NANDflash和NORflash的區(qū)別兩種并行FLASH

Flash存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種可以在線多次擦除的非易失性存儲(chǔ)器，即掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，具體積小、功耗低、抗振性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，為嵌入式系統(tǒng)中典型的兩種存儲(chǔ)設(shè)備。

1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接讀取芯片內(nèi)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)，速度比較快，但價(jià)格較高；芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecuteInPlace），應(yīng)用程序可以直接在Flash上運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中；

2、NAND型Flash：如K9F2808U0C，內(nèi)部數(shù)據(jù)以塊為單位存儲(chǔ)，地址線和數(shù)據(jù)線共用，使用控制信號(hào)選擇；極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也快，應(yīng)用NAND型的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。

3、細(xì)述二者的差別：

（1）、接口差別：

NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易的存取其片內(nèi)的每一個(gè)字節(jié)；NAND型Flash使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行的存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同，通常是采用8個(gè)I/O引腳來(lái)傳送控制、地址、數(shù)據(jù)信息。

（2）、讀寫的基本單位：

NOR型Flash操作是以“字”為基本單位，而NAND型Flash以“頁(yè)面”為基本單位，頁(yè)的大小一般為512字節(jié)。

（3）、性能比較：

NOR型Flash的地址線和數(shù)據(jù)線是分開的，傳輸效率很高，程序可以在芯片內(nèi)部執(zhí)行，NOR型的讀速度比NAND稍快一些；NAND型Flash寫入速度比NOR型Flash快很多，因?yàn)镹AND讀寫以頁(yè)為基本操作單位。

（4）、容量和成本：

NAND型Flash具有較高的單元密度，容量可以做得比較大，加之其生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，價(jià)格較低；NOR型Flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品中，這也說(shuō)明NOR主要用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在CompactFlash、PCCards、MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占的份額最大。

（5）、軟件支持：

NAND型和NOR型Flash在進(jìn)行寫入和擦除時(shí)都需要MTD（MemoryTechnologyDrivers，MTD已集成在Flash芯片內(nèi)部，它是對(duì)Flash進(jìn)行操作的接口。），這是它們的共同特點(diǎn)；但在NOR型Flash上運(yùn)行