PCB沉銅板電培訓(xùn)教材第一頁，共66頁。課堂守則請將手機、BP機等通訊工具調(diào)到震動狀態(tài)。請勿在上課期間，隨意進出，以免影響其他同事請勿交頭接耳、大聲喧嘩。如有特殊事情，在征得培訓(xùn)導(dǎo)師的同意的情況下，方可離場。以上守則，各位學(xué)員共同遵守第二頁，共66頁。PTH-鍍通孔7.1制程目的

雙面板以上完成鉆孔后即進行鍍通孔(PlatedThroughHole,PTH)步驟，其目的使孔壁上之非導(dǎo)體部份之樹脂及玻纖束進行金屬化(metalization),以進行后來之電鍍銅制程,完成足夠?qū)щ娂昂附又饘倏妆凇?/p>

1986年，美國有一家化學(xué)公司Hunt宣布PTH不再需要傳統(tǒng)的貴金屬及無電銅的金屬化制程,可用碳粉的涂布成為通電的媒介，商名為"Blackhole"。之后陸續(xù)有其它不同base產(chǎn)品上市,國內(nèi)使用者非常多.除傳統(tǒng)PTH外,直接電鍍(directplating)本章節(jié)也會述及.第三頁，共66頁。7.2制造流程

去毛頭→除膠渣→PTH→一次銅

7.2.1.去披鋒(deburr)

鉆完孔后,若是鉆孔條件不適當(dāng),孔邊緣有 1.未切斷銅絲2.未切斷玻纖的殘留,稱為burr. 因其要斷不斷,而且粗糙,若不將之去除,可能造成通孔不良及孔小,因此鉆孔后會有de-burr制程.也有de-burr是放在Desmear之后才作業(yè). 一般de-burr是用機器刷磨,且會加入超音波及高壓沖洗的應(yīng)用.可參考表4.1

PTH-鍍通孔第四頁，共66頁。PTH-鍍通孔刷輪材質(zhì)Mesh數(shù)控制方式其他特殊設(shè)計Deburr去巴里Bristle鬃毛刷#180or#240電壓、電流板厚高壓后噴水洗前超音波水洗內(nèi)層壓膜前處理BristleNylon#600Grids電壓、電流板厚后面可加去脂或微蝕處理外層壓膜前處理BristleNylon#320Grits電壓、電流板厚后面可加去脂或微蝕處理S/M前表面處理Nylon#600Grits~#1200Grits電壓、電流板厚有刷磨而以氧化處理的第五頁，共66頁。7.2.2.除膠渣(Desmear)

A.目的:

a.Desmear

b.CreateMicro-rough增加adhesionB.Smear產(chǎn)生的原因:

由于鉆孔時造成的高溫Resin超過Tg值，而形成融熔狀，終致產(chǎn)生膠渣

此膠渣產(chǎn)生于內(nèi)層銅邊緣及孔壁區(qū)，會造成P.I.(Poorlnterconnection)C.Desmear的四種方法:

硫酸法(SulfericAcid)、電漿法(Plasma)、鉻酸法(CromicAcid)、高錳酸鉀法(Permanganate).

PTH-鍍通孔第六頁，共66頁。C.Desmear的四種方法:

硫酸法(SulfericAcid)、電漿法(Plasma)、鉻酸法(CromicAcid)、高錳酸鉀法(Permanganate).硫酸法必須保持高濃度，但硫酸本身為脫水劑很難保持高濃度，且咬蝕出的孔面光滑無微孔，并不適用。電漿法效率慢且多為批次生產(chǎn)，而處理后大多仍必須配合其它濕制程處理，因此除非生產(chǎn)特殊板大多不予采用。鉻酸法咬蝕速度快，但微孔的產(chǎn)生并不理想，且廢水不易處理又有致癌的潛在風(fēng)險，故漸被淘汰。高錳酸鉀法因配合溶劑制程，可以產(chǎn)生微孔。同時由于還原電極的推出，使槽液安定性獲得較佳控制，因此目前較被普遍使用。PTH-鍍通孔第七頁，共66頁。7.2.2.1高錳酸鉀法(KMnO4Process):膨松劑(Sweller):

a.功能:軟化膨松Epoxy，降低Polymer間的鍵結(jié)能，使KMnO4

更易咬蝕形成Micro-rough。 b.影響因素:見圖7.1PTH-鍍通孔第八頁，共66頁。7.2.2.1高錳酸鉀法安全:不可和KMnO4

直接混合，以免產(chǎn)生強烈氧化還原，發(fā)生火災(zāi)。

d.原理解釋:(1)見圖7.2PTH-鍍通孔第九頁，共66頁。

7.2.2.1高錳酸鉀法初期溶出可降低較弱的鍵結(jié)，使其鍵結(jié)間有了明顯的差異。若浸泡過長，強的鏈接也漸次降低，終致整塊成為低鏈接能的表面。如果達到如此狀態(tài)，將無法形成不同強度結(jié)面。若浸泡過短，則無法形成低鍵結(jié)及鍵結(jié)差異，如此將使KMnO4咬蝕難以形成蜂窩面，終致影響到PTH的效果。

PTH-鍍通孔第十頁，共66頁。(2)SurfaceTension的問題:

無論大小孔皆有可能有氣泡殘留，而表面張力對孔內(nèi)Wetting也影響頗大。故采用較高溫操作有助于降低SurfaceTension及去除氣泡。至于濃度的問題，為使Dragout降低減少消耗而使用略低濃度，事實上較高濃度也可操作且速度較快。

在制程中必須先Wetting孔內(nèi)壁，以后才能使藥液進入作用，否則有空氣殘留后續(xù)制程更不易進入孔內(nèi)，其Smear將不可能去除。PTH-鍍通孔第十一頁，共66頁。

B.除膠劑(KMnO4):使用KMnO4的原因:選KMnO4而未選NaMnO4是因為KMnO4溶解度較佳,單價也較低。反應(yīng)原理:

4MnO4-+C+4OH-→MnO4=+CO2+2H2O(此為主反應(yīng)式)2MnO4-+2OH-→2MnO4=+1/2O2+H2O(此為高PH值時自發(fā)性分解反應(yīng))MnO4-+H2O→MnO2+2OH-+1/2O2(此為自然反應(yīng)會造成Mn+4沉淀)

PTH-鍍通孔第十二頁，共66頁。B.除膠劑(KMnO4):c.作業(yè)方式:早期采用氧化添加劑的方式，目前多用電極還原的方式操作，不穩(wěn)定的問題已獲解決。

d.過程中其化學(xué)成份狀況皆以分析得知，但Mn+7為紫色,Mn+6為綠色,Mn+4為黑色，可由直觀的色度來直接判斷大略狀態(tài)。若有不正常發(fā)生，則可能是電極效率出了問題須注意。

PTH-鍍通孔第十三頁，共66頁。B.除膠劑(KMnO4):e.咬蝕速率的影響因素:見圖7.3PTH-鍍通孔第十四頁，共66頁。B.除膠劑(KMnO4):f.電極的好處:(1).使槽液壽命增長(2).品質(zhì)穩(wěn)定且無By-product，其兩者比較如圖7.4

PTH-鍍通孔第十五頁，共66頁。B.除膠劑(KMnO4):g.KMnO4形成Micro-rough的原因:由于Sweller造成膨松，且有結(jié)合力之強弱，如此使咬蝕時產(chǎn)生選擇性，而形成所謂的Micro-rough。但如因過度咬蝕，將再度平滑。h.咬蝕能力也會隨基材之不同而有所改變。PTH-鍍通孔第十六頁，共66頁。B.除膠劑(KMnO4):i.電極必須留心保養(yǎng)，電極效率較難定出絕對標(biāo)準(zhǔn)，且也很難確認(rèn)是否足夠應(yīng)付實際需要。故平時所得經(jīng)驗及廠商所提供資料，可加一系數(shù)做計算，以為電極需求參考。

PTH-鍍通孔第十七頁，共66頁。

C.中和劑(Neutralizer):a.NaHSO3是可用的Neutralizer之一，其原理皆類似Mn+7orMm+6orMn+4(Neutralizer)->Mn+2(Soluable)b.為免于PinkRing，在選擇Acidbase必須考慮。HCl及H2SO4系列都有，但Cl易攻擊OxideLayer，所以用H2SO4為Base的酸較佳。c.藥液使用消耗分別以H2SO4及Neutralizer，用Auto-dosing來補充,維護。

PTH-鍍通孔第十八頁，共66頁。7.2.2.2.整條生產(chǎn)線的考慮:A.Cycletime：每Rack(Basket)進出某類槽的頻率(時間)。B.產(chǎn)能計算:(Workinghours/Cycletime)*(FIightBar/Hoist)*(Racks/FlightBar)*(SF/Rack)=SF/Mon

PTH-鍍通孔第十九頁，共66頁。7.2.2.2.整條生產(chǎn)線的考慮:C.除膠渣前Pre-baking對板子的影響:見下圖

a.由于2.在壓合后己經(jīng)過兩次Cure，結(jié)構(gòu)會比1,3Cure

更完全，故Baking會使結(jié)構(gòu)均一，壓板不足處得以補償。b.多量的氧，氧化了Resin間的Bonding，使咬蝕速率加劇2~3倍。且使1,2,3區(qū)較均一。

c.釋放Stress，減少產(chǎn)生Void的機會.PTH-鍍通孔第二十頁，共66頁。第二十一頁，共66頁。7.2.2.3.制程內(nèi)主要反應(yīng)及化學(xué)名稱:

A．化學(xué)反應(yīng):a.主要反應(yīng)

4MnO4-+4OH-+Epoxy→4MnO4=+CO2↑+2H2Ob.副反應(yīng)：

2MnO4-+2OH-←→2MnO4=+1/2O2+H2O(Sidereaction)

MnO4=+H2O(CI-/SO4=/CatalyzeRx.)→MnO2↓+2OH-+1/2O2

PTH-鍍通孔第二十二頁，共66頁。7.2.2.3.制程內(nèi)主要反應(yīng)及化學(xué)名稱:(Precipitationformation)2MnO4=+NaOCl+H2O→2MnO4-+2OH-+NaCl4MnO4=+NaS2O8+H2SO4→4MnO4-+2OH-+2Na2SO4

4MnO4=+K2S2O8+H2SO4→4MnO4-+2OH-+2K2SO4(ForChemicalregenerationtypeprocessreaction)2MnO4=+1/2O2+H2O←→2MnO4-+2OH-

(Electrolyticreaction:NeedreplenishairforOxyenconsumption)

PTH-鍍通孔第二十三頁，共66頁。B.化學(xué)品名稱：

MnO4-Permanganate NaS2O8SodiumPersulfate

MnO4=Manganate S2O4-Sulfate

OH-Hydroxide(Caustic) CO2CarbonDioxide

NaOClSodiumHydrochlorideMnO2ManganeseDioxidePTH-鍍通孔第二十四頁，共66頁。7.2.2.4.典型的DesmearProcess:見表

SequenceSolutionMakeUpControlrangeOperationTemp.AnalysisDump1SwellerSweller55%D.I.Water45%Solvent40-70%76±23T/W2Rinse*3CTwater45±1stStepRT2ndStepRT3rdStep1T/2D1T/2D1T/2D3KMnO4101:85g/l102:6%D.I.Water101:70-100g/lN:1-1.376±23T/W4Rinse*3CTwater45±1stStepRT2ndStepRT3rdStep2T/D2T/D2T/D5Reducer*2Reducer10%H2SO45%D.I.WaterReducer8-12%H2SO44-7%RT1stStep35±32ndStep2T/W1T/3D1T/W6Rinse*2CTWaterRT7HotAir100±15第二十五頁，共66頁。7.2.2.5.PocketVoid的解釋:A.說法一：Sweller殘留在Glassfiber中，在Thermalcycle時爆開。B.說法二：見下圖。PTH-鍍通孔第二十六頁，共66頁。7.2.2.5.PocketVoid的解釋:

a．壓板過程不良，Stress積存，上錫過程中力量釋出所致。

b．在膨漲中如果銅結(jié)合力強，而Resin釋出Stress方向呈Z軸方向，當(dāng)Curing不良而Stress過大時則易形成a之?dāng)嗔?，如果孔銅結(jié)合力弱則易形成b

之Resinrecession

結(jié)合力好而內(nèi)部樹脂不夠強軔則出現(xiàn)c之Pocketvoid。C﹒如果爆開而形成銅凸出者稱為Pullaway。

PTH-鍍通孔第二十七頁，共66頁。7.2.3化學(xué)銅(PTH)

PTH系統(tǒng)概念分為酸性及堿性系統(tǒng)，特性依基本觀念而有不同。7.2.3.1酸性系統(tǒng)：

A.基本制程：

Conditioner→Microetch→Catalpretreatment→Cataldeposit→Accelerator→ElectrolessDepositPTH-鍍通孔第二十八頁，共66頁。

B.單一步驟功能說明：整孔Conditioner：

1.Desmear后孔內(nèi)呈現(xiàn)Bipolar現(xiàn)象，其中Cu呈現(xiàn)高電位正電Glassfiber、Epoxy呈負(fù)電。2.為使孔內(nèi)呈現(xiàn)適當(dāng)狀態(tài)，Conditioner具有兩種基本功能。(1)Cleaner：清潔表面(2)Conditioner：使孔壁呈正電性，以利Pd/SnColloid負(fù)電離子團吸附。

PTH-鍍通孔第二十九頁，共66頁。B.單一步驟功能說明：3.一般而言粒子間作用力大小如表

PTH-鍍通孔因而此類藥液系統(tǒng)會有吸附過多或Colloid過多的吸附是否可洗去之顧慮。VenderWaltsHydrogenBondIonicBondCovalentForce110100~300300Ads.Thickness<10A30~50A50~200AUndefined第三十頁，共66頁。B.單一步驟功能說明：

4.Conditioner若DragIn至Activator槽，會使Pd+離子團降低.b.微蝕Microetch

1.Microetching旨在清除表面之Conditioner所形成的Film。2.此同時亦可清洗銅面殘留的氧化物。

PTH-鍍通孔第三十一頁，共66頁。c.預(yù)活化Catalpretreatment

1.為避免Microetch形成的銅離子帶入Pd/Sn槽，預(yù)浸以減少帶入。2.降低孔壁的SurfaceTension。

d.活化Cataldeposit

PTH-鍍通孔第三十二頁，共66頁。

1.一般Pd膠體皆以以下結(jié)構(gòu)存在：見下圖。

2.Pd2+：Sn2+：Cl-=1：6：12較安定PTH-鍍通孔第三十三頁，共66頁。3.一般膠體的架構(gòu)方式是以以下方式結(jié)合：見下圖當(dāng)吸附時由于Cl會產(chǎn)生架橋作用，且其半徑較大使其吸附不易良好，尤其如果孔內(nèi)的Roughness不適當(dāng)更可能造成問題。PTH-鍍通孔第三十四頁，共66頁。4、孔壁吸附了負(fù)離子團，即中和形成中和電性。第三十五頁，共66頁。PTH-鍍通孔第三十六頁，共66頁。e.速化Accelerator

Pd膠體吸附后必須去除Sn，使Pd2+曝露，如此才能在未來無電解銅中產(chǎn)生催化作用形成化學(xué)銅?；净瘜W(xué)反應(yīng)為：

Pd+2/Sn+2(HF)→Pd+2(ad)+Sn+2(aq)

Pd+2(ad)(HCHO)→Pd(s)

PTH-鍍通孔第三十七頁，共66頁。3.一般而言Sn與Pd特性不同，Pd為貴金屬而Sn則不然因此其主反應(yīng)可如下：Sn+2Sn+4+6F-→SnF6-2orSn+2+4F-→SnF4-2

而Pd則有兩種情形：

PH>=4 Pd+2+2(OH)-→Pd(OH)2

PH<4 Pd+2+6F-→PdF6-4PTH-鍍通孔第三十八頁，共66頁。Pd吸附在本系統(tǒng)中本身就不易均勻，故速化所能發(fā)揮的效果就極受限制。除去不足時會產(chǎn)生P.I.，而過長時則可能因為過份去除產(chǎn)生破洞，這也是何以Back_light觀察時會有缺點的原因。5.活化后水洗不足或浸泡太久會形成Sn+2Sn(OH)2

或Sn(OH)4，此易形成膠體膜.而Sn+4過高也會形成Sn(OH)4，尤其在Pd吸太多時易呈PTH粗糙。6.液中懸浮粒子多，易形成PTH粗糙。

PTH-鍍通孔第三十九頁，共66頁。f.化學(xué)銅沉積ElectrolessDeposit

利用孔內(nèi)沉積的Pd催化無電解銅與HCHO作用,使化學(xué)銅沉積。

Pd在化學(xué)銅槽的功能有二：

(1)作為Catalyst吸附OH-之主體，加速HCHO的反應(yīng)。

(2)作為Conductor，以利e-轉(zhuǎn)移至Cu+2上形成Cu沉積。其基本反應(yīng)及Mechanism見下圖。PTH-鍍通孔第四十頁，共66頁。PTH-鍍通孔第四十一頁，共66頁。f.化學(xué)銅沉積ElectrolessDeposit

4.由于槽液在操作開始時缺少H2含量，故其活性可能不夠而且改變溫度也易使槽液不穩(wěn)定。故在操作前一般先以Dummyboards先行提升活性再作生產(chǎn)，才能達到操作要求。5.Bathloading也因上述要求而有極大的影響，太高的Bathloading會造成過度的活化而使槽液不安定。相反若太低則會因H2的流失而形成沉積速率過低。故其Max與Min值應(yīng)與廠商確認(rèn)做出建議值。6.如果溫度過高，[NaOH],[HCHO]濃度不當(dāng)或者Pd+2累積過高都可能造成P.I.或PTH粗糙的問題。

PTH-鍍通孔第四十二頁，共66頁。

g.整個反應(yīng)狀態(tài)見圖7.10所示

PTH-鍍通孔第四十三頁，共66頁。7.2.3.2、堿性系統(tǒng)：

基本制程：

Conditioner→EtchCleaner→Catalpretreatment→Activator→Reducer→ElectrolessCopperB.單一步驟功能說明

a.Conditioner：Wettingagent+10g/lNaOH(A)

PTH-鍍通孔第四十四頁，共66頁。a.Conditioner：以Wettingagent的觀念，而非電性中和，如此可形成較薄的Film約300A，且均勻而不致有附著不上或太厚之虞。2.基本方式系以親水基與疏水基之特有Dipole特性使Wettingagent被水排擠，快速吸附至孔壁。因其形成之單層膜不易再附上其它Conditioner而與Cleaner共同作用洗去多余雜質(zhì)。

PTH-鍍通孔第四十五頁，共66頁。a.Conditioner：3.其設(shè)計是一道酸一道堿的藥液浸泡，使各種不同來源的板子皆有良好的wetting作用,其Formula：Wettingagent+10ml/lH2SO4。4.若水質(zhì)不潔而含M+2(如：Ca+2、Mg+2、Fe+2等)則Amine及Wettingagent易與之結(jié)合而形成沉淀，故水質(zhì)硬度應(yīng)特別留意。

PTH-鍍通孔第四十六頁，共66頁。Conditioner：

5.當(dāng)板子浸入水中，Cu正電迅速與OH-中和而呈負(fù)電。而Dipole靜電力有限，不致形成多層覆蓋，故無Overcondition的顧慮。b.Etchcleaner：(SPS與H2SO4/H2O2兩種)

基本功能與酸性系列相似(SPS：10g/l)

c.Catalpretreatmen)：同Activator但少Complex。

PTH-鍍通孔第四十七頁，共66頁。

d.Activator：Activator+Pd(Amine)complex1.基本上此系列的Pd，是由Amine類形成的Complex，2.其特點如下：(1)Pd(Amine)+2呈正電荷，可吸附在Conditioner上而甚少吸附在銅上，少有P.I.問題(2)沒有Sn形成的Colloid，其粒子較小，結(jié)晶較密且少有Sn(OH)2、Sn(OH)4析出問題。也沒有Sn+2+Fe+2Sn+4+Cu作用。(3)無Cl-在外圍，由于Cl-會與Polyimide材料產(chǎn)生作用，故無Cl-

會有較廣的適用性。

PTH-鍍通孔第四十八頁，共66頁。d.Activator：Activator+Pd(Amine)complex

由于Pd(Amine)+2Pd+2+Amine為一平衡反應(yīng)，吸附反應(yīng)十分快，且由于粒子小空隙低因而致密性佳。(5)Impurity少有殘留，且吸附Pd+2少，故能有較少P.I.機會(6)由于無Cl-,對Black-Oxide的attack相對減少，故PinkRing較輕。由于吸附較密，將來作無電解銅時Coverage也會較密較好。PTH-鍍通孔第四十九頁，共66頁。

e.整個反應(yīng)狀態(tài)見圖7.11所示PTH-鍍通孔第五十頁，共66頁。7.2.4一次銅(Panelplating)非導(dǎo)體的孔壁經(jīng)PTH金屬化后，立即進行電鍍銅制程,其目的是鍍上200~500微英吋以保護僅有20~40微英寸厚的化學(xué)銅被后制程破壞而造成孔破(Void)。

有關(guān)銅電鍍基本理論及實際作業(yè)請參看二次銅更詳細(xì)的解說.PanelPlating板面電鍍第五十一頁，共66頁。7.3.厚化銅傳統(tǒng)金屬化之化學(xué)銅的厚度僅約20~30微寸，無法單獨存在于制程中，必須再做一次全板面的電鍍銅始能進行圖形的轉(zhuǎn)移如印刷或干膜。但若能把化學(xué)銅層的厚度提高到100微寸左右，則自然可以直接做線路轉(zhuǎn)移的工作，無需再一道全板的電鍍銅步驟而省卻了設(shè)備，藥水、人力、及時間，并達到簡化制程減少問題的良好目標(biāo)。

因此有厚化銅制程出現(xiàn)，此一方式已經(jīng)實際生產(chǎn)線上進行十?dāng)?shù)年，由于鍍液管理困難分析添加之設(shè)備需要較高層次之技術(shù)，成本居高不下等,此制程已經(jīng)勢微。

PTH-鍍通孔PanelPlating板面電鍍第五十二頁，共66頁。厚化銅的領(lǐng)域又可分為:

A.“半加成Semi-Additive”式是完全為了取代全板面電鍍銅制程.B.“全加成FullyAdditive”式則是用于制造加成法線路板所用的。日本某些商用消費性電子產(chǎn)品用24小時以上的長時間的全加成鍍銅，而且只鍍在孔及線路部份。日本之外尚不多見,高雄日立化成數(shù)年前尚有CC-41制程,目前已關(guān)掉該生產(chǎn)線。PanelPlating板面電鍍第五十三頁，共66頁。7.3.1厚化銅基本觀念

a.厚化銅也仍然采用與傳統(tǒng)無電銅相似的配方，即仍以銅離子、強堿、及甲醛做為反應(yīng)的原動力，但與溫度及其所產(chǎn)生的副產(chǎn)物關(guān)系較大。b.無電銅因厚度很薄,內(nèi)應(yīng)力(InnerStress)影響不大,故不需重視，但厚化銅則必須考慮。也就是說厚化銅與板面銅箔間的附著力也為關(guān)鍵，應(yīng)特別注意其鍍前活化之過程如整孔及微蝕是否完美?？刂撇缓脮r可能發(fā)生孔壁剝離(pullaway)及板面脫皮。

PanelPlating板面電鍍第五十四頁，共66頁。7.3.1厚化銅基本觀念

c.厚化銅之外表能接受油墨或干膜之附著，所以印刷前盡少做磨刷或其它化學(xué)粗化。在阻劑完成轉(zhuǎn)移后又要能耐得環(huán)境的氧化,而且也要耐得最低起碼的活性清洗及活化。

d.厚化銅主要的目的是既能完成非導(dǎo)體的金屬化同時又可取代一次鍍銅，能夠發(fā)揮大量的設(shè)備、人力、物料、及操作時間的節(jié)省，但化學(xué)銅槽本身比傳統(tǒng)的無電銅要貴管理不易，要利用特定的自動添加設(shè)備。

PanelPlating板面電鍍第五十五頁，共66頁。

7.3.1厚化銅基本觀念

e.前處理之各制程比傳統(tǒng)PTH要更謹(jǐn)慎，原因是化學(xué)銅的沉積是靠銅離子在板子上之活化生長點(Activesites)還原出銅金屬并增厚，當(dāng)此等生長點被銅覆蓋后其它板面上又逐次出現(xiàn)新的生長點再接受銅的沉積，電鍍銅的沉積則不但向上發(fā)展,也能橫向延伸。故萬一底材未能在前處理制程中完成良好的活化時則會造成孔破(HoleVoid)，而且經(jīng)過干膜或印刷后,可能進一步的惡化，終必成為板子品質(zhì)上極大的隱憂。PanelPlating板面電鍍第五十六頁，共66頁。7.4直接電鍍(Directplating)

由于化學(xué)銅的制程中，有很多對人體健康有害的成份(如甲醛會致癌)，以及廢水處理(如有Chelate)有不良影響的成份，因此早在10多年前就有取代傳統(tǒng)PTH所謂DirectPlating(不須靠化學(xué)銅的銅當(dāng)導(dǎo)體)商品出現(xiàn)，至今在臺灣量產(chǎn)亦有很多條線。 但放眼國外，除歐洲應(yīng)用者很多以外，美、日(尤其是美國)并不普偏，一些大的電子公司(如制造計算機、大哥大等)并不Approve直接電鍍制程，這也是國內(nèi)此制程普及率尚低的原因之一。PanelPlating板面電鍍第五十七頁，共66頁。7.4.1直接電鍍種類

大致上可歸為三種替代銅的導(dǎo)體

A.Carbon-碳粉(Graphite同)

B.ConductivePolymer-導(dǎo)體高分子

C.Palladium-鈀金屬

7.4.2直接電鍍后續(xù)制程有兩種方式:

A.一次鍍銅后,再做影像轉(zhuǎn)移及二次鍍銅

B.直接做影像轉(zhuǎn)移及線路電鍍PanelPlating板面電鍍第五十八頁，共66頁。

表中歸納目前國內(nèi)已使用中的直接電鍍各商品之分析制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet媒介種類Palladium-Based媒介附著特性半選擇性Cu:50%Re:100%Gf:60%非選擇性Cu:5%Re:100%GF:60%非選擇性Cu:5%Re:60%Gf:100%導(dǎo)電（ohm)0.5~52000~2000010000~80000第五十九頁，共66頁。制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet制程特性Pd-Sn膠體靠Sn+2+Cu+2→Sn+4+Cu反應(yīng)將銅析出附著上銅面。.導(dǎo)電性佳.不須咬銅將Pd-Sn硫化成Pd-SnS-導(dǎo)電性佳以Pd/organiccolloid附著于銅面上，再以酸浸移除銅面有機物。-僅咬銅0.5~1μm-制程微短-玻璃纖維附著力佳M-Etch量0μm3~6μm0.5~1μm（續(xù)）第六十頁，共66頁。制造商ShipleyRonalAtotechAPTIBC商品名ConductronDPCrimsonNeopactABCPolymet廢水處理性直接外層電鍍可行性