半導(dǎo)體存儲行業(yè)市場分析

1存儲器：半導(dǎo)體第二大子版塊，強周期屬性

2022年全球存儲市場規(guī)模達1298億美元,集成電路市場占比27.4%O

WSTS將半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器幾

大領(lǐng)域進行統(tǒng)計。根據(jù)WSTS,2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達到

5741億美金，其中集成電路市場規(guī)模4744億美金，占比82.6%,

存儲器是集成電路的重要組成部分,2022年市場規(guī)模1298億美金，

占集成電路市場的27.4%,占半導(dǎo)體市場22.6%,是整個半導(dǎo)體行

業(yè)第二大細分領(lǐng)域（第一大為邏輯電路）。

存儲芯片周期波動性較半導(dǎo)體行業(yè)整體更強。作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要

分支，存儲芯片周期變化情況基本與半導(dǎo)體行業(yè)周期變化情況保持一

致，比較存儲芯片市場規(guī)模與半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模2004年?2024E

同比變化情況，存儲芯片同比變化曲線更為陡峭，其波動性更強，半

導(dǎo)體周期景氣下，存儲芯片市場貢獻更為突出。

DRAM和NANDFlash在存儲市場中占主導(dǎo)地位。存儲器按照是否

需要持續(xù)通電以維持數(shù)據(jù)分為易失性存儲（RAM）和非易失性存儲

（ROM）,在RAM中，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）需要在維持

通電的同時，通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)，DRAM結(jié)構(gòu)簡單，單位

面積的存儲密度顯著高于SRAM,DRAM作為一種高密度的易失性

存儲器，主要用作CPU處理數(shù)據(jù)的臨時存儲裝置，廣泛應(yīng)用于智能

手機、個人電腦、服務(wù)器等主流應(yīng)用市場。在ROM中，NANDFlash

是使用電可擦技術(shù)的高密度非易失性存儲，其存儲密度遠高于其他

ROM,同時能夠?qū)崿F(xiàn)快速讀寫和擦除。NANDFlash為大容量數(shù)據(jù)存

儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案，是目前全球市場大容量非易失

存儲的主流技術(shù)方案。根據(jù)彭博，2021年DRAM和NAND合計市

場規(guī)模占比超95%,分別占比約57.3%,38.3%。據(jù)CFM閃存市場

預(yù)計，2022年NANDFlash市場容量規(guī)模增長6%達到610BGB,

DRAM市場容量規(guī)模增長4%達到194BGb。

圖表7:中國存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模及預(yù)測（億元）

國內(nèi)存儲芯片市場鋪售-占仝球存?zhèn)餍酒袌鰞z頓

中國在全球存儲市場占據(jù)重要地位。在國內(nèi)市場，隨著中國在電子制

造領(lǐng)域水平的不斷提升，國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)品的需求量逐步攀升，根據(jù)

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會數(shù)據(jù)，2018年中國存儲芯片市場規(guī)模達到

5,775億元，發(fā)展空間廣闊。根據(jù)Yole最新統(tǒng)計，2022年中國企業(yè)

在全球DRAM市場份額為30%,在NAND市場份額為33%,中國

企業(yè)DRAM和NAND合計市場規(guī)模約432.8億美金（不含外國企業(yè)

在國內(nèi)生產(chǎn)的進口量）。

下游應(yīng)用市場廣闊，計算與無線通信合計占比超80%。存儲產(chǎn)業(yè)鏈

下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、

物聯(lián)網(wǎng)硬件、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)以及個人移動存

儲等領(lǐng)域，應(yīng)用市場廣闊。云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等市

場規(guī)模擴大，數(shù)據(jù)量激增，通信技術(shù)發(fā)展帶動，2021年計算與尢線

通信領(lǐng)域存儲產(chǎn)品應(yīng)用占比分別達47.0%,37.3%,是存儲產(chǎn)品下游

應(yīng)用重要領(lǐng)域。

DDR和LPDDR是DRAM應(yīng)用最廣泛品類,DDR5滲透率逐步提升。

DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型

(Legacy/SDR)DRAM。DDR是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，主

要應(yīng)用在PC、服務(wù)器上等領(lǐng)域，目前主流的DDR標準是DDR4,

DDR5滲透率在逐步提升過程中；LPDDR是LowPowerDDR,主要

應(yīng)用于移動端電子產(chǎn)品；GDDR(GraphicsDDR)主要應(yīng)用于圖像處

理領(lǐng)域；相比較DDR的雙倍速率(在時鐘上升沿和下降沿都可以讀

取數(shù)據(jù))，傳統(tǒng)DRAM只在時鐘上升沿讀取數(shù)據(jù)，速度相對慢。根

據(jù)Yole統(tǒng)計，DDR/LPDDR合計占DRAM應(yīng)用比例約90%。

3DNAND是NANDFIash主流，存儲密度持續(xù)提升。存儲密度提升的

主要技術(shù)路徑包括提高存儲單元的可存儲數(shù)位(bit)量和提升

3DNANDFIash的堆疊層數(shù)。根據(jù)每個存儲單元存儲的可存儲數(shù)位量,

NANDFIash分為SLC(Single-levelCell)MLC(Multi-levelCell)>

TLC(Triple-levelCell)、QLC(Quad-LevelCell)。SLC為每個存

儲單元存儲的數(shù)據(jù)只有1位，MLC、TLC和QLC每個存儲單元存儲

的數(shù)據(jù)分別為2/3/4位，存儲密度梯度提升。傳統(tǒng)NANDFIash為平

面閃存(2DNAND),3DNAND使用多層垂直堆疊技術(shù)，擁有更大

容量、更低功耗、更優(yōu)耐用性以及更低成本的優(yōu)勢。三星電子2013

年率先開發(fā)出可以商業(yè)化應(yīng)用的24層3DNAND,2020年3DNAND

高端先進制程進入176層階段，2022年美光宣布232層3DNAND

實現(xiàn)量產(chǎn)。

主流存儲市場海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM和

NANDFIash等半導(dǎo)體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓的設(shè)

計及制造標準化程度較高，各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性

等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商通過產(chǎn)能擴大規(guī)模化優(yōu)勢及技

術(shù)持續(xù)升級迭代保持競爭力。DRAM領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士

壟斷了近95%的市場份額，行業(yè)龍頭三星電子2014年率先實現(xiàn)

20nm量產(chǎn)，此后DRAM制程大約每兩年實現(xiàn)一次突破，從1Xnm

(16nm-19nm)到1Ynm(14nm16nm)到1Znm(12-14nm)o2021

年1月，美光科技率先宣布量產(chǎn)1cmm(接近10nm)DRAM產(chǎn)品,

主流原廠開始進入1c(nm制程階段。目前市場高端制程為1Znm,該

制程生產(chǎn)的芯片主要標準規(guī)格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。

NAND領(lǐng)域，競爭格局同樣較為集中，由三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、

美光科技、SK海力士等公司主導(dǎo)全球市場，SK海力士收購英特爾

NANDFIash業(yè)務(wù)已于2021年獲得主要市場監(jiān)管當(dāng)局批準，全球

NANDFIash市場將進一步集中。NOR領(lǐng)域，競爭格局相對DRAM

和NAND分散，中國臺灣和大陸廠商占據(jù)一席之地。

圖表17:2021年半導(dǎo)體存儲器分市場競爭格局

DRAMXandFlash

I3JH

143%11.5%

283%

37.IS

■?4力+?ttA?41?三JL力士?力

NOR

?單邦電子<????美飛虎正**■4維

2前幾輪周期存儲行業(yè)如何表現(xiàn)？

2014年周期存儲器市場破800億美金新高。2013-2016年，全球存

儲器市場分別同比增速+27.6%/+17.8%/-2.6%/-1.8%,達到

691/814/793/779億美金。其中2013/2014年全球DRAM銷售額同

比增長34.5%/34.6%至352/473億美金，2015/2016年DRAM市場

同比下降4.0%/9.0%至454.4/413.3億美金。市場格局方面，美光/

二星/SK海力十二家DRAM全球份額從2005年60%左右的份額，

在2013年首次超過80%,并在2014年之后始終維持在超過90%o

競爭格局逐步集中主要是因為產(chǎn)品升級迭代與生產(chǎn)規(guī)模擴張帶來的

高研發(fā)及資本開支投入，DRAM市場競爭激烈，價格波動大，頭部

廠商通過規(guī)模經(jīng)濟和成本優(yōu)勢保持競爭力，同時通過一系列收并購整

合，行業(yè)集中度持續(xù)提升。

2013-2016年移動端DRAM需求取代PC用DRAM成為主要需求來

源。1980-2000年代，PC在DRAM的終端應(yīng)用需求中占比65-85%,

是DRAM終端應(yīng)用需求最大的領(lǐng)域，隨著PC銷量在2010年見頂后

逐步回落，2012年P(guān)C用DRAM占比下降至41%,2015年，移動

端DRAM生產(chǎn)規(guī)模首次超過PC用DRAM,成為DRAM下游占比最

高的應(yīng)用。

移動終端對DRAM的需求持續(xù)增長：1）智能手機出貨量自2009年

起高速增長，2012/2013/2014年出貨量增速分別為

43.8%/42.4%/28.5%,達到6.8/9.7/12.4億部。2）智能手機,平板電

腦內(nèi)存容量及DRAM產(chǎn)品密度持續(xù)升級。隨著智能手機功能逐步豐

富，設(shè)備內(nèi)存用量持續(xù)增加，以適應(yīng)性能不斷提升的處理器和顯示屏

需求。IHS預(yù)計2012年全球智能手機中的平均DRAM容量增長近

50%達到666MBo此外智能手機中DRAM芯片的平均密度也在快速

上升,2012年4Gb內(nèi)存芯片約占智能手機DRAM市場的37%,8Gb

占36%。IHS預(yù)計2013年8Gb將占據(jù)市場主要地位，份額提升至

46%,4Gb占比下降至28%。再往后看，密度更高的16Gb將逐步

占據(jù)主導(dǎo)地位,2012年16Gb的DRAM市場份額僅占2%,預(yù)計2013

年將躍升至15%,并在2015年成為主流產(chǎn)品，份額達到56%。

供給端，行業(yè)集中度提升+產(chǎn)品復(fù)雜度提升帶來DRAM產(chǎn)能持續(xù)萎縮。

產(chǎn)能方面，根據(jù)SEMI,2003-2007年全球DRAM裝機產(chǎn)能每年40-50%

的增速保持高速增長，2007年全球11個主要DRAM供應(yīng)商在全球

約40個工廠生產(chǎn)DRAM芯片，2008/2009年金融危機期間DRAM

行業(yè)經(jīng)歷了嚴重的下滑，供應(yīng)商數(shù)量和產(chǎn)能方面均出現(xiàn)減少。2015

年全球主要DRAM供應(yīng)商僅剩6家公司(20個生產(chǎn)工廠)，其他一

些前道工廠從生產(chǎn)DRAM轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)邏輯、NAND等其他用途芯片。

圖表28:全球DRAMIDM廠商集中度持續(xù)提升

注:不含全球DRAM市場占有率低于3%的公司

產(chǎn)品復(fù)雜度提升及技術(shù)迭代亦使得產(chǎn)能出現(xiàn)損失。2015年初，業(yè)內(nèi)

主流DRAM制程節(jié)點在21/20nm,頭部廠商技術(shù)節(jié)點已升級至15nm

(1Xnm),SEMI在跟蹤了9個工廠后得出結(jié)論，工藝步驟增加，

產(chǎn)品復(fù)雜度提升導(dǎo)致工廠每平方英尺潔凈間生產(chǎn)的晶圓減少10%至

20%,這一趨勢幾乎影響到所有在30/28納米節(jié)點及以下的行業(yè)領(lǐng)域,

并預(yù)計2014年到2016年，DRAM工廠在過渡到下一個領(lǐng)先技術(shù)節(jié)

點時預(yù)計產(chǎn)能每月將損失約25,000個晶圓。

從資本開支角度，由于晶圓廠從設(shè)備投資到產(chǎn)能擴充通常需要1.5-2

年，因此根據(jù)ICInsights和美光的統(tǒng)計，以及2010年以來DRAM

行業(yè)資本開支情況，我們看到全球前道DRAM晶圓產(chǎn)能在2013-2016

年不增反降，2012-2014年DRAM行業(yè)資本開支占營收比重維持不

到20%的水位。

供不應(yīng)求背景下，2013年起DRAMASP開始提升。需求端，特別是

對于高端、低功耗移動DRAM的需求大幅增長。供給端，1)與2010

年相比，2013年DRAM市場競爭格局更加集中，2013年美光完成

對日本爾必達的收購，且兩家臺企DRAM供應(yīng)商力晶科技Powerchip

和茂德科技ProMOS基本退出了DRAM業(yè)務(wù)。2)DRAM市場在2007

年之后多年的大幅減少資本支出后，幾乎沒有新增產(chǎn)能。DRAM資

本支出占銷售額的比例從2011年的30%下降至2012年的20%。

因此供需狀態(tài)有利于DRAM供應(yīng)商，疊加SK海力士無錫廠火災(zāi)等

原因，DRAMASP于2013年開始持續(xù)上行。

2014年10月起DRAM價格進入下行通道。2014年底智能手機銷售

旺季過去，2015年P(guān)C出貨疲弱，PCOEM庫存持續(xù)提升，DRAM

價格進入下行周期。與此同時，頭部存儲廠仍在向更先進制程節(jié)點遷

移。三星在2015Q3推出了20nm生產(chǎn)的PC和服務(wù)器產(chǎn)品，以及用

于移動端的LPDDR4,其作為首家供應(yīng)基于20nm工藝制造的

LPDDR4的制造商,在市場價格下降的情況下具有顯著的成本優(yōu)勢。

SK海力士預(yù)計在2016Q1-Q2大規(guī)模生產(chǎn)21nm產(chǎn)品，美光則相比

前兩家更為滯后。PCOEM去庫存接近尾聲，2016年中DRAM價格

筑底。DRAM價格自2014年10月下降以來，到2016年6月市場

看到價格筑底，彼時DDR34GB的平均合約價從32.75美元下降了

62%,至12.5美元。需求端，隨著2016Q3智能手機新品發(fā)布，整

個智能手機供應(yīng)鏈積極備貨，當(dāng)時中國智能手機品牌對存儲器組件亦

有很高的需求，2016年全球智能手機單位DRAM容量同比提升了

36%,因此DRAM和NANDFlash市場都面臨供應(yīng)緊張的局面。供

給端，DRAM市場三家龍頭寡頭壟斷下，憑借行業(yè)工藝向20rlm技

術(shù)升級，比特產(chǎn)出仍能保持增長的同時，晶圓產(chǎn)能保持相對穩(wěn)定°另

外從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)角度來看，主要DRAM供應(yīng)商將更多的產(chǎn)能重新分配

給移動和服務(wù)器產(chǎn)品，同時北美地區(qū)的筆記本電腦需求有所回暖，造

成PCDRAM供應(yīng)也趨于緊張，因此整個DRAM價格在2016H2有

所回升。

2017年存儲市場突破1000億美金。2017-2018年全球存儲市場重

返增長，市場規(guī)模同比大幅提升62.6%/26.6%至1267/1604億美金，

其中全球DRAM市場規(guī)模同比增速61.5%/27.4%,達到

1239.7/1579.7億美金。需求驅(qū)動主要來源于1）全球服務(wù)器出貨量

穩(wěn)步增長，以及服務(wù)器存儲容量顯著提升；2）智能手機持續(xù)增長，

手機存儲容量繼續(xù)升級。根據(jù)hS統(tǒng)計，服務(wù)器在智能手機、PC等

各終端應(yīng)用中是單機DRAM容量增速最快的終端產(chǎn)品，此外，自2016

年以來，服務(wù)器在全球DRAM比特需求中占比快速提升，從2016

年的20.9%提升至2019年的27.3%。

回顧全球服務(wù)器出貨情況：2013至2014年，云計算及消費電子創(chuàng)

新及升級帶動了OnlineServes需求，服務(wù)器行業(yè)呈現(xiàn)相對穩(wěn)定的增

長；2015年以Facebook、Google及微軟等為代表的超大新數(shù)據(jù)中

心的持續(xù)增長，當(dāng)年服務(wù)器出貨量同比增長5.1%至971萬臺；

2017Q1,Meta、谷歌、亞馬遜等企業(yè)為了等待英特爾推出新數(shù)據(jù)中

心芯片，放緩對于新服務(wù)器的采購，服務(wù)器出貨量短暫下滑，2017Q2

云服務(wù)商擴產(chǎn)帶動服務(wù)器需求，2017Q3中國運營商的采購拉動以及

企業(yè)/政府級市場的需求，中國成為全球X86服務(wù)器增長主要市場；

2018年全球服務(wù)器市場出貨量再次實現(xiàn)超越10%的增長，主要源自

于云計算、大數(shù)據(jù)、AI等新一代技術(shù)對互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)持續(xù)拓展基礎(chǔ)架

構(gòu)規(guī)模的推動，同時也刺激了傳統(tǒng)企業(yè)用戶的采購需求；2019年超

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商資本開支減少，服務(wù)器出貨量出現(xiàn)同比下滑。

圖表39:全球服務(wù)器出貨量（萬臺）

?■服務(wù)若出貨量（萬臺）-一yoy

供給端，DRAM行業(yè)資本開支在2017年和2018年均有20%以上增

長。三星在2017年開始實現(xiàn)向18nm工藝的過渡，由于此前行業(yè)晶

圓產(chǎn)能增量有限疊加技術(shù)升級，DRAM供應(yīng)增長放緩，DRAM合約

價從2016年下半年開始上漲，疊加季節(jié)性需求，此后DRAM價格

持續(xù)向上。因此三星在2017年計劃通過擴產(chǎn)緩解供應(yīng)不足并保持其

市場主導(dǎo)地位。SK海力士始終專注于提高良率和擴大21nm工藝的

應(yīng)用，其基于18nm的產(chǎn)品在2017年底開始小規(guī)模量產(chǎn)。產(chǎn)能方面，

2017年SK海力士在無錫建第二座12英寸晶圓廠，并預(yù)計最早將于

2019年投入運營。美光的子公司美光存儲臺灣2018年DRAM已全

部采用1Xnm工藝，美光科技臺灣（原Inotera）自2018Q2開始從

20nm工藝向1X納米工藝過渡，預(yù)計到2018年底其約一半產(chǎn)能將

采用1X納米工藝，全面轉(zhuǎn)換預(yù)計將在2019年上半年完成。由于產(chǎn)

能建設(shè)通常需要至少1.5年以上時間，我們看到新增產(chǎn)能在2018年

開始逐步體現(xiàn)。

2018Q3DRAM價格見頂。庫存方面，2019Q1北美主要數(shù)據(jù)中心運

營商服務(wù)器內(nèi)存存貨至少5-6周，OEM庫存約4周，均超過正常水

平。需求方面，經(jīng)歷了兩年的服務(wù)器需求強勁增長后，服務(wù)器DRAM

市場的需求增長逐漸放緩。由于升級至英特爾Purley平臺的需求開

始減弱，內(nèi)存訂單也已得到滿足，此外疊加中美貿(mào)易摩擦帶來不確定

性，亦導(dǎo)致需求保守。供給方面，主要DRAM供應(yīng)商2019年無新

增計劃擴產(chǎn)，并放緩了向先進工藝和高密度芯片的升級，資本開支同

比下降，以試圖抵消供過于求的情況。

2019Q3-Q4DRAM價格筑底：需求方面，1）移動端：2019年智能

手機出貨不及預(yù)期，移動DRAM的平均銷售價格在2019Q1-2019Q3

下降10%-15%,移動DRAM平均銷售價格下降將促使品牌商提高手

機的存儲容量，并有助于加快供應(yīng)商的清庫進程。另外2019Q3價格

已經(jīng)挑戰(zhàn)三家供應(yīng)商成本極限，因此供應(yīng)商在Q4降價態(tài)度相對保守，

導(dǎo)致價格下跌幅度收窄。2）彼時日本政府已批準向兩家主要韓國供

應(yīng)商出口特種材料，日本對韓國采取的貿(mào)易行動對供應(yīng)端影響的擔(dān)憂

已減弱。Q3由于季節(jié)性因素以及在2019.12可能出現(xiàn)新一輪美國關(guān)

稅增加前提前發(fā)貨的影響，備貨需求超預(yù)期，DRAM供應(yīng)商談判價

格在Q3企穩(wěn)。供給方面，三星將大部分資金用于新工藝研發(fā)，SK

海力士亦重申2020年將減少資本開支，此外2019年底三星華城基

地的停電對供給也造成短暫影響。

2020年全年存儲市場同比增長10%至1175億美金，存儲價格基本

持平略降。2020H1：內(nèi)存庫存水位下降，服務(wù)器需求回升，價格上

行。庫存方面，DRAM供應(yīng)商2020Q1末庫存顯著降低，需求端，

2020年初美國兒家頭部云服務(wù)提供商數(shù)據(jù)中心服務(wù)器訂單強勁，國

內(nèi)阿里巴巴、字節(jié)跳動和騰訊的服務(wù)器需求也由于其海外業(yè)務(wù)擴張和

中國基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求增加，疊加傳統(tǒng)服務(wù)器品牌為避免疫情導(dǎo)致的

供應(yīng)鏈中斷而進行的提前備貨需求，內(nèi)存價格出現(xiàn)上行趨勢。2020H2：

服務(wù)器庫存高位，移動端DRAM受華為被制裁手機廠商囤貨影響，

價格有所支撐。由于擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷，OEM在2020H1兩個季度積

極備貨后，其DRAM庫存水平相對較高，與此同時企業(yè)服務(wù)器的客

戶由于經(jīng)濟前景暗淡和不確定性提升，大規(guī)模減少了服務(wù)器采購。

2020Q30DM服務(wù)器庫存同樣高于預(yù)期，ODM客戶的額外服務(wù)器訂

單突然停止，因此導(dǎo)致整體服務(wù)器訂單環(huán)比下降，去庫存持續(xù)至2020

年底。另一方面，移動端美國進一步對華為進行制裁，華為搶先備庫

存以及其他品牌為占領(lǐng)份額緊急配貨似的移動端DRAMASP有所支

撐，但仍不足以彌補服務(wù)器DRAM高庫存水平導(dǎo)致的價格下降，因

此2020年下半年DRAM綜合價格仍有所下降。

從股價走勢我們可以看出，海外三家龍頭股價走勢變化非常接近，三

星和SK海力士兩家韓國廠商股價反應(yīng)通常略提前十美光。但從回報

率來看，2010年以來美光股價回報率明顯高于友商，一方面美光在

過去10多年內(nèi)通過外延收購的方式（爾必達、Inotera等）擴大產(chǎn)能，

另一方面美光專注于技術(shù)升級。三星則更多的通過擴產(chǎn)實現(xiàn)有機增長,

保持其行業(yè)份額的領(lǐng)先地位，此外相比另外兩家韓國公司，美光的股

息政策也更加積極。

圖表49:美光營業(yè)利潤率與DRAM價格關(guān)系

?BUB美光劈生打澗奉

現(xiàn)黃牛場價:DRAM：D0R34Gb512Mx81600*1z：月：平均值

2013-052014-052015-052016-052017-052018-052019-052020-052021-052022-052023-05

對比財務(wù)情況，我們看到三家廠商的存儲業(yè)務(wù)營收同比增速非常相似,

營業(yè)利潤率方面，整體上三星的營業(yè)利潤率高于SK海力士，主要得

益于其規(guī)模優(yōu)勢和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢（高附加值SSD模組），2020年

以來SK海力士的營業(yè)利潤率與美光接近。

復(fù)盤存儲廠商股價與內(nèi)存ASP的關(guān)系，以美光為例，在2012年11

月內(nèi)存均價見底之前，美光的股價已經(jīng)提前在10月初向上。2016

年7月，內(nèi)存價格再次見底，而美光股價在2016年5月中就開始向

上。2020年上半年服務(wù)器下游囤貨，價格上行，下半年行業(yè)出于對

經(jīng)濟情況的擔(dān)憂服務(wù)器訂單環(huán)比下降，去庫存階段內(nèi)存價格下行，

2020年全年總體價格持平，2020年11月內(nèi)存價格見底，我們看到

美光股價從2020年9月即進入上行通道。無論是對比內(nèi)存合約價還

是現(xiàn)貨價，考慮上文我們看到SK海力士和三星電子股價反應(yīng)通常略

提前于美光，我們可以得到結(jié)論，存儲廠商股價通常會提前內(nèi)存價格

見底前約一個季度見底，而在內(nèi)存價格頂部區(qū)間，股價通常晚于內(nèi)存

價格見頂開始下行。

3本輪周期價格已至底部區(qū)間，AI有望引領(lǐng)新一輪上升周期

2021存儲器行業(yè)同比增長30.9%至1538億美金。2021年是繼2020

年存儲行業(yè)市場規(guī)模同比小幅增長10%之后的又一年增長。需求端：

1）由于居家辦公和遠程教育的普及，PC需求超預(yù)期。2）中國智能

手機品牌（包括OPPO、Vivo和小米）在華為被列入實體清單后，

積極采購以搶占市場份額。3）經(jīng)過2020年2-3個季度去庫存，服

務(wù)器制造商2021年開始進行新一輪的采購，因此對DRAM的需求

也逐漸恢復(fù)。此外，由于集成電路其他芯片受供應(yīng)鏈擾動帶來的缺貨

影響，下游積極備貨存儲芯片。

供給端，2021年DRAM產(chǎn)能沒有大幅增加。三大DRAM供應(yīng)商開

始加速產(chǎn)能擴張和先進工藝升級，但是由于新增產(chǎn)能在當(dāng)年不會對市

場供需產(chǎn)生明顯影響，2021供給端沒有大幅增長。從供給結(jié)構(gòu)來看，

DRAM行業(yè)的寡頭格局使得供應(yīng)商在分配生產(chǎn)能力時通常更注重盈

利水平，2020年由于居家辦公和遠程教育的普及導(dǎo)致供應(yīng)商重新分

配生產(chǎn)能力，將產(chǎn)能首先分配給滿足20Q3智能機和PC市場的需求。

三大廠繼續(xù)技術(shù)升級。三星、美光、SK海力士仍然在積極增加先進

技術(shù)產(chǎn)品的制造占比，2021年三星已量產(chǎn)1Znm工藝，并持續(xù)提升

良率,2021年SK海力士的DRAM供應(yīng)位增長主要來自于使用1Ynm

和1Znm工藝制造的DRAM的增加比例。美光則繼續(xù)專注于1Znm

和1c(nm的量產(chǎn)，并提高使用這些工藝制造的DRAM份額。

DRAM價格2021Q3見頂，2021Q4進入下行通道。DRAM價格在

2020年年底觸底后，市場上的供應(yīng)過剩狀況和買家清庫存的壓力逐

漸企穩(wěn)。隨著價格接近歷史低點，買家采購需求活躍，因此2021年

上半年DRAMASP快速提升，進入2021Q3,上游供應(yīng)鏈開始出現(xiàn)

組件供應(yīng)不匹配的問題，限制了電子設(shè)備的組裝，下游DRAM庫存

水平相對高于其他芯片，因此價格增速放緩。2021Q4開始，DRAM

供應(yīng)商庫存水平健康，但多數(shù)終端市場客戶DRAM庫存水平高于健

康水平。分產(chǎn)品來看，服務(wù)器：TrendForce統(tǒng)計2021Q3末北美和

中國的云服務(wù)提供商服務(wù)器DRAM庫存超過8周，部分公司超過10

周。四季度服務(wù)器DRAM行業(yè)更多的是買家消化庫存的過程，供給

端，三家主要DRAM供應(yīng)商2021Q2初將一部分移動DRAM的產(chǎn)能

重新分配給服務(wù)器DRAM,這部分重新分配的產(chǎn)能在2021Q4逐漸

開始生產(chǎn)服務(wù)器DRAM,因此服務(wù)器DRAM價格在四季度出現(xiàn)環(huán)比

小幅下降。移動端和PC：2021Q2末智能手機品牌下調(diào)全年生產(chǎn)目

標，品牌和經(jīng)銷商都面臨著高庫存壓力，同時居家辦公帶來的PC需

求已經(jīng)開始出現(xiàn)減少。因此DRAMASP在2021Q4開始出現(xiàn)松動，

環(huán)比下降3-8%。

2022年DRAM價格持續(xù)下行。2022年以來俄烏戰(zhàn)爭和高通脹導(dǎo)致

消費電子需求非常疲弱，行業(yè)庫存持續(xù)增加，此外英特爾Sapphire

Rapids發(fā)貨的一再延遲，導(dǎo)致行業(yè)降低了對DDR5成長性的預(yù)期。

供給端，頭部供應(yīng)商資本開支擴產(chǎn)部分于2022年初步釋放，三星P3L

工廠于2022年年中完工，SK海力士在2021年啟動了M16工廠的

DRAM生產(chǎn)之后，2022年總產(chǎn)能繼續(xù)擴大，盡管表示將根據(jù)市場狀

況調(diào)整DRAM產(chǎn)量。美光A3工廠擴建主要是為了預(yù)防工廠在即將

進行的下一代工藝技術(shù)轉(zhuǎn)換過程中可能出現(xiàn)的晶圓損失。因此美光的

總產(chǎn)能在2021-2022年期間變化不大，其DRAM位元增長主要來自

于1Znm和lalphanm工藝技術(shù)的良率提高。價格方面，面對不斷增

長的產(chǎn)能壓力，韓國制造商大幅提高了在定價方面妥協(xié)的意愿，來刺

激經(jīng)銷商和客戶的購買，導(dǎo)致價格不斷下降。

3.1Top3DRAM供應(yīng)商當(dāng)前如何看待存儲市場？

SKHynix：高內(nèi)存容量機型是2023H2移動端內(nèi)存關(guān)鍵點，行業(yè)庫存

年內(nèi)有望回歸正常水平?？蛻舻拇鎯π酒瑤齑嬖?3Q2繼續(xù)下降，SK

海力士的庫存在二季度也實現(xiàn)了環(huán)比的略降，疊加減產(chǎn)效果逐步凸顯,

存儲價格下降趨勢在Q2相比Q1有所放緩。23H2,得益于季節(jié)性和

新的移動端產(chǎn)品的發(fā)布，SK海力士預(yù)計需求將較上半年有所改善。

盡管經(jīng)濟不確定性持續(xù)，經(jīng)濟復(fù)蘇也低于預(yù)期，但由于生成型人工智

能的開發(fā)和商業(yè)化競爭加劇，23Q21T需求出現(xiàn)了明顯增長，尤其是

對AI相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品的需求激增。

從應(yīng)用領(lǐng)域來看，PC和智能手機：受通脹導(dǎo)致購買力減弱等影響，

預(yù)計PC出貨量將連續(xù)兩年下降，23Q2PCDRAM渠道庫存減少，出

貨量環(huán)比增加。此外高規(guī)格筆記本電腦和游戲電腦銷量的增加，內(nèi)存

容量也在增加，商用及游戲PC將推動23H2存儲需求增長。另外，

雖然2023年智能手機銷量增長難以預(yù)期，但一些分銷渠道正在減少

庫存，中國手機客戶的內(nèi)存庫存也呈下降趨勢。智能手機需求在旗艦

機型和低中端機型之間仍存在兩極化的情況。內(nèi)存容量的增長主要出

現(xiàn)在價格敏感性較低的旗艦機型上。旗艦產(chǎn)品對高密度、高性能的

LPDDR5需求增加，客戶希望通過產(chǎn)品差異化擴大銷售。SK海力士

認為下半年移動端內(nèi)存的關(guān)鍵點，將再次是公司從客戶那里看到和聽

到的朝著更高容量機型的轉(zhuǎn)變趨勢，且這一趨勢目前來看越來越明朗。

服務(wù)器：由于企業(yè)IT支出收緊和云服務(wù)提供商客戶進行庫存調(diào)整，

預(yù)計今年服務(wù)器市場需求將趨軟。然而，服務(wù)器客戶的內(nèi)存庫存也呈

下降趨勢?？蛻魩齑嬷械拇蟛糠质荄DR4產(chǎn)品，今年的需求預(yù)計將

迅速轉(zhuǎn)向DDR5。此外，隨著在大模型和生成式人工智能（如ChatGPT）

等技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化方面的競爭日益激烈，AI服務(wù)器驅(qū)動對高規(guī)格

存儲器（高密度DDR5、HBM等）的需求不斷增加，相比傳統(tǒng)服務(wù)

器，Al服務(wù)器需要使用至少2倍到8倍的內(nèi)存，中長期來看AI服務(wù)

器市場需求增速CAGR有望達到約35%,整體服務(wù)器需求增速為高

個位數(shù)。公司預(yù)計2023年全球DRAM位元增速在中到高個位數(shù)百

分比，NAND位元增速為中雙位數(shù)（14%-16%）。

資本開支方的，SKHynix2023年資本開支同比將減少至少50%,然

而公司將繼續(xù)投資DDR5、LPDDR5和HBM3等預(yù)計將推動今年需

求的產(chǎn)品，公司將更加專注于技術(shù)升級而非擴大產(chǎn)能。庫存方面，公

司看到內(nèi)存需求從Q2開始恢復(fù)，但目前整體庫存仍高于健康水平，

考慮到較高的行業(yè)庫存水平和NAND的盈利能力低于DRAM,SK海

力士將進一步減產(chǎn)NAND。技術(shù)迭代方面，公司己做好1B納米DRAM

和238層NAND大規(guī)模量產(chǎn)的準備，這些產(chǎn)品將于2023年小規(guī)模

量產(chǎn)，預(yù)計將在2024年起量。自2022年底開始的全行業(yè)減產(chǎn)的影

響正在逐漸顯現(xiàn)，23H2減產(chǎn)的效果將比23Hl更加明顯。此外由于

2023年的減產(chǎn),SK海力士預(yù)計2024年的供需平衡將變得更為緊張。

高階產(chǎn)品方面，SK海力士完成了目前可用的最大容量24GBHBM3

的開發(fā)，且該產(chǎn)品現(xiàn)在正在為客戶樣品進行發(fā)貨。通過在行業(yè)首次使

用TSV技術(shù)將12層芯片堆疊，提升產(chǎn)品密度。得益于AI服務(wù)器相

關(guān)投資大幅增長，公司預(yù)計2023年高密度128GB及以上DDR5服務(wù)

器模塊和HBM的銷售預(yù)計將同比增長兩倍以上，并預(yù)計2024年會

進一步增長。三星電子：2023Q2服務(wù)器需求仍然疲弱，客戶繼續(xù)調(diào)

整庫存，但得益于主要超大規(guī)模云服務(wù)提供商對人工智能的增加投資,

高密度/高性能產(chǎn)品的需求保持強勁。DRAM方面：由于公司擴大了

服務(wù)器產(chǎn)品的銷售，并積極應(yīng)對DDR5和AI使用HBM的需求上漲，

位增長超預(yù)期。NAND方面：公司通過擴大先進節(jié)點比例來不斷增強

成本競爭力,ASP下降幅度相比上季度顯著減緩。移動端和PC領(lǐng)域,

盡管分銷渠道中客戶的成品庫存相對改善，但由于消費者情緒尚未恢

復(fù)，需求形勢疲軟。在這種市場環(huán)境下，得益于主要移動端客戶新款

智能手機的強勁銷售，三星得以擴大高密度移動產(chǎn)品銷售規(guī)模。

展望2023H2,客戶繼續(xù)調(diào)整庫存，DDR4和DDR5需求預(yù)計將相較

于上半年逐漸改善?；謴?fù)預(yù)計將從移動端和PC等消費類產(chǎn)品開始,

因為這些產(chǎn)品的庫存調(diào)整比商業(yè)類應(yīng)用開始的更早。移動端和PC領(lǐng)

域，下半年新產(chǎn)品的推出將帶來需求和庫存的改善。此外基于價格彈

性的高密度趨勢預(yù)計將持續(xù)。服務(wù)器方面，需求恢復(fù)的時間可能比移

動端和PC更晚，因為客戶的訂單相對較晚開始，然而由于新CPU

推出和單季內(nèi)存容量的增長，DDR5的比例預(yù)計將增加，下半年需求

將繼續(xù)恢復(fù)。因此三星將主要減產(chǎn)需求預(yù)計相對較低的產(chǎn)品，同時通

過增加先進節(jié)點和增值產(chǎn)品的比例來應(yīng)對市場需求。在這些趨勢下，

三星將保持與去年相似的可用資本支出，并繼續(xù)擴大基礎(chǔ)設(shè)施和研發(fā)

方面的投資，以確保中長期競爭力。

生成式AI市場高速增長，三星2024年HBM產(chǎn)能至少翻倍。海外三

方機構(gòu)預(yù)期HBM中長期復(fù)合增速有望達到34-39%,超大規(guī)模數(shù)據(jù)

中心競爭激烈，三星看到2023及2024年HBM需求增長迅猛。公

司已向部分AISoC公司和云計算公司出貨8層16Gb和12層24Gb

的HBM3產(chǎn)品，并預(yù)計在2024H2推出HBM3E。三星持續(xù)投資HBM

生產(chǎn)能力，目前訂單水平達到2022年的約兩倍，為應(yīng)對23H2可能

出現(xiàn)的額外訂單，三星正在通過提高生產(chǎn)效率進一步增加供應(yīng)能力。

公司正在計劃2024年增加額外的HBM產(chǎn)能，預(yù)計2024年HBM產(chǎn)

能至少提高到2023年水平的兩倍。美光：存儲行業(yè)季度低谷已過。

美光2023年6月28IdFY2023Q3法說會表示，客戶庫存持續(xù)改善，

內(nèi)存容量持續(xù)增加推動了行業(yè)需求增長，行業(yè)減產(chǎn)繼續(xù)。因此，定價

趨勢正在改善，公司認為存儲行業(yè)的季度收入已經(jīng)過了低谷。

終端市場來看，二季度客戶在減少過剩庫存方面取得進展。PC和智

能手機：大多數(shù)客戶庫存現(xiàn)在接近正常水平，部分客戶可能想以目前

非常低的價格囤一些庫存。移動端，美光預(yù)計2023年智能手機出貨

量同比下降個位數(shù)百分比。雖然出貨量較弱，但公司看到的內(nèi)存容量

有較強增長，主要是由于向高端手機的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。數(shù)據(jù)中心：客

戶的庫存情況也在改善，可能會在今年年底左右或稍后逐漸恢復(fù)正常,

具體取決于傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心支出的增長情況。近期生成式人工智能的采

用加速，對AI服務(wù)器內(nèi)存和存儲的需求超出預(yù)期，而傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心

應(yīng)用的主流服務(wù)器需求仍然不旺盛。美光認為AI服務(wù)器的DRAM容

量是普通服務(wù)器的6到8倍，NAND容量是普通服務(wù)器的3倍。其

一些客戶正在部署具有大幅增加的內(nèi)存容量的AI計算能力。生成式

AI對高帶寬內(nèi)存的需求今年非常強勁，美光已開始提供業(yè)界領(lǐng)先的

HBM3產(chǎn)品樣品，公司預(yù)計將于2024年初開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM3。

此外，AI不僅需要HBM或高密度DRAM模塊，還需要DDR5和

LPDRAM,英偉達的DGXGH200超級計算集群，共享內(nèi)存空間高達

144TB,其中約122TB都是低功耗DRAM。

資本開支方面，美光2023財年資本支出計劃為70億美元，同比下

降超過40%,其中設(shè)備資本支出（WFE）下降超過50%。公司預(yù)計

2024財年的設(shè)備資本支出仍將同比下降。近期美光進一步減少r

DRAM和NAND的投片量接近30%,公司預(yù)計減少的投片量將持續(xù)

到2024年，公司將繼續(xù)專注于減少庫存和控制供應(yīng)。技術(shù)升級方面，

公司審慎投資，同時管理資本支出、節(jié)點推進和降低晶圓產(chǎn)量，是的

供應(yīng)與需求保持一致。美光1-betaDRAM和232層NAND良率快速

提升，產(chǎn)品已通過多個驗證。DRAM三大廠均已宣布減產(chǎn)。美光2022

年9月宣布削減DRAM和NANDFIash的產(chǎn)量，成為首家正式減少

產(chǎn)能利用計劃的主要存儲器制造商，同時美光也表示將會大幅下調(diào)

2023的資本開支，同比減少至少30%,其中用于晶圓制造設(shè)備的支

出將同比下降超過50%o鎧俠宣布從10月開始削減NANDFIash的

產(chǎn)能利用率30%。SK海力士也在10月份法說會表示，公司計劃減

少相對低利潤的產(chǎn)品的生產(chǎn)，公司預(yù)計2023年的資本開支將同比下

降50%以上，同時考慮到整個行'業(yè)的高庫存水平，公司將盡量減少

用于晶圓產(chǎn)能的投資，甚至考慮推遲某些技術(shù)升級的投資。公司將重

新考慮產(chǎn)品組合和設(shè)備配置，2023年的DRAM和NAND的晶圓產(chǎn)

量將同比下降。三星在2023年4月2023Q1法說會正式宣布減產(chǎn)，

針對的主要是低附加值的產(chǎn)品，至此頭部存儲供應(yīng)商均推出減產(chǎn)計劃,

共同應(yīng)對行業(yè)供需問題。

圖表57：DRAM不同應(yīng)用產(chǎn)品均價趨勢預(yù)測

PriceProjectioa)forDifferentCategoriesofDRAMProd?cts,2Q23-3Q23

2Q23HMJ23F

DDR3：down15*20*?DDR4:douD3*8%

PCDRAMDDR5:down15*18%DDR5：dou-n0*5%

BlendedASPdownIJ20HBlendedASP:down0*5%

DDR4:down通23%DDR4：down3*8”

ServerDRAMdownDDRSdown0*5H

BlendedASPdown15*20*eBlendedASPdown0*5*b

downLPDIMUXdownH%

MobikDRAM

LPDDR5XuithHKMGup15、

downdown

GraphicsDRAM

10-15%7%

downdown

ConsumerDRAM

downdown

TotalDRAM

1獎18H0*5%

價格方面，回顧以往幾輪周期DRAM價格從頂點到底部分變化，以

主流密度產(chǎn)品現(xiàn)貨價格為例，DRAMASP從2014年價格高點到2016

年中低點下降幅度68.0%,降價區(qū)間23個月；從2018年2月價格

高點到2020年9月，DRAMASP下降幅度69.0%,降價區(qū)間31個

月，實際上根據(jù)我們前文的討論，上輪周期曾在2019年下半年價格

見底，2020年疫情擾動，DRAM價格呈現(xiàn)先升后降趨勢，如果我們

以2019年11月的價格低點1.65元計算，上輪周期DRAMASP下

降幅度為67.2%,下行區(qū)間持續(xù)21個月。此輪周期價格高點2021

年7月至今，主流DRAMASP價格下降幅度已達到69.1%,下行區(qū)

間已持續(xù)23個月，無論是降價幅度還是持續(xù)時間均已經(jīng)超過過往。

隨著供應(yīng)商持續(xù)減產(chǎn)，我們認為部分產(chǎn)品價格有望在年底前回升。當(dāng)

前美光、SK海力士和美光都在持續(xù)減產(chǎn)，并修訂2023年資本開支

計劃，放緩產(chǎn)能建設(shè)。從庫存角度來講，目前供應(yīng)商庫存的大部分

DRAM都是DDR4,隨著DDR5滲透率持續(xù)提升，DDR5的庫存相

對較低。此外，三星和SK海力士均提到，2023年下半年移動端高

容量產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)性變化也將是移動端內(nèi)存市場亮點，因此我們認為部

分產(chǎn)品價格有望在2023年底前率先回升。

3.2AI有望引領(lǐng)存儲新一輪上升周期

數(shù)據(jù)量井噴式增長。以數(shù)字技術(shù)為核心驅(qū)動的第四次工業(yè)革命正在給

人類生活帶來深刻變革，數(shù)據(jù)與各行業(yè)之間的融合不斷加深，數(shù)據(jù)量

呈現(xiàn)爆炸式增長的趨勢，其規(guī)模已經(jīng)達到了以EB為單位的級別，而

每秒的數(shù)據(jù)訪問頻率更是達到了億級。根據(jù)PXR研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)統(tǒng)

計，全球范圍內(nèi)創(chuàng)造、捕獲、復(fù)制和消費的數(shù)據(jù)/信息量從2010年的

2ZB增長到了2020年的64.2ZBo預(yù)計至U2025年，全球數(shù)據(jù)總量將

超過181ZB,增長主要得益于云計算、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，

以及遠程辦公等應(yīng)用場景的推動。

GPT-3開啟大模型時代。OpenAI開發(fā)的GPT-3是一種基于深度學(xué)

習(xí)的自然語言處理模型。它通過大規(guī)模的預(yù)訓(xùn)練和1750億個參數(shù)實

現(xiàn)對語言規(guī)則和模式的理解.，并生成與輸入文本相關(guān)的自然語言文本。

GPT-3的特點是其大規(guī)模的預(yù)訓(xùn)練模型，對算力需求較高。根據(jù)

OpenAI團隊在2020年發(fā)表的論文，《LanguageModelsare

Few-ShotLearners)),GPT-3在準確性方面相對于參考量較少的模

型有明顯優(yōu)勢。盡管僅經(jīng)過少量樣本訓(xùn)練，基于1750億參數(shù)的模型

能夠接近經(jīng)過大量樣本訓(xùn)練的BETR模型的效果。我們認為，大模

型在性能和學(xué)習(xí)能力方面相較于其他模型具有明顯優(yōu)勢，并有望成為

未來的行業(yè)趨勢。大模型催生多樣化數(shù)據(jù)心理，數(shù)據(jù)存儲面臨新要求。

大語言模型的出現(xiàn)對數(shù)據(jù)存儲提出了更高的要求，首先是需要處理海

量多樣化的數(shù)據(jù)進行訓(xùn)練，其次還要面向海量終端進行數(shù)據(jù)應(yīng)用。目

前大模型主要以文本為主，但隨著大模型與各行業(yè)的結(jié)合，多模態(tài)的

發(fā)展將加速，從文本擴展到圖片、音頻、視頻等數(shù)據(jù)類型，數(shù)據(jù)量也

將大幅增加。預(yù)計存儲容量將從純文本的幾個TB邁向多模態(tài)的PB

級容量，這對存儲架構(gòu)和性能等核心能力提出了更高要求。

全球數(shù)據(jù)中心資本開支持續(xù)增長。根據(jù)DellOroGroup最近報告，

2022年全球數(shù)據(jù)中心資本支出同比增長15%達到2410億美金。由

于超大規(guī)模云服務(wù)提供商已經(jīng)經(jīng)歷了過去三年強勁的擴張周期，企業(yè)

也增加了數(shù)字專項項目的IT支出，隨著周期的結(jié)束，云服務(wù)商尋求

效率提升，以及企業(yè)在不確定的經(jīng)濟環(huán)境中更加謹慎地進行支出，

2023年全球數(shù)據(jù)中心資本支出增速或?qū)⒒芈渲羵€位數(shù)。但長期來看,

混合云將為超大規(guī)模和企業(yè)市場帶來數(shù)據(jù)中心市場增長機會，新的數(shù)

據(jù)中心架構(gòu)也將驅(qū)動長期增長，Dell'OroGroup預(yù)計2027年，全球

數(shù)據(jù)中心資本支出預(yù)計將達到5000億美元，增長15%,超過20%的

服務(wù)器部署可能會是加速類型，邊緣計算預(yù)計將占數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施

總支出近8%。服務(wù)器總體出貨量短期略降，長期增長趨勢不變。數(shù)

據(jù)中心作為承載各類數(shù)字技術(shù)應(yīng)用的物理底座，其產(chǎn)業(yè)賦能價值正在

逐步凸顯。盡管由于主要的云服務(wù)提供商資本開支增速回落，下游需

求疲軟以及供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)整庫存,TrendForce預(yù)計2023年全球服務(wù)

器出貨量同比略降2.9%至不到1400萬臺，但隨著下游持續(xù)去庫存，

以及長期來看數(shù)據(jù)處理量的增長，數(shù)據(jù)中心的提升，我們認為服務(wù)器

出貨有望在2024年恢復(fù)增長。

處理器升級迭代，服務(wù)器量價齊升。根據(jù)Dell'OroGroup預(yù)計，2025

年服務(wù)器在數(shù)據(jù)中心設(shè)施建設(shè)中價值量占比42%,服務(wù)器ASP亦呈

現(xiàn)上升趨勢，主要是因為1)CPU升級：新一代的服務(wù)器通常配備

比前一代更多的內(nèi)存、核心、存儲和更快的l/Oo2023年1月英特爾

正式推出第四代至強可擴展處理器，(SapphireRapids),通過內(nèi)

置加速器將目標工作負載的平均每瓦性能提升了2.9倍。2)加速計

算：隨著加速服務(wù)器的部署不斷增長，數(shù)據(jù)中心持續(xù)優(yōu)化升級，GPU、

FPGA等AI加速器芯片配備率持續(xù)提升。

AI服務(wù)器逆勢擴張，加速滲透。自2018年自動駕駛、AloT與邊緣

運算等新興應(yīng)用驅(qū)動下，諸多大型云服務(wù)商開始大量投入AI相關(guān)的

設(shè)備建設(shè)，TrendForce估計2022年搭載GPGPU的AI服務(wù)器年出

貨量占整體服務(wù)器比重近1%，同時2023年隨著ChatBOT相關(guān)應(yīng)用

的進一步帶動，Microsoft.Google等云端服務(wù)商都積極投入，預(yù)計

2023年AI服務(wù)器出貨量同比增長將超過10%。

AI服務(wù)器存儲容量較傳統(tǒng)服務(wù)器大幅提升。TrendForce統(tǒng)計，傳統(tǒng)

服務(wù)的服務(wù)器DRAM容量約為500-600GB,而AI服務(wù)器平均內(nèi)存

容量達到1.2-1.7TB。對于企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD),盡管AI服務(wù)器

由于對速度較高，優(yōu)先選擇DRAM或HBM技術(shù)，但是AI服務(wù)器仍

然需要更大的SSD容量，且PCIe5.0接口在滿足高速計算需求方面

更受青睞。此外，AI服務(wù)器加速卡還會配備HBM,目前HBM的單

服務(wù)器使用量約為320-640GB。隨著AI