高中化學(xué)《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》綜合訓(xùn)練

一、單選題：本大題共14小題，共42分。

1.GaN是新型半導(dǎo)體材料，該晶體的一種晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石晶胞（如圖1所示）相似，其晶胞可看作金剛石晶

胞內(nèi)部的碳原子被N原子替代，頂點(diǎn)和面心的碳原子被Ga原子替代，晶胞參數(shù)為asn.沿z軸從上往下俯視

的晶胞投影圖如圖2所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為限.下列說法錯(cuò)誤的是（）

A.若圖中原子1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是（；J1）,則原子4的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是

B.Ga、N的配位數(shù)均為4

C.晶胞中原子1、5之間的距離為苧acm

D.GaN晶體的密度為晨5g-cm-3

2.我國神舟十七號上使用了碑化錢（熔點(diǎn)1237。0太陽能電池,碑化線的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中原子2的

坐標(biāo)為(1,1,1),晶胞參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為即。下列有關(guān)說法正確的是（）

A.原子3的坐標(biāo)為?，岳）

444

B.As和Ga分別為第IIL4族和第V4族，且同屬于p區(qū)

C.碑化錢晶體屬于共價(jià)晶體

D.As的配位數(shù)為2

3.硒化鈉常用于制備光敏材料和半導(dǎo)體材料，共立方晶體結(jié)構(gòu)如圖，硫化鈉的晶體結(jié)構(gòu)與其相似。已知硒

化鈉晶體晶胞參數(shù)為dpm,治表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）

(1,1,1)

a

OSe2-

Na+k

(0,0,0)

A.熔點(diǎn)：硫化鈉V硒化鈉B.每個(gè)Se2-周圍距離最近的Na+數(shù)目為4

C.離子a的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)為GJ,方D.Se2-之間的最短距離為?dpm

444

4.銅和氧形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，設(shè)陽離子和陰離子的半徑分別為

apm和bpm。下列相關(guān)說法不正確的是（）

A.該離子化合物的化學(xué)式可以表示為C的。

B.晶體中每個(gè)陽離子周圍緊鄰且距離相等的陽離子個(gè)數(shù)為12個(gè)

288

C.晶體的密度P=惠而西Xl^g/cm^

閱讀下列資料，完成各小題:

?Na+

Oci-

氯、漠、碘及其化合物在自然界廣泛存在且具有重要應(yīng)用。氯、漠主要存在于海水中，工業(yè)常通過電解

NaG飽和溶液制備C%，C%可用于制取漂白粉、氯化氫（H—H、Cl—CKH—CI的鍵能分別為

4360/mol、243fc//moZ>432k"mol）。鹵水中8廠可通過C0氧化、NazCd溶液吸收，Br。能發(fā)生水解

反應(yīng)。鋰碘電池可供電心臟起搏器，一種加一，2二次電池正極界面反應(yīng)機(jī)理如圖所示。

5.氯、澳、碘及其化合物在自然界廣泛存在且具有重要應(yīng)用。氯、澳主要存在于海水中，工業(yè)常通過電解

NaG飽和溶液制備電，"可用于制取漂白粉、氯化氫（“一"、Cl—CK”一。的鍵能分別為

436fc//mo/>243k]/mol、432kJ/mol）。鹵水中8廠可通過C%氧化、%42。。3溶液吸收，能發(fā)生水解

反應(yīng)。鋰碘電池可供電心臟起搏器，一種加一％二次電池正極界面反應(yīng)機(jī)理如圖所示。

下列有關(guān)說法正確的是（）

A.“a是由非極性共價(jià)鍵形成的極性分子

B.二氯化二硫（S2cz2）分子結(jié)構(gòu)和“2。2類似

c.a。]和C/OM的中心原子雜化軌道類型分別為sp2和sp3

D.NaCI晶胞中氯離子周圍最近且等距離的氯離子數(shù)為6

6.氯、澳、碘及其化合物在自然界廣泛存在且具有重要應(yīng)用。氯、澳主要存在于海水中，工業(yè)常通過電解

NaG飽和溶液制備C%，5可用于制取漂白粉、氯化氫（H—”、Cl-CK"―。的鍵能分別為

4360/mol、243kJ/moK432fc//mo/）。鹵水中BL可通過氧化、可口2。。3溶液吸收，BrCZ能發(fā)生水解

反應(yīng)。鋰碘電池可供電心臟起搏器，一種加一％二次電池正極界面反應(yīng)機(jī)理如圖所示。

下列化學(xué)反應(yīng)表示錯(cuò)誤的是（）

?一一-A充電

*放電

C0D心

17I

▼

O1-OI

A.BP2（g）用可42。。3溶液吸收：Br2+C0l-=Br-+BrO^+C02

B.L/電池正極放電時(shí)的電極反應(yīng)有：W+2e-=2l~+6

C.BrC7與“2。反應(yīng)：BrCl+%。=HBTO+H++Cl-

D,氯氣制氯化氫：D（g）+C%（g）=2HCl（g）AH=-185kJ/mol

7.氯、澳、碘及其化合物在自然界廣泛存在且具有重要應(yīng)用。氯、漠主要存在于海水中，工業(yè)常通過電解

NaG飽和溶液制備C%，電可用于制取漂白粉、氯化氫（H—H、Cl-CLH—C1的鍵能分別為

436kJ/mol、243k]/mol>432kJ/mol）。鹵水中可通過氧化、Na2c。3溶液吸收，BrCZ能發(fā)生水解

反應(yīng)。鋰碘電池可供電心臟起搏器，一種加一力二次電池正極界面反應(yīng)機(jī)理如圖所示。

下列物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)或物質(zhì)性質(zhì)與用途不具有對應(yīng)關(guān)系的是（）

A.村口2。。3溶液有堿性，可除去廢鐵屑表面的油污

B.FeC%溶液具有氧化性，可用于腐蝕印刷電路板上的Cu

C.BrG和/Br中Br所帶的電性相同，BrCZ和/所與水反應(yīng)的產(chǎn)物相同

D.淀粉遇變藍(lán)，/2可用于檢驗(yàn)淀粉的存在

8.某硫化鈦鉆鹽是一種無機(jī)化工產(chǎn)品，其晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所

示，已知晶胞參數(shù)為cmm。下列說法正確的是（）OTi*+

?Co2+

A.該鉆鹽的化學(xué)式為Co-S6

Os2-

B.該鉆鹽中C。與S構(gòu)成三角雙錐

C.該晶體的密度為g.cm

D.T/+與S2之間的最短距離為苧口的

9.一種鈦硅碳新型材料可用作高鐵車體材料。該材料的晶胞屬于六方晶系（小y方向的夾角為120。，z方向

垂直于x、y方向），結(jié)構(gòu)如圖甲所示；晶胞中碳原子的投影位置如圖乙所示。已知阿伏加德羅常數(shù)的值用

山表示,2a4c,下列說法箱送的是

A.電負(fù)性:C>Si

B.三個(gè)該晶胞可堆成一個(gè)六棱柱

C.晶胞中與1個(gè)Si緊鄰的Si有4個(gè)

6x48+2x28+4x12

D.晶胞的密度為X1021^,cm~3

10.一種被稱為“交錯(cuò)磁性”的新型磁性正引起人們的極大關(guān)注，因?yàn)樗灰暈椴粚儆诔Ｒ?guī)鐵磁性或反鐵

磁性的第三種磁性，確化錦就是一種重要的交錯(cuò)磁體，其六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知：Te為-2價(jià)，a=

B=90°,y=120°,用M表示阿伏加德羅常數(shù)的值。

下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是

A.7e和Mn的配位數(shù)均為6B.該晶體中Mn為+2價(jià)

C.該晶體熔點(diǎn)高于相同晶胞類型的Mn。D?該晶體的密度為卷

11.立方氮化硼是一種用于航空航天的熱絕緣體納米材料，晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞棱長為cmm,以為阿伏加

德羅常數(shù)的值，1號原子坐標(biāo)為（0,0,0）,3號原子坐標(biāo)為（1,1,1）。下列說法錯(cuò)誤的是（）

A.BN為共價(jià)晶體

B.立方氮化硼中，8的配位數(shù)為4

C.立方氮化硼晶體的密度p=商黑F9-cm-3

D.2號原子坐標(biāo)為

12.下列說法第送的是（）

A.葡萄糖和麥芽糖可以用新制氫氧化銅懸濁液鑒別

B.乙醇與氫鹵酸的反應(yīng)中乙醇分子斷裂碳氧鍵而失去羥基

C.分子式為C2H6。的有機(jī)物的兩種同分異構(gòu)體可以利用紅外光譜區(qū)別

D.乙醇與濃硫酸共熱到140國屬于取代反應(yīng)

13.某物質(zhì)X的晶胞如圖所示，該物質(zhì)可用作殺蟲劑，也可用于陶瓷、玻璃等行業(yè)。以為阿伏加德羅常數(shù)的

值。下列說法塔送的是

A.該晶胞中，K和尸的個(gè)數(shù)比為1:4

B.晶胞中K和4的最短距離為U2a2+b2Pm

-142

C?物質(zhì)X的密度0=而時(shí)而9七加-3

D.若I和n的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0,0,0）、則川的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為

14.氧化鋰常用于鋰電池的固體電解質(zhì)以及鋰電池的正極材料。氧化鋰晶胞如

圖所示，已知晶胞參數(shù)為apm,以為阿伏加德羅常數(shù)的值。鋰離子可以看成是?Li+

2

填充入氧離子構(gòu)成的“空穴”中。下列敘述正確的是()?o-

A.Li+填充的“空穴”為四邊形B.這種”空穴“填充率為50%

C.2個(gè)。2-最近距離為虧apmD.該晶體密度p=g-cm~3

二、簡答題：本大題共4小題，共32分。

15.鋁和硅在地殼中含量豐富，其單質(zhì)和化合物具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。請回答下列問題：

(1)①基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布式為。

②Si所在周期中的非金屬元素(Si、P、S、Cl),其第一電離能由小到大的順序?yàn)閛

(2)4Cb的相對分子質(zhì)量為133.5,178久開始升華，易溶于水、四氯化碳等，熔融時(shí)生成可揮發(fā)的二聚物

(Al2Cl6),結(jié)構(gòu)如圖所示。

c/'CI

①基態(tài)R原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。

②二聚物中⑷原子的雜化軌道類型為雜化。

(3)4—空氣一海水原電池的正極反應(yīng)式為

(4)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(4P),其晶胞如圖所示：

,FC訂OA1

①晶胞中㈤的配位數(shù)是。

②若晶胞參數(shù)為apa,限為阿伏加德羅常數(shù)，則該晶胞的密度為cm3(列出表達(dá)式)。

(5)以高硫鋁土礦(主要成分為⑷2。3、尸02。3、SiO2,少量FeS2和金屬硫酸鹽)為原料，獲得尸03。4的部分工

藝流程如下：

1?少量CaONaOH溶液FcSn

①焙燒過程均會(huì)產(chǎn)生S02，用NaOH溶液吸收過量S02的離子方程式為。

(D“過濾”得到的濾渣中含大量的h2。3。尸02。3與尸e52混合后在缺氧條件下焙燒生成八3。4和SO2,理論

上完全反應(yīng)消耗的縱論52)：縱尸02。3)=O

16.304不銹鋼是生活中常見的一種不銹鋼，業(yè)內(nèi)也叫做18/8不銹鋼，指必須含有18%以上的銘，8%以上

的銀的不銹鋼。

回答下列問題：

(1)基態(tài)銘原子的價(jià)電子排布式為,排布時(shí)能量最高的電子所占能級的原子軌

道有個(gè)伸展方向。

(2)銘和鎮(zhèn)能形成多種配合物。如Ni(C。.為正四面體構(gòu)型，［M(CN)4］2-為正方形構(gòu)型，［M(N”3)6］2+、

Cr(C0)6為正八面體構(gòu)型等。下列說法正確的是(填選項(xiàng)字母)。

A.M2+在形成配合物時(shí)其配位數(shù)只能為4,C/+在形成配合物時(shí)其配位數(shù)只能為6

B.NH3的空間構(gòu)型為正四面體形

C.C。與CN-互為等電子體，其中C。分子內(nèi)(7鍵和7T鍵的個(gè)數(shù)比為1:2

D.Ni(C0)4和［Ni(CN)412-中，鎂原子均為sp3雜化

(3)2011年8月，云南一化工廠發(fā)生格污染致數(shù)萬立方米水質(zhì)變差、牲畜接連死亡的消息引發(fā)社會(huì)各界的極

大關(guān)注。CrOr與SOt、P0/互為等電子體，六價(jià)銘屬于強(qiáng)致突變物質(zhì)，可誘發(fā)肺癌和鼻咽癌，CrO廠的

空間構(gòu)型為。

(4)Ni。的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉相同，相關(guān)離子半徑如下表所示：

Na+102pmcr181pm

Ni2+69pm02~140pm

Ni。晶胞中Ni2+的配位數(shù)為,NiO的熔點(diǎn)比NaCZ高的原因是

(5)Ni與Ca處于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬Ni的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都比金屬Ca高，原因?yàn)?/p>

。區(qū)分晶體Ni和非晶體M的最可靠的科學(xué)方法為

(6)某銘銀合金的晶胞如圖所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為此，該晶體的密度p=用

含a、c、S的代數(shù)式表示)。

17.304不銹鋼是生活中常見的一,種不銹鋼，業(yè)內(nèi)也叫做18/8不銹鋼，指必須含有18%以上的銘，8%以上

的銀的不銹鋼。

回答下列問題：

(1)基態(tài)銘原子的價(jià)電子排布式為,排布時(shí)能量最高的電子所

占能級的原子軌道有個(gè)伸展方向。

(2)銘和鎮(zhèn)能形成多種配合物。如Ni(C0)4為正四面體構(gòu)型，［Ni(CN)4］2-為正方形構(gòu)型，［Ni(NH3)612+、

Cr(C0)6為正八面體構(gòu)型等。下列說法正確的是....................(填選項(xiàng)字母)。

A.N22+在形成配合物時(shí)其配位數(shù)只能為4,UN+在形成配合物時(shí)其配位數(shù)只能為6

B.N/的空間構(gòu)型為正四面體形

C.C。與CAT互為等電子體，其中C。分子內(nèi)。鍵和兀鍵的個(gè)數(shù)比為1:2

D.NKC。％和［M(CN)4『-中，銀原子均為sp3雜化

(3)2011年8月，云南一化工廠發(fā)生格污染致數(shù)萬立方米水質(zhì)變差、牲畜接連死亡的消息引發(fā)社會(huì)各界的極

大關(guān)注。CrO%-與SO仁、P0廣互為等電子體，六價(jià)格屬于強(qiáng)致突變物質(zhì)，可誘發(fā)肺癌和鼻咽癌，CrO廠的

空間構(gòu)型為o

(4)NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉相同，相關(guān)離子半徑如下表所示：

Na+102pmcr181pm

N產(chǎn)+69pm02~140pm

Ni。晶胞中Ni2+的配位數(shù)為,NiO的熔點(diǎn)比NaG高的原因是

(5)M與Ca處于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬M(fèi)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都比金屬Ca高，原因?yàn)?/p>

。區(qū)分晶體M和非晶體M的最可靠的科學(xué)方法為

(6)某銘銀合金的晶胞如圖所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為心，該晶體的密度p=,g-皿『用

含a、c、刈的代數(shù)式表示)。

18.晶體硅是半導(dǎo)體器件的核心材料；a-4g/是超離子導(dǎo)體，在固態(tài)電池上有突破性應(yīng)用。

工業(yè)上，常通過以下反應(yīng)獲得高純硅：

11

Si(粗)+3HCI--SiHCl3+/、SiHCl3+H2,Si(純)+3HCI

(1)依據(jù)USEPR理論，推斷SiHCG的空間結(jié)構(gòu)o

(2)SiHC13易水解，故提純過程須保持干燥。資料表明，SiHCb水解首先是兒。中。與Si"/中的Si形成了

配位鍵，該配位鍵是。提供,Si提供。

A.孤電子對3d軌道

B.孤電子對3P軌道

C.2P軌道孤電子對

D.sp3雜化軌道孤電子對

當(dāng)光照在晶體硅上，產(chǎn)生一個(gè)自由電子的同時(shí)，會(huì)在原處產(chǎn)生一個(gè)空穴(空穴可看作正電荷)。為提高晶體

硅的導(dǎo)電能力，向其中摻雜價(jià)電子數(shù)為5或3的原子，相當(dāng)于多出來了自由電子或空穴。

(3)如圖，是晶體硅中摻雜硼原子的示意圖。

si

si:B:si

si

穴

①畫出晶體硅中摻雜磷原子的示意圖o

②晶體硅中摻雜磷原子的導(dǎo)電性比摻雜氮原子的導(dǎo)電性—

A.弱

B.強(qiáng)

C.相當(dāng)

D.無法比較

鹵化銀Q4gX)的熔點(diǎn)及晶胞結(jié)構(gòu)見下表。

(4)比較表中數(shù)據(jù)，說明AgG、AgBr晶體熔點(diǎn)差異的原因：。

(5)實(shí)驗(yàn)證明，離子晶體中正負(fù)離子間并不是純粹的靜電作用，仍有部分原子軌道重疊，即共價(jià)性，如

NaC璃子性為71%,共價(jià)性為29%。將NaC/、AgCl.AgBr按離子性由小到大排列：。

AgBr在一定條件下也能轉(zhuǎn)化為a-AgBr(與a-2g/結(jié)構(gòu)相同)。a-4g/中，4g+能在廠形成的骨架中自由

遷移，展現(xiàn)出優(yōu)異的離子導(dǎo)電性能。

(6)4gBr轉(zhuǎn)化為a-AgBr屬于變化。

A.化學(xué)

B物理

相同條件下，a-Ag/的導(dǎo)電能力強(qiáng)于a-AgBr,可能的原因是。

(7)確定a-4g/晶胞的大小、形狀等信息、，可使用的測試儀器為。

A.核磁共振儀

B.質(zhì)譜儀

C.X射線衍射儀

D.紅外光譜儀

3-10

(8)結(jié)合表中信息，計(jì)算a-4g/晶體的密度，p之g-cm~(lpm=1x10cm),.

A.12

C.6

D.3

三、推斷題：本大題共1小題，共10分。

19.A、B、M、D、E、Q為周期表中前四周期元素，原子序數(shù)依次增大，4為周期表中電負(fù)性最大的元

素，/T和D+的核外電子數(shù)相差為8,B與D同主族；M元素的陽離子半徑在同周期元素中最?。籈和Q的基

態(tài)原子價(jià)電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2。用化學(xué)用語回答下列問題：

(1)元素Q在周期表中的位置________；與Q同周期且具有相同的未成對電子數(shù)的元素有種。

(2)六種元素中第一電離能最小的是(填元素符號)，基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式。

(3)元素”的氯化物常以二聚體的形式存在，二聚體中M原子的軌道雜化類型為。元素M的氟化物

的熔點(diǎn)為1090久遠(yuǎn)高于其氯化物的熔點(diǎn)192汽，由此可以判斷元素M的氟化物為晶體。元素M氟

化物的晶體結(jié)構(gòu)屬立方晶系，晶胞如圖所示，F(xiàn)-的配位數(shù)為o

M元素氟化物的晶體結(jié)構(gòu)

(4)4-、。+和Q2+三種離子形成的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)a#以a=￡=y=90。)該化

合物的化學(xué)式為,該晶體的密度為9?cm-3(阿伏加德羅常數(shù)的值用刈表示)。

apm

答案和解析

1.【答案】c

【解析】解：4原子4處于和原子1處于晶胞的同一條體對角線上的小正方體體心，故原子1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是

?，］，》，則原子4的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是弓,（,令，故A正確；

B.頂點(diǎn)和面心的原子為錢原子，觀察晶胞上下面面心的錢原子，其周圍有4個(gè)N原子，像原子配位數(shù)為4,

N原子處于錢原子形成的正四面體空隙中，配位數(shù)也為4,故B正確；

C.原子1、5在z、y方向距離為;cm,x方向距離為當(dāng)cm,故兩者之間的距離為J聯(lián)+（粉+年）2=

^-acm,故C錯(cuò)誤；

D.晶胞中共包含4個(gè)N原子，4個(gè)錢原子，故晶胞密度為0=芳金=晨5g七爪-3,故D正確；

故選：Co

A.將晶胞分為8個(gè)相同的小立方體，原子1處于一個(gè)小正方體體心，原子4處于和原子1處于晶胞的同一條體

對角線上的小正方體體心；

B.頂點(diǎn)和面心的原子為錢原子，觀察晶胞上下面面心的錢原子，其周圍有4個(gè)N原子，錢原子配位數(shù)為4；

C.原子1、5在z、y方向距離為：cm,x方向距離為當(dāng)cm；

D.晶胞中共包含4個(gè)N原子，4個(gè)錢原子。

本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

2.【答案】C

【解析】解：4原子3在體對角線的;處，在x、y、z軸上的投影分別為:、p故其坐標(biāo)為G，：,令，故

A錯(cuò)誤；

BSs與Ga分別位于第V4族和第HL4族，且同屬于p區(qū)，故B錯(cuò)誤；

C.碑化錢晶體的熔點(diǎn)為1237K,因此屬于共價(jià)晶體，故C正確；

D.以面心的4s為對象，與其距離最近的4個(gè)Ga位于分別位于上下兩個(gè)晶胞內(nèi)部，故As的配位數(shù)為4,故D

錯(cuò)誤；

故選：Co

A.原子3在體對角線的J處，在久、y、z軸上的投影分別為：、］'；

4444

B.4s與Ga分別位于第V4族和第IIL4族;

C.碑化錢晶體中，錢原子和碑原子通過共價(jià)鍵直接相連，形成一種高度有序且堅(jiān)固的晶體結(jié)構(gòu)

D.以面心的As為對象，與其距離最近的4個(gè)Ga位于分別位于上下兩個(gè)晶胞內(nèi)部。

本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

3.【答案】D

【解析】解：4硫化鈉和硒化鈉都是離子晶體，硫離子的離子半徑小于硒離子，則硫化鈉晶體中離子鍵強(qiáng)

于硒化鈉晶體，熔點(diǎn)高于硒化鈉晶體，故A錯(cuò)誤；

B.晶胞中位于頂點(diǎn)的硒離子與位于體對角線上的硫離子距離最近，則每個(gè)硒離子周圍距離最近的鈉離子數(shù)

目為8,故B錯(cuò)誤；

C.由晶胞中頂點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(0,0,0)和(1,1,1)可知，則位于體對角線;處離子a的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)為(JU),

故c錯(cuò)誤；

D.晶胞中位于頂點(diǎn)的硒離子與位于面心的硒離子的距離最近，由晶胞參數(shù)可知，最近距離為苧dpm,故

D正確；

故選：Do

A.硫化鈉和硒化鈉都是離子晶體，硫離子的離子半徑小于硒離子；

B.晶胞中位于頂點(diǎn)的硒離子與位于體對角線上的硫離子距離最近；

C.由晶胞中頂點(diǎn)的原子坐標(biāo)為(0,0,0)和(1,1,1)可知，晶胞的邊長為1；

D.晶胞中位于頂點(diǎn)的硒離子與位于面心的硒離子的距離最近。

本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

4.【答案】D

【解析】解：4氧離子占據(jù)頂點(diǎn)和體心，數(shù)目為8x：+l=2,銅離子均位于晶胞內(nèi)部，數(shù)目為4,Ca和。

O

的原子個(gè)數(shù)比為2：1,化學(xué)式為C&2。，故A正確；

B.若晶胞中其中1個(gè)Cu原子位于頂點(diǎn)，則晶胞中其余3個(gè)Cu原子位于面心，銅離子周圍緊鄰且距離相等的

銅離子個(gè)數(shù)為12個(gè)，故B正確；

2M2.88

C.每個(gè)晶胞的質(zhì)量m=廠9，設(shè)晶胞的棱長為xpm,則有，=4(a+6),則密度■再訴葭丁、

以v7L用(a十"x/V/

1032g/cm3,故C正確；

D.晶胞內(nèi)部的四個(gè)銅離子在四個(gè)小正方體的體心交錯(cuò)排列，因此正確的剖面圖應(yīng)為

A.氧離子占據(jù)頂點(diǎn)和體心，數(shù)目為8x/+1=2,銅離子均位于晶胞內(nèi)部，數(shù)目為4；

B.若晶胞中其中1個(gè)Ca原子位于頂點(diǎn)，則晶胞中其余3個(gè)Ca原子位于面心，銅離子周圍緊鄰且距離相等的

銅離子個(gè)數(shù)為12個(gè)；

2/V/__Tn

C.每個(gè)晶胞的質(zhì)量m=跖g,設(shè)晶胞的棱長為工pm,則有，=4(a+b),代入P=7可得晶胞的密度；

D.晶胞內(nèi)部的四個(gè)銅離子在四個(gè)小正方體的體心交錯(cuò)排列，因此正確的剖面圖應(yīng)為

本題主要考查晶胞的計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，題目難度一般。

5~7.【答案】B、A、C

【解析】解：4形成于不同種原子間的共價(jià)鍵為極性共價(jià)鍵，為極性分子，故A錯(cuò)誤；

B.二氯化二硫(S2c%)的結(jié)構(gòu)式為G—S—S—G,S原子為sp3雜化，4。2的結(jié)構(gòu)式為H—。一。一”，。原

子也為sp3雜化，兩者分子結(jié)構(gòu)類似，故B正確；

C.C103、C3的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)分別為3+夕17+1—3x2)=4、4+1(7+1-4x2)=4,中

心原子G原子均為sp3雜化，故C錯(cuò)誤；

D.根據(jù)NaC7晶胞可知，氯離子周圍最近且等距離的氯離子數(shù)為12個(gè)，故D錯(cuò)誤；

故選：Bo

A.形成于不同種原子間的共價(jià)鍵為極性共價(jià)鍵；

B.二氯化二硫(S2c%)的結(jié)構(gòu)式為G—S—S—a,S原子為sp3雜化；

C.C105、的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)分別為3+^(7+1—3x2)=4、4+|(7+1-4x2)=4；

D.根據(jù)NaG晶胞分析。

本題考查了分子極性的判斷、分子的空間結(jié)構(gòu)以及中心原子的雜化類型等，應(yīng)注意基礎(chǔ)知識的掌握和應(yīng)

用。

解：A872用純堿溶液吸收，化學(xué)方程式為：38r2+3可42。。3=5NaBr+NaBrO3+3CO2T,單質(zhì)和氧化

物不能拆，所給離子方程式中電荷不守恒，故A錯(cuò)誤；

B.根據(jù)圖示鋰碘電池的正極發(fā)生得電子的還原反應(yīng)，故B正確；

C.BrC/中，因?yàn)殡娯?fù)性氯強(qiáng)于澳，所以氯的化合價(jià)為-1價(jià)，澳的化合價(jià)為+1價(jià)，能與松。反應(yīng)生成兩種

酸分別是HBrO和HC7,離子方程式中強(qiáng)酸能寫成離子形式，弱酸保留化學(xué)式，故C正確；

D.4W=反應(yīng)物鍵能總和一生成物鍵能總和=436k]/mol+243kJ/mol-2X432k]/mol=-185kJ/mol,

故D正確，

故選：Ao

A.B公用純堿溶液吸收，化學(xué)方程式為：38r2+3Na2CO3=SNaBr+NaBrO3+3CO2T；

B.鋰碘電池的正極發(fā)生得電子的還原反應(yīng)；

C.BrCZ與水反應(yīng)生成HBr。和HC7；

D.4W=反應(yīng)物鍵能總和-生成物鍵能總和。

本題綜合考查化學(xué)知識，題目涉及離子方程式書寫、原電池原理、反應(yīng)熱等，側(cè)重考查學(xué)生基礎(chǔ)知識的掌

握情況，此題難度中等。

解：ANazCg溶液顯堿性，能使油脂轉(zhuǎn)化為可溶性物質(zhì)，則Na2c。3溶液可用于除器皿表面的油污，故A

正確；

B.FeC%具有氧化性，F(xiàn)eCG溶液能與Ca反應(yīng)生成氯化亞鐵和氯化銅，可用于蝕刻印刷電路，故B正確；

C.在/Br中/為+1價(jià)，Br為-1價(jià)，故化學(xué)反應(yīng)方程式為：IBr+H2O=HBr+HIO,Br與Cl以共價(jià)鍵形成

BrCl,其中CZ顯負(fù)電性，與水反應(yīng)的方程式是BrC7+“2。="a+HBr。，故C錯(cuò)誤；

D12遇淀粉會(huì)變藍(lán)，可用于檢驗(yàn)淀粉的存在，故D正確，

故選：Co

A.Na2cO3溶液顯堿性，可用于除油污；

B.根據(jù)FeCG具有氧化性，進(jìn)行分析；

C.在/Br中/為+1價(jià)，Br為一1價(jià)，BrG中Br為+1價(jià)，C7為一1價(jià)；

D.%遇淀粉會(huì)變藍(lán)，可用于檢驗(yàn)淀粉的存在。

本題考查物質(zhì)性質(zhì)及應(yīng)用，側(cè)重基礎(chǔ)知識運(yùn)用能力考查，把握物質(zhì)組成、性質(zhì)、性質(zhì)與用途的關(guān)系是解題

關(guān)鍵，題目難度不大。

8.【答案】D

【解析】解：4晶胞中Co原子數(shù)目為1、Ti原子數(shù)目=8X^=1、S原子數(shù)目=6X^=3,則該鉆鹽的化學(xué)

oZ

式為CoTTX，故A錯(cuò)誤；

B.由晶胞圖可知，該鉆鹽中C。與S構(gòu)成四角雙錐，故B錯(cuò)誤；

C.晶胞相當(dāng)于有1個(gè)"CoTiSs分子”，晶胞質(zhì)量=(59+48+32xy/3=祟晶胞參數(shù)為arwi,則晶體密

1

NAmol必已

度=--理-j=2°3X/V9，C7n~3'故C錯(cuò)誤；

7

(axlOcmya^xNA已

D.由幾何知識可知，"4+與S2-之間的最短距離等于晶胞面對角線長度的aT/+與S2-之間的最短距離為

-x(^TZanm)=nm,故D正確；

故選：Do

A.均攤法計(jì)算晶胞中Co、77、S原子數(shù)目，進(jìn)而確定化學(xué)式；

B.該鉆鹽中Co與S構(gòu)成四角雙錐；

C.計(jì)算晶胞中各原子總質(zhì)量，即為晶胞質(zhì)量，再根據(jù)晶體密度=瞿瞿計(jì)算；

晶胞體積

D.〃4+與52-之間的最短距離等于晶胞面對角線長度的也

本題考查晶胞計(jì)算，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)、一定的空間想象能力與數(shù)

學(xué)計(jì)算能力。

9.【答案】C

【解析】A.一般來說，同主族元素從上到下，元素的電負(fù)性越來越小，4項(xiàng)正確；

B.該晶胞為六方晶系，三個(gè)晶胞可堆成一個(gè)六棱柱，B項(xiàng)正確；

C.晶胞中與1個(gè)Si緊鄰的Si有6個(gè)，C項(xiàng)錯(cuò)誤；

D.1個(gè)晶胞中冗原子的個(gè)數(shù)為6,Si原子的個(gè)數(shù)為2,C原子的個(gè)數(shù)為4,則晶胞的密度為6X4^2X28+4X12，

號QC.NA

1021^-cm~3,。項(xiàng)正確。

10.【答案】C

【解析】【分析】

本題考查晶胞結(jié)構(gòu)，掌握“均攤法”的計(jì)算是解題的關(guān)鍵，難度中等。

【解答】

A.由圖可知7e和Mn的配位數(shù)均為6,故A正確；

B.每個(gè)晶胞中Mn原子數(shù)為4x5+4x：+2x±+2x2,Te原子數(shù)為2,原子個(gè)數(shù)比1：1,Te為—2

1ZOOD

價(jià)，則Mn為+2價(jià)，故B正確;

C.兩者均為離子晶體，且陰、陽離子電荷數(shù)均為2,。和Tc同主族，但丁。2一的離子半徑較大，M九Te晶格能

較小，因此其熔點(diǎn)較低，故C錯(cuò)誤；

D.每個(gè)晶胞含有2個(gè)MnTe,質(zhì)量=耳氾g，一個(gè)晶胞體積為M加譏60。cm?,所以晶體密度為p=?=

NAV

183x2

3

2「"巾g/cm=g?皿一%故D正確。

a"bsin60V慧3a'；bN/

11.【答案】D

【解析】解:AB與N原子之間以共價(jià)鍵連接，向空間延伸形成空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，BN屬于共價(jià)晶體，故

A正確；

B.以上底面面心B原子分析，與之等距離且最近的N原子在上、下兩層各有2個(gè)，立方氮化硼中8的配位數(shù)

為4,故B正確；

C.晶胞中B原子數(shù)目為8x：+6x〈=4、N原子數(shù)目為4,晶胞相當(dāng)于有4個(gè)“NB分子”，晶胞中原子總質(zhì)

oZ

100

量為4x至鳴=^g,即為晶胞質(zhì)量，晶體密度=—=—普丁9-。山-3,故c正確；

D.2號原子與近距離頂角原子連線處于晶胞體對角線上，由幾何知識可知，二者距離等于晶胞體對角線長

度的;，則2號原子到左側(cè)面、前平面的距離均等于晶胞棱長的,,到下底面距離等于晶胞棱長的即2號

原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為弓43),故D錯(cuò)誤；

444

故選：Do

A.B與N原子之間以共價(jià)鍵連接，向空間延伸形成空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；

B.以上底面面心B原子分析，與之等距離且最近的N原子在上、下兩層各有2個(gè)；

C.均攤法計(jì)算晶胞中8、N原子數(shù)目，計(jì)算各原子總質(zhì)量，即為晶胞質(zhì)量，再根據(jù)晶體密度=鱉震計(jì)

晶胞體積

算；

D.2號原子與近距離頂角原子連線處于晶胞體對角線上，由幾何知識可知，二者距離等于晶胞體對角線長

度的9。

本題考查晶胞計(jì)算，關(guān)鍵是明確原子在晶胞中位置，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算，需要學(xué)生具備扎實(shí)的

基礎(chǔ)、一定的空間想象能力與數(shù)學(xué)計(jì)算能力。

12.【答案】A

【解析】A.葡萄糖和麥芽糖都含有醛基，屬于還原性糖，都能與新制氫氧化銅反應(yīng)，故不能鑒別，A錯(cuò)

誤；

B.乙醇能與氫鹵酸發(fā)生取代反應(yīng)，斷裂碳氧鍵而失去羥基，B正確;

C.C2“6?？赡艿慕Y(jié)構(gòu)是乙醇和甲醛，兩者化學(xué)鍵不同的是乙醇中含有氫氧鍵，而甲醛中沒有氫氧鍵，故可

以利用紅外光譜區(qū)別，C正確；

D.乙醇與濃硫酸共熱到140K,發(fā)生取代反應(yīng)生成乙酸，D正確。

13.【答案】B

【解析】【分析】

本題考查晶胞計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，把握晶體結(jié)構(gòu)為解答的關(guān)鍵，側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查，綜合性較

強(qiáng)，題目難度中等。

【解答】

A.由圖可知，該晶胞中含有K的個(gè)數(shù)=8X”=1,F的個(gè)數(shù)=4x；+2=4,K和尸的個(gè)數(shù)比為1:4,故A正

oZ

確；

B.由圖可知，晶胞中K和㈤的最短距離為體對角線的全即、2,故B錯(cuò)誤；

C.該晶胞中含有K的個(gè)數(shù)為1,F的個(gè)數(shù)為4,4的個(gè)數(shù)為1,晶胞的質(zhì)量為巖g,晶胞的體積為Mbx

10-30cm3,則晶體密度=---詈一Fg/cm3,故c正確；

2

NAxabxlO戈山

D.若I和II的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為(0,0,0)、(1,1,1),則III的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1［弓)，故D正確。

14.【答案】C

【解析】解：4觀察氧化鋰晶胞結(jié)構(gòu)，加+填充在由4個(gè)。2-構(gòu)成的四面體“空穴”中，并非四邊形，故A

錯(cuò)誤；

B.在氧化鋰晶胞中，。2-形成面心立方最密堆積，加+填充在四面體“空穴”中，四面體“空穴”的填充率

為100%,故B錯(cuò)誤；

C.在面心立方最密堆積中，晶胞參數(shù)為apm,2個(gè)。2一最近距離為面對角線的一半，為苧apzn,故C正

確；

D.一個(gè)氧化鋰晶胞中，。2一的個(gè)數(shù)為8*：+6*號=4個(gè)，猴+的個(gè)數(shù)為8個(gè)，晶胞的質(zhì)量愣晶

胞體積U=a3x10-300爪3,晶體密度p=)=1g.cm-3,故D錯(cuò)誤；

故選：Co

A.觀察氧化鋰晶胞結(jié)構(gòu)，加+填充在由4個(gè)。2一構(gòu)成的四面體“空穴”中；

B.在氧化鋰晶胞中，。2-形成面心立方最密堆積，加+填充在四面體“空穴”中，四面體“空穴”的填充率

為100%；

C.在面心立方最密堆積中，晶胞參數(shù)為apa,2個(gè)。2-最近距離為面對角線的一半;

D.一個(gè)氧化鋰晶胞中，。2一的個(gè)數(shù)為8x(+6x^=4個(gè)，加+的個(gè)數(shù)為8個(gè)，晶胞的質(zhì)量空g=苧g,晶

oZ‘V//V/

胞體積了=a3xl0-30cm3；代入夕=/可得晶胞密度。

本題主要考查晶胞的計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，題目難度不大。

15.【答案】(l)3s23P2Si<S<P<Cl

(2)7sp3

(3)。2+4e~+2H2。=40H-

(4)44x(27+31)

W^x(axlO-10)

(5)SO2+OH-=HSO^1：16

【解析】【詳解】(1)①Si是14號元素，基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布式為3s23P2；

②同周期元素，從左到右，第一電離能呈現(xiàn)增大趨勢，但第II族、第U族元素第一電離能大于其相鄰元

素；所以第一電離能由小到大的順序?yàn)镾i<S<P<CL

(2)①鋁是13號元素，基態(tài)⑷原子的電子排布式為Is22s22P63s23pL電子占據(jù)的空間軌道有Is,2s,2P

的三個(gè)軌道，3s,3P的一個(gè)軌道，共7種，故核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有7種；

②二聚物中⑷原子與四個(gè)C/原子分別形成。鍵，4原子的價(jià)層電子對數(shù)為4,所以⑷原子的雜化軌道類型為

spj。

(3)4-空氣-海水電池中⑷做負(fù)極發(fā)生氧化反應(yīng)，氧氣在正極發(fā)生還原反應(yīng)：O2+4e-+2H2。=

40Wo

(4)①與⑷原子距離最近的P原子有4個(gè)，加的配位數(shù)為4；

②均攤法計(jì)算該晶體的晶胞中含4個(gè)P原子，6x：+8x^=4個(gè)㈤原子，其晶胞體積M=(ax

Zo

(八―10、334x(27+31)—3

10

)c/,P=Mfl3xlo-3O)g-cm3。

(5)礦粉焙燒時(shí)FeS2與。2反應(yīng)生成尸02。3和SO2，在空氣中CaO可將S02轉(zhuǎn)化為CaSO"并與SiO2反應(yīng)生成硅

酸鈣；“堿浸”時(shí)川2。3轉(zhuǎn)化為溶于水的Na⑷(OH)J962。3與FeS2混合后在缺氧條件下焙燒生成尸03。4

和SO?；

①用氫氧化鈉溶液吸收過量二氧化硫生成亞硫酸氫鈉，離子方程式為SO?+OH-=HSOJ；

②過濾”得到的濾渣中含大量的尻2。3，酩2。3與FeS2混合后在缺氧條件下焙燒生成尸03。4和SO2,設(shè)有

*mo/902。3和ymoZFeSz完全參加反應(yīng)，根據(jù)電子得失守恒：2xx(3-：)=2yx5+yx(1-2),解得

x/y=16：1,所以理論上完全反應(yīng)消耗的n(feS2)：n(Fe2O3)=1：16。

16.【答案】(l)3d54s】；5

(2)C

(3)正四面體形

(4)6；離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)越高

(5)Ni的原子半徑較小，價(jià)電子數(shù)較多，金屬鍵較強(qiáng)；X-射線衍射法

,.4.44X1032

⑼-icficNA

【解析】【分析】

本題綜合考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，難度中等，解題關(guān)鍵是理解物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的概念、原理與規(guī)律。

【解答】

(l)Cr為24號元素，基態(tài)Cr原子的價(jià)電子排布式為3d54s］，排布時(shí)能量最高的電子所占能級為3d,d軌道

有5個(gè)伸展方向。

(2)4由［M(N”3)6F+可知，/產(chǎn)+在形成配合物時(shí)其配位數(shù)可以為6,故A錯(cuò)誤；

B.N%的空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯(cuò)誤；

C.C。與CAT、均互為等電子體，C。分子內(nèi)C和。成三鍵，故。鍵和兀鍵的個(gè)數(shù)比為1：2,故C正確；

D.Ni(C0)4為正四面體構(gòu)型，銀原子為sp3雜化，但［Ni(CN)4F-為正方形構(gòu)型，保離子不為sp3雜化，故D

錯(cuò)誤，故選C。

(3)CrO/與5。歹、P。;互為等電子體，SO歹、P0;均為正四面體形結(jié)構(gòu)，故Cr。歹的空間構(gòu)型為正四面

體形。

(4)NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉相同，根據(jù)氯化鈉晶體中陰陽離子的配位數(shù)均為6,則NiO晶胞中Ni2+的

配位數(shù)為6；NiO、NaCl均為離子晶體,影響離子晶體熔點(diǎn)的因素有離子半徑和離子所帶電荷數(shù)，離子所

帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)越高，故NiO的熔點(diǎn)比NaCZ高。

(5)Ni與Ca均為金屬晶體，Ni的原子半徑較小，價(jià)電子數(shù)較多，金屬鍵較強(qiáng)，故金屬M(fèi)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都比

金屬Ca高；根據(jù)晶體和非晶體的差異，區(qū)分晶體Ni和非晶體M的最可靠的科學(xué)方法為X-射線衍射法。

(6)該晶胞中Ni的個(gè)數(shù)為4x2+4x±+2x±+2x2,Cr的個(gè)數(shù)為2,晶胞的質(zhì)量為畫譽(yù)”g,晶

1Zooo/V/

胞體積為apmxapmxsin60°xcpm=ax10-10cmx苧ax10-10cmxcx10~locm=?a2cx

10-30cm3,故晶體密度為§+(?a2cx10-30cm3)=喟:弋g-cm~3o

17.【答案】(l)3d54s1;5

(2)。

(3)正四面體形

(4)6；離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)越高

(5)M的原子半徑較小，價(jià)電子數(shù)較多，金屬鍵較強(qiáng)；X-射線衍射法

32

(.4.44X10

(73a2cN/

【解析】【分析】

本題綜合考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，難度中等，解題關(guān)鍵是理解物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的概念、原理與規(guī)律。

【解答】

(l)Cr為24號元素，基態(tài)Cr原子的價(jià)電子排布式為3d54s】，排布時(shí)能量最高的電子所占能級為3d,d軌道

有5個(gè)伸展方向。

(2)4由［M(N”3)612+可知，所2+在形成配合物時(shí)其配位數(shù)可以為6,故A錯(cuò)誤；

B.N%的空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯(cuò)誤；

C.CO與CN-、M互為等電子體，C。分子內(nèi)C和。成三鍵，故。鍵和兀鍵的個(gè)數(shù)比為1：2,故C正確；

D.Ni(C0)4為正四面體構(gòu)型，銀原子為sp3雜化，但［Ni(CN)4］2一為正方形構(gòu)型，鍥離子不為sp3雜化，故D

錯(cuò)誤，故選C。

(3)CrOt與5。仁、P0：互為等電子體，SO歹、P0：均為正四面體形結(jié)構(gòu)，故CrO廠的空間構(gòu)型為正四面

體形。

(4)Ni。的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉相同，根據(jù)氯化鈉晶體中陰陽離子的配位數(shù)均為6,則NiO晶胞中Ni2+的

配位數(shù)為6；NiO、NaCl均為離子晶體,影響離子晶體熔點(diǎn)的因素有離子半徑和離子所帶電荷數(shù)，離子所

帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)越高，故NiO的熔點(diǎn)比NaCZ高。

(5)Ni與Ca均為金屬晶體，M的原子半徑較小，價(jià)電子數(shù)較多，金屬鍵較強(qiáng)，故金屬M(fèi)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都比

金屬Ca高；根據(jù)晶體和非晶體的差異，區(qū)分晶體Ni和非晶體M的最可靠的科學(xué)方法為X-射線衍射法。

(6)該晶胞中Ni的個(gè)數(shù)為4X3+4XH2X』+2XJ=2,Cr的個(gè)數(shù)為2,晶胞的質(zhì)量為畫譽(yù)”g,晶

1ZOOD/V/

胞體積為apmxapmxsm60°xcpm=ax10-10cmx芋ax10-10cmxcx10_10cm=苧a2cx

10-3。加3,故晶體密度為%濘g+(苧a2cX10-3°cm3)=霧罌g-cm~\

18.【答案】四面體形；

X；

Si

①Si:P:Si；

Si

②B;

AgCl、4gBr都為離子晶體，r(C廣)<「(Br)AgBr晶體晶格能小，AgS離子鍵比AgBr離子鍵強(qiáng)，故

AgCZ的熔點(diǎn)比ZgBr高；

<AgCl<NaCl；

A；r(Br-)<r(Z-),在a-Ag/中廠形成的骨架中空間更大，Ag+能更自由遷移；

C；

C

【解析】解：(l)SiHC/3中Si原子的價(jià)層電子對數(shù)為44Tlix3=%沒有孤電子對，空間構(gòu)型為四面體

形，

故答案為：四面體形；

(2)Si“4中Si原子為sp3雜化，與4個(gè)H原子成鍵，SiHC?水解首先是桃。中。與SiHC^中的Si形成配位鍵時(shí)。

原子提供孤電子對，Si原子提供3d軌道，

故答案為：A；

(3)①尸為價(jià)電子數(shù)為5的原子，摻雜后多出來了自由電子，根據(jù)晶體硅中摻雜硼原子的示意圖可畫出晶體

Si

硅中摻雜磷原子的示意圖為Si:P:Si，

Si

Si

故答案為：Si:P:Si；

Si

②P原子電負(fù)性比N