行業(yè)|深度|研究報告 行業(yè)研究報告慧博智能投研得益于生成式人工智能和高性能計算（HPC）這兩大長期趨勢有力推動，疊加移動和消費市場回暖以及汽車先進封裝解決方案的拓展，將為先進封裝市場規(guī)模增長注入動力。先進封裝技術(shù)也沿著多元化方向發(fā)展。根據(jù)Yole預(yù)測，全球先進封裝市場規(guī)模將從2023年的378億美元增至2029年的695億美元。這一增長主要得益于AI、高性能計算及5G/6G技術(shù)對算力密度的極致需求，以及數(shù)據(jù)中心、自動駕駛等領(lǐng)域?qū)Φ凸?、高可靠性封裝的迫切需要。圍繞先進封裝行業(yè)，下面我們從先進封裝應(yīng)用領(lǐng)域、代表技術(shù)、發(fā)展必要性及趨勢、市場空間、發(fā)展展望及相關(guān)公司等方面進行深度梳理，希望幫助大家更多了解先進封裝。一、先進封裝概述 1二、先進封裝應(yīng)用領(lǐng)域分析 3三、先進封裝代表技術(shù)：WLCSP 6四、發(fā)展先進封裝必要性及發(fā)展趨勢 11五、先進封裝市場空間預(yù)測 15六、先進封裝相關(guān)公司 16七、先進封裝發(fā)展展望 23八、參考研報 25封裝可以分為傳統(tǒng)封裝和先進封裝，兩者在需要的設(shè)備，材料以及技術(shù)方面具有較大的差異。相比傳統(tǒng)封裝，先進封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗和功能融合等優(yōu)點，不僅可以提升性能、拓展功能、優(yōu)化形態(tài)，相比系統(tǒng)級芯片，還可以降低成本。目前，帶有倒裝芯片（FC）結(jié)構(gòu)的封裝、圓片級封裝（WLP）、系統(tǒng)級封裝（SiP）、2.5D封裝、3D封裝等均被認(rèn)為屬于先進封裝范疇。1/26行業(yè)|深度|研究報告 隨著我國集成電路以及光電子器件下游需求增加，先進封裝市場規(guī)模保持快速增長態(tài)勢。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，2019-2023年，中國先進封裝市場從420億元增長至790億元，增長幅度超過85%；預(yù)計我國2029年先進封裝市場規(guī)模將達(dá)到1340億元，2024年-2029年復(fù)合平均增速為9%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測，2025年中國先進封裝滲透率將增長至41%。2/26行業(yè)|深度|研究報告 系統(tǒng)級封裝（SiP）是先進封裝市場增長的重要動力。系統(tǒng)級封裝可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運算器、傳感器、存儲器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機電系統(tǒng)、光學(xué)器件混合搭載于同一封裝體內(nèi)，系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠(yuǎn)低于復(fù)雜程度相同的單芯片系統(tǒng)（SoC）。按照芯片組裝方式的不同，SIP可以分為2D、2.5D、3D結(jié)構(gòu)。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2023年中國SIP行業(yè)市場規(guī)模為371.2億元，預(yù)計2024年將增長至450億元。智能手機為代表的移動消費電子領(lǐng)域是系統(tǒng)級封裝最大的下游應(yīng)用市場，占了系統(tǒng)級封裝下游應(yīng)用的70%。根據(jù)Yole預(yù)測，2022年后5年，系統(tǒng)級封裝增長最快的應(yīng)用市場將是可穿戴設(shè)備、Wi-Fi路由器、IoT物聯(lián)網(wǎng)設(shè)施以及電信基礎(chǔ)設(shè)施。3/26行業(yè)|深度|研究報告 高密度細(xì)間距凸點倒裝產(chǎn)品（FC）在移動和消費市場發(fā)展空間較大。所謂“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（WireBonding，WB）而言的。傳統(tǒng)WB工藝，芯片通過金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的I/O焊盤上直接沉積，或通過RDL布線后沉積凸點（Bumping然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝下。與WB相比，F(xiàn)C封裝技術(shù)的I/O數(shù)多；互連長度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所減少。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測，2026年FC-CSP（倒裝芯片級尺寸封裝）細(xì)分市場將達(dá)到100億美元以上。FC-CSP封裝在移動和消費市場中占有一席之地，主要用于PC、服務(wù)器和汽車應(yīng)用中使用的智能手機APU、RF組件和DRAM設(shè)備。4/26行業(yè)|深度|研究報告 QFN/DFN封裝形式雖屬于中端封裝類型，但市場容量較大，短期內(nèi)被替代的可能性較低。QFN/DFN類產(chǎn)品有以下優(yōu)點：1）物理層面：體積小、重量輕、效率高。2）品質(zhì)層面：散熱性能強、電性能好、可靠性強。3）具備更高的性價比。根據(jù)WISEGUYREPORTS數(shù)據(jù)，2023年QFN四方扁平無引線封裝市場規(guī)模預(yù)計為136.5億美元。QFN四方扁平無引線封裝市場行業(yè)預(yù)計將從2024年的149.3億美元增長到2032年的306.8億美元，2019-2032年的CAGR預(yù)計約為9.42%。5/26隨著傳感器、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的大規(guī)模落地，微機電系統(tǒng)傳感器（MEMS）封裝也備受關(guān)注。2022年MEMS封裝市場規(guī)模在27億美元左右，2016~2022年間將會維持16.7%的年復(fù)合增長率高速增長。其中RFMEMS封裝市場是主要驅(qū)動，2016~2022年間，年復(fù)合增長率高達(dá)35.1%。晶圓級封裝（WLCSP）即WaferLevelChipScalePackaging，指在晶圓上封裝芯片，而不是先將晶圓切割成單個芯片再進行封裝。這種方案可實現(xiàn)更大的帶寬、更高的速度與可靠性以及更低的功耗，并為用于移動消費電子產(chǎn)品、高端超級計算、游戲、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的多晶片封裝提供了更廣泛的形狀系數(shù)。根據(jù)WISEGUYREPORT數(shù)據(jù)，2023年晶圓級封裝市場規(guī)模預(yù)計為184.5億美元，市場預(yù)計將從2024年的202.9億美元增長到435億美元。到2032年，晶圓級封裝市場CAGR預(yù)計在10.0%左右（2024-2032）。6/26行業(yè)|深度|研究報告 WLCSP（晶圓級封裝）分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-InWLCSP）和扇出型晶圓級芯片封裝（Fan-OutWLCSP），其特點是在整個封裝過程中，晶圓始終保持完整。除此之外，重新分配層（RDL）封裝、倒片（FlipChip）封裝及硅通孔（TSV）封裝通常也被歸類為晶圓級封裝，盡管這些封裝方法在晶圓切割前僅完成了部分工序。不同封裝方法所使用的金屬及電鍍（Electroplating）繪制圖案也均不相同。不過，在封裝過程中，WLCSP基本都遵循如下順序。完成晶圓測試后，根據(jù)需求在晶圓上制作絕緣層（DielectricLayer）。初次曝光后，絕緣層通過光刻技術(shù)再次對芯片焊盤進行曝光。然后，通過濺射（Sputtering）工藝在晶圓表面涂覆金屬層。此金屬層可增強在后續(xù)步驟中形成的電鍍金屬層的黏附力，同時還可作為擴散阻擋層以防止金屬內(nèi)部發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。此外，金屬層還可在電鍍過程中充當(dāng)電子通道。之后涂覆光刻膠（Photoresist）以形成電鍍層，并通過光刻工藝?yán)L制圖案，再利用電鍍形成一層厚的金屬層。電鍍完成后，進行光刻膠去膠工藝，采用刻蝕工藝去除剩余的薄金屬層。最后，電鍍金屬層就在晶圓表面制作完成了所需圖案。晶圓級芯片封裝分為扇入型WLCSP和扇出型WLCSP。扇入型WLCSP工藝將導(dǎo)線和錫球固定在晶圓頂部，而扇出型WLCSP則將芯片重新排列為模塑晶圓。這樣做是為了通過晶圓級工藝形成布線層，并將錫球固定在比芯片尺寸更大的封裝上。在扇入型晶圓級芯片封裝中，合格晶圓首先將進入封裝生產(chǎn)線。通過濺射工藝在晶圓表面制備一層金屬膜，并在金屬膜上涂覆一層較厚的光刻膠，光刻膠厚度需超過用于封裝的金屬引線。通過光刻工藝在光刻膠上繪制電路圖案，再利用銅電鍍工藝在曝光區(qū)域形成金屬引線。隨后去除光刻膠，并利用化學(xué)刻蝕（ChemicalEtching）工藝去除多余的薄金屬膜，然后在晶圓表面制備絕緣層（DielectricLayer），并利用光刻工藝去除錫球（SolderBall）放置區(qū)域的絕緣層。因此，絕緣層也被稱為“阻焊層”（SolderResist），它是晶圓級芯片封裝中的鈍化層（PassivationLayer），即最后的保護層，用于區(qū)分錫球放置區(qū)域。如沒有鈍化層，采用回流焊（ReflowSoldering）等工藝時，附著在金屬層上的錫球會持續(xù)融化，無法保持球狀。利用光刻工藝在絕緣層上繪制電路圖案后，再通過植球工藝使錫球附著于絕緣層。植球安裝完成后，封裝流程也隨之結(jié)束。對封裝完成的整片晶圓進行切割后，即可獲得多個獨立的扇入型晶圓級芯片封裝體。7/26行業(yè)|深度|研究報告 在扇出型晶圓級芯片封裝工藝中，首先需要在等同于晶圓形狀的載片上貼附一層薄膜。切割晶圓后，再按照一定間距將優(yōu)質(zhì)芯片貼在薄膜上，接下來對芯片間隔區(qū)域進行模塑，以形成新形狀。晶圓模塑完成后，載片和薄膜將被移除。隨后在新形成的晶圓上，利用晶圓設(shè)備創(chuàng)建金屬導(dǎo)線，并附著錫球以便封裝。最后，將晶圓切割成多個獨立封裝體。總而言之，與傳統(tǒng)封裝技術(shù)理念不同，WLCSP封裝技術(shù)是一種以晶圓為加工單位的中道封裝技術(shù)，所有封裝工藝過程均在晶圓上進行，而且需要利用到與晶圓制造工藝相似的先進光刻工藝，完成封裝工藝的晶圓最終通過測試之后才被切割成單個封裝體。這種封裝技術(shù)具有封裝尺寸小、功耗低、成本低的優(yōu)勢，是電子產(chǎn)品小型化方向發(fā)展的理想封裝方式。WLCSP在各個領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣化應(yīng)用，包括消費電子、汽車、電信和醫(yī)療保健。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備和智能技術(shù)的興起推動了對滿足小型化和性能增強要求的先進封裝解決方案的需求。Yole預(yù)計到2027年，WLCSP細(xì)分市場的估值預(yù)計將達(dá)到約22億美元。幾個因素正在推動WLCSP市場的增長：首先，消費電子行業(yè)的快速擴張導(dǎo)致對緊湊高效的包裝解決方案的需求增加；可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的日益普及進一步推動了這一需求，為WLCSP技術(shù)創(chuàng)造了強大的動力；WLCSP能夠促進小型化，同時提高電氣性能，使其成為創(chuàng)新的關(guān)鍵推動因素。此外，汽車行業(yè)向電動汽車（EV）和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的轉(zhuǎn)變正在推動對高性能半導(dǎo)體解決方案的需求。8/26行業(yè)|深度|研究報告 具體對應(yīng)直接下游產(chǎn)品而言，目前WLCSP主要應(yīng)用于傳感器的封裝。封裝產(chǎn)品包括多種影像傳感器芯片(CIS)，屏下指紋識別芯片，3D成像，微機電系統(tǒng)芯片（MEMS）、環(huán)境光感應(yīng)芯片、5G射頻芯片WLCSP在先進封裝領(lǐng)域的應(yīng)用受益于AI技術(shù)的普及，尤其是在邊緣AI和輕量化AI場景中。在終端設(shè)備的AI推理、傳感器融合及低功耗場景中，WLCSP有望憑借其獨特優(yōu)勢成為關(guān)鍵封裝方案。隨著人工智能（AI）和高性能運算（HPC）應(yīng)用擴大，運算能力、內(nèi)存帶寬和能源效率需求不斷提升，半導(dǎo)體工藝不斷挑戰(zhàn)性能的極限，同時也對封裝技術(shù)提出更高要求。為了延續(xù)摩爾定律并跟上高階運算市場的創(chuàng)新步伐，“先進封裝”（advancedpackaging）成為因應(yīng)這些高效能應(yīng)用需求的核心策略。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸轉(zhuǎn)向2.5D/3D堆疊、晶圓級芯片封裝（WLCSP），以及共同封裝光學(xué)（CPO）等先進封裝技術(shù)，有望為芯片實現(xiàn)更高效能、更密集的整合、更快速的互連，同時提升能源效率。近年來在AI、HPC、汽車和AIPC等新興應(yīng)用需求的帶動下，全球先進封裝市場正快速成長。特別是歷經(jīng)2023年的庫存修正后，先進封裝市場自今年起陸續(xù)復(fù)蘇，并展現(xiàn)長期穩(wěn)定成長態(tài)勢。YoleGroup的最新調(diào)查報告顯示，2023年全球先進封裝市場規(guī)模為392億美元，預(yù)計2023-2029年年復(fù)合成長率（CAGR）達(dá)12.9%。以2023年的IC封裝市場總額來看，先進封裝占據(jù)高達(dá)44%;其中，AI、HPC應(yīng)用的比重更穩(wěn)步上升。此外，包括覆晶封裝（Flip-Chip）、系統(tǒng)級封裝（SiP）、WLCSP和2.5D/3D等先進封裝技術(shù)市場均有成長。9/26行業(yè)|深度|研究報告 AI驅(qū)動WLCSP應(yīng)用場景升級，扇出型封裝（FOWLP）由于重分布層（RDL）和焊球超出芯片尺寸，讓芯片擁有更多的輸入和輸出，同時保持尺寸精巧，可分為核心、高密度和超高密度封裝。核心封裝針對汽車和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，高密度和超高密度封裝主要用于移動與HPC應(yīng)用。WLCSP技術(shù)的發(fā)展有望更加注重技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用拓展。一方面，通過持續(xù)優(yōu)化封裝材料和工藝流程，解決散熱管理、可靠性等問題，進一步提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性和耐用性；另一方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G通信等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，WLCSP有望在更多應(yīng)用場景中得到應(yīng)用。WLCSP技術(shù)壁壘高，目前全球產(chǎn)能供給格局清晰，主要集中在晶方科技、華天昆山、科陽光電、臺灣精材四家。由于車規(guī)市場加速起量，WLCSP市場處于緊平衡狀態(tài)。在傳感器領(lǐng)域的WLCSP封裝方面，晶方科技是中國大陸首家、全球規(guī)模領(lǐng)先的能為影像傳感芯片提供WLCSP量產(chǎn)服務(wù)的專業(yè)封測服務(wù)商，在該細(xì)分領(lǐng)域具有較大的規(guī)模優(yōu)勢，能夠滿足大規(guī)模生產(chǎn)需求。同時晶方科技作為WLCSP行業(yè)的龍頭，開發(fā)了CMOS、MEMS、生物身份識別、3D、AR/VR、汽車電子、RF等應(yīng)用市場，核心客戶群體涵蓋SONY、豪威科技、格科微、思特威等全球知名傳感器設(shè)計企業(yè)。2013年，公司建成全球首條12英寸WLCSP封裝線，目前，晶方科技依然是大陸稀缺具備12英寸WLCSP封裝量產(chǎn)能力的企業(yè)。10/26行業(yè)|深度|研究報告 “后摩爾時代”先進制程升級速度逐漸放緩。摩爾定律是指集成電路中可以容納的晶體管數(shù)量在每18-24個月增長一倍。目前芯片工藝已經(jīng)走向3nm以下的極致階段，而當(dāng)芯片制程逼近1nm時將進入量子物理世界，會產(chǎn)生顯著的量子效應(yīng)。例如晶體管數(shù)量的不斷增加會產(chǎn)生短溝道效應(yīng)，勢壘將無法對電子穿透進行有效的阻隔，從而造成漏電，進一步使得晶體管的效應(yīng)難以控制。除此之外，大量的晶體管工作時產(chǎn)生的熱量也對芯片散熱能力提出了更高要求。摩爾定律帶來的經(jīng)濟效應(yīng)不斷降低。1）從制造成本來看：根據(jù)研究公司IBS發(fā)布的數(shù)據(jù)，芯片從16nm到10nm，每十億個晶體管的成本下降了30.7%，而從5nm到3nm，成本僅下降了4.2%。2）從研發(fā)成本來看：推進先進制程芯片使得芯片制造商的研11/26行業(yè)|深度|研究報告 發(fā)成本與資本開支負(fù)擔(dān)不斷加重，同時芯片設(shè)計商的設(shè)計成本和流片成本也會不斷加重，且技術(shù)上的不確定性會使新產(chǎn)品上市時間不斷滯后。目前對于集成電路的發(fā)展，行業(yè)內(nèi)主要有兩個主流方向。一是延續(xù)摩爾定律，以提升單個芯片性能為目標(biāo)，在晶體管縮放技術(shù)上進行進一步探索，例如采用FinFET、GAA等工藝。二是超越摩爾定律，先進封裝技術(shù)就為其中的一條重要賽道，以提升系統(tǒng)性能為目標(biāo)，將多個不同性能的芯片集成在一個系統(tǒng)內(nèi)，通過成本可控的系統(tǒng)級芯片系統(tǒng)來提升整體的性能和功能。隨著大數(shù)據(jù)、AI等新技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)前計算系統(tǒng)面臨著帶寬不足的問題。據(jù)臺積電，計算系統(tǒng)需處理的數(shù)據(jù)峰值吞吐量平均每兩年增長1.8倍，而峰值帶寬每兩年增長僅約1.6倍，峰值帶寬較峰值吞吐量的差距愈發(fā)擴大，增加峰值帶寬迫在眉睫，而增加峰值帶寬最有效的方式是增加I/O數(shù)量。12/26行業(yè)|深度|研究報告 大數(shù)據(jù)、AI時代，發(fā)展先進封裝、提升I/O密度是應(yīng)有之義。而提升I/O最直觀的方式即制造更細(xì)的I/O間距（pitch）和更細(xì)線間距（L/S）。具體而言I/O間距包括：1）混合鍵合（hybridbonding，一種將介電鍵（SiOx）與嵌入金屬（Cu）結(jié)合形成互連的工藝技術(shù)）時上下die之間的鍵合間距，可以提高芯片間通信速度，2015年時為2μm級別，到2023年有望升級至1μm以下；2）Bumping工藝中Bump（通常稱作“凸點”或“凸塊”，為先進封裝上下層連接的接觸部分）間距，2015年在200-150μm，2025年有望達(dá)到50μm級別；3）Ball（焊球）間距，2021年之前在1200-350μm級別，2023年有望達(dá)300μm級別。而線間距主要指RDL（重新布線層）的L/S（線間距2015年≥10μm，2023年有望達(dá)2μm級別。先進封裝各細(xì)分類別中，2.5D/3D封裝市場的年復(fù)合增長率最大，高達(dá)14.34%，主要由AI、HPC等應(yīng)用驅(qū)動；而WLCSP（晶圓級封裝）主要用于手機、智能穿戴等主控芯片中，近年來隨著手機總銷量放緩，拖累了WLCSP的復(fù)合增速預(yù)期；SiP（系統(tǒng)級封裝）整體規(guī)模比較穩(wěn)定。13/26行業(yè)|深度|研究報告 傳統(tǒng)工藝先切割裸片再進行封裝，而WLP技術(shù)先封裝后切割。WLP技術(shù)又分為Fan-in（扇入式）和Fan-Out（扇出式），其中Fan-in指布線均在芯片尺寸內(nèi)，適用于封裝較少芯片，封裝密度較低，通常使用金線或其他互連手段連接芯片和封裝基板。Fan-out指布線可在芯片外，適用于封裝多個芯片，封裝密度較高，使用互連技術(shù)將芯片信號引出到基板上的多個引腳。晶圓級封裝優(yōu)點在于：1）減少了封裝所需的額外材料和空間，有助于實現(xiàn)設(shè)備設(shè)計的小巧化；2）通過短距離電連接實現(xiàn)芯片之間的互連，提高了信號傳輸速度；3）提供更好的芯片熱管理能力。WLP技術(shù)為以手機為主的消費類移動設(shè)備提供了高密度內(nèi)部空間的便利，同時提升了數(shù)據(jù)的傳輸速度及穩(wěn)定性。晶圓級封裝是存儲技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。復(fù)盤存儲產(chǎn)品發(fā)展趨勢，PC時代下存儲芯片與邏輯芯片的物理距離在厘米級別，內(nèi)存條、SSD等模組產(chǎn)品采用SMT工藝，可應(yīng)用于PC、工控等領(lǐng)域；移動互聯(lián)網(wǎng)時代中，隨著手機、智能穿戴等終端應(yīng)用快速發(fā)展，存儲芯片與邏輯芯片的物理距離縮短至毫米級別，eMMC、LPDDR、ePOP等采用Pkgin/onPkg、WB、Flip-chip等制造工藝的嵌入式存儲產(chǎn)品得到廣泛應(yīng)用；進入AI時代，存儲芯片與邏輯芯片的物理距離要求縮短至微米級別，采用晶圓級先進封裝的超薄LPDDR、存算合封芯片應(yīng)運而生。先進DRAM存儲器、先進NAND存儲器、存儲與計算整合等領(lǐng)域的發(fā)展均離不開晶圓級封裝技術(shù)的支持，下游AI行業(yè)的迅速發(fā)展和對于封測技術(shù)的需求提升孕育了龐大的市場成長空間。晶圓級封裝技術(shù)先封裝后切割的工序可以提供高密度、細(xì)間距的互聯(lián)方案，減少互聯(lián)路徑，滿足數(shù)據(jù)的傳輸高頻和高速的要求，對于先進DRAM芯片、先進NAND控制器芯片等的性能提升均有益處。同時，目前“存儲墻”、“功耗墻”對算力進一步提升和實現(xiàn)低功耗計算產(chǎn)生了嚴(yán)重制約，業(yè)界普遍探索將存儲與計算進行整合，其中縮短存儲與計算的物理互聯(lián)是技術(shù)發(fā)展的一個重要方向。晶圓級封裝也成為存儲與計算的互聯(lián)關(guān)系發(fā)展的領(lǐng)先路徑之一，滿足先進存儲器發(fā)展需要。14/26行業(yè)|深度|研究報告 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，先進封裝市場規(guī)模有望從2023年的390億美元攀升至2029年的800億美元，其復(fù)合年增長率可達(dá)12.7%。由于2023年半導(dǎo)體行業(yè)表現(xiàn)較為疲軟，先進封裝市場受到波及，市場規(guī)模同比下降3.5%。得益于生成式人工智能和高性能計算（HPC）這兩大長期趨勢有力推動，疊加移動和消費市場回暖以及汽車先進封裝解決方案的拓展，將為先進封裝市場規(guī)模增長注入動力。在先進市的細(xì)分領(lǐng)域中，憑借新技術(shù)的廣泛應(yīng)用以及其提供的高價值解決方案，2.5D/3D封裝有望在未來五年內(nèi)以20.9%的增速脫穎而出，或成為推動整個市場發(fā)展關(guān)鍵力量。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，先進封裝出貨量有望從2023年的709億顆攀升至2029年的976億顆，其復(fù)合年增長率可達(dá)5.5%。其中，WLCSP（晶圓級芯片尺寸封裝）、SiP（系統(tǒng)級封裝）和FCCSP（倒裝芯片級封裝）在出貨量方面處于領(lǐng)先地位。雖然2023年先進封裝出貨量下降2.9%。隨著特定終端市場需求回暖以及先進封裝技術(shù)的持續(xù)應(yīng)用，未來幾年先進封裝出貨量有望維持健康增長。15/26行業(yè)|深度|研究報告 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2023年至2029年期間，先進封裝晶圓總產(chǎn)量（等效300mm）預(yù)計將以11.6%的復(fù)合年增長率持續(xù)增長。其中，SiP和FCCSP在短期內(nèi)仍將占據(jù)主要市場份額；2.5D/3D技術(shù)的增長速度最為迅猛，其復(fù)合年增長率高達(dá)32.1%，主要系受益于人工智能及高性能計算的應(yīng)用，促使芯片面積增大（無論是以SoC還是Chiplet的形式）。市場拐點出現(xiàn)，有望帶動封裝市場增長。未來，在新興市場和半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展帶動下，集成電路繼續(xù)向著小型化、集成化、低功耗方向發(fā)展，附加值更高的先進封裝將得到更多應(yīng)用。16/26行業(yè)|深度|研究報告 公司成立于2017年11月，主要從事集成電路的先進封裝和測試業(yè)務(wù)。公司封裝產(chǎn)品主要包括“高密度細(xì)間距凸點倒裝產(chǎn)品（FC類產(chǎn)品）、系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品（SiP）、晶圓級封裝產(chǎn)品（Bumping及WLP）、扁平無引腳封裝產(chǎn)品（QFN/DFN）、微機電系統(tǒng)傳感器（MEMS）”五大類別。下游客戶主要為集成電路設(shè)計企業(yè)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于射頻前端芯片，AP類SoC芯片，觸控芯片、WiFi芯片、藍(lán)牙芯片、MCU等物聯(lián)網(wǎng)AIoT芯片、電源管理芯片、計算類芯片、工業(yè)類和消費類產(chǎn)品等領(lǐng)域。公司高級管理人員技術(shù)素養(yǎng)過硬。公司高管具有多年半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，在日月光、長電科技等多家海內(nèi)外知名半導(dǎo)體廠商重要崗位扎根多年，產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗豐富。公司封裝業(yè)務(wù)技術(shù)儲備深厚，全部產(chǎn)品均采用中高端先進封裝形式。公司主要客戶以封裝測試一體服務(wù)為主，少量客戶僅在公司進行封裝，委托其他專業(yè)測試廠進行測試。公司全部產(chǎn)品均為QFN、LGA、BGA、FlipChip、Bumping、WLCSP等中高端先進封裝形式，并在系統(tǒng)級封裝（SiP）、高密度細(xì)間距凸點倒裝產(chǎn)品（FC類產(chǎn)品）、大尺寸/細(xì)間距扁平無引腳封裝產(chǎn)品（QFN/DFN）、Bumping/WLP等先進封裝領(lǐng)域具有較為突出的工藝優(yōu)勢和技術(shù)先進性。分產(chǎn)品看，公司營收構(gòu)成呈現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢，系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品（SiP）始終占據(jù)主導(dǎo)地位。SiP2024年收入達(dá)15.90億元（占比約44%，+27.30%yoy）；晶圓級封測產(chǎn)品收入增速亮眼，2024年收入1.06億元，同比大增603.85%，展現(xiàn)強勁增長潛力。17/26行業(yè)|深度|研究報告 從地區(qū)分布來看，境內(nèi)業(yè)務(wù)為主導(dǎo)，境外業(yè)務(wù)呈現(xiàn)快速增長。2024年境外收入達(dá)6.24億元，同比增加258.62%，占比提升至17.65%，主要系2024年客戶所處領(lǐng)域的市場需求回暖以及新業(yè)務(wù)的開展、新客戶的導(dǎo)入所致。海外大客戶取得較大突破，前五大客戶中新增兩家中國臺灣地區(qū)的行業(yè)龍頭設(shè)計公司，海外市場成為新增長引擎。18/26行業(yè)|深度|研究報告 公司產(chǎn)能擴張與市場需求保持同步增長。2024年公司封裝產(chǎn)量達(dá)51.89億顆（+44.99%yoy），銷量51.78億顆（+44.96%yoy），呈現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺態(tài)勢。公司始終保持高水平的產(chǎn)銷平衡，2024年產(chǎn)銷率達(dá)99.79%。2024年公司在客戶端和產(chǎn)品端持續(xù)發(fā)力，稼動率整體保持相對飽和狀態(tài)。公司在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)布局上，一方面注重與先進晶圓工藝制程發(fā)展相匹配，另一方面注重以客戶和市場需求導(dǎo)向為目標(biāo)。結(jié)合半導(dǎo)體封測領(lǐng)域前沿技術(shù)發(fā)展趨勢，以及物聯(lián)網(wǎng)、5G、人工智能、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)呻娐沸酒姆鉁y需求，公司陸續(xù)完成了倒裝和焊線類芯片的系統(tǒng)級混合封裝技術(shù)、5納米晶圓倒裝技術(shù)等技術(shù)的開發(fā)，并成功實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。同時，公司已經(jīng)掌握了系統(tǒng)級封裝電磁屏蔽（EMIShielding）技術(shù)、芯片表面金屬凸點（Bumping）技術(shù)、Fan-in技術(shù)，并積極開發(fā)Fan-out、2.5D/3D等晶圓級封裝技術(shù)、高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù)、大尺寸FC-BGA封裝技術(shù)等，為公司未來業(yè)績可持續(xù)發(fā)展積累了較為深厚的技術(shù)儲備。2010年成立，構(gòu)筑存儲+封測一體化模式。佰維存儲成立于2010年，以存儲器產(chǎn)品起家，同步布局封測制造，構(gòu)筑了研發(fā)封測一體化的經(jīng)營模式，在存儲介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設(shè)計、先進封測、芯片測試設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域。19/26中長期戰(zhàn)略“5+2+X”。其中“5”代表了公司聚焦五大應(yīng)用市場（手機、PC、服務(wù)器、智能穿戴和工車規(guī)），其中在手機、PC、服務(wù)器等三大主要細(xì)分市場著力提升市場份額與核心競爭力，力爭實現(xiàn)與更多一線客戶的深度合作，在智能穿戴和工車規(guī)市場投入戰(zhàn)略性資源，力爭成為主要參與者?！?”代表了公司二次增長曲線的兩個關(guān)鍵布局：芯片設(shè)計和晶圓級先進封測，芯片設(shè)計將為公司打造服務(wù)高性能存儲器奠定堅實的技術(shù)基礎(chǔ)，晶圓級先進封測將構(gòu)建存算合封所需的封裝技術(shù)基礎(chǔ)，確保公司在AI和后摩爾時代的行業(yè)競爭力?！癤”代表了公司對存算一體、新接口、新介質(zhì)和先進測試設(shè)備等創(chuàng)新領(lǐng)域的探索公司領(lǐng)先布局存儲器+先進封測，為客戶提供一站式解決方案服務(wù)。存儲器主要包含嵌入式存儲、PC存儲、工車規(guī)存儲、企業(yè)級存儲、移動存儲及先進封測服務(wù)，覆蓋消費電子、工業(yè)電子、醫(yī)療電子、汽車電子和通信電子等多個下游重要領(lǐng)域，布局完善，應(yīng)用廣闊。特色先進封測服務(wù)以子公司泰來科技作為制造基地，封裝工藝國內(nèi)領(lǐng)先。20/26行業(yè)|深度|研究報告 公司在先進存儲和先進封測領(lǐng)域布局領(lǐng)先。憑借深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新能力，公司在存儲解決方案研發(fā)、主控芯片設(shè)計、存儲器封測/晶圓級先進封測等方面進行全產(chǎn)業(yè)鏈布局，以達(dá)成“成為全球一流的存儲與先進封測廠商”的愿景。公司有望充分受益AI技術(shù)的爆發(fā)式增長以及國產(chǎn)替代進程的加速推進趨勢，進一步提升市場份額，實現(xiàn)業(yè)績的快速增長。公司深耕先進封測業(yè)務(wù)，工藝國內(nèi)領(lǐng)先。子公司泰來科技作為先進封測及存儲器制造基地，專精于存儲器封測及SiP封測，可提供HybridBGA、WBBGA、LGA、QFN、FCBGA、FCCSP等封裝形式的代工服務(wù)，封裝工藝國內(nèi)領(lǐng)先，應(yīng)用場景廣闊，技術(shù)特點優(yōu)異。公司目前掌握16層疊Die、30-40μm超薄Die、多芯片異構(gòu)集成等先進工藝量產(chǎn)能力，達(dá)到國際一流水平。隨著全球AI智能化趨勢加速，大數(shù)據(jù)和高性能算力成為智能時代的核心需求。公司自主開發(fā)的一系列存儲芯片測試設(shè)備及算法配合完善的芯片封測生產(chǎn)模塊工藝流程，已經(jīng)形成了一站式存儲芯片測試解決方案。未來，隨著產(chǎn)能不斷擴充，公司將利用富余產(chǎn)能向存儲器廠商、IC設(shè)計公司、晶圓制造廠商提供代工服務(wù)，形成新的業(yè)務(wù)增長點。21/26行業(yè)|深度|研究報告 公司成立于2005年，專注于傳感器領(lǐng)域的封裝測試業(yè)務(wù)，同時具備8英寸、12英寸晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)封裝線，涵蓋晶圓級到芯片級的一站式綜合封裝服務(wù)能力，為全球晶圓級芯片尺寸封裝服務(wù)的主要提供者與技術(shù)引領(lǐng)者。22/26行業(yè)|深度|研究報告 公司封裝產(chǎn)品主要包括圖像傳感器芯片、生物身份識別芯片、MEMS芯片等，相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在手機、安防監(jiān)控、身份識別、汽車電子、3D傳感等電子領(lǐng)域。同時，公司通過并購及業(yè)務(wù)技術(shù)整合，有效拓展了微型光學(xué)器件的設(shè)計、研發(fā)與制造業(yè)務(wù)，擁有一站式的光學(xué)器件設(shè)計與研發(fā)，完整的晶圓級光學(xué)微型器件核心制造能力，相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體設(shè)備、工業(yè)自動化、車用智能交互等市場領(lǐng)域。公司具備技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新、并將創(chuàng)新技術(shù)實現(xiàn)商業(yè)化的核心能力。除了引進的光學(xué)型晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)、空腔型晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)，公司順應(yīng)市場需求，自主獨立開發(fā)了超薄晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)、硅通孔封裝技術(shù)、扇出型封裝技術(shù)、系統(tǒng)級封裝技術(shù)及應(yīng)用于汽車電子產(chǎn)品的封裝技術(shù)等，這些技術(shù)廣泛應(yīng)用于影像傳感芯片、環(huán)境感應(yīng)芯片、醫(yī)療電子器件、微機電系統(tǒng)、生物身份識別芯片、射頻識別芯片、汽車電子等眾多產(chǎn)品。作為晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)這一新興技術(shù)的實踐者，公司在保持技術(shù)發(fā)展與更新的同時，開發(fā)了CMOS、MEMS、生物身份識別、3D、AR/VR、汽車電子、RF等應(yīng)用市場，核心客戶群體涵蓋SONY、豪威科技、格科微、思特威等全球知名傳感器設(shè)計企業(yè)。2013年，公司獨立承擔(dān)國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》“12英寸硅通孔工藝國產(chǎn)集成電路制造關(guān)鍵設(shè)備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程”項目，創(chuàng)新開發(fā)12英寸晶圓級硅通孔封裝技術(shù)，實現(xiàn)從8英寸向12英寸封裝能力的創(chuàng)新突破，建成全球首條12英寸晶圓級硅通孔封裝量產(chǎn)線；2014年，聯(lián)合承擔(dān)《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》“高密度三維系統(tǒng)集成技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項目，完成了面向產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的12英寸異質(zhì)晶圓三維集成與器件的制作工藝驗證；2017年，獨立承擔(dān)《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》“國產(chǎn)中道工藝高端封測裝備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程”項目，突破汽車電子領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用瓶頸，實現(xiàn)從消費電子向汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，建成全球首條車規(guī)級產(chǎn)品12英寸晶圓級硅通孔封裝技術(shù)量產(chǎn)線。2022年，公司作為牽頭單位獲批承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃“智能傳感器”重點研發(fā)專項：“MEMS傳感器芯片先進封裝測試平臺”項目，項目將針對MEMS產(chǎn)品應(yīng)用需求，開發(fā)整合TSV-Last、Cavity-last等前道工藝能力，實現(xiàn)從影像傳感領(lǐng)域向MEMS領(lǐng)域的拓展突破。截至2024年6月30日，公司及子公司形成了國際化的專利體系布局，已成功申請并獲得授權(quán)的專利共503公司專注于傳感器領(lǐng)域的封裝測試業(yè)務(wù)，封裝產(chǎn)品主要包括圖像傳感器芯片、生物身份識別芯片、MEMS芯片等，相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在手機、安防監(jiān)控、身份識別、汽車電子、3D傳感等電子領(lǐng)域。隨著智能手機、安防、工業(yè)等領(lǐng)域的回暖，智能汽車領(lǐng)域的崛起，無人機、AR/VR、機器視覺等新興領(lǐng)域快速滲透，公司所專注的智能傳感器市場也呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢。另一方面，隨著汽車智能化趨勢的持續(xù)滲透，車規(guī)CIS芯片的應(yīng)用范圍快速增長，公司在車規(guī)CIS領(lǐng)域的封裝業(yè)務(wù)規(guī)模與領(lǐng)先優(yōu)勢持續(xù)提升。公司W(wǎng)LCSP技術(shù)全球領(lǐng)先，其產(chǎn)能是車載CIS封測環(huán)節(jié)的稀缺資源，公司具有大陸稀缺12英寸車載WLCSP產(chǎn)線，背靠行業(yè)大客戶，積極布局新興技術(shù)與賽道，在先進封裝領(lǐng)域進一步拓展應(yīng)用，打開長期成長空間。七、先進封裝發(fā)展展望23/26行業(yè)|深度|研究報告 近些年，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策大力支持、技術(shù)水平持續(xù)進步的基礎(chǔ)上，國產(chǎn)替代開始加速，相對半導(dǎo)體設(shè)計與制造而言，封測行業(yè)技術(shù)壁壘較低，實現(xiàn)了較高程度的國產(chǎn)化。根據(jù)Frost&Sullivan數(shù)據(jù)，中國大陸封測市場規(guī)模由2016年的1564.3億元增長至2020年的2509.5億元，年均復(fù)合增長率達(dá)12.54%，預(yù)測2025年中國大陸封測市場規(guī)模將達(dá)到3551.9億元。從封測業(yè)務(wù)收入結(jié)構(gòu)上來看，中國大陸封測市場仍然以傳統(tǒng)封裝業(yè)務(wù)為主，但隨著新一代信息技術(shù)領(lǐng)域快速發(fā)展，新興應(yīng)用場景對半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能、功耗等要求提升，半導(dǎo)體產(chǎn)品紛紛從傳統(tǒng)封裝