固鎮(zhèn)縣毛鉭廠實(shí)驗(yàn)中學(xué)2024~2025學(xué)年高二4月月考考生注意：1.滿分100分，考試時(shí)間75分鐘。2.考生作答時(shí)，請(qǐng)將答案答在答題卡上。選擇題每小題選出答案后，用2B鉛筆把答題卡上對(duì)應(yīng)題目的答案標(biāo)號(hào)涂黑；非選擇題請(qǐng)用直徑0.5毫米黑色墨水簽字筆在答題卡上各題的答題區(qū)域內(nèi)作答，超出答題區(qū)域書寫的答案無效，在試題卷、草稿紙上作答無效。3.本卷命題范圍：人教版選擇性必修2第一章至第三章的第二節(jié)(重點(diǎn)考查第二章的二、可能用到的相對(duì)原子質(zhì)量：H1C12N140.16Al27一、選擇題：本題共16小題，每小題3分，共48分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1.下列分子屬于含有極性鍵的非極性分子的是A.O?2.下列分子或離子的中心原子，不帶孤電子對(duì)的是A.PCl?B.H?O+3.下列離子的VSEPR模型是正四面體形結(jié)構(gòu)的是C.CO-4.鍵的極性對(duì)物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)有重要影響。下列有機(jī)物的酸性最弱的是【高二4月月考·化學(xué)卷第1頁(共6頁)】5361B-15.元素N、O、P、S位于周期表中p區(qū)。下列說法正確的是A.原子半徑B.最高化合價(jià)C.電負(fù)性D.第一電離能7.下列對(duì)電子排布式或軌道表示式的書寫及評(píng)價(jià)正確的是電子排布式或軌道表示式ACa原子的電子排布式：1s22s22p?3s23p?4s2正確B錯(cuò)誤；違反洪特規(guī)則CDBr的電子排布式：[Ar]4s24p?正確閱讀下列材料，完成8～9小題。一些特殊的物質(zhì)，如(SCN)?(擬鹵素)、COS(羰基硫)、H?S?(相似。8.下列說法錯(cuò)誤的是C.基態(tài)N原子有三個(gè)未成對(duì)電子D.SCN-中C原子的雜化方式為sp2B.H?S、NH?、CH?的鍵角依次增大C.COS中σ鍵與π鍵數(shù)之比為1:1D.N?H?的熔沸點(diǎn)比NH?高A.區(qū)分晶體與非晶體最科學(xué)的方法是對(duì)固體進(jìn)行紅外光譜實(shí)驗(yàn)B.晶體與非晶體的根本區(qū)別在于固體是否具有規(guī)則的幾何外形C.呈現(xiàn)晶體外形的水晶是熔融態(tài)SiO?快速冷卻形成的D.晶體具有固定的熔點(diǎn)AABC下列有關(guān)HCND的說法錯(cuò)誤的是A.碳原子為sp雜化B.是V形分子13.下列判斷正確的是【高二4月月考·化學(xué)卷第3頁(共6頁)】5361B-1A.干冰升華時(shí)CO?中化學(xué)鍵減弱C.1個(gè)CO?分子與12個(gè)CO?分子等距離D.1個(gè)干冰晶胞含4個(gè)原子17.(14分)回答下列問題：(1)某元素的基態(tài)原子最外層電子排布式為ns"np"+2,則n=;該元素為_°(3)已知砷(As)元素原子的最外層電子排布式為4s24p3,AsH?的VSEPR模型名稱為 ,分子的空間結(jié)構(gòu)名稱為,含有的共價(jià)鍵為(填“極性鍵”或“非極性鍵”)。18.(12分)我國科學(xué)家研發(fā)的全球首套千噸級(jí)太陽能燃料合成項(xiàng)目被形象地稱為“液態(tài)陽光”計(jì)劃。該項(xiàng)目通過太陽能發(fā)電電解水制氫，再采用高選擇性催化劑將二氧化碳加氫合成甲(1)太陽能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。Si的核外電子排布式為;SiCL?是 生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體，其VSEPR模型為_o (2)CO?分子中存在的共價(jià)鍵類型有,鍵角為_o(4)由碳、硅兩種元素組成的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：則該化合物的化學(xué)式為(1)基態(tài)Fe2+的價(jià)層電子的軌道表示式為(2)乙烯分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為o【高二4月月考·化學(xué)卷第5頁(共6頁)】(3)NH?、PH?、AsH?按沸點(diǎn)由高到低排序依次為(4)SOa、CH?、NH?按鍵角由大到小排序依次為(5)H?O的中心O原子的雜化類型為(6)HCOOH、C?H?COOH、CH?CICOOH三種物質(zhì)的酸性由強(qiáng)到弱的順序是20.(14分)AIN是重要的半導(dǎo)體材料，Ga(鎵)、P、As(砷)都是形成化合物半導(dǎo)體材料的重要元素?；卮鹣铝袉栴}：(1)As基態(tài)原子的電子占據(jù)了個(gè)能層，最高能級(jí)的電子排布式為o三種元素的第一電離能由大到小的順序是(3)白磷是由PA分子形成的分子晶體，P分子呈正四面體結(jié)構(gòu)，P原子位于正四面體的四個(gè) 。頂點(diǎn)，則P原子的雜化方式為 。(4)采用Ga,In?-As(鎵銦砷)等材料，可提高太陽能電池的效率。GaIn?-As立方體形晶胞中每個(gè)頂點(diǎn)和面心都有一個(gè)原子，晶胞內(nèi)部有4個(gè)原子，則該晶胞中含有個(gè)(5)AIN晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似(如圖),設(shè)晶胞的邊長為acm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)，則該晶體的密度為g·cm-3?！靖叨?月月考·化學(xué)卷第6頁(共6頁)】5361B-1一、選擇題：本題共16小題，每小題3分，共48分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。123456789CDBCADADADBBADAC1.CO含有非極性鍵，是非極性分子，故A不選；CH?Cl中含有的C-H鍵、C-Cl鍵是極性鍵，但是空間結(jié)構(gòu)為四面體形，正負(fù)電荷中心不重合，為極性分子，故B不選；C?H?中含有C-H鍵為極性鍵，空間結(jié)構(gòu)為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，正負(fù)電荷中心重合，是非極性分子，故C選；NaCl是離子晶體，不含有分子，故D不選。2.DPCl?中孤電子對(duì)數(shù)1,故A錯(cuò)誤；H?O+中孤電子對(duì)數(shù),故B錯(cuò)誤；NHz中,故C錯(cuò)誤；BeCl?中孤電子對(duì),故D正確。3.BNO2中價(jià)層電子對(duì)數(shù),VSEPR模型是平面三角形，故A錯(cuò)誤；CIO-中價(jià)層電子對(duì)EPR模型是正四面體形，故B正確；CO-中價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+形，故D錯(cuò)誤。4.C電負(fù)性大小為F>H,則吸電子能力：F>H,吸電子能力越強(qiáng)導(dǎo)致羧基更容易電離出H+,酸性最強(qiáng)的為CHF?COOH,-CH?是推電子基團(tuán)會(huì)使得羧基中羥基的極性減小，H?CH?COOH的酸性最弱。6.D根據(jù)原子序數(shù)可知，元素依次為Si、P、S、Cl,同周期元素的原子半徑從左至右依次減小，A不符合題意；最高化合價(jià)由低至高，B不符合題意；電負(fù)性依次增大，C不符合題意；磷的第一電離能大于硫，圖像變化符合事實(shí)，D符合題意。7.ACa基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p?4s2,遵循構(gòu)造原理，A正確；相同軌道中的兩個(gè)電子運(yùn)動(dòng)方向相反，違反了泡利不相容原理，B錯(cuò)誤；電子應(yīng)先充滿同能級(jí)的軌道，違反了洪特規(guī)則，C錯(cuò)誤；Br的電子排布式為[Ar]3d?4s24p?,D錯(cuò)誤。8.D氮原子的2p軌道半充滿，第一電離能：N>0,A正確；離子半徑：S2->Cl-,B正確；基態(tài)N原子有三個(gè)未成對(duì)電子，C正確；SCN-中C原子的雜化方式為sp,D錯(cuò)誤。9.AH?O?分子結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，導(dǎo)致正電與負(fù)電中心不重合，是極性分子，A錯(cuò)誤；H?S、NHs、CH?中心原子的孤電子對(duì)數(shù)依次減少，鍵角依次增大，B正確；COS的結(jié)構(gòu)類似CO?,其結(jié)構(gòu)為0-C-S,σ鍵與π鍵數(shù)之比為1:1,C正確；N?H?分子間形成氫鍵的數(shù)目比NH?分子間的數(shù)目多，故N?H的熔沸點(diǎn)比NH?的高，D正確。10.D區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法是對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)，A錯(cuò)誤；有規(guī)則的幾何外形的物質(zhì)不一定是晶體，B錯(cuò)誤；呈現(xiàn)晶體外形的水晶是熔融態(tài)SiO?緩慢冷卻形成的，快速冷卻形成的是瑪瑙，C錯(cuò)誤；晶體具有固定的熔點(diǎn)，D正確。【高二4月月考·化學(xué)卷參考答案第1頁(共2頁)】5361B-112.B碳原子有2個(gè)。鍵，無孤電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2,碳原子的雜化類型為sp,A正確；碳原子雜化類型沸點(diǎn)由高到低：SiCl?<SiBr?<SiI,B錯(cuò)誤；BF?中B價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,無孤電子對(duì)，為平面三角形，H?O中O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)4,有2個(gè)孤電子對(duì)，NH?中N的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,有1個(gè)孤電子對(duì)，孤電子對(duì)數(shù)越多，斥力越大，鍵角越小，鍵角大小順序是BF?>NH?>H?O,C錯(cuò)誤；非金屬性越強(qiáng)，氫化物的穩(wěn)定性越強(qiáng)，非金屬性：F>Cl>Br,熱穩(wěn)定性：HF>14.D由磷錫青銅合金晶胞圖可知，Cu位于面心于體心，則磷錫青銅合金的化學(xué)式為Cu?SnP,A正確；由晶胞圖可知，8個(gè)頂點(diǎn)的Sn距離體心的P距離相等且最近，B正確；三種元素Cu、Sn、P的價(jià)層電子排布分別為3d4s1、5s25p2、3s23p3,則三種元素在元素周期表中分別處于ds區(qū)、p區(qū)、p區(qū)，C正確；以面心的銅分析，該晶胞中與Cu等距離且最近的Cu有8個(gè)，故D錯(cuò)誤。15.A由化合價(jià)及原子序數(shù)關(guān)系可知X為O,Y為Na,Z為Al,Q為P,T為S。氧離子、鈉離子、鋁離子的核外電子排布相同，核電荷數(shù)越多離子半徑越小，則簡(jiǎn)單離子半徑：0->Na+>Al3+,故A錯(cuò)誤；電負(fù)性同主族從上到下逐漸減小，則電負(fù)性：0>S,故B正確；非金屬性：S>P,則最高價(jià)含氧酸的酸性：H?PO?<H?SO?,故C正確；Y、Z二者的最高價(jià)氧化物的水化物分別為氫氧化鈉、氫氧化鋁，氫氧化鋁可以與氫氧化16.C干冰升華時(shí)，CO2分子間作用力減小，