壓電石英晶片加工工職業(yè)技能鑒定經(jīng)典試題含答案工種：壓電石英晶片加工工等級(jí)：中級(jí)時(shí)間：90分鐘滿(mǎn)分：100分---一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共20分）1.石英晶片的主要化學(xué)成分是（）。A.SiO?B.CaCO?C.NaClD.Al?O?2.石英晶片加工中常用的磨料是（）。A.氧化鋁B.碳化硅C.二氧化硅D.氮化硼3.石英晶片研磨時(shí)，常用的冷卻液是（）。A.機(jī)油B.蒸餾水C.煤油D.丙酮4.石英晶片拋光時(shí)，常用的拋光劑是（）。A.碳酸鈣B.氫氧化鈉C.硅酸鈉D.硫酸銅5.石英晶片表面粗糙度通常用（）表示。A.RaB.RzC.RyD.Rq6.石英晶片切割常用工具是（）。A.金剛石圓鋸片B.高速鋼銑刀C.砂輪磨頭D.激光切割頭7.石英晶片清洗常用溶劑是（）。A.乙醇B.丙酮C.汽油D.氯仿8.石英晶片厚度檢測(cè)常用儀器是（）。A.千分尺B.測(cè)厚儀C.光學(xué)顯微鏡D.萬(wàn)能顯微鏡9.石英晶片晶向角檢測(cè)常用儀器是（）。A.萬(wàn)能角度尺B.晶向角測(cè)量?jī)xC.三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)D.輪廓投影儀10.石英晶片電性能測(cè)試常用儀器是（）。A.LCR電橋B.示波器C.頻率計(jì)D.萬(wàn)用表11.石英晶片研磨壓力通?？刂圃冢ǎ┓秶鷥?nèi)。A.0.1–0.5MPaB.1–5MPaC.10–50MPaD.100–500MPa12.石英晶片拋光溫度通?？刂圃冢ǎ┓秶鷥?nèi)。A.20–30°CB.30–40°CC.40–50°CD.50–60°C13.石英晶片表面缺陷常用（）檢測(cè)。A.光學(xué)顯微鏡B.掃描電鏡（SEM）C.能譜儀（EDS）D.X射線衍射儀14.石英晶片切割方向通常與（）平行。A.晶面B.晶棱C.晶向D.晶軸15.石英晶片清洗后，常用（）干燥。A.熱風(fēng)B.真空干燥C.濾紙擦拭D.無(wú)水乙醇揮發(fā)16.石英晶片研磨后，常用（）去除磨粒。A.蒸餾水沖洗B.乙醇清洗C.真空吸除D.空氣吹掃17.石英晶片拋光后，常用（）進(jìn)行表面拋光。A.堿性?huà)伖飧郆.酸性?huà)伖飧郈.中性?huà)伖飧郉.金屬拋光膏18.石英晶片厚度偏差通常控制在（）范圍內(nèi)。A.±5μmB.±10μmC.±20μmD.±50μm19.石英晶片晶向角偏差通?？刂圃冢ǎ┓秶鷥?nèi)。A.±0.5°B.±1°C.±2°D.±5°20.石英晶片電性能要求通常高于（）水平。A.普通玻璃B.普通陶瓷C.普通金屬D.普通塑料---二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10分）1.石英晶片加工的主要工序包括（）。A.切割B.研磨C.拋光D.清洗E.檢測(cè)2.石英晶片研磨的目的是（）。A.去除表面缺陷B.提高表面平整度C.減小厚度D.增大晶向角E.提高電性能3.石英晶片拋光常用的方法包括（）。A.粗拋光B.精拋光C.超聲波拋光D.等離子拋光E.化學(xué)拋光4.石英晶片清洗的目的是（）。A.去除表面污染物B.提高表面清潔度C.增強(qiáng)研磨效果D.防止二次污染E.提高電絕緣性5.石英晶片檢測(cè)常用的儀器包括（）。A.千分尺B.測(cè)厚儀C.光學(xué)顯微鏡D.晶向角測(cè)量?jī)xE.LCR電橋---三、判斷題（每題1分，共10分）1.石英晶片的主要成分是二氧化硅。（√）2.石英晶片研磨時(shí)，壓力越大越好。（×）3.石英晶片拋光時(shí)，溫度越高越好。（×）4.石英晶片表面粗糙度通常用Ra表示。（√）5.石英晶片切割常用金剛石圓鋸片。（√）6.石英晶片清洗常用乙醇溶劑。（√）7.石英晶片厚度檢測(cè)常用測(cè)厚儀。（√）8.石英晶片晶向角檢測(cè)常用晶向角測(cè)量?jī)x。（√）9.石英晶片電性能測(cè)試常用LCR電橋。（√）10.石英晶片研磨后，常用蒸餾水沖洗去除磨粒。（√）---四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述石英晶片研磨的工藝流程。2.簡(jiǎn)述石英晶片拋光的工藝流程。3.簡(jiǎn)述石英晶片清洗的注意事項(xiàng)。4.簡(jiǎn)述石英晶片厚度檢測(cè)的方法。---五、論述題（每題10分，共20分）1.分析石英晶片研磨過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題及解決方法。2.分析石英晶片拋光過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題及解決方法。---答案及解析一、單項(xiàng)選擇題1.A解析：石英的主要化學(xué)成分是SiO?。2.B解析：石英晶片研磨常用碳化硅磨料。3.B解析：研磨時(shí)常用蒸餾水冷卻。4.C解析：拋光常用硅酸鈉作為拋光劑。5.A解析：表面粗糙度常用Ra表示。6.A解析：切割常用金剛石圓鋸片。7.A解析：清洗常用乙醇溶劑。8.B解析：厚度檢測(cè)常用測(cè)厚儀。9.B解析：晶向角檢測(cè)常用晶向角測(cè)量?jī)x。10.A解析：電性能測(cè)試常用LCR電橋。11.A解析：研磨壓力通?？刂圃?.1–0.5MPa。12.B解析：拋光溫度通?？刂圃?0–40°C。13.A解析：表面缺陷常用光學(xué)顯微鏡檢測(cè)。14.C解析：切割方向通常與晶向平行。15.B解析：清洗后常用真空干燥。16.A解析：研磨后常用蒸餾水沖洗。17.C解析：拋光常用中性?huà)伖飧唷?8.B解析：厚度偏差通常控制在±10μm。19.A解析：晶向角偏差通?？刂圃凇?.5°。20.A解析：電性能要求通常高于普通玻璃。二、多項(xiàng)選擇題1.ABCDE解析：加工工序包括切割、研磨、拋光、清洗、檢測(cè)。2.AB解析：研磨目的是去除表面缺陷和提高表面平整度。3.ABC解析：常用粗拋光、精拋光和超聲波拋光。4.ABDE解析：清洗目的是去除污染物、提高清潔度、防止二次污染、提高電絕緣性。5.BCDE解析：檢測(cè)儀器包括光學(xué)顯微鏡、晶向角測(cè)量?jī)x、LCR電橋等。三、判斷題1.√2.×解析：壓力過(guò)大可能導(dǎo)致表面損傷。3.×解析：溫度過(guò)高可能導(dǎo)致表面燒傷。4.√5.√6.√7.√8.√9.√10.√四、簡(jiǎn)答題1.石英晶片研磨工藝流程：-下料：將石英原石切割成所需尺寸。-粗研：使用粗磨料進(jìn)行初步研磨，去除表面毛刺。-中研：使用中磨料進(jìn)一步研磨，提高表面平整度。-精研：使用細(xì)磨料進(jìn)行精細(xì)研磨，達(dá)到要求精度。-清洗：去除表面磨粒和污染物。2.石英晶片拋光工藝流程：-粗拋光：使用粗拋光劑進(jìn)行初步拋光，去除表面劃痕。-精拋光：使用精拋光劑進(jìn)行精細(xì)拋光，達(dá)到鏡面效果。-清洗：去除表面拋光劑和污染物。3.石英晶片清洗注意事項(xiàng)：-使用專(zhuān)用溶劑（如乙醇）。-避免使用硬質(zhì)刷子或工具。-清洗后及時(shí)干燥，防止二次污染。4.石英晶片厚度檢測(cè)方法：-使用測(cè)厚儀直接測(cè)量厚度。-使用光學(xué)顯微鏡觀察厚度偏差。五、論述題1.石英晶片研磨過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題及解決方法：-表面損傷：采用合適的研磨壓力和磨料，避