3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型3.2.1場效應(yīng)管的主要電參數(shù)

1.直流參數(shù)

（1）夾斷電壓UGS(off)（3）零偏漏極電流IDSS(也稱為漏極飽和電流)（2）開啟電壓UGS(th)（4）直流輸入電阻RGS2.交流參數(shù)

（1）跨導(dǎo)gm

也稱為互導(dǎo)。其定義為JFET的RGS>107Ω，MOS管的RGS>109Ω一般管子的gm約為零點幾到幾個毫西門子3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型gm的大小反映了柵源電壓uGS對漏極電流iD控制能力的強弱。對于JFET和耗盡型MOS管，由電流方程可求得在靜態(tài)工作點Q處的跨導(dǎo)可見，gm與IDQ有關(guān)。IDQ越大，gm也就越大3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型對于增強型的MOS管，由電流方程在靜態(tài)工作點Q處的跨導(dǎo)（2）輸出電阻rdsrds的數(shù)值很大（幾十千歐~幾兆歐）3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型3.極限參數(shù)（1）漏極最大允許耗散功率PDSM

（2）最大漏極電流IDSM（3）柵源擊穿電壓U（BR）GS（4）漏源擊穿電壓U（BR）DS3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型由場效應(yīng)管工作原理知iD=f(uGS，uDS)iG=

0對iD全微分FETgds3.3.2場效應(yīng)管的微變等效電路3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型主講教師：趙進全為跨導(dǎo)式中rds為FET共源極輸出電阻故

FETgds3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型或者FET的微變等效電路FETgds3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型簡化的微變等效電路FET的微變等效電路3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型3.3.3場效應(yīng)管與晶體管的比較(1)導(dǎo)電機理晶體管則利用多子和少子兩種載流子導(dǎo)電(2)結(jié)構(gòu)對稱性晶體管的結(jié)構(gòu)不對稱，集電極和發(fā)射極是不能互換的場效應(yīng)管是利用多數(shù)（一種極性）載流子導(dǎo)電的

場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)具有對稱性，如果MOS管的源極和襯底在制造時不連在一起，漏極和源極可以互換使用。3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，即通過uGS來控制iD晶體管是一種電流控制器件，即通過iB來控制iC(3)控制方式(4)放大能力場效應(yīng)管因跨導(dǎo)較小，而放大能力較弱晶體管因電流放大系數(shù)較大而放大能力較強3.2場效應(yīng)管的參數(shù)與小信號模型（6）穩(wěn)定性及噪聲場效應(yīng)管具有較好的溫度穩(wěn)定性、抗輻射性和低噪聲性晶體管則受溫度和輻射的影響較大

(5)直流輸入電阻

場效應(yīng)管的直流輸入電阻大（結(jié)型一般大于