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DB13DB13/T1633—2012太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片Thesolargradepolysiliconwafers河北省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布I12規(guī)范性引用文件GB50034-2004建筑照明設(shè)計(jì)GB/T14141硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣GB/T25074太陽(yáng)能級(jí)多晶硅GB/T14264界定的以及以下術(shù)語(yǔ)和定義適用于總厚度變化TotalThicknessVariat2硅片邊緣呈現(xiàn)的單面局部破損。一般用寬度(ahahaa hh缺口Breakage3硅錠中的團(tuán)聚雜質(zhì)在切割成硅片后,在表面形成的黑色密4質(zhì)量等級(jí)劃分5質(zhì)量等級(jí)要求5.1氧碳含量18C≤8.017或或或5.3幾何尺寸偏差5.3.1邊長(zhǎng)偏差L≤80L>20045.3.2厚度偏差T≤160T>2205.3.3倒角尺寸偏差5.3.4總厚度變化5.3.5角度偏差5.3.6彎曲度b≤305k≤3,但每片條數(shù)不超過2D≤2067.2.2型式檢驗(yàn)項(xiàng)目為本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的全部?jī)?nèi)容。有下列情況之一時(shí),產(chǎn)品應(yīng)進(jìn)a)原料有較大改變,可能影響產(chǎn)品性能時(shí);d)出廠檢驗(yàn)結(jié)果與上次型式檢驗(yàn)結(jié)果有較大差異時(shí);7.4.3幾何尺寸偏差、外觀按GB/T2828.1一般檢查水平為Ⅱ,正常檢查,二次抽樣方案進(jìn)行。見表7127.5.1.2按照標(biāo)稱等級(jí)性能要求,幾何尺寸偏差、外觀項(xiàng)目中若有一項(xiàng)不符合抽檢方案,8.1.2
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