廣西欽州市2024-2025學(xué)年高二下學(xué)期期中考試化學(xué)檢測試卷注意事項:1.答題前,考生務(wù)必將自己的姓名、準考證號填寫在答題卡上，2.四答選擇題時,選出每小題答案后,用鉛筆把答題卡上對應(yīng)題目的答案標號涂黑。如需改動,用橡皮擦干凈后,再選涂其他答案標號。四答非選擇題時,將答案寫在簽題卡上。寫在本試卷上無效。3.考試結(jié)來后,將本試卷和答題卡一并交回。一、選擇題:本題共14小題,每小題3分,共42分。在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的。1．下列物質(zhì)屬于金屬晶體的是A．氯化鈉 B．干冰 C．水銀 D．金剛石2．化學(xué)與生產(chǎn)、生活密切相關(guān)，下列說法錯誤的是A．推廣使用可降解塑料聚乳酸，能減少白色污染B．三星堆青銅大立人以合金為材料，其深埋于地下生銹是因為發(fā)生了析氫腐蝕C．液晶既有液體的流動性、形變性和黏度，又有類似晶體的各向異性D．汽車防凍液的主要成分為乙二醇，其沸點高的原因是易形成分子間氫鍵3．“下一代地鐵列車”——碳纖維地鐵列車已在廣州成功試跑。下列關(guān)于碳纖維地鐵列車描述錯誤的是A．車廂內(nèi)的不銹鋼扶手屬于合金材料B．無人駕駛室的芯片主要成分為無機非金屬材料C．碳纖維是一種新型有機高分子材料D．列車顯示屏中的液晶是介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質(zhì)狀態(tài)4．下列說法中不正確的是A．在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B．在CaF2晶體中，每個晶胞平均占有4個Ca2+C．在CO2晶體中，每個CO2周圍等距且緊鄰的CO2有12個D．在KCaF3晶體中，與F-距離最近的是K+5．固體有晶體和非晶體之分(實際上還有介于兩者之間的晶體)，下列對晶體和非晶體相關(guān)敘述中不正確的是A．相同質(zhì)量的晶體轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷w屬于熵增過程B．晶體具有自范性，非晶體沒有自范性C．沒有固定熔點D．圖中a表示的是晶態(tài)的衍射圖譜6．沒有對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的認識，同學(xué)們對化學(xué)的學(xué)習(xí)將是無源之水、無本之木，以下高中化學(xué)課程中關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)的說法，正確的是A．金剛石的熔點低于金剛砂B．的26個電子在原子軌道中做圓周運動C．由離子形成的物質(zhì)在常溫常壓下可能不是固體D．液晶可表現(xiàn)各向異性，沒有固定熔點，這是它不屬于晶體的本質(zhì)原因7．砷化鎵是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，熔點為。從砷化鎵廢料(主要成分為和)中回收鎵和砷的工藝流程如下圖所示。下列說法正確的是A．是分子晶體B．“堿浸”時，被氧化，則每反應(yīng)，轉(zhuǎn)移電子的數(shù)目為C．濾渣Ⅱ的主要成分是D．晶胞如上圖，距離最近且等距離的原子數(shù)為88．對物質(zhì)的研究可改善我們的生活。下列描述錯誤的是A．表面活性劑在水中會形成親水基團向外、疏水基團向內(nèi)的膠束B．分子結(jié)構(gòu)修飾是使分子的主體骨架發(fā)生改變，從而導(dǎo)致性質(zhì)發(fā)生改變C．超分子具有分子識別與自組裝的特征D．液晶和液態(tài)是物質(zhì)的兩種不同聚集狀態(tài)9．冠醚由于形似“王冠”而得名。如；

。下列關(guān)于冠醚的說法正確的是A．冠醚屬于烴類B．冠醚與“杯酚”均屬于超分子C．冠醚能完全燃燒生成和D．(1)和(2)互為同系物10．下列說法正確的是A．Cl2比F2沸點高，因為其相對分子質(zhì)量較大B．分子中鍵長越短，鍵能越大，熔沸點越高C．用純堿溶液洗滌油脂，符合相似相溶原理D．水加熱到很高的溫度都難分解，因為水分子間存在氫鍵11．近年來我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一系列意義重大的鐵系超導(dǎo)材料，其中一類為Fe、Sm、As、F、O組成的化合物。下列說法正確的是A．元素As與N同族，可預(yù)測AsH3分子中As－H鍵間的鍵角大于NH3中N－H鍵間的鍵角B．NH3的水溶液中存在不同的氫鍵，其中根據(jù)氨水顯堿性可以推測NH3和H2O間存在的主要氫鍵形式可能為(NH3)N…H－O(H2O)C．配合物Fe(CO)n可用作催化劑，F(xiàn)e(CO)n內(nèi)中心原子價電子數(shù)與配位體提供電子總數(shù)之和為18，則n=4D．每個H2O分子最多可與兩個H2O分子形成兩個氫鍵12．已知P4的結(jié)構(gòu)如圖，P4在KOH濃溶液中可發(fā)生反應(yīng)：P4+3KOH+3H2O3KH2PO2+PH3↑，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是A．產(chǎn)物PH3分子中所有的原子可能共平面B．31gP4含有1.5NA個P－P鍵C．相關(guān)元素的電負性大小順序：P＞O＞H＞KD．P4中P原子為sp2雜化13．關(guān)于[Ti(NH3)5Cl]Cl2]的說法中，錯誤的是A．中心原子的配位數(shù)是6B．Ti的化合價為+3價C．1mol[Ti(NH3)5Cl]Cl2含有σ鍵的數(shù)目為15NAD．含1mol[Ti(NH3)5Cl]Cl2]的水溶液中加入足量AgNO3溶液，產(chǎn)生2mol白色沉淀14．用示意圖能夠直觀形象地將化學(xué)知識傳授給學(xué)生。下列示意圖正確的是A．B．C． D．非選擇題:本隨共4小題,共58分15．我國科學(xué)家利用Cs2CO3、XO2(X=Si、Ge)和H3BO3首次合成了組成為CsXB3O7的非線性光學(xué)晶體。回答下列問題：(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式[Ar]；SiO2、GeO2具有類似的晶體結(jié)構(gòu)，其中熔點較高的是，原因是。(2)Cs2CO3中陰離子的空間構(gòu)型為，Cs2CO3中組成元素的電負性由大到小的順序(用元素符號作答)。(3)和Ge同主族的碳可以形成含有大π鍵的茂環(huán)陰離子(C5H)，其大π鍵可表示為，該茂環(huán)陰離子(C5H)可以與Ni2+、Fe2+形成如圖所示的配離子，茂環(huán)陰離子(C5H)作為配體以π電子參與配位，則配離子中鐵周圍的價電子數(shù)共有個。(4)在硼酸鹽中，陰離子有鏈狀、環(huán)狀、骨架狀等多種結(jié)構(gòu)形式，圖(a)為一種無限長單鏈狀結(jié)構(gòu)的多硼酸根，其化學(xué)式為；圖(b)為硼砂晶體中的陰離子，其中硼原子采取的雜化類型為。(5)CsSiB3O7屬正交晶系(長方體形)。晶胞參數(shù)為apm、bpm、cpm。如圖為沿y軸投影的晶胞中所有Cs原子的分布圖和原子分數(shù)坐標。據(jù)此推斷該晶胞中Cs原子的數(shù)目為。CsSiB3O7的摩爾質(zhì)量為Mg?mol-1，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則CsSiB3O7晶體的密度為g?cm-3(用代數(shù)式表示)。16．鉻是重要的金屬元素之一，其化合物有著廣泛的用途。回答下列問題：(1)基態(tài)鉻原子的未成對電子數(shù)是。(2)CrO2Cl2是重要的氯化劑。制備CrO2Cl2的反應(yīng)為K2Cr2O7+3CCl4=2KCl+2CrO2Cl2+3COCl2↑。①COCl2中C、O和Cl元素的電負性由大到小的順序是(用元素符號表示)。②CrO2Cl2常溫下為深紅色液體，能與CCl4、CS2等互溶，據(jù)此可判斷CrO2Cl2分子的空間構(gòu)型是(填“平面四邊形”或“四面體形”)。(3)三價鉻丙二酸配合物[Cr(C3H2O4)(H2O)4][Cr(C3H2O4)2(H2O)2]·4H2O在有機合成方面具有優(yōu)良的催化性能，其中陰離子的結(jié)構(gòu)如下：①陰離子中碳原子的雜化軌道類型是。②在丙二酸根與Cr3+配位時，配位原子為1號氧而不是2號氧的原因是。(4)Cr-N系列涂層具有良好的耐磨和腐蝕性，在抗微動磨損上表現(xiàn)尤佳。某氮化鉻的晶胞結(jié)構(gòu)與氯化鈉的相同。已知N原子在晶胞中的位置如圖所示：①下列為晶胞中Cr原子沿x軸方向的投影的是(填字母)。a.

b.

c.

d.②若晶胞中最近的Cr原子和N原子相切，原子半徑分別為r(Cr)nm和r(N)nm；晶胞中N原子的坐標是A(0，0，0)、B(，，0)，則距A和B最近的Cr原子的坐標是，該原子到C原子的距離是nm[用含r(Cr)、r(N)的代數(shù)式表示]。17．A、D、E、F都是元素周期表前四周期的元素，原子序數(shù)依次增大?；鶓B(tài)A原子的2p軌道半充滿?；鶓B(tài)D原子的M層上電子數(shù)等于A原子的核外電子總數(shù)。E和F位于D的下一周期，E的原子序數(shù)比F少1?；鶓B(tài)F原子的最外層電子數(shù)為1，其余各層電子均充滿?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)A原子的核外電子共有種不同運動狀態(tài)，基態(tài)D原子中能量最高的電子所占據(jù)的原子軌道形狀為。(2)E在元素周期表中的位置為。E與F的第二電離能分別為：，，的原因是。(3)丁二酮肟X與反應(yīng)生成鮮紅色沉淀Y，常用于檢驗，反應(yīng)原理如圖。X中碳原子的雜化軌道類型是。Y中的配位數(shù)為，Y中不存在的微粒間作用力是(填標號)。a．配位鍵b．氫鍵c．離子鍵d．非極性鍵e．極性鍵(4)可以與形成配離子。H-A-H的鍵角：，請說明原因。(5)①與形成的化合物的立方晶胞如圖，離子的分數(shù)坐標為，，則e點的分數(shù)坐標為。②已知立方晶胞的邊長為dpm，與的最短距離為pm，晶胞的密度(列出表達式，表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。18．稀土元素是國家戰(zhàn)略資源，目前我國稀土提煉技術(shù)處于世界領(lǐng)先地位。某課題組以含鈰廢渣(含較多的、、及少量其他可溶于酸的物質(zhì))為原料，設(shè)計如圖流程回收稀土元素鈰，實現(xiàn)資源再利用。已知：不溶于稀硫酸，也不溶于溶液?；卮鹣铝袉栴}：(1)為提高“酸溶”的速率，實驗室常用圖示儀器進行固體物質(zhì)的粉碎，該儀器的名稱是。(2)“濾渣2”中主要成分的化學(xué)式為；“反應(yīng)1”的離子方程式為，其中的作用是。(3)“反應(yīng)2”的離子方程式為。(4)“濾液1”經(jīng)一系列反應(yīng)與操作可制得硫酸鐵銨，硫酸鐵銨可用作凈水劑，其凈水原理是(用離子方程式表示)。(5)氧化鈰()常用作玻璃工業(yè)添加劑，在其立方晶胞中摻雜，占據(jù)原來的位置，可以得到更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得氧化鈰具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用，晶胞中與最近的核間距為。已知：。①晶胞中與最近的的個數(shù)為。②若摻雜后得到：的晶體，則此晶體中的空缺率為。③晶體的密度為(列出表達式)。答案題號12345678910答案CBCDCCBBCA題號11121314答案BBCA15．(1)3d104s24p2SiO2二者均為共價晶體，由于Si的原子半徑小于Ge，故Si－O鍵的鍵長比Ge－O鍵的鍵長短，Si－O鍵鍵能大，故SiO2熔點高(2)平面正三角形O＞C＞Cs(3)π18(4)[BO2]或BOsp2、sp3(5)4×103016．(1)6(2)O>Cl>C平面四邊形(3)sp3、sp21號氧比2號氧的價層孤電子對數(shù)多，且?guī)ж撾姡滋峁┕码娮訉?合理即可)(4)b(，0，0)或(0，，0)3[r(Cr)+r(N)]17．(1)