2023屆高考化學(xué)一輪專題訓(xùn)練一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1.(2022?安徽蚌埠?高三階段練習(xí))磷酸亞鐵鋰電池的新能源汽車對(duì)減少二氧化碳排放和大氣污染具有重要

意義。

(1)下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為—、—(填標(biāo)號(hào))。

田園□□口口西田□□□田園□口

AIs2s2Px2py2PzBIs2s2Px2py2PzcIs2s2Px2py2PzD

同mI~II~II~I

Is2s2px2py2Pz

(2)與Fe最外層電子數(shù)相等且同周期的過渡元素有一種

o)por的空間構(gòu)型為一，中心原子的雜化類型是一o

(4)①LiFePCh的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如(a)所示。其中O圍繞Fe和P分別形成正八面體和正四面體，它們通過共

頂點(diǎn)、共棱形成空間鏈結(jié)構(gòu)。每個(gè)晶胞中含有LiFePO4的單元數(shù)有一個(gè)。

(a)LiFeP()4(b)Li|.xFePO4

②已知LiFePCU的晶胞為長(zhǎng)方體，其邊長(zhǎng)分別為apm、bpm>cpm,則晶體的密度為g?crrr；(列出表達(dá)式

即可，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

③當(dāng)電池充電時(shí)，LiFeCh能脫出部分Li+形成Li-FeOv結(jié)構(gòu)示意圖如(b)所示，則x=。

2.(2022.天津.高三單元測(cè)試)I.艾姆斯實(shí)驗(yàn)室已制造出包含鈣、鉀、鐵和神以及少量銀的CaK(grNi)As4

新型化合物材料?；卮鹣铝袉栴}：

(1)基態(tài)銀原了的外圍電了排布式為o

⑵在稀氨水介質(zhì)中，Ni2+與丁二酮而(分子式為CJIsNQ。反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀，其分子結(jié)構(gòu)如圖所示,

該結(jié)構(gòu)中碳原子的雜化方式為；其中碳、氮、氧三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?/p>

(用元素符號(hào)表示)。

(3)NCI,的立體構(gòu)型為,其中心原子的雜化軌道類型為o

II.疊氮化合物是一類重要的化合物，其中氫疊氮酸(HN|)是一種弱酸，其分子結(jié)構(gòu)可表示為H-N=N三N,

朗(N凡)被亞硝酸氧化時(shí)便可得到氫疊氮酸(HN,),發(fā)生的反應(yīng)為N凡+HNO2=2H2O+HN3。HN,的酸

性和醋酸相近，可微弱電離出H，和N；。試回答下列問題：

(4)下列有關(guān)說法正確的是(填字母)。

A.H、中含有5個(gè)。鍵

B.H&中的三個(gè)氮原子均采用sd雜化

C.HN3.HNO?、HQ、*也都是極性分子

D.朋(電匕)的沸點(diǎn)高達(dá)113.5C,說明肺分子間可形成氫鍵

(5)疊氮酸根能與許多金屬離子形成配合物，如[CO(NJ(NH，)5]SO4,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷SO；的

空間構(gòu)型為。

3.(2022?天津?高三單元測(cè)試)根據(jù)有關(guān)知識(shí)，回答下列問題。

⑴符號(hào)3P,所代表的含義是(填字母)。

A.3Px軌道上有3個(gè)電子

B.第3個(gè)電子層3Px軌道有三個(gè)，’申展方向

C.P、電子云有3個(gè)伸展方向

D.第3個(gè)電子層沿x軸方向伸展的p軌道

(2)鋁原子核外電子云有種不同的伸展方向，有種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。

(3)每周期的化學(xué)元素(0族和放射性元素除外)中，第一電離能最小的元素是______(填元素符號(hào)，下同)，電

負(fù)性最大的元素是o

(4)Be的第一電離能大于B的第一電離能，這是因?yàn)椤?/p>

⑸每周期元素中符合“對(duì)角線規(guī)則”的元素有Be和Al、B和Si,它們的性質(zhì)分別有一定的相似性，寫出

Be(OH)2與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式：。

(6)Mn、Fe均為第四周期過渡金屬元素，兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)如下表所示:

元素MnFe

1.717759

1

電離能/kJ.moL215091561

1332482957

錦元素位于第四周期第族。請(qǐng)寫出基態(tài)Mn??的價(jià)層電子排布式：，比較兩元素的L、L，可知，

氣態(tài)Mn"再失去1個(gè)電子比氣態(tài)Fe?+再失去1個(gè)電子難，對(duì)此你的解釋是。

4.(2022.福建省龍巖第一中學(xué)高三階段練習(xí))科學(xué)研究發(fā)現(xiàn)鐵氮化合物具有非常優(yōu)異的磁性能、機(jī)械性能

和耐腐蝕性，因此受到研究人員的廣泛關(guān)注。y-Fe4N是一種性能優(yōu)異的鐵氮化合物，其可由氮?dú)馀c默基鐵

粉［Fe(COM反應(yīng)得到。

⑴Fe變?yōu)镕e?+時(shí)是失去軌道電子。

(2)NH.a中H-N-H的鍵角比NH：中H-N-H的鍵角(填“大”或“小

基鐵粉［Fe(COM中配位原子為o

(4)氨氣與默基鐵粉的反應(yīng)中涉及元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)閛

(5?-FejN的晶胞如圖所示，設(shè)晶胞中Fcl點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(0,0,0),N點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(g,g,；)，則

Fe2點(diǎn)的原子坐標(biāo)為o已知該晶體的密度為dg/cnl阿伏加德羅常數(shù)的值為刈,則晶胞參數(shù)a為

nm(用含d和NA的代數(shù)式表示)。

5.(2022?天津?高三課時(shí)練習(xí))教材插圖具有簡(jiǎn)潔而又內(nèi)涵豐富的特點(diǎn)。請(qǐng)回答以下問題：

(1)第三周期的某主族元素，其第一至第五電離能數(shù)據(jù)如圖1所示，則該元素原子核外有種不同運(yùn)動(dòng)

狀態(tài)的電子。

電離能kJ/mol

圖1

⑵如圖2所示，每條折線表示周期表第IVA~VI1A族中的某一族元素氫化物的沸點(diǎn)變化。每個(gè)小黑點(diǎn)代表一

種氫化物，其中a點(diǎn)代表的是；判斷依據(jù)是

(3)CC)2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如圖3所示。則該晶體的類型屬于晶體。

圖3

(4)第一電離能介于Al、P之間的第三周期元素有種。

⑸圖4是碳化硅的晶胞結(jié)構(gòu)。若碳化硅晶胞邊長(zhǎng)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則碳化硅晶體的密度

為g/cn?(歹U出計(jì)算式即可)。

圖4

6.（2022?天津?高三課時(shí)練習(xí)）回答下列問題

（I）磷酸根離子的空間構(gòu)型為，其中P的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為、雜化軌道類型為

⑵氨硼烷在催化劑作用下水解釋放氫氣：3NH?BH3+6H2O=3NH；+B?O^9H2

BQ：的結(jié)構(gòu)為。在該反應(yīng)中，B原子的雜化軌道類型由________變?yōu)?/p>

（3）N5分子中氮原子的軌道雜化類型是_________。

（4）Sn為IVA族元素，單質(zhì)Sn與干燥Cl?反應(yīng)生成SnC1常溫常壓下SnQ,為無色液體，SnCl,空間構(gòu)型為

7.（2022?天津?高三課時(shí)練習(xí)）我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上苜個(gè)五氮陰離子曲（$）6（50）33也）?1（用

R代表）?；卮鹣铝袉栴}：

（1）經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖所示。從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽離子的相

同之處為，不同之處為（填標(biāo)號(hào)）。

A.中心原子的雜化軌道類型B.中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)C.立體結(jié)構(gòu)D.共價(jià)鍵類型

（2）R中陰離子N：中的O鍵總數(shù)為個(gè)。分子中的大兀鍵可用符號(hào)n：表示，其中m代表參與形成大兀

鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大兀裳的電子數(shù)（如苯分子中的大冗筵可表示為“：），則Ng中的大n鍵應(yīng)表示為

(3)圖中虛線代表氫鍵，其表示式為(NH；)N-H…。、、。

(4)R的晶體密度為dg<m其立方晶胞參數(shù)為anm,晶胞中含有y個(gè)［(NMHQMNHJCl］單元，該單

元的相對(duì)質(zhì)量為M,則y的計(jì)算表達(dá)式為。

8.(2022?四川省綿陽南山中學(xué)高三階段練習(xí))CuO在化學(xué)鏈(如氣相燒類)燃燒和催化CO氧化過程中均展

現(xiàn)出良好的性能，同時(shí)具有成本低廉的優(yōu)勢(shì)，有望成為貴金屬催化劑的替代品。中國(guó)科學(xué)院工程熱物理研

究所的科研人員初步揭示了CO在CuO表面的催化機(jī)理,并深入研究了CO在銅基氧化物表面的反應(yīng)機(jī)制，

并提出了對(duì)應(yīng)的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)模型。

(1)基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式為一，其核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有一種。

(2)N與C、O同周期，H、C、N三種元素的電負(fù)性從小到大的順序?yàn)橐?；C、N、O的第一電離能從大到

小的順序?yàn)椤猳

(3)NHa具有還原性能被CuO氧化,NH?分子中N原子的朵化方式為,NHR的沸點(diǎn)高于PH.a的原因是_____

(4)CO分子中o鍵與71鍵的數(shù)目之比為。

(5)已知CU2。的熔點(diǎn)高于Cu2s的熔點(diǎn)，其原因是O

(6)銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若該晶胞中Cu原子與O原子之間的最近距離為叩n阿伏加德

羅常數(shù)的值為NA，則該晶胞的密度為一(填含a、NA的代數(shù)式)g?cm*

9.(2022?福建?廈門雙十中學(xué)高三階段練習(xí))根據(jù)原子結(jié)構(gòu)，分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)相關(guān)知識(shí)，回答下列問題：

(1)基態(tài)錯(cuò)元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖為,核外有種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。

(2)NH.3分子的VSEPR模型為；SCh分子的立體構(gòu)型為。

⑶根據(jù)等電子原理，寫出CN-的電子式

(4)熔點(diǎn)比較：MgAl(填“或『”，下同)；沸點(diǎn)比較：SiH4CH4,原因是o

(5)在下列物質(zhì)①P4②NFh③HCN④BF3⑤HzO⑥SO3⑦CH3cl⑧H2O2中，屬于含有極性鍵的極性分子的是

(填序號(hào))o

(6)碳可以形成多種有機(jī)化合物，右圖所示是曝吩的結(jié)構(gòu)，分子中所有原子都在一個(gè)平面上。

s

①睡吩結(jié)構(gòu)中C原子的雜化方式為

②分子中的大兀鍵可以用符號(hào)表示，其中m代表參與形成大兀鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大江鍵的電

子數(shù)(如苯分子中的大兀犍可表示為兀：請(qǐng)問唾吩中的大兀鍵表示為o

10.(2022?福建?廈門雙十中學(xué)高三階段練習(xí))氮化錢(GaN)材料是第三代半導(dǎo)體的代表，通常以GaCL為錢

源，N%為氮源制備，具有出色的抗擊穿能力，能耐受更高的電子密度。

(1)基態(tài)Ga價(jià)電子排布圖為。

(2)Ga、N和。的第一電離能由小到大的順序?yàn)?NO；的空間構(gòu)型為，與其互為等電子體

的微粒有(任寫一種)

⑶GaCL熔點(diǎn)為77.9℃,氣體在27()。(2左右以二聚物存在,GaF?熔點(diǎn)1000℃,GaCh聚體的結(jié)構(gòu)式為,

GaCh熔點(diǎn)遠(yuǎn)低于GaF3的原因?yàn)椤?/p>

(4)與錢同主族的B具有缺電子性，硼砂(四硼酸鈉NazBXhJOHzO)中是由兩個(gè)H3BO3和兩個(gè)[B(0H)4

縮合而成的雙六元環(huán)，應(yīng)寫成|BQ5(OH)4]2?的形式，結(jié)構(gòu)如圖所示，則該離子存在的作用力有,B

原子的雜化方式為。

2-

OH

HO—BOB—OH

A.離子鍵B.共價(jià)鍵C.金屬鍵D.范德華力E.氫鍵F.配位鍵。

(5)GaN也可采用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)技術(shù)制得：以合成的Ga(C%)3為原料，使其與N%發(fā)

生系列反應(yīng)得到GaN和另一種產(chǎn)物，該過程的化學(xué)方程式為。

11.(2022?天津?高三單元測(cè)試)鐵、銅及其化合物應(yīng)用廣泛。回答下列問題：

(1)基態(tài)鐵原子核外最后一個(gè)電子填充在(填能級(jí)符號(hào))上，含有個(gè)未成對(duì)電子。

2+

(2)鐵鼠化鉀K3[Fe(CN)6]是檢驗(yàn)Fe的重要試劑。

①鐵氯化鉀中，所涉及的元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/p>

②鐵律化鉀中，不存在______(填字母)。

A.離子鍵B.。鍵C.兀鍵D.氫鍵E.金屬鍵

⑶血藍(lán)蛋白是某些節(jié)肢動(dòng)物體內(nèi)能與氧氣可逆結(jié)合的一種銅蛋白，其部分結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。其中Cu

的化合價(jià)為價(jià)，N的雜化軌道類型是o

(4)CaCu、合金可看作由如圖所示的似)、(b)兩種原子層交替堆積排列而成。圖中虛線構(gòu)建的六邊形，表示由

這兩種層平行堆積時(shí)垂宜于層的相對(duì)位置；9)是由(a)和(b)兩種原子層交替堆積成的CaCL合金的晶胞結(jié)構(gòu)

圖。在這種結(jié)構(gòu)中，同一層的Ca與Cu距離為294pm。

CaCux合金中A=。

12.(2022.天津.高三單元測(cè)試)復(fù)硼烷是一種特殊的化合物，分子式為NH3BH3。氨硼烷在催化劑作用下水

催化劑.？

:x

解釋放氫氣：3NH5BH3+6H2O-----=3NH；+BQ：+9H2。BQ打勺結(jié)構(gòu)如圖，回答下列問題：

(1)寫出O原子的價(jià)電子軌道表示式:

(2)寫出NH3BH3分子的電子式：;NH3BH3晶體中含有的微粒間作用力畬(填字母)。

a.非極性共價(jià)鍵b.配位鍵c.氫鍵d.范德華力e.金屬鍵

⑶有機(jī)堿離子CH|NH；是NH3BH3的等電子體，該離子與Pb?-、1組成的光電材料的晶胞如圖所示:

CH.NH；”之

該晶體中C&NH；與I-間的作用力為,CH；NH；的配位數(shù)是。若晶胞參數(shù)為anm該晶體密

度為pg?cm。阿伏加德羅常數(shù)NA，可表示為mol”（列出計(jì)算式）。

13.（2022.天津.高三課時(shí)練習(xí)）20世紀(jì)50年代科學(xué)家提出價(jià)層電子對(duì)互斥模型（簡(jiǎn)稱VSEPR模型），用于

預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的空間結(jié)構(gòu)。其要點(diǎn)可以概括為：

I、用AX“E,n表示只含一個(gè)中心原子的分子組成，A為中心原子，X為與中心原子相結(jié)合的原子，E為中

心原子價(jià)層未參與成鍵的電子對(duì)（禰為孤電子對(duì)），n+m稱為價(jià)電子對(duì)數(shù)。分子中的價(jià)電子對(duì)總是互相排斥,

均勻地分布在中心原子周圍的空間。

H、分子的空間結(jié)構(gòu)是指分子中的原子在空間的排布，不包括中心原子未成鍵的孤電子對(duì)。

川、分子中價(jià)電子對(duì)之間的斥力的主要順序?yàn)椋?/p>

i、孤電子對(duì)之間的斥力〉孤電子對(duì)與共用電子對(duì)之間的斥力，共用電子對(duì)之間的斥力；

ii、雙鍵與雙犍之間的斥力〉雙鍵與單鍵之間的斥力〉單鍵與單鍵之間的斥力；

iii、X原子得電子能力越弱，A-X形成的共用電子對(duì)之間的斥力越強(qiáng)；

iv、其他。

請(qǐng)仔細(xì)閱讀上述材料，回答下列問題：

⑴由AXnEm的VSEPR模型填寫下表：

n+m2①

價(jià)電子對(duì)分布的幾何構(gòu)型②______________四面體形

價(jià)電子對(duì)之間的鍵角③______________109°28'

（2）請(qǐng)用VSEPR模型解釋CO?為直線形分子的原因：o

（3）H2O分子的空間結(jié)構(gòu)為,請(qǐng)你預(yù)測(cè)水分子中NH-O-H的大小范圍并解釋原囚：

(4)so2cL和SO2R都屬于AXJE。型分子，S、O之間以雙鍵結(jié)合，S與Cl、S與F之間以單鍵結(jié)合。請(qǐng)你預(yù)

測(cè)SOQL和SO超分子的空間結(jié)構(gòu):

14.(2022?天津?高三單元測(cè)試)氟硼鍍酸鉀(通常簡(jiǎn)寫為KBBF)是一種非線性光學(xué)晶體，我國(guó)是率先掌握通

過非線性光學(xué)晶體變頻來獲得深紫外激光技術(shù)的國(guó)家?；卮鹣铝袉栴}。

(1)麻硼酸鉀是制備氟硼鍍酸鉀的原料之一，氨硼酸鉀在高溫下分解為KF和BF.oKF的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于BR的

原因是

(2)BeO晶體也是制備敘硼被酸鉀^體的原料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖示。BeO晶胞中，O的堆積方式為

設(shè)。與Be的最近核間距為叩m,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則BcO晶體的密度為gem\

OBe

OO

(3)立方氮化硼硬度僅次于金剛石，但熱穩(wěn)定性遠(yuǎn)高于金剛石，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。立方氮化硼屬于

晶體。已知立方氨化硼晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中B、N的數(shù)目之比為

15.(2022?天津?高三單元測(cè)試)請(qǐng)回答下列問題。

I.有幾種元素的微粒核外電子排布式均為Is22s22P63s?3p6,下列問題其中:

(1)某電中性微粒一般不和其他元素的原子反應(yīng)，這種微粒的符號(hào)是

(2)某微粒的鹽溶液，能使溟水褪色，并出現(xiàn)渾濁，這種微粒的符號(hào)是

(3)某微粒氧化性很弱，但得到電子后還原性很強(qiáng)，且該微粒對(duì)應(yīng)的元素原子有一個(gè)單電子，這種微粒的符

號(hào)是

(4)某微粒還原性雖弱，但失去電子后氧化性強(qiáng)，且該微粒對(duì)應(yīng)的元素原子得到一個(gè)電子即達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，這

種微粒的符號(hào)是,

II.一種新型漂白劑(結(jié)構(gòu)如下)可用于漂白羊毛等，其中W、Y、Z為不同周期、不同主族的短同期元素，Z

原子的核外電子排布式為4,W、Y、Z的最外層電子數(shù)之和等于X的最外層電子數(shù)，X基態(tài)原子核外有

兩個(gè)單電子，W、X對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子核外電子排布相同。

同答下列問題:

(5)寫出元素X在周期表中的位置：o

(6)寫出W簡(jiǎn)單離子的核外電子排布式：o

(7)Y元素基態(tài)原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種，占據(jù)的原子軌道有個(gè)。

(8)W、X、Y電負(fù)性由大到小的順序是_______o

16.(2022?陜西省漢中中學(xué)高三階段練習(xí))請(qǐng)回答下列有關(guān)銅及其化合物的問題：

(1)請(qǐng)寫出基態(tài)Cu原子的價(jià)電子排布式。焰火中的綠色是銅的焰色，基態(tài)銅原子在灼燒時(shí)價(jià)電子發(fā)

生了而變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。

(2)新型農(nóng)藥松脂酸銅具有低殘留的特點(diǎn)，下圖是松脂酸銅的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:

請(qǐng)分析1個(gè)松脂酸銅中兀鍵的個(gè)數(shù):力口“*”碳原子的雜化方式為o

(3)下圖是某銅礦的晶胞圖，請(qǐng)推算出此晶胞的化學(xué)式(以X表示某元素符號(hào))；與X等距離且最近

的X原子個(gè)數(shù)為

Ox原子oCu原子

(4)黃銅礦在冶煉的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生副產(chǎn)品SO2,SO2分子的立體構(gòu)型。

(5)黃銅合金可以表示為CBZn,為面心立方晶胞，晶體密度為&5g求晶胞的邊長(zhǎng)(只寫計(jì)算式，不求

結(jié)果)o

17.(2022?遼寧?撫順一中高三開學(xué)考試)X、Y、Z、M、Q、R是元素周期表前四周期的元素，且原子序數(shù)

依次增大，其相關(guān)信息如表所示:

元素相關(guān)信息

X原子核外有7種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子

Y基態(tài)原子中最高能級(jí)上有兩個(gè)未成對(duì)電子

Z形成的氣態(tài)氫化物空間構(gòu)型為三角錐形

基態(tài)原子的最外層p軌道上有兩個(gè)電子的自旋方向與其他電子的自

M

旋方向相反

Q前4周期元素原子核外電子排布中未成對(duì)電子數(shù)最多的元素

R基態(tài)原子核外有7個(gè)能級(jí)上有電子且能量最高的能級(jí)上有6個(gè)電子

（1）寫出元素Q的基態(tài)原子的外圍電子軌道表示式是,,

（2）X、Y、Z三種元素的電負(fù)性小到大的順序是（用元素符號(hào)表示）。

（3）M元素基態(tài)原子中能量最高的電子的電子云在空間有個(gè)伸展方向，原子軌道呈_______形。

（4）小范同學(xué)寫了某基態(tài)原子的兩個(gè)價(jià)電子的表達(dá)式，分析其分別違背了什么原理：

①3s窕：；

⑸在XH3及ZH3兩種分子中，鍵角XH3MH3（添“〉”或“《）原因是。

18.（2022?四川?寧南中學(xué)高三階段練習(xí)）己知A、B、C、D、E、F為前四周期元素，它們的原子序數(shù)依次

增大，A的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍，A、C同周期，C元素基態(tài)原子中的s能級(jí)電子總數(shù)與p能

級(jí)電子總數(shù)相等,C、D的最外層電子數(shù)之和與A、B的最外層電子數(shù)之和相等,E是生產(chǎn)、生活中常用的

金屬，F(xiàn)基態(tài)原子最外層只有一個(gè)電子。根據(jù)上述相關(guān)信息，回答問題。

（DB基態(tài)原子中能量最高的電子所在能級(jí)有個(gè)軌道，F(xiàn)的外圍電子排布圖為o

⑵A、B、C三種元素第一電離能由大到小的排列順序?yàn)椋ㄌ钤胤?hào)），原因是。

（3）畫出D與氯元素形成的DQh的結(jié)構(gòu)式。（用箭號(hào)標(biāo)出配位鍵）

（4）請(qǐng)寫出與AC互為等電子體的分子的化學(xué)式o（任寫一種）

(5)A與B的簡(jiǎn)單氫化物中，B的氫化物沸點(diǎn)更高的原因是

(6)高溫條件下F的高價(jià)態(tài)氧化物易分解成低價(jià)態(tài)氧化物，試從結(jié)構(gòu)角度分析原因______o

19.(2022?福建?龍巖北大附屬實(shí)驗(yàn)學(xué)校高三階段練習(xí))鋁離子電池能量密度高、成本低且安全性高，是有

前景的卜.一代儲(chǔ)能電池。鋁離子電池一般采用離子液體作為電解質(zhì)，幾種離子液體的結(jié)構(gòu)如卜。回答下列

題

問?

II111

(1)基態(tài)鋁原子的核外電子排布式為。

(2)叱合物I中碳原子的雜化軌道類型為,化合物II中陽離子的空間構(gòu)型為

(3)叱合物III中O、F、S電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椤?/p>

(4)傳統(tǒng)的有機(jī)溶劑大多易揮發(fā)，而離子液體有相對(duì)難揮發(fā)的優(yōu)點(diǎn)，原因是。

(5)鋁離了一電池的其中一種正極材料為AIM%。-其晶胞中鋁原子的骨架如圖所示。

①以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，如圖中原子1

的坐標(biāo)為停生),原子2的坐標(biāo)為則原子3的坐標(biāo)為。

②已知該晶體屬于立方晶系，晶軀參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N,\,則晶體的密度為gem3

(列出計(jì)算式)。

20.(2022?北京朝陽?高三期末)某鈣鈦礦CHjNH3Pbi③是一種新型半導(dǎo)體材料，用于制造太陽能電池?？捎?/p>

CHQH、NH：4、PbU制備鈣鈦礦。

(1)晶體1：:屬于。

A.離子晶體B.分子晶體C,共價(jià)晶體

(2)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)比較k在CC14、水中的溶解性：

⑶制備CHjNH尸風(fēng)的過程如下所示：

CH30H—^->CH3I—NH3CH3PbI3

①【中，CH30H的沸點(diǎn)高于CHJ的沸點(diǎn)，原因是CHQH分子閏存在_______。

②H中，由于N&分子中的具有孤電子對(duì)，容易與CHJ反應(yīng)生成鹽CHjNHJ。

(4)鈣鈦礦的穩(wěn)定性受空氣中H<)、。2、紫外線等因素的影響。

H

i.CH3NH3PbI3(s),*°^Pbl2(s)CH3NH3I(aq)

ii.CHKHJ(aq)^=±CH，NH2(叫)+HI(aq)

研究發(fā)現(xiàn)，一旦生成HI,鈣鈦礦的分解程度就會(huì)增大，請(qǐng)結(jié)合化學(xué)平衡移動(dòng)原理解釋：

我國(guó)研究人員利用聚乙二醇有效地解決了該問題。

(5)在鈣鈦礦中引入有機(jī)物M能抑制離子擴(kuò)散，增加其穩(wěn)定性。M的逆合成分析如下：

=>---=>CH3CHO

HCHO

①竣酸A的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為

②以乙醇為起始原料，選用必要的無機(jī)試劑合成CH3cH2cH夕H0,寫出合成路線(用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式表示有機(jī)物,

用箭頭表示轉(zhuǎn)化關(guān)系，箭頭上注明試劑和反應(yīng)條件)。

R-CH=CCHO

0R-?C-CH—CHO

催化劑、II催化劑、

-「

已知：R-C-H+R*-CH2CHO>HR，R'(R、R

表示炫基或氫)。

參考答案:

1.(1)DC

(2)7

(3)正四面體形sp3

——xl583

(4)4$_____

16

abcxlO50

【解析】(1)

各能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)閘sV2sV2p,則電子處于高能級(jí)數(shù)越多能量越高，能量最低的是D：能量最

高的是C；

(2)

Fe元素位于第四周期第VIII族，F(xiàn)e原子最外層有2個(gè)電子，與Fe同周期，與Fe最外層電子數(shù)相等的副族

元素有Sc、Ti、V、Mn、Zn,共5種。

(3)

PO：中P原子價(jià)電子對(duì)數(shù)是三=4,無孤電子對(duì)，空間構(gòu)型為正四面體，中心原子的雜化類型是sp3；

(4)

①晶胞中小球?yàn)長(zhǎng)i+,根據(jù)均攤法，Li+的個(gè)數(shù)為Jx8+Jx4+:x4=4,故LiFcPO』的單元數(shù)有4個(gè)。

842

②每個(gè)晶胞中有4個(gè)LiFePCh單元，晶胞體積為(axl(r%m)x(bxl(r%m)x(cxlOTOcm),故密度為

4

—xl58

5gcm_,

abcxlO-30

③圖(b)中Li?個(gè)數(shù)為?+$3+；x3q，⑶到(b)中Fe、P、。原子個(gè)數(shù)均未變，故圖(b)的化學(xué)式為

LigFePO,故3

421616

2.(1)3d*4s2

(2)sp'、sp2N>O>C

(3)三角錐形sp3

(4)CD

(5)王四面體形

【解析】(1)

鍥的核電荷數(shù)為28,基態(tài)鍥原子的電了?排布式為Is22s22P63s23P63d84s2,則外圍電子排布式為3dzs2。答案

為：3ds4s2：

(2)

從結(jié)構(gòu)中可以看出，碳原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別為4(-CH3)和3(、0夕)，則碳原子的雜化方式為sp\sp2；

其中碳、氮、氧三種元素的非金屬性O(shè)ANAC,但由于N的最外層電子處于半滿狀態(tài)，其第一電離能比O

大，所以第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>O>C。答案為：sp\sp2；N>O>C；

(3)

NCI3的中心N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,有一對(duì)孤對(duì)電子，所以立體構(gòu)型為三角錐形，其中心原子的雜化

軌道類型為sp3。答案為：三角錐形；sp：

⑷

A.HN1的結(jié)構(gòu)式為H-N=N=N,則其中含有3個(gè)。鍵，A不正確；

B.HN，中的三個(gè)氮原子分別采用sp?、sp、sp?雜化，B不正確；

C.HN、、HNO2,HQ、N2H4的分子結(jié)構(gòu)都不對(duì)稱，都是極性分子，C正確；

D.明(N2H,)的沸點(diǎn)比水還高，常溫下呈液態(tài)，說明明分子間可形成氫鍵，D正確；

故選CD.答案為：CD：

(5)

SO：的中心S原子，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,發(fā)生sp3雜化，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷SO：的空間構(gòu)型為:

正四面體形。答案為：正四面體形。

【點(diǎn)睛】非極性分子的結(jié)構(gòu)對(duì)稱，正負(fù)電荷的中心重合。

3.(DD

⑵413

(3)NaF

(4)Be的2s能級(jí)為全滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，而B失去一個(gè)電子后變?yōu)?s能級(jí)全滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以B的第一電

離能比Be的小

(5)Be(OH)2+2OH-=BeO-+2H2O

(6)3<15由Mn"轉(zhuǎn)化為Mi?,時(shí)，3d能級(jí)由較穩(wěn)定的3d,半充滿狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)椴环€(wěn)定的3d.狀態(tài)需要的能

量較多；而Fe"轉(zhuǎn)化為Fe"時(shí)，3d能級(jí)由不穩(wěn)定的3d‘狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檩^穩(wěn)定的3d,半充滿狀態(tài)需要的能量相對(duì)

要少

【解析】(1)

p軌道是啞鈴形，np電子云有3、p,、P；共3個(gè)伸展方向，符號(hào)3Px中3P表示第三層的p軌道，x表示原

子軌道沿x軸方向伸展，不能判斷該軌道上排布的電子數(shù)，故ABC錯(cuò)誤，D正確，答案選D：

(2)

s軌道只有1個(gè)伸展方向,p軌道有3個(gè)伸展方向，鋁原子核外電子排布為Is22s22P63s23pl涉及3個(gè)s軌道、

2個(gè)p軌道，因此其核外電子云有4種不同的伸展方向；其核外13個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)各不相同，因此核外

有13種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，故答案為：4：13；

(3)

同周期元素從左到右第一電離能總體呈增大趨勢(shì)，同主族從上到下第一電離能逐漸減小，則短周期的化學(xué)

元素(0族和放射性元素除外)中，第一電離能最小的元素是Na：司周期元素從左向右電負(fù)性逐漸增大，同主

族元素從上到下電離能逐漸減小，則短周期的化學(xué)元素(。族和放射性元素除外)中，電負(fù)性最大的元素是F,

故答案為：Na；F；

(4)

Be的2s能級(jí)為全滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，而B失去一個(gè)電子后變?yōu)?s能級(jí)全滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以B的第一電離

能比Be的小，故Be的第一電離能大于B的第一電離能，故答案為：Be的2s能級(jí)為全滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，

而B失去一個(gè)電子后變?yōu)?s能級(jí)全滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以B的第一電離能比Be的??；

(5)

A1(OH)3為兩性氫氧化物，與NaOH溶液反應(yīng)生成NaAKh和水，已知Be和A1符合“對(duì)角線規(guī)則”，性質(zhì)

有一定的相似性,則Bc(OH)/也為兩性氫氧化物，能與NaOH溶液發(fā)生類似的反應(yīng)，則反應(yīng)的離子方程式

為：Be(OH)2+2OH-=BcO^+2H2O,故答案為：Be(OH)2+2OH-=BeO^+2H2O；

(6)

鐳元素為25號(hào)元素，Mn原子失去2個(gè)電子變成Mi?+,則基態(tài)Mn"的電子排布式為：Is22s22P63s23P63ds

(或[Ar]3d,)，故其基態(tài)MM+的價(jià)層電子排布式為3d5；由Mn??轉(zhuǎn)化為M小時(shí)，3d能級(jí)由較穩(wěn)定的3d§半

充滿狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)椴环€(wěn)定的3d4狀態(tài)需要的能景較多：而Fe2+轉(zhuǎn)化為F03+時(shí)，3d能級(jí)由不穩(wěn)定的3d6狀態(tài)轉(zhuǎn)變

為較穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài)需要的能量相對(duì)要少，故氣態(tài)Ml?再失去1個(gè)電子比氣態(tài)Fe?+再失去1個(gè)電子

難，故答案為：由MM+轉(zhuǎn)化為Mn"時(shí)，3d能級(jí)由較穩(wěn)定的3ds半充滿狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)椴环€(wěn)定的3d,狀態(tài)需要的

能量較多；而Fe“轉(zhuǎn)化為F/+時(shí)，3d能級(jí)由不穩(wěn)定的3d6狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檩^穩(wěn)定的3ds半充滿狀態(tài)需要的能量相

對(duì)要少。

4.(l)4s

⑵小

⑶C

(4)0>N>C>H>Fe

【解析】(1)

Fe是26號(hào)元素，根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)Fe原子核外電子排布式是Is22s22P63s23P63d64sFe失去最外層的

2+

2個(gè)4s電子變?yōu)镕e;

(2)

5Ix3

氨氣中N價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=3+三，=3+1=4,雜化類型是sp3,NH3中有一對(duì)孤對(duì)電子，NH；中N價(jià)層電子

對(duì)數(shù)為=4+'5T；X4=4,雜化類型是sp3,NH：無孤對(duì)電子，由于孤對(duì)電子對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力大于成鍵

電了對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力，因此N%中H-N-H的鍵角比NH：中H-N-H的鍵角?。?/p>

(3)

世基鐵粉［Fe(CO)5］中，中心Fe原子與5個(gè)配位體CO結(jié)合，由于C、O都有孤對(duì)電子，O的電負(fù)性大，O

比C給予電子對(duì)的能力弱，因此配位原子為C原子；

(4)

氨氣與披基鐵粉的反應(yīng)中涉及元素分別為N、H、Fc、C、O,根據(jù)同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大，

同主族從上到卜元索的電負(fù)性逐漸減小，非金屬元素的電負(fù)性大于金屬元索，可知這幾種元素的電負(fù)性由

大到小的順序?yàn)?>N>C>H>Fe；

(5)

在廣Fe4N的晶胞中，設(shè)晶胞中Fei點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(0,0,0),N點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(；，；，；)，則Fe2點(diǎn)

的原子位于前面的面心上，則Fe2點(diǎn)的原子坐標(biāo)為坐標(biāo)為(J,Q,:)；

該晶胞中含有的Fe原子數(shù)目是8乂三+6x7=4,含有1個(gè)N原子，已知該晶體的密度為dg/cm3根據(jù)密度

o2

m14+56x4,3238,

d==/Cm=8/Cm7

V/VA(ax|(r)-^A(axl()^r'可知晶胞參數(shù)好xlOnin5,

5.(1)12

(2)SiHj第二周期的元素的氫化物沒有分子間氫鍵的是CH,,為第IVA族元素，因此a為SiH」

(3)共價(jià)

(4)三

40x4

⑸而融

【解析】(1)

該元素的第二電離能和第三電離能的差距較大，說明能層發(fā)牛變化，故元素為Mg,最外層有12中運(yùn)動(dòng)狀

態(tài)不同的電子，故答案為：12；

(2)

如圖2所示，每條折線表示周期表第IVA?VIIA族中的某一族元素氫化物的沸點(diǎn)變化中，N、0、F三種鼠

化物可以形成分子間氫鍵，會(huì)造成熔沸點(diǎn)反常，第二周期的元素的氫化物沒有分子間氫鍵的是CK,為第

NA族元素，因此a為SiH』，故答案為：SiH4；第二周期的元素的氧化物沒有分子間氫鍵的是CH「為第

IVA族元素，因此a為SiH「

(3)

CO?在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如圖3所示，該晶胞結(jié)構(gòu)與二氧化硅類似，故形成了共價(jià)晶體二氧化

碳，故答案為：共價(jià)；

⑷

同周期主族元索第一電離能隨原子序數(shù)增大呈增大趨勢(shì)，但HA族的np為全充滿、VA族的np為半充滿穩(wěn)

定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，則第一電離能：AlVMgVSiVSVP,介于Al、P之間的第三

周期元素有3種，故答案為：三；

(5)

|14x28+4x12

晶胞中，C原子的數(shù)目為4,Si原子的數(shù)目為8xw+6xJ=4,晶胞質(zhì)量為m=----------------g,晶胞體積為

V=iaxlOlo)3cm3,晶胞密度p=,=：3xlO^g/cirP,故答案為：Axl03°o

6.(1)正四面體4sp

(2)sp3sp?

⑶sp，

(4)王四面體形

【解析】(1)

PO；的中心原子P的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+Jx(5+3-4x2)=4,故P原子采取sp'雜化，不含孤電子對(duì)，PO：

的空間構(gòu)型為正四面體。

(2)

HH

—I

NB

NH,BH,的結(jié)構(gòu)式為H-H，可知B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=。鍵個(gè)數(shù)=4(孤電子對(duì)數(shù)為0),

—

——

HH

故N&B&中B原子采取sp‘雜化；由的結(jié)構(gòu)式可知B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=。鍵個(gè)數(shù)=3(孤電子對(duì)數(shù)

為0),故BQ：?中B原子采取sp?雜化。

(3)

NH,分子中，氮原子與三個(gè)氫原子形成三對(duì)共用電子對(duì)，氮原子還有一個(gè)孤電子對(duì)，所以N為sp3雜化。

(4)

常溫常壓下SnCL為無色液體，說明其沸點(diǎn)很低，類比CQ4,可知SnCL分子中Sn原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為

4+lx(4-4xl)=4,則其雜化軌道數(shù)為4,Sn原子采取sp'雜化，Sn原子的孤電子對(duì)數(shù)為0,故SnJ分子

的空間構(gòu)型為正四面體形。

7.(1)ABDC

⑵5口；

(3)(HQ+)O-H.N(N；)(NH：)N-H…N(N；)

602a3d*a?dN.

(4)(或--------xlO2,)21

MM

【解析】（1）

H.9+中b鍵數(shù)為3,中心原子孤電子對(duì)數(shù)為Jx（6-1-3xl）=l,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,雜化軌道類型為sp"

立體結(jié)構(gòu)為三角錐形；NH；中。鍵數(shù)為4,中心原子孤電子對(duì)數(shù)為:x（5-l-4xl）=0,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,

雜化軌道類型為sd，立體結(jié)構(gòu)為正四面體形；HQ+和NH；中均含極性共價(jià)鍵和配位鍵，故兩種陽離子的

相同之處為A、B、D,不同之處為C。

（2）

由圖中N?的結(jié)構(gòu)可知N：中的。鍵數(shù)為5；N：中的5個(gè)原子參與形成大兀鍵，每個(gè)原子中參與形成大兀鍵的

電子數(shù)為1（孤電子對(duì)不參與），故參與形成大兀鍵的電子數(shù)為5+1=6,、中大兀鍵應(yīng)表示為n￡

(3)

當(dāng)H與N、0、F相連時(shí)，可以與相鄰分子的N、O、F相連，所以還可以形成的氫鍵有：（HQ?）0-H...N（N5）

和(NH：)N-H…N(N?)；

(4)

晶體的密度為如底，晶胞的體積為胞的質(zhì)量為嗡需xy,則;

73

dx(axlQ)xNA_a3dNA^q21^

y=-

MM

8.(1)3d“)4sl15

(2)H<C<NN>O>C

⑶sp3NH3分子間能形成氫健，而PH3不能，所以NH3的狒點(diǎn)高于PH3

(4)1：2

⑸兩者都是離子晶體，且陰、陽離子電荷量均對(duì)應(yīng)相同，但KO^VKS'）,所以CsO的晶格能大，熔點(diǎn)較

高

64x4+16x2

(6),o3

(^xlO)NA

x/3

【解析】（1）

Cu是29號(hào)元素，其核外電子排布式是Is22s22P63s23P63dl04sl故基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式為3di04s\s

能級(jí)有一個(gè)原子軌道，p能級(jí)有三個(gè)原子軌道，d能級(jí)有5個(gè)原子軌道，故其核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有

14-1+3+1+3+5+1=15種；

(2)

N與C、0同周期，H、C、N三種元素的電負(fù)性從小到大的順序?yàn)镠VCVN,因?yàn)镹元素核外電子排布式

是Is22s22P3,2P能級(jí)是半充滿狀杰，第一電離能異常，故C、N、O的第一電離能從大到小的順序?yàn)镹>O

>C；

(3)

NH3中N的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+gi5-3x1)=4,故N的雜化方式為sp3；

N%分子間能形成氫鍵，而P%不能，所以NH?的沸點(diǎn)高于PHj；

(4)

CO的結(jié)構(gòu)式C-0,共價(jià)三鍵中有一個(gè)是。鍵，故。鍵與兀鍵的數(shù)目之比為1:2；

(5)

兩者都是離子晶體，且陰、陽離子電荷量均對(duì)應(yīng)相同，但KObVrS)所以CsO的晶格能大，熔點(diǎn)較高:

利用均攤法，每個(gè)晶胞含有。為SxJ+l=2,Cu皆在體心，個(gè)數(shù)為4,故該晶胞的質(zhì)量為64x4+16x2

，若

O

該晶胞中Cu原子與O原子之間的最近距離為apm,則體心為4apm,晶胞的邊長(zhǎng)為患x1。--%]]。由夕=￡

64x4+16x2

得晶胞的密度為(4aX10-IO)3NO

(+32)28184

9))))32

9.(1)

(2)四面體形平面三角形

：C：N：

(3)L?J

(4)<>CH4與SiFh都是分子晶體，由于SiH,相對(duì)分子質(zhì)量較大，分子間作用力較大，則沸點(diǎn)較高

(5)②③⑤⑦⑧

(6)sp2雜化兀

【解析】(1)

信是第四周期第IVA族元素，核電荷數(shù)為32,四個(gè)電子層，最外層4個(gè)電子，其原子結(jié)構(gòu)示意圖為

Z/，核外有多少個(gè)電子，就有多少種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，所以有32種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀

態(tài)，故答案為：/;32；

(2)

NE中N原子成3個(gè)。鍵，有一對(duì)未成鍵的孤對(duì)電子，雜化軌道數(shù)為4,采取sp3型雜化雜化，VSEPR模

型為四面體形;S03分子中S原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+生產(chǎn)=3且不含孤電子對(duì),二者都為平面三角形結(jié)構(gòu)；

故答案為：四面體形；平面三角形；

(3)

與CN-互為等電子體的分子為Nz，等電子體結(jié)構(gòu)相似，根據(jù)氮?dú)夥肿与娮邮綍鴮懺撾x子電子式為

故答案為：L?」；

(4)

同?周期金屬晶體中，原子半徑越小熔點(diǎn)越大，所以熔點(diǎn)MgVAl,對(duì)于結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)

量越大，分子間作用力越大，則熔沸點(diǎn)越高，相對(duì)分子質(zhì)量：CH4<SiH4,則分子間作用力：CH4<SiH4,

則熔沸點(diǎn)：SiH4>CH4,故答案為：<：>；CH4與Si%都是分子晶體，由于SiH4相對(duì)分子質(zhì)量較大，分子

間作用力較大，則沸點(diǎn)較高；

(5)

對(duì)于ABn型分子，A原子的最外層電子，若完全成鍵，屬于非極性分子，若不完全成鍵，則屬于極性分子；

①巴分子是結(jié)構(gòu)對(duì)稱的正四面體結(jié)構(gòu)，為非極性分子：

②NH3中C元素化合價(jià)為-3,N原子最外層5個(gè)電子未全部成鍵，為極性分子，含有N-H極性鍵；

③HCN的結(jié)構(gòu)式為H-C三N,分子正負(fù)電荷中心不重合，為極性分子，含有極性鍵：

④BF3中B元素化合價(jià)為+3,B原子最外層3個(gè)電子全部成鍵，為非極性分子；

⑤HzO中0元素化合價(jià)為-2,0原子最外層6個(gè)電子未全部成鍵，為極性分子，含極性鍵；

⑥SO3中心原子價(jià)層電子對(duì)為3,孤電子對(duì)為3-3=0,所以依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知，三氧化硫?yàn)槠矫?/p>

三角形結(jié)構(gòu)，正負(fù)電荷中心能夠重合，為非極性分子；

⑦CHK1為CH4中一個(gè)H被C1取代，分子正負(fù)電荷中心不重合，為極性分子，含極性鍵；

⑧比。2分子正負(fù)電荷中心不重合，為極性分子，含極性鍵；

故選②③⑤⑦⑧；

(6)

①碳碳雙鍵中C采取sp2雜化，噬吩結(jié)構(gòu)中C原子的雜化方式為sp?雜化；

②嚷吩分子為平面結(jié)構(gòu)，S原子價(jià)電子排布式為3s23P3形成兩根共價(jià)鍵，環(huán)中存在兩根兀鍵，為單雙建交

替，軌道交蓋可形成離域大兀鍵，S的中軌道中一對(duì)電子與環(huán)上的兀電子共挽，形成離域大兀鍵，形成

五中心六電子的離域大兀鍵，曝吩中的大兀鍵表示為兀；。

4s4p

10.⑴應(yīng)IZZ

(2)Ga<O<N平面三角形CO；或SO；或BF3

ClClCl

/\、

(3)C101ClGaC13為分子晶體熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化

時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力所以GaCI3的熔點(diǎn)低于GaF3

(4)B、Fsp?、sp3

(5)Ga(CH3)3+NH3=3CH4+GaN

【解析】(1)

4s4P

Ga第HIA族元素，則價(jià)電子=最外層電子=3所以價(jià)電子排布圖為：回