ICS29045

CCSL.90

團體標準

T/CEMIA024—2021

半導體單晶硅生長用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范

Quartzcruciblemanufacturingpracticesforsemiconductormonosilicongrowth

2021-07-15發(fā)布2021-12-25實施

中國電子材料行業(yè)協(xié)會發(fā)布

T/CEMIA024—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中國電子材料行業(yè)協(xié)會提出并歸口

。

本文件主要起草單位錦州佑鑫石英科技有限公司內蒙古歐晶科技股份有限公司江西中昱新材

:、、

料科技有限公司

。

本文件參與起草單位寧波寶斯達坩堝保溫制品有限公司常州裕能石英科技有限公司江陰龍源

:、、

石英制品有限公司江蘇中天科技股份有限公司北京雅博石光照明器材有限公司隆基綠能科技股份

、、、

有限公司廊坊赫爾勞斯太陽能光伏有限公司湖南黎輝新材料科技有限公司中國建筑材料科學研究

、、、

總院有限公司

。

本文件主要起草人陳曼何文兵蘇光都李宗輝杜興林王文慶朱旦徐曉軍朱劍李曉航

:、、、、、、、、、、

王君偉王慧韓東李秀英錢宜剛賈建亮萬鵬遠潘志華楊軍周銳

、、、、、、、、、。

Ⅰ

T/CEMIA024—2021

半導體單晶硅生長用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范

1范圍

本文件確立了半導體單晶硅生長用石英坩堝從業(yè)人員生產(chǎn)設備主要原輔材料生產(chǎn)工藝作業(yè)環(huán)

、、、、

境及產(chǎn)品質量管控的程序和總體原則

。

本文件適用于半導體單晶硅生長用石英坩堝的生產(chǎn)過程

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

污水綜合排放標準

GB8978

工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準

GB12348

大氣污染物綜合排放標準

GB16297

危險廢物貯存污染控制標準

GB18597

一般工業(yè)固體廢物貯存和填埋污染控制標準

GB18599

建筑照明設計標準

GB50034

潔凈廠房設計規(guī)范

GB50073

工作場所有害因素職業(yè)接觸限值第部分化學有害因素

GBZ2.11:

職業(yè)健康監(jiān)護技術規(guī)范

GBZ188

工作場所物理因素測量第部分噪聲

GBZ/T189.88:

石英玻璃術語

JC/T2205—2014

光伏單晶硅生長用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范

T/CEMIA005—2018

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

JC/T2205—2014、T/CEMIA005—2018。

31

.

電弧熔制electricarcfusion

利用高溫電弧熔融石英砂原料的過程

。

來源有修改

[:T/CEMIA005—2018,3.1,]

32

.

外表面處理outersurfacetreatment

利用研磨器具或外力沖擊作用去除石英坩堝外表面未完全熔融石英砂的過程

。

來源

[:T/CEMIA005—2018,3.2]

33

.

切邊倒棱cuttingandchamfering