1989年“金川資源綜合利用”獲得國家科技進步特等獎，2019年“冶金爐窯強化供熱關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”、“鎳陽極泥中鉑鈀銠銥綠色高效提取技術(shù)”獲國家科技進步二等獎；擁有授權(quán)專利2311項；獲得計算機軟件著作權(quán)186項；修制訂國家標(biāo)準(zhǔn)74項、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)186項，主持制訂國際標(biāo)準(zhǔn)1項，參與制訂國際標(biāo)準(zhǔn)3項。（4）寧波江豐電子材料股份有限公司寧波江豐電子材料股份有限公司成立于2005年，是由國家海外高層次引才計劃專家姚力軍博士領(lǐng)導(dǎo)的海外高層次歸國留學(xué)人員組成的創(chuàng)業(yè)團隊所創(chuàng)立的一家高科技企業(yè)，是A股創(chuàng)業(yè)板上市公司（股票代碼300666），專業(yè)從事集成電路、平板顯示器和太陽能用超高純材料及濺射靶材研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司先后承擔(dān)了國家02重大專項、863計劃、稀土專項、彩電專項、工信部電子發(fā)展基金工業(yè)強基等國家級科研及產(chǎn)業(yè)化項目，連續(xù)參加了“十一五”、“十二五”、“十三五”國家科技創(chuàng)新成就展。1.4主要過程和內(nèi)容1.4.1預(yù)研階段高純銅蒸發(fā)料作為一種重要的半導(dǎo)體電子器件制造用材料已得到廣泛的應(yīng)用，高純銅蒸發(fā)料的純度、尺寸、表面質(zhì)量等直接影響蒸發(fā)鍍膜的質(zhì)量，決定了半導(dǎo)體集成電路的電性能，隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，此種蒸發(fā)鍍膜材料的消耗量逐年增加，市場廣闊。2019年12月，有研億金新材料有限公司接到標(biāo)準(zhǔn)制定任務(wù)后，針對高純銅蒸發(fā)料查閱和檢索了國內(nèi)外有關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和資料，國內(nèi)沒有相關(guān)產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)，國內(nèi)外包括美國材料協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)、日本電子協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)、歐盟標(biāo)準(zhǔn)中均沒有高純銅蒸發(fā)料的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。有研億金牽頭成立了標(biāo)準(zhǔn)編制小組，并落實起草任務(wù)，確定標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人，擬定該標(biāo)準(zhǔn)的工作計劃。具體分工為：有研億金新材料有限公司總負(fù)責(zé)、市場和同行業(yè)信息收集、資料匯總及執(zhí)筆；江豐電子、金川等其他公司負(fù)責(zé)補充市場信息和標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)的驗證。各企業(yè)分工明確，緊密合作，共同完成標(biāo)準(zhǔn)的制訂工作。有研億金已對國內(nèi)高純銅蒸發(fā)料的市場情況、生產(chǎn)情況及使用情況進行了詳細(xì)的調(diào)研，了解國內(nèi)高純銅蒸發(fā)料生產(chǎn)的技術(shù)水平、檢測及應(yīng)用情況，與企業(yè)技術(shù)人員深入討論技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的具體技術(shù)要求，參觀企業(yè)現(xiàn)場生產(chǎn)情況，了解高純銅蒸發(fā)料的使用過程及核心性能。1.4.2立項階段2022年5月，有研億金新材料有限公司向全體委員會提交了《高純銅蒸發(fā)料》標(biāo)準(zhǔn)項目建議書、標(biāo)準(zhǔn)草案及標(biāo)準(zhǔn)立項說明等材料，全體委員會討論結(jié)論為同意標(biāo)準(zhǔn)立項。2023年4月，工業(yè)和信息化部辦公廳下達(dá)了制定《高純銅蒸發(fā)料》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的任務(wù)，計劃編號為2023-0077T-YS完成年限為2025年，技術(shù)歸口單位為全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會。1.4.3各階段工作過程1）起草階段在標(biāo)準(zhǔn)起草修訂過程中，我們查閱了國內(nèi)外有關(guān)銅蒸發(fā)料的信息和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。通過信息收集，未發(fā)現(xiàn)國內(nèi)外相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)國內(nèi)的市場需求和生產(chǎn)能力、銅蒸發(fā)料的使用要求，并結(jié)合半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展趨勢而制定。經(jīng)過查閱和檢索國內(nèi)外有關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和資料，包括GB/T26017高純銅、YS/T919高純銅鑄錠、有研億金等企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等；高純銅蒸發(fā)料使用客戶潤芯感知、天通瑞宏、泉州三安、浙江芯微泰克、四川矽芯等技術(shù)要求。匯總各家的標(biāo)準(zhǔn)及意見，作為建立本技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)依據(jù)。2023年8月30日經(jīng)過多次研究論證，形成了《高純銅蒸發(fā)料》的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《討論稿》及《編制說明》。2024年6月由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會主持，在北京召開有事金屬標(biāo)準(zhǔn)工作會議，來自有研億金新材料（山東）有限公司、金川集團股份有限公司、寧波金田銅業(yè)（集團）股份有限公司、浙江省冶金研究院有限公司、佛山市華鴻銅管有限公司、重慶有研重冶新材料有限公司等多家單位專家對本標(biāo)準(zhǔn)（預(yù)審稿）全文進行了認(rèn)真、細(xì)致的討論，提出了修改意見和建議。專家所提意見有：（1）高純銅蒸發(fā)料的形狀分為柱狀和片狀，在4.1分類中增加高純銅蒸發(fā)料的示意圖，更加清晰易懂。（2）高純銅蒸發(fā)料牌號建議在5N、6N基礎(chǔ)上，增加6N5、7N牌號；（3）高純銅蒸發(fā)料產(chǎn)品是采用高純銅鑄錠作為原材料經(jīng)過加工制備獲得的，因此高純銅蒸發(fā)料的化學(xué)成分，應(yīng)與本次標(biāo)準(zhǔn)會議討論的正在修訂的YS/T919《高純銅鑄錠》保持一致；（4）外形尺寸及允許偏差，采用表格形式更清晰明了。（5）化學(xué)成分的試驗方法，雜質(zhì)元素N、O、H的分析方法按照GB/T5121.8的規(guī)定進行。（6）外形尺寸及允許偏差的試驗方法，由于產(chǎn)品尺寸較小較為簡單，采用相應(yīng)精度的測量工具測量即可。（7）對于化學(xué)成分的取樣規(guī)定，可以是鑄錠，也可以在成品取樣。標(biāo)準(zhǔn)編制組及時對預(yù)審稿意見進行了匯總和整理，形成了征求意見稿。2編制原則和依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了本系列標(biāo)準(zhǔn)編制工作組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計、檢驗數(shù)據(jù)、市場需求及客戶要求等信息。初步確定了《高純銅蒸發(fā)料》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：1）查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；2）根據(jù)國內(nèi)外高純銅蒸發(fā)料使用企業(yè)具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性與實用性；3）廣泛適用，操作可行的原則；4）有利于創(chuàng)新發(fā)展與國際接軌的原則。3主要內(nèi)容的確定依據(jù)3.1主要內(nèi)容與適用范圍本文件規(guī)定了高純銅蒸發(fā)料的分類和標(biāo)記、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸、貯存及隨行文件和訂貨單內(nèi)容。本文件適用于半導(dǎo)體行業(yè)用的高純銅蒸發(fā)料。3.2規(guī)范性引用文件本標(biāo)準(zhǔn)針對客戶對高純銅蒸發(fā)料要求編寫。要求包括：產(chǎn)品分類、牌號、化學(xué)成分、幾何尺寸、外觀質(zhì)量等方面。引用了以下國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T5121.4銅及銅合金化學(xué)分析方法第4部分：碳、硫含量的測定GB/T5121.8銅及銅合金化學(xué)分析方法第8部分：氧、氮、氫含量的測定GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定YS/T922高純銅化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法3.3技術(shù)要求3.3.1產(chǎn)品分類高純銅蒸發(fā)料化學(xué)成分分為四個牌號：IC-Cu7N、IC-Cu6N5、IC-Cu6N、IC-Cu5N。高純銅蒸發(fā)料主要分為片狀、柱狀，如圖1所示。CABCABCABCABLDLDb)柱狀片狀b)柱狀片狀注：a）中A——長度；B——寬度；C——厚度；b）中L——長度，D——直徑。單位均為mm。圖1高純銅蒸發(fā)料示意圖高純銅蒸發(fā)料按產(chǎn)品名稱、牌號、尺寸的順序表示。標(biāo)記示例如下：示例1：用IC-Cu5N牌號制造的、直徑為3.0mm、長度為3.0mm的高純銅蒸發(fā)料，標(biāo)記為：柱狀蒸發(fā)料YS/TXXXX—IC-Cu5N，Ф3.0×3.0示例2：用IC-Cu6N牌號制造的、長度為10.0mm、寬度為10.0mm、厚度為2.0mm的高純銅蒸發(fā)料，標(biāo)記為：片狀蒸發(fā)料YS/TXXXX—IC-Cu6N，10.0×10.0×2.03.3.2化學(xué)成分鑒于蒸發(fā)鍍膜用途要求不同，高純銅蒸發(fā)料的化學(xué)成分分為5N、6N、6N5、7N。影響到薄膜電性能、可靠性，需分析的雜質(zhì)元素包括：金屬雜質(zhì)元素Ag、Al、As、Bi、Ca、Cr、Fe、Mg、Mn、K、Na、Sb、Si等及非金屬雜質(zhì)元素C、O、N等。C、O、N元素是氣體元素，當(dāng)含量達(dá)到一定數(shù)值后，會發(fā)生高純銅蒸發(fā)使用時的飛濺問題，因此必須有一定的含量限制。如果顧客對某種特定雜質(zhì)元素含量有要求的，按顧客要求進行分析。金屬雜質(zhì)元素的分析方法按YS/T922的規(guī)定進行，氣體元素C的分析方法按照GB/T5121.4的規(guī)定進行；氣體元素O的分析方法按照GB/T5121.8的規(guī)定進行；氣體元素N的分析方法可按照GB/T5121.8的規(guī)定進行，也可由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。在半導(dǎo)體行業(yè)用高純銅蒸發(fā)料標(biāo)準(zhǔn)制定過程中，調(diào)研了國內(nèi)外高純銅蒸發(fā)料客戶基本要求、設(shè)備商、制造商要求，參照現(xiàn)有高純銅和高純銅錠標(biāo)準(zhǔn)，對一些存在危害的雜質(zhì)元素含量給出了明確控制要求，這些雜質(zhì)元素主要包括金屬雜質(zhì)元素Ag、Al、As、Bi、Ca、Cr、Fe、Mg、Mn、Sb、Si及堿金屬K、Na雜質(zhì)元素等。高純銅蒸發(fā)料的蒸發(fā)鍍膜過程，是將高純銅以原子形式蒸發(fā)然后沉積在晶圓上，形成薄膜，再進行后續(xù)的光刻等工藝，形成集成電路。雜質(zhì)金屬元素存在潛在的風(fēng)險，比如會引起集成電路短路等問題，因此須對高純銅蒸發(fā)料中該類元素進行控制。當(dāng)前有研億金新材料有限公司生產(chǎn)的高純銅蒸發(fā)料檢測數(shù)據(jù)見下表1。表1有研億金高純銅蒸發(fā)料成分檢測數(shù)據(jù)牌號Cu5NCu6N編號1234512345Cu含量/%99.9994099.9994099.9994899.9992699.9993599.9999899.9999699.9999799.9999699.99996雜質(zhì)含量/10-6Ag0.520.370.330.690.380.120.250.150.270.23Al0.230.260.390.220.360.0160.0190.0200.0300.025As0.170.360.260.370.320.0180.0150.0060.0080.013Bi0.060.030.020.050.04<0.001<0.001<0.001<0.001<0.001Ca0.320.220.350.290.24＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Cr0.160.10.130.150.17＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Fe2.312.341.912.792.520.0320.0350.0460.0370.034K0.050.20.150.320.21<0.0050.0150.012<0.005<0.005Mg0.520.220.450.360.280.0390.0240.0470.0350.051Mn0.170.110.090.050.12<0.001<0.001<0.001<0.001<0.001Na0.340.250.160.20.33<0.005<0.005<0.005<0.005<0.005Ni0.230.460.320.550.210.0050.0040.0050.00450.0064P0.220.150.180.230.35<0.001<0.001<0.001<0.001<0.001Pb0.020.030.110.130.12<0.001<0.001<0.001<0.001<0.001Sb0.0450.0620.050.20.14<0.005<0.005<0.005<0.005<0.005Si0.640.880.320.840.690.0140.0280.0230.0210.041Sn0.210.170.220.340.120.020.030.020.020.04Th<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001U<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001<0.0001C45622＜1＜1＜1＜1＜1O22352＜1＜1＜1＜1＜1N23223＜1＜1＜1＜1＜1雜質(zhì)總含量/10-66.0096.0455.2227.4446.4840.24440.39030.3080.4050.399金川集團股份有限公司生產(chǎn)6N純度的高純銅蒸發(fā)料，檢測數(shù)據(jù)如下表2和表3：表2金川6N高純銅蒸發(fā)料成分檢測數(shù)據(jù)測定元素測定結(jié)果/mg/kg測定元素測定結(jié)果/mg/kg測定元素測定結(jié)果/mg/kgLi<0.001Ga<0.01Nd<0.001Be<0.001Ge<0.005Sm<0.001B<0.001As0.01Eu<0.001C-Se<0.01Gd<0.001N-Br<0.05Tb<0.001O-Rb<0.001Dy<0.001F<0.005Sr<0.001Ho<0.001Na<0.005Y<0.001Er<0.001Mg0.007Zr<0.001Tm<0.001Al0.01Nb<0.01Yb<0.001Si0.03Mo<0.01Lu<0.001P0.002Ru<0.005Hf<0.001S0.2Rh<0.1Ta<1Cl0.03Pd<0.005W<0.001K<0.01Ag0.16Re<0.001Ca<0.005Cd<0.01Os<0.001Sc<0.001In<0.005Ir<0.001Ti0.02Sn<0.005Pt<0.01V<0.001Sb<0.005Au<0.01Cr<0.005Te<0.05Hg<0.01Mn<0.001I<0.005Tl<0.001Fe0.03Cs<0.01Pb<0.001Co0.01Ba<0.001Bi0.002Ni0.08La<0.001Th<0.0001Cu基體Ce<0.001U<0.0001Zn<0.01Pr<0.001H-表3金川6N高純銅蒸發(fā)料氣體元素檢測數(shù)據(jù)測定元素測定結(jié)果/mg/kgC<5N<5O<5H<1江豐電子股份有限公司生產(chǎn)5N和6N高純銅蒸發(fā)料，檢測數(shù)據(jù)如下表4：表4江豐電子高純銅蒸發(fā)料成分檢測數(shù)據(jù)牌號5N6N編號規(guī)格（≥）12345規(guī)格（≥）12345銅含量不小于/%99.99999.999899.999899.999899.999899.999899.999999.9999899.9999899.9999899.9999899.99998雜質(zhì)含量/ppmAg21.31.41.21.51.10.30.10.10.110.10.1Al0.5＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005As0.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Bi0.2＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Ca0.5＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Cr0.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Fe0.50.020.010.020.010.010.10.010.010.020.010.01K0.03＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Na0.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Ni0.50.5＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005P0.10.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Pb0.050.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Sb0.10.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.02＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Se0.10.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Si0.50.5＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Sn0.10.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Te0.10.1＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005Th0.001＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.00050.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005U0.001＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.00050.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005Zn0.21＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.0050.05＜0.005＜0.0005＜0.0005＜0.0005＜0.0005C10＜1＜1＜1＜1＜11＜1＜1＜1＜1＜1N5＜1＜1＜1＜1＜11＜1＜1＜1＜1＜1O5＜1＜1＜1＜1＜11＜1＜1＜1＜1＜1H0.1＜0.1＜0.1＜0.1＜0.1＜0.10.1＜0.1＜0.1＜0.1＜0.1＜0.1S10.010.010.010.010.010.05＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005＜0.005客戶A使用Cu5N高純銅蒸發(fā)料，其技術(shù)要求如表5所示：表5客戶A對Cu5N高純銅蒸發(fā)料化學(xué)成分要求質(zhì)量分?jǐn)?shù)/（×10-4）%AgAlAsBiCaCrFeKMgMn≤1≤0.5≤0.5≤0.1≤0.5≤0.2≤3≤0.5≤1≤0.2NaNiPPbSbSiThU金屬雜質(zhì)總和≤0.5≤1≤0.5≤0.5≤0.5≤1≤0.01≤0.01≤10客戶B使用Cu6N高純銅蒸發(fā)料，其技術(shù)要求如表6所示：表6客戶B對Cu6N高純銅蒸發(fā)料化學(xué)成分要求質(zhì)量分?jǐn)?shù)/（×10-4）%AgAlAsBiCaCrFeKMgMnNa≤0.3≤0.05≤0.02≤0.02≤0.02≤0.02≤0.2≤0.02≤0.2≤0.2≤0.02NiPPbSbSiThUCON金屬雜質(zhì)總和≤0.1≤0.020.02≤0.020.3≤0.005≤0.005≤1≤1≤1≤1綜上所示，各生產(chǎn)廠家對高純銅蒸發(fā)料的管控要求差別較大，考慮到高純銅蒸發(fā)料是采用高純銅鑄錠作為原材料加工制備而成，加工過程不會影響內(nèi)部純度，因此高純銅蒸發(fā)料的化學(xué)成分，沿用高純銅鑄錠的化學(xué)成分。另外由于YS/T919修訂版本中新增了6N5和7N牌號，因此高純銅蒸發(fā)料也隨之增加6N5和7N牌號。高純銅蒸發(fā)料化學(xué)成分如下表7。表7高純銅蒸發(fā)料化學(xué)成分牌號IC-Cu7NIC-Cu6N5IC-Cu6NIC-Cu5NCu含量a，不小于%99.9999999.9999599.999999.999雜質(zhì)元素含量（質(zhì)量分?jǐn)?shù)），不大于（×10-4）%Ag0.050.10.32Al0.0050.0050.050.5As0.0050.010.020.1Au0.005———B0.005———Be0.005———Bi0.0050.010.020.2Ca0.0050.010.020.5Cd0.010.05—0.1Co0.0050.02—0.3Cr0.0050.010.020.1Fe0.010.050.10.5Ga0.005———Ge0.005———Hg0.005———K0.0050.010.02—Li0.005———Mg0.005———Mn0.010.02—0.1Mo0.005———Na0.0050.020.02—Nb0.005———Ni0.010.050.10.5P0.0050.010.020.1Pb0.0050.010.020.05Sb0.0050.010.020.1Se0.0050.050.050.1Si0.020.050.050.5Sn0.0050.010.050.1Te0.0050.020.050.1Th0.00010.00050.0005—Ti0.005———U0.00010.00050.0005—V0.005———Zn0.010.020.050.1Zr0.005———雜質(zhì)元素含量（質(zhì)量分?jǐn)?shù)），不大于（×10-4）%C11110N1115O1115H0.10.10.11S0.020.050.051Cl0.010.05——雜質(zhì)含量總和b（質(zhì)量分?jǐn)?shù)），不大于（×10-4）%0.10.5110注:需方若對雜質(zhì)元素種類及含量有特殊要求的，由供需雙方協(xié)商。aCu含量為100%減去“雜質(zhì)總和”。b“雜質(zhì)總和”為表中所列雜質(zhì)元素（除C、O、N、H、S、Cl外）實測值之和。3.3.3外形尺寸及允許偏差本標(biāo)準(zhǔn)在編制之前，廣泛搜集整理了不同客戶的需求。高純銅蒸發(fā)料的尺寸及公差應(yīng)符合客戶的要求。當(dāng)客戶有新的要求時，供需雙方須進行協(xié)商確認(rèn)后，方可生產(chǎn)。簡單尺寸可以使用千分尺、卡尺等相應(yīng)精度的測量工具。金川集團有限公司的產(chǎn)品尺寸有：Φ3×3mm、Φ6×6mm，直徑公差±0.2mm、長度公差±0.5mm；有研億金新材料有限公司的產(chǎn)品尺寸有：Φ2×2mm、Φ3×3mm、Φ6×6mm，直徑公差±0.2mm、長度公差±0.5mm；江豐電子股份有限公司的產(chǎn)品尺寸有：2×10×10mm，厚度公差±0.2mm，長度公差±0.5mm；φ6×12mm，直徑公差±0.2mm，長度公差±0.5mm。根據(jù)目前供應(yīng)商所生產(chǎn)的產(chǎn)品規(guī)格尺寸，可固定成常規(guī)幾種尺寸，若需方有其他牌號、狀態(tài)、尺寸需要時，由供需雙方協(xié)商確定后在訂貨單中注明。產(chǎn)品外形尺寸及允許偏差見表8。表8外形尺寸及允許偏差項目片狀柱狀長度（A）寬度（B）厚度（C）直徑（D）長度（L）尺寸/mm10102331515266允許偏差/mm±0.5±0.5±0.2±0.2±0.5注：經(jīng)雙方協(xié)商，可提供其他規(guī)格及允許偏差的銅蒸發(fā)料。3.3.5外觀質(zhì)量根據(jù)生產(chǎn)實際情況，高純銅蒸發(fā)料表面缺陷主要有表面不平整、不潔凈，有飛邊、毛刺、夾雜和裂紋缺陷，存在氧化、油污、顆粒附著物等污染。因此本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了高純銅蒸發(fā)料表面應(yīng)光滑、潔凈，無氧化、油污和銹蝕，應(yīng)無顆粒附加物和其他沾污。如圖2樣品端面存在氧化和臟污，判定為不合格品。高純銅蒸發(fā)料實際生產(chǎn)是通過沖、剪、裁等加工方式制備的，因此產(chǎn)品端面或表面允許有輕微的沖、剪、裁等痕跡，如圖3。高純銅蒸發(fā)料表面質(zhì)量合格品示例，如圖4。圖2不合格品-端面存在氧化和臟污圖3產(chǎn)品端面或表面允許有輕微的沖、剪、裁等痕跡圖4高純銅蒸發(fā)料表面質(zhì)量合格品示例（φ3×3mm）4、標(biāo)準(zhǔn)水平分析4.1標(biāo)準(zhǔn)水平本標(biāo)準(zhǔn)參照了國際先進的高純銅蒸發(fā)料制造企業(yè)產(chǎn)品要求。通過文獻(xiàn)檢索、網(wǎng)上查詢，國內(nèi)外并沒有高純銅蒸發(fā)料的相關(guān)國家、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定。在標(biāo)準(zhǔn)制定過程中，總結(jié)國內(nèi)外高純銅蒸發(fā)料制造商的實際生產(chǎn)水平，并調(diào)研了國內(nèi)外半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域客戶對產(chǎn)品的基本要求，首次對半導(dǎo)體行業(yè)用的各類高純銅蒸發(fā)料制定了標(biāo)準(zhǔn)，確定該標(biāo)準(zhǔn)總體水平為國際一般水平。4.2標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新點高純銅材料由于具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、傳熱性等，成為高端電子器件中的核心關(guān)鍵原材料，在集成電路、太陽能電池等方面有廣