1先進(jìn)制程關(guān)鍵器件層刻蝕及表面處理超低損傷技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)本文件規(guī)定了先進(jìn)制程關(guān)鍵器件層刻蝕及表面處理超低損傷技術(shù)的術(shù)語和定義、不同類型層刻蝕損傷要求、表面處理損傷要求、檢驗方法及超低損傷3.13.2在先進(jìn)半導(dǎo)體制造（如3nm/2nm節(jié)點）中，層刻蝕超低損傷技術(shù)是確保器件性能、可靠性和良率的3.33.4TEM/C-V/AFM三聯(lián)動three-waycouplingo對先進(jìn)制程（3nm及以下節(jié)點）物理轟擊損傷采用的從原子結(jié)構(gòu)（TEM）、電學(xué)性能（C3.5化學(xué)污染損傷chemicalpollution23.6矛盾是化學(xué)反應(yīng)特異性不足與三維結(jié)構(gòu)保真度需求之3.73.83.93.10括晶格結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能和化學(xué)成分）的負(fù)面影響控制在原子級精度的技術(shù)體系。其核心目標(biāo)是實現(xiàn)"零界面態(tài)"（Dit≈0）和"零晶格畸變"的表4縮略語Si/SiO?界面Silicon/SiliconDioxideInterface硅/二氧化硅界面Si-H/Si-O鍵Silicon-Hydrogen/Silicon-OxygenBond硅-TaSiNTantalumSiliconNitride鉭硅氮化物（耐熱掩TEMTransmissionElectronMicroscopy透射電子顯HR-TEMHigh-ResolutionTEM高分辨透射電鏡3AFMAtomicForceMicroscopy原子力顯微鏡CAFMConductiveAFM導(dǎo)電原子SEMScanningElectronMicroscopyCD-SEMCriticalDimensionSEM關(guān)鍵尺XPSX-rayPhotoelectronSpectroscopyX射線光電XRDX-rayDiffractionX射線TOF-SIMSTime-of-FlightSIMS飛行時間二TXRFTotalReflectionX-rayFluorescence全反射X射線VPD-TXRFVaporPhaseDecompositionTXRF氣相分解-全反射X射線熒光ELLSEnergy-LossNear-EdgeStructureRamanRamanSpectroscopyARPESAngle-ResolvedPhotoemissionSpectroscopy角分辨光電子能譜SRPSpreadingResistanceProfilinDLTSDeepLevelTransientSpectroscopy深能級瞬PASPositronAnnihilationSpectroscopy正電子湮OESOpticalEmissionSpectroscopyQCMQuartzCrystalMicrobalance石英SKPMScanningKelvinProbeMicroscopy掃描開爾KelvinProbeKelvinProbeForceMicroscopy開爾文探針ALEAtomicLayerEtching原子層刻蝕ALDAtomicLayerDeposition原子層沉積ATMAtomicTreatmentMethod原子級處理方法（非標(biāo)準(zhǔn)縮寫）DutyCyclePulseDutyCycle脈沖TDDBTime-DependentDielectricBreakdown經(jīng)時RTNRandomTelegraphNoise隨機(jī)4Fowler-NordheimFowler-NordheimTunneling福勒-諾德海姆隧穿DitInterfaceTrapStressThermal/MechanicalStresRamanShiftRamanSpectLamResearchAutoSelect?LamResearchAutoSelect?System泛林集團(tuán)自動選擇系統(tǒng)（氣體LamResearchPulsion?LamResearchPulsion?Technology泛林集團(tuán)脈沖等HBr/HeHydrogenBromide/HeliumMixture溴化氫/氦混合氣體×1012cm-2·eV-1),柵氧AFM顯示表面RMS粗糙高能離子穿透表面嵌入淺表層(﹤），度5.1.2.1非晶層厚度5.1.2.2位移損傷密度55.1.2.5應(yīng)力變化量5.1.3.1非晶層厚度采用高分辨TEM（HR-TEM）截面分析，電子能量損失譜（EELS）進(jìn)5.1.3.2位移損傷密度），5.1.3.5應(yīng)力變化量），5.1.3.6超低損傷控制亞穩(wěn)態(tài)激發(fā)，過濾更多高能離子（>99.9%實現(xiàn)更低損5.1.3.6.2能量調(diào)控脈沖技術(shù)（DutyCycle不同范圍選擇），有效使用多向離子注入系統(tǒng)（如ICP中加裝聚焦電極和過濾系統(tǒng)）減少垂直轟擊6側(cè)壁鈍化膜（SiBr?)過厚/過薄5.2.2.2金屬雜質(zhì)濃度Fe/Cu應(yīng)﹤5×109atoms/cm2。5.2.2.3碳聚合物厚度5.2.2.4氧化態(tài)變化5.2.2.5選擇比偏離度5.2.3.2金屬雜質(zhì)濃度5.2.3.3碳聚合物厚度75.2.3.4氧化態(tài)變化5.2.3.5選擇比偏離度5.2.4.1氣體化學(xué)優(yōu)化5.2.4.2腔體潔凈技術(shù)5.2.4.3后處理工藝8AFM檢測到高度>10nm的橋接5.3.2.1絕對選擇比5.3.2.2局部選擇比5.3.2.3深寬比依賴選擇比5.3.2.4時間分辨選擇比5.3.3.1絕對選擇比5.3.3.2局部選擇比5.3.3.3深寬比依賴選擇比5.3.3.4時間分辨選擇比5.3.4.1化學(xué)調(diào)控95.3.4.3脈沖氣體5.3.4.4物理輔助低能離子束(﹤30eV）輔助增強(qiáng)SiN表面鈍化層致密性。低溫（-20℃)抑制Si橫向反應(yīng)，各向異性5.4熱損傷5.4.2.1峰值溫度5.4.2.2溫度梯度5.4.2.3熱預(yù)算5.4.2.4熱循環(huán)次數(shù)5.4.3.1峰值溫度5.4.3.2溫度梯度5.4.3.3熱預(yù)算5.4.3.4熱循環(huán)次數(shù)5.4.4.1溫度主動調(diào)控），5.4.4.2材料優(yōu)化5.4.4.3工藝創(chuàng)新5.5.2.1表面電位5.5.2.2陷阱電荷密度應(yīng)﹤5×101?cm-2。5.5.2.3介質(zhì)漏電流5.5.2.4天線比敏感度5.5.3.1表面電位采用表面電位探針（KelvinProbe5.5.3.2陷阱電荷密度5.5.3.3介質(zhì)漏電流5.5.3.4天線比敏感度采用專用測試結(jié)構(gòu)（天線比1-1000）進(jìn)行5.5.3.5器件設(shè)計5.5.3.6工藝優(yōu)化），XPS檢測到S