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文檔簡介

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一4.4.1硅柵CMOS器件4.4CMOS集成器件與電路設(shè)計4.4.2CMOS電路中的寄生效應(yīng)目錄4.4.3CMOS集成電路版圖設(shè)計實例特點高工藝容錯能力，低成本，低功耗，抗干擾能力強；開關(guān)特性好，適合做二進制數(shù)字電路尺寸不敏感，靜態(tài)邏輯功能與尺寸無關(guān)，高設(shè)計容錯能力易于模塊化，自動化設(shè)計技術(shù)相對成熟VinVoutCLVDDVDDVDDVin=VDDVin=

0VoutVoutRnRp|VGS|CMOS反相器最基礎(chǔ)的CMOS電路由一個NMOS和一個PMOS構(gòu)成繪制版圖時，切記MOS管是四端器件Substrate/WellisconnectedtoVSSWellisconnectedtoVDDMOS管是四端器件NMOSDSDSIDDSBPMOSDSDSIDDSBCMOS集成電路版圖圖層定義CMOS工藝是平面工藝，一步（多步）工藝過程對應(yīng)一層的平面幾何圖形平面幾何圖形遵守特定的設(shè)計規(guī)則，不同層之間采用不同的顏色和填充表示，以方便區(qū)分（nm工藝，采用雙重圖形甚至三重、四重圖形技術(shù)，同層圖形之間也需要通過不同著色進行區(qū)分）CMOS集成電路版圖圖層定義CMOS工藝是平面工藝，一層工藝過程對應(yīng)一定的平面幾何圖形平面幾何圖形遵守特定的設(shè)計規(guī)則，不同層之間采用不同的顏色&填充表示，以方便區(qū)分（nm工藝，采用雙重圖形技術(shù)甚至三重、四重圖形技術(shù)，同層圖形之間也需要通過不同著色進行區(qū)分）n阱CMOS反相器工藝過程VinVoutCLVDDPolysiliconInOutVVDDGNDPMOS2lMetal1NMOSContactsNWell平面工藝，一層版圖對應(yīng)一（多）層掩膜，一步工藝過程n阱CMOS反相器cell設(shè)計單元（cell）等高不等寬單元預(yù)先設(shè)計驗證，建庫，基于單元（cell-based）集成通過EDA工具按約束擺放，構(gòu)建互連線CMOS單元庫參數(shù)實例ttypical=tintrisic+(Kload?Cload)TTPD=KProce

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