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文檔簡(jiǎn)介
搶分秘籍3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
考情分析
①原子核外電子的排布
②元素的電離能、電負(fù)性及微粒半徑的大小比較
③“兩大理論”與微粒構(gòu)型
考向預(yù)測(cè)④分子性質(zhì)與微粒間作用
⑤成鍵方式、晶體類型的判斷
⑥有關(guān)晶體的計(jì)算
⑦解釋原因類簡(jiǎn)答題
物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的相關(guān)知識(shí)不論在必修模塊還是選修模塊中均處于相當(dāng)重要的地位,是分析物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和
性質(zhì)重要的理論依據(jù),隨著新課標(biāo)新高考的實(shí)施,在選擇題中涉及物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的題目增多,創(chuàng)新
增大,綜合性增強(qiáng)。木專題的考查點(diǎn)主要圍繞原子、分子和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)設(shè)置的,根據(jù)試題的外觀征
以及考查模塊的不同,可將物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分為四個(gè)考查熱點(diǎn):一是原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤
判斷;二是“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷;三是晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算;四是選擇性必修2模塊單設(shè)題目的考
查。
解題技法
技法1原子或離子中各微粒間的數(shù)量關(guān)系
(1)對(duì)于原子:質(zhì)子數(shù)=核電荷數(shù)=核外電子數(shù)=原子序數(shù)。
(2)質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)。
(3)質(zhì)子數(shù)=陽(yáng)離子的核外電子數(shù)+陽(yáng)離子所帶正電荷數(shù)。
(4)質(zhì)子數(shù)=陰離子的核外電子數(shù)-陰離子所帶負(fù)電荷數(shù)。
技法2元素、核素、同位素之間的關(guān)系
L具有相同核電荷數(shù)的同一類原子的總稱,
同種元素可包含多種不同的核素
f兀素具有一定數(shù)目的虹和一定數(shù)目的
@)-…到生壬的一種原子
\扁者/質(zhì)子數(shù)相同,中子數(shù)不同的同一種元
素的不同核素的薪
一去具有相同的質(zhì)子數(shù)/中子數(shù)L核素1互稱同位素
兀素一不同的中子數(shù)中子數(shù)2,核素2
,(在周期表中同
屬一個(gè)位置)
宏觀概念,一類原子微觀概念,不同原子微觀概念,相互關(guān)系
技法3核外電子排布
(1)核外電子排布規(guī)律
能量規(guī)律離核由近到遠(yuǎn),電子能量由低到高
每層最多容納的電子數(shù)為2/
數(shù)量規(guī)律最外層不超過(guò)8個(gè)(K層為最外層時(shí)不超過(guò)2個(gè))
次外層不超過(guò)18個(gè)
(2)原子結(jié)構(gòu)示意圖
(3)基態(tài)原子的核外電子排布原理
1)能量最低原理:即電子盡可能地先占有能量低的軌道,然后進(jìn)入能量高的軌道,使整個(gè)原子的能量處于最
低狀態(tài)。如圖為構(gòu)造原理示意圖,即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖:
OOO
OO
O
2)泡利不相容原理
每個(gè)原子軌道里最多只能容納』個(gè)電子,且自旋狀態(tài)相反。
2s2s
如2s軌道上的電子排布為門,不能表示為印。
3)洪特規(guī)則
當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相同。
如2P3的電子排布為
2p,T一2P、
不能表示為卜“一I或
2p
洪特規(guī)則特例:當(dāng)能量相同的原子軌道在全滿(p6、『。、?4)、半滿(p3、d\P)和全空(P。、d。、f°)狀態(tài)時(shí),體
系的能量最低,如:24Cr的電子排布式為Is22s22P63s23P63d54s1。
(4)表示基態(tài)原子核外電子排布的四種方法
表示方法舉例
電子排布式Cr:1s22s22P63s23P63d54sl
簡(jiǎn)化表示式Cu:[Ar]3d104sl
價(jià)電子排布式Fe:3d64s2
Is2s2p
電子排布圖(或軌道表示式)
技法4微粒半徑的比較(以短周期為例)
1.相同電性微粒半徑大小的比較
①原子半徑:左下角的鈉最大
②陽(yáng)離子半徑:左下角的鈉離子最大
③陰離子半徑:左下角的磷離子最大
2.不同電性微粒半徑大小的比較
①同周期:陰離子半徑〉陽(yáng)離子半徑,如Na+<C「
②同元素:電子數(shù)越多,微粒半徑越大,如Fe2+>Fe3+
③同結(jié)構(gòu):質(zhì)子數(shù)越多,離子半徑越小,如Na+<02-
技法5根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)
L方法I
根據(jù)上述方法I計(jì)算出◎鍵電子對(duì)數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù),在確定了。鍵電子對(duì)數(shù)和中心原子上的
孤電子對(duì)數(shù)后,可以依據(jù)下面的方法確定相應(yīng)的較穩(wěn)定的分子或離子的空間結(jié)構(gòu):
0鍵電子對(duì)數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)=價(jià)層電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)相互排斥,VSEPR模型略去孤電子對(duì)〉分子的空間結(jié)構(gòu)
以CO2、NH4+、NF3為例:
①CO2:中心C原子的價(jià)電子為4,配位原子為氧原子,配位原子數(shù)為2,即有2對(duì)0鍵電子對(duì)數(shù),中心C
原子上的孤電子對(duì)數(shù)=[4-2x(8-6)]/2=0,即中心C原子無(wú)孤電子對(duì),VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型,價(jià)層
電子對(duì)數(shù)為2的VSEPR模型為直線形,則CO2的實(shí)際構(gòu)型為直線形。
②NH4+:中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氫原子,配位原子數(shù)為4,NH4+帶1個(gè)正電荷,中心N原
子上的孤電子對(duì)數(shù)=[5-l-4x(2-l)]/2=0,即中心N原子無(wú)孤電子對(duì),VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型,價(jià)層
電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形,則NH4+的實(shí)際構(gòu)型為正四面體形。
③NF3:中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氟原子,配位原子數(shù)為3,不帶電荷,中心N原子上的孤電
子對(duì)數(shù)=[5-3x(8-7)]/2=l,即中心N原子有1孤電子對(duì),VSEPR模型略去1孤電子對(duì)才是分子的實(shí)際構(gòu)型,
價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形,則NF3的實(shí)際構(gòu)型為三角錐形。
2.方法II
根據(jù)上述方法II計(jì)算出價(jià)層電子對(duì)總數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)總數(shù)得出VSEPR模型,
由VSEPR模型略去孤電子對(duì)就可以得出分子的實(shí)際構(gòu)型。
價(jià)層電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)相互排斥,VSEPR模型略去孤電子對(duì))分子的空間結(jié)構(gòu)
以82、NH4\NF3為例:
①C02:中心C原子的價(jià)電子為4,配位原子為氧原子,不計(jì)算配位原子數(shù),中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4/2=2,
中心碳原子與兩個(gè)氧原子結(jié)合,故CO2中C原子孤電子對(duì)數(shù)=2-2=0,即中心C原子無(wú)孤電子對(duì),VSEPR模
型就是分子的實(shí)際構(gòu)型,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2的VSEPR模型為直線形,則CO2的實(shí)際構(gòu)型為直線形。
②NH4+:中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氫原子,配位原子數(shù)為4,NH4+帶1個(gè)正電荷,中心N原
子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=(5+4-1)/2=4,中心N原子與4個(gè)氫原子結(jié)合,故NH4+中N原子孤電子對(duì)數(shù)=4-4=0,即
中心N原子無(wú)孤電子對(duì),VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形,
則NH4+的實(shí)際構(gòu)型為正四面體形。
③NF3:中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氟原子,配位原子數(shù)為3,不帶電荷,中心N原子的價(jià)層電
子對(duì)數(shù)=(5+3)/2=4,中心N原子與3個(gè)氟原子結(jié)合,故NF3中N原子孤電子對(duì)數(shù)=4-3=1,即中心N原子有
1孤電子對(duì),VSEPR模型略去1孤電子對(duì)才是分子的實(shí)際構(gòu)型,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體
形,則NF3的實(shí)際構(gòu)型為三角錐形。
【特別說(shuō)明】①中心原子不含孤電子對(duì)的分子(或離子),VSEPR模型與分子(或離子)的空間結(jié)構(gòu)一致。
②中心原子若有孤電子對(duì),孤電子對(duì)也要占據(jù)中心原子周圍的空間,并與成鍵電子對(duì)互相排斥,則VSEPR
模型與分子的空間結(jié)構(gòu)不一致。推測(cè)分子的立體模型必須略去VSEPR模型中的孤電子對(duì)。
技法6雜化軌道類型的判斷方法
L根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷中心原子的雜化類型、空間結(jié)構(gòu)
在確定了分子或離子的中心原子上的成鍵電子對(duì)數(shù)和孤電子對(duì)數(shù)后,可以依據(jù)下面的方法確定其中心原子
的雜化軌道類型:。鍵電子對(duì)數(shù)(成鍵電子對(duì)數(shù))+孤電子對(duì)數(shù)=價(jià)電子對(duì)數(shù)=雜化軌道數(shù)[2—§
<3sp2
49sp3
根據(jù)雜化類型及孤電子對(duì)數(shù)即可判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu),列表如下:
價(jià)層電子對(duì)雜化軌道類成鍵電子對(duì)孤電子對(duì)雜化軌道分子空間結(jié)實(shí)例
數(shù)型數(shù)數(shù)數(shù)構(gòu)
2
2sp20直線形BeCL、CO2>HCN
30平面三角形BF3、SO3、CO32
3sp23
21V形SnBr2、SO2、NO2一
3
40四面體形CHCl3>SiCl4>PO4-
4sp3314三角錐形NH3、PCb、SO32
22V形0F2、H2O、NH2-
2.根據(jù)雜化軌道間的夾角判斷
雜化軌道間的夾角雜化軌道類型
109028‘sp3
120°sp2
180°sp
3.根據(jù)分子或離子的空間結(jié)構(gòu)判斷
分子或離子的空間結(jié)構(gòu)雜化軌道類型
正四面體形sp3
平面三角形sp2
直線形sp
4.根據(jù)共價(jià)鍵類型判斷
由雜化軌道理論可知,原子之間成鍵時(shí),未參與雜化的軌道用于形成兀鍵,雜化軌道用于形成。鍵或用來(lái)
容納未參與成鍵的孤電子對(duì)。對(duì)于能明確結(jié)構(gòu)式的分子、離子,其中心原子的雜化軌道數(shù)n=中心原子形成
的。鍵數(shù)+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù),即可將結(jié)構(gòu)式和電子式相結(jié)合,從而判斷中心原子形成的0鍵數(shù)和中
心原子上的孤電子對(duì)數(shù),進(jìn)而判斷雜化軌道數(shù)。例如:
①在SiF4分子中,基態(tài)硅原子有4個(gè)價(jià)電子,與4個(gè)氟原子形成4個(gè)◎鍵,沒(méi)有孤電子對(duì),n=4,則SiF4
分子中硅原子采用sp3雜化。
②在HCHO分子中,基態(tài)碳原子有4個(gè)價(jià)電子,與2個(gè)氫原子形成2個(gè)◎鍵,與氧原子形成C=O,C=O中
有1個(gè)◎鍵、1個(gè)兀鍵,沒(méi)有孤電子對(duì),n=3,則HCHO分子中碳原子采用sp?雜化。
5.以碳原子為中心原子的分子中碳原子的雜化類型
①?zèng)]有形成兀鍵,為sp3雜化:CH4、CC14、—C—
I
_\\/
②形成一個(gè)兀鍵,為sp2雜化:CH2=CH2、苯(大兀鍵)、C=o、C=C
//\
③形成兩個(gè)兀鍵,為sp雜化:CH三CH、O=C=O(CO2)>S=C=S(CS2)
技法7確定等電子體的方法
1.確定方法:同主族代換或同周期相鄰元素替換,交換過(guò)程中注意電荷變化。變換過(guò)程中注意電荷變化,并
伴有元素種類的改變
序號(hào)方法示例
豎換:把同族元素(同族原子價(jià)電子數(shù)相同)上下交換,
1CO2與CS2、03與SO2
即可得到相應(yīng)的等電子體
橫換:換相鄰主族元素,這時(shí)候價(jià)電子發(fā)生變化,再通
2N2與CO
過(guò)得失電子使價(jià)電子總數(shù)相等
。3與NO5、CH4與NH]
3可以將分子變換為離子,也可以將離子變換為分子
CO與CN-
把。換成前一個(gè)原子(N)
如:國(guó)CN
少了1個(gè)電子,再得1個(gè)電子
把N換成前一個(gè)原子(C)
少了1個(gè)電子,再得1個(gè)電子口
口把C換成后一個(gè)原子(N)(多1個(gè)電子)小口
口:把()換成前一個(gè)原子(N)(少1個(gè)電子)"匕1
2.常見(jiàn)的等電子體匯總
微粒通式價(jià)電子總數(shù)立體構(gòu)型
、,直線形
CO2CNSNO2,N3AX216e-
(萬(wàn)、24e-平面三角形
COF,NS03AX3
SO2、03、NO5AX218e-V形
正四面體形
sor>porAX432e-
、三角錐形
porsor>CIOFAX326e-
co、N2AX10e-直線形
、8e-正四面體形
CH4NH4AX4
技法8晶體類型的判斷方法
L依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間作用力判斷
由陰、陽(yáng)離子形成離子鍵構(gòu)成的晶體為離子晶體;由原子形成的共價(jià)鍵構(gòu)成的晶體為原子晶體;由分子依
靠分子間作用力形成的晶體為分子晶體;由金屬陽(yáng)離子、自由電子以金屬鍵形成的晶體為金屬晶體
2.依據(jù)物質(zhì)的分類判斷
①活潑金屬氧化物和過(guò)氧化物(如K2O、NazCh等),強(qiáng)堿(如NaOH、KOH等),絕大多數(shù)的鹽是離子晶體
②部分非金屬單質(zhì)、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物的晶體是分
子晶體
③常見(jiàn)的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見(jiàn)的化合物類原子晶體有SiC、SiO2,AIN,BP、
CaAs等
④金屬單質(zhì)、合金是金屬晶體
3.依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷
不同類型晶體熔點(diǎn)大小的一般規(guī)律:原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體的熔點(diǎn)差別很大,如鴇、鉗
等熔點(diǎn)很高,他等熔點(diǎn)很低
4.依據(jù)導(dǎo)電性判斷
①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時(shí)均能導(dǎo)電
②原子晶體一般為非導(dǎo)體
③分子晶體為非導(dǎo)體,但分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水時(shí),分子內(nèi)的化學(xué)鍵
斷裂形成自由移動(dòng)的離子,也能導(dǎo)電
④金屬晶體是電的良導(dǎo)體
5.依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷
一般情況下,硬度:原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有較小的,且具有延展性
技法9晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法——均攤法
1.原則:晶胞中任意位置上的一個(gè)原子如果是被〃個(gè)晶胞所共有,那么,每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額就
1
是〃
2.方法:
①長(zhǎng)方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算
a.處于頂點(diǎn)上的粒子,同時(shí)為8個(gè)晶胞所共有,每個(gè)粒子有0屬于該晶胞
1
b.處于棱邊上的粒子,同時(shí)為4個(gè)晶胞所共有,每個(gè)粒子有w屬于該晶胞
1
c.處于晶面上的粒子,同時(shí)為2個(gè)晶胞所共有,每個(gè)粒子有,屬于該晶胞
d.處于晶胞內(nèi)部的粒子,則完全屬于該晶胞
②非長(zhǎng)方體晶胞中粒子視具體情況而定
-71---------頂點(diǎn)上:上
:棱上-----/12
三棱柱:面上-----------棱上:
:底面------——內(nèi)部:1
上棱上一)頂點(diǎn)上:春
六棱柱手側(cè)面——11
-1---------k棱上:3
/、、
1六、內(nèi)部:
會(huì)底面一1
石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂點(diǎn)(1個(gè)碳
平面型1
原子)被三個(gè)六邊形共有,每個(gè)六邊形占9
3.熟記幾種常見(jiàn)的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目
4個(gè)Na+,1個(gè)Cs+,4個(gè)S2一,4個(gè)Ca2+,
粒子數(shù)目8個(gè)C
4個(gè)C廠1個(gè)C「4個(gè)Zn2+8個(gè)1
晶體簡(jiǎn)單立方體心立方面心立方氮化硼干冰
mJ3
晶體結(jié)構(gòu)七■1
2.0
粒子數(shù)目1個(gè)原子2個(gè)原子4個(gè)原子4個(gè)B,4個(gè)N4個(gè)CO2
技法10原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)的確定方法
1.原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)
(1)概念:以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱為原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
(2)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定方法
①依據(jù)已知原子的坐標(biāo)確定坐標(biāo)系取向
②一般以坐標(biāo)軸所在正方體的棱長(zhǎng)為1個(gè)單位
③從原子所在位置分別向x、y、z軸作垂線,所得坐標(biāo)軸上的截距即為該原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
粒子坐標(biāo)
6>------3
若1(0,0,0),3(1,1,0),5(0,0,1),則6的原子分?jǐn)?shù)坐
111
標(biāo)為(0,1,1),7為(1,1,1),9為@,,2)
(3)面心立方晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
粒子坐標(biāo)
1111
若1(0,0,0),13(2,2,0),12(1,2,5),則15的原子分?jǐn)?shù)
1111
,1々----------坐標(biāo)為,為,,
11(21,2),11(221)
(4)金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
粒子坐標(biāo)
若a原子為坐標(biāo)原點(diǎn),晶胞邊長(zhǎng)的單位為1,則原子1、2、3、
111133313331
4的坐標(biāo)分別為為,4>4)>(4,4,4)>(4>4>4)>(4,4,4)
技法11計(jì)算晶體密度的思維方法
技法12計(jì)算晶體中粒子間距離的思維方法
1、關(guān)于元素周期律、元素周期表的認(rèn)識(shí)誤區(qū)
(1)誤認(rèn)為主族元素的最高正價(jià)一定等于族序數(shù)。但是,F(xiàn)無(wú)正價(jià)。
(2)誤認(rèn)為元素的非金屬性越強(qiáng),其氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性就越強(qiáng)。但是,HC1O、H2sCh是弱酸,忽略
了關(guān)鍵詞“最高價(jià)”。
(3)誤認(rèn)為同周期相鄰兩主族元素原子序數(shù)之差等于1。忽視了相差11(第4、5周期)和25(第6、7周期)。
(4)誤認(rèn)為失電子難的原子得電子的能力一定強(qiáng)。碳原子、稀有氣體元素的原子失電子難,得電子也難。
(5)誤認(rèn)為得失電子多的原子,得失電子的能力一定強(qiáng)。
(6)誤認(rèn)為最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)絕對(duì)值相等的元素只有第WA族的某些元素。忽視了第IA族的H的最高
正價(jià)為+1價(jià),最低負(fù)價(jià)為一1價(jià)。
2、分子結(jié)構(gòu)性質(zhì)認(rèn)識(shí)的5個(gè)易錯(cuò)易混點(diǎn)
(1)誤認(rèn)為分子的穩(wěn)定性與分子間作用力和氫鍵有關(guān),其實(shí)分子的穩(wěn)定性與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)。
(2)誤認(rèn)為組成相似的分子,中心原子的雜化類型相同,其實(shí)要看其◎鍵和孤電子對(duì)數(shù)是否分別相同。如
C02和SCh中心原子的雜化方式不同,CO2分子中C原子是sp雜化,SO2分子中S原子是sp2雜化。
(3)誤認(rèn)為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就高,其實(shí)不一定,分子間的氫鍵會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高,而
分子內(nèi)氫鍵一般會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)降低。
(4)誤認(rèn)為只含有極性鍵的分子都一定是極性分子,其實(shí)不一定。如C02、BF3等是非極性分子。
(5)誤認(rèn)為雜化軌道構(gòu)型和分子構(gòu)型一致,其實(shí)不一定。如H2O中氧原子是sp3雜化,雜化軌道構(gòu)型為四
面體,但由于分子中存在孤對(duì)電子,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,H20的分子構(gòu)型是V形。
3、晶胞計(jì)算易錯(cuò)提醒
(1)在使用均攤法計(jì)算晶胞中微粒個(gè)數(shù)時(shí),要注意晶胞的形狀,不同形狀的晶胞,應(yīng)先分析任意位置上的
一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有。如六棱柱晶胞中,頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心原子依次被6、3、4、2個(gè)
晶胞所共有。
(2)在計(jì)算晶胞中粒子個(gè)數(shù)的過(guò)程中,不是任何晶胞都可用均攤法。
(3)注意晶胞與團(tuán)簇分子的區(qū)別,前者可用均攤法計(jì)算,后者不能用均攤法計(jì)算,而是直接數(shù)原子個(gè)數(shù)計(jì)
算分子式。
得分特訓(xùn)
【熱點(diǎn)一】原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤判斷
1.(2025?山東煙臺(tái)?一模)SCh固態(tài)時(shí)有無(wú)限長(zhǎng)鏈形式(2-SCh)和三聚分子形式(y-SCh),其結(jié)構(gòu)如圖所示,受
熱可分解生成以單分子形式存在的SO3(g)o下列說(shuō)法正確的是
B.分子中0-S-0鍵角:SO3(g)<Y-SO3
C.B-SO3晶體中存在的作用力只有共價(jià)鍵
D.lmol%SO3分子中含共價(jià)鍵的數(shù)目為9NA
2.(2025?四川遂寧?三模)從微觀視角探析物質(zhì)結(jié)構(gòu)及性質(zhì)是學(xué)習(xí)化學(xué)的有效方法。下列實(shí)例與解釋不符的
是
選項(xiàng)實(shí)例解釋
AH2O的沸點(diǎn)高于HFH-OO的鍵能大于F-HF的鍵能
B被和鋁都能與NaOH反應(yīng)鍍和鋁電負(fù)性相近,極化能力相似
C磷脂分子頭部親水,尾部疏水;細(xì)胞膜是磷脂雙分子層細(xì)胞膜雙分子層頭向外,尾向內(nèi)排列
D識(shí)別K+的能力:18-冠-6>12-冠-4冠醒空腔直徑大小不同
3.(2025?河北邯鄲?三模)鉆的一種配合物Na31Co(NO2)6]在分析化學(xué)中常用來(lái)檢驗(yàn)K+,原理為
弱酸性或中性
++
2K+Na+[Co(NO2\K2Na[Co(NO2)6]o下列化學(xué)用語(yǔ)表述正確的是
A.中子數(shù)為33的鉆原子:*C。
B.Na3〔Co(NO2)6]中鉆元素的化合價(jià)為+3價(jià),配位數(shù)為3
C.NO;中N原子的雜化軌道類型為sp2,其空間結(jié)構(gòu)為V形
“z/
D.基態(tài)鉀原子最外層的電子云圖為------------*
/y
X
4.(2025?北京房山?一模)從微觀視角探析物質(zhì)結(jié)構(gòu)及性質(zhì)是學(xué)習(xí)化學(xué)的有效方法。下列對(duì)事實(shí)的解釋不亞
確的是
選項(xiàng)實(shí)例解釋
A原子光譜是不連續(xù)的線狀譜線原子的能級(jí)是量子化的
B鍵角:NH3>H2O孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)的斥力小于成鍵電子對(duì)之間的斥力
C沸點(diǎn):CO>N2CO為極性分子,N2為非極性分子
D酸性:CF3COOH>CH3COOH電負(fù)性F>H,CF3coOH竣基中羥基的極性更大
5.(2025?河北?模擬預(yù)測(cè))下列有關(guān)物質(zhì)的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)的解釋錯(cuò)誤的是
A.氨氣極易溶于水,因?yàn)榘狈肿优c水分子間能形成氫鍵且二者均為極性分子
B.甲醛為平面結(jié)構(gòu),因?yàn)榉肿又蠧原子采取的雜化類型為sp2
C.三氟乙酸的酸性大于乙酸,因?yàn)榉碾娯?fù)性大于氫
D.圓形容器中結(jié)出的冰是圓形的,因?yàn)榫w具有自范性
【熱點(diǎn)二】“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷
6.(2025?陜西?二模)前四周期元素X、Y、Z、W、R原子序數(shù)依次增大,其中由X、Y、Z組成的化合物
常作合成藥品中的溶劑或原料,其結(jié)構(gòu)如圖所示。X與其它4種元素均不在同一周期;W的基態(tài)原子價(jià)電
子排布式為ns%p2n;R的基態(tài)原子M層填滿電子,N層填充了1個(gè)電子。下列說(shuō)法正確的是
XX
II
X—Y—XX—Y—X
X—y—X
I
x—Y—x
I
X
A.元素的第一電離能:W>Z>Y
B.X、Z、W三種元素形成的化合物只含共價(jià)鍵
C.ZX3和X3W+空間結(jié)構(gòu)均為三角錐型
D.R元素在元素周期表中屬于s區(qū)
7.(2025?四川宜賓?二模)某營(yíng)養(yǎng)補(bǔ)充劑的結(jié)構(gòu)如圖所示。W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期元素,
X、Y、Z同周期,YZ?的電子總數(shù)為23,R是血紅蛋白中重要的金屬元素。下列說(shuō)法正確的是
WWZ
—
—
—H
YTX
—
—
—
WW
A.電負(fù)性:W>X
B.第一電離能:Z>Y
C.簡(jiǎn)單氫化物的熱穩(wěn)定性:Y>Z
D.基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù):R>X
8.(2025?四川遂寧?三模)短周期主族元素X、Y、Z、M、N的原子序數(shù)依次增大,其中基態(tài)Y原子s能級(jí)
電子數(shù)是p能級(jí)電子數(shù)的兩倍,Z和M位于同一主族且其基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)在同周期元素中最多,
由上述五種元素形成的某化合物可作離子導(dǎo)體,其結(jié)構(gòu)如圖所示,陽(yáng)離子有類似苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。下列說(shuō)法錯(cuò)
誤的是
X—Y/丫一X
III[MN6]
XYyrV
N7/Y-X
1-L
I
X
A.該離子導(dǎo)體中含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵
B.簡(jiǎn)單陰離子半徑大小順序:Z>N>M
C.電負(fù)性大小順序:X<Y<Z
D.化合物ZN3的水解產(chǎn)物之一可用于漂白
9.(2025?湖北?二模)X、Y、Z、W為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,其中Y、Z、W在第二周期且
相鄰:M的基態(tài)原子3d軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子,且價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有6種。由該五種元素形成
的一種配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示,其中Y、Z、W原子的最外層均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列說(shuō)法正確的是
xyvwx
xw-x-WXX
A.該配合物中存在的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵、配位鍵、氫鍵
B.Imol該配合物中含有4mol配體,且M的化合價(jià)為+2
C.X、Y、Z三種元素可以形成鹽
D.ZX3形成的晶體中配位數(shù)為12
10.(2025?河南信陽(yáng)?二模)原子序數(shù)依次增大的短周期元素X、Y、Z、M,在一定條件下形成結(jié)構(gòu)如圖
所示的一種團(tuán)簇分子。X是宇宙中含量最多的元素,Y元素基態(tài)原子的價(jià)層電子排布是nsnnp2\Z元素基
態(tài)原子最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相等,M元素基態(tài)原子最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)。下列說(shuō)法確的
是
A.該團(tuán)簇分子的分子式為XZMY3
B.基態(tài)原子第一電離能:Y>Z>M
C.工業(yè)上主要采用電解水溶液法制備Z的單質(zhì)
D.常溫下M的單質(zhì)能溶于濃硝酸
【熱點(diǎn)三】晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算
11.(2025?陜西?二模)碑化線(GaAs)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料,
其晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示,下列說(shuō)法正確的是
A.圖甲中,As原子位于Ga原子構(gòu)成的正四面體空隙中
B.圖甲中,距離As原子最近的As原子數(shù)為6
C.圖甲中,若晶胞參數(shù)為apm,則Ga原子與As原子的最短距離為日apm
D.稀磁性半導(dǎo)體材料中,Mn、As的原子個(gè)數(shù)比為1:2
12.(2025?四川?二模)一種鋁(Ta)的化合物的四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(b<2a)。己知NA為阿伏加德羅常數(shù)的
值。原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)x、y、ze[0,l),原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為1時(shí)記為00M、N的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為(0,0,0),(0,0,1/2),
下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A.P的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1/2,0,1/4)B.該化合物的化學(xué)式為KjTaOz耳
C.與Q距離相等且最近的K+有8個(gè)D.該晶體的密度是g/cn?
abNA
13.(2025?江西贛州?一模)汞及其化合物在我國(guó)應(yīng)用的歷史悠久,可用作醫(yī)藥、顏料等。一種含汞化合物
的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞的密度為dg/cm)A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0)。
下列說(shuō)法正確的是
A.B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為
B.晶胞中相鄰的兩個(gè)S2-之間的距離為走anm
2
C.阿伏加德羅常數(shù)號(hào)為932*
da
D.圖2是晶胞的俯視圖
14.(2025?黑龍江哈爾濱?二模)睇酸亞鐵晶胞的結(jié)構(gòu)如圖,其晶胞參數(shù)分別為m,a=p=7=900,
以晶胞參數(shù)建立分?jǐn)?shù)坐標(biāo)系,Sb原子填充在0原子形成的八面體空隙中。下列說(shuō)法正確的是
..原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
xnm
OFe
OSb
OO
原,子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)(0,0,0)
每個(gè)晶胞含有12個(gè)。原子
B.距離體心Fe原子最近的Sb原子一定有10個(gè)
(C+X
晶胞中M點(diǎn)Sb原子的原子的數(shù)坐標(biāo)為0,0,—
設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,該晶體密度為.2g<nr3
15.(2025?湖南?二模)銅和氧形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,設(shè)陽(yáng)離子和陰離子的半徑分別
為opm和。pm。下列相關(guān)說(shuō)法不正確的是
。氧?銅
該離子化合物的化學(xué)式可以表示為C%O
晶體中每個(gè)陽(yáng)離子周圍緊鄰且距離相等的陽(yáng)離子個(gè)數(shù)為12個(gè)
【熱點(diǎn)四】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題
16.(2025?海南?一模)含氮化合物豐富多彩,由于組成和結(jié)構(gòu)的不同,有的呈堿性、有的呈中性、有的呈
酸性。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)硝酸是一種強(qiáng)酸,能溶解很多物質(zhì),HgS的極小,不溶于硝酸,但溶于王水(濃鹽酸、濃硝酸的混
合液):3HgS+12HC1+2HNO3=3H2[HgCl4]+3S+2NOT44H2Oo
①基態(tài)硫原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。C1元素位于周期表的_______區(qū)。Hg為第六周期元素,與
Zn同族,則基態(tài)Hg原子的價(jià)層電子排布式為0
②請(qǐng)解釋HgS不溶于硝酸而溶于王水的原因:。
(2)乙胺呈堿性,其衍生物乙酰胺接近中性。在乙酰胺分子中,氮原子上的孤對(duì)電子與碳氧雙鍵能形成p-
萬(wàn)共軟體系,影響氨基氮上的電子云密度。
①乙胺中N原子的雜化方式為o
②乙酰胺的堿性比乙胺弱,請(qǐng)分析其原因:。
(3)氨硼烷(NHs-BHj)儲(chǔ)氫密度高,是最具價(jià)值的優(yōu)質(zhì)固體儲(chǔ)氫材料之一。可用如下兩種方法制備氨硼烷。
方法ii:BH3和NH3在DMA(CHKHCH3)作溶齊IJ的條件下可合成氨硼烷:DMA.BH3+NH3=NH3.
BH3+DMAO
實(shí)驗(yàn)表明,方法i比方法ii的產(chǎn)率更高,相同條件下,NH3,DMA和THF分別與B原子的結(jié)合能力由大
到小的順序?yàn)閛
17.(2025?浙江紹興?一模)結(jié)構(gòu)探究是化學(xué)研究的重要內(nèi)容,請(qǐng)回答:
(1)CeO2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,Ce的配位數(shù)是。若晶胞棱長(zhǎng)anm,則Ce與O的最小核間距為—
nm。
(2)某離子存在如圖所示按六邊形擴(kuò)展的二維層狀結(jié)構(gòu),該離子的最簡(jiǎn)式為,其中N原子的
雜化方式為_(kāi)__________
(3)下列描述正確的是
A.MgO的熔點(diǎn)高于Na?O是因?yàn)镸gO離子鍵百分比更高
B.基態(tài)Cr原子價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)為6種
C.HF分子內(nèi)的化學(xué)鍵有方向性,HF分子間的作用力沒(méi)有方向性
D.含鈣化合物中鈣元素常顯+2價(jià),原因是鈣的第二電離能小于其第一電離能
(4)己知Na2s2O3可被§氧化為Na2s4。6。試從物質(zhì)結(jié)構(gòu)的角度分析SQ〉的結(jié)構(gòu)應(yīng)為(a)而不是(b)的原
因:?
■OOI2-TSS廣
IIIIIIII
0—S—S—S—S—00—S—0—0—s—0
IIIIIIII
_ooJLoo
(a)(b)
(5)已知:BCI3中心B原子有空軌道,可以與H2。分子形成配位鍵,從而使原有的鍵削弱、斷裂,發(fā)生
水解。下列鹵化物最難發(fā)生水解的是o
A.PC13B.A1C13C.CC14D.SiCl4
18.(2025?山東棗莊?一模)氮、磷元素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物?;卮鹣铝袉?wèn)題:
甲乙
(1)甲中銳的化合價(jià)為,中心離子配位數(shù)為;帆元素在周期表中的位置為.
(2)乙中氮原子的孤電子對(duì)位于—軌道上;碳氧鍵鍵長(zhǎng)小于甲醇中碳氧鍵鍵長(zhǎng),可能的原因是=
(3)用?、。分別表示K+和某未知微粒,其構(gòu)成的四方晶胞如圖a所示,圖b、圖c分別顯示的是K+和該
未知微粒在晶胞XZ面、yz面上的位置:
工府LE
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