1T/ZJBDTXXXX—XXXX高溫擴散爐用硅制晶舟本文件規(guī)定了高溫擴散爐用硅制晶舟的硅材料要求、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存、隨行文件和質(zhì)量承諾。本文件適用于硅單晶、硅多晶以拼接式、熔接式方式加工而成的高溫擴散爐用直徑150～350mm的硅制晶舟。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲運圖示標志GB/T14264半導體材料術語GB/T23805精細陶瓷室溫拉伸強度試驗方法GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法GB/T39145硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法GB/T40279硅片表面薄膜厚度的測試光學反射法3術語和定義GB/T14264界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1平面度flatness產(chǎn)品表面與理想平面之間最大偏離程度。3.2平行度Parallelism產(chǎn)品一個平面相對于基準平面之間最大偏離程度。4外形結(jié)構T/ZJBDTXXXX—XXXX2圖1外形結(jié)構示意圖5硅材料要求硅材料應符合表1的規(guī)定。表1硅材料要求。），----P--硼--<1.2×10atoms/cm<0.8×10atoms/cm<5.0×10atoms/cm<1.0×10atoms/cm--6技術要求6.1外觀硅制晶舟的表面及端面（包括倒角面）應無劃傷、裂紋、缺口、刮傷和膠印。注：膠印適用于熔接部位。6.2幾何尺寸硅制晶舟的幾何尺寸應符合表2的規(guī)定。表2幾何尺寸T/ZJBDTXXXX—XXXX36.3表面粗糙度硅制晶舟溝齒面表面粗糙度不應大于1.6μm，其他部位表面粗糙度不應大于3.2μm。6.4表面金屬硅制晶舟的表面金屬應符合表3的規(guī)定。表3表面金屬含量單位:E10atoms/cmK6.5氧化層厚度（CVD外延工藝適用）硅制晶舟的氧化層厚度不應小于5000埃。注：CVD（ChemicalVaporDeposition）指化學氣相沉積法。6.6熔接拉伸強度硅制晶舟熔接部位的拉伸強度不應小于2.0Mpa。7試驗方法7.1外觀在光照強度為850～1350Lux的凈化室內(nèi)目視檢查產(chǎn)品表面狀態(tài)。7.2幾何尺寸直徑允許偏差用三坐標測量儀進行測量，高度允許偏差用測高儀或者高度尺（按硅制晶舟實際尺寸選擇）進行測量，溝齒面平面度、溝齒面平行度、溝棒垂直度按附錄A規(guī)定的方法進行測量。7.3表面粗糙度表面粗糙度按附錄A規(guī)定的方法進行測試。7.4表面金屬表面金屬含量按GB/T39145的規(guī)定進行測試。7.5氧化層厚度T/ZJBDTXXXX—XXXX4氧化層厚度按GB/T40279的規(guī)定進行測試。7.6熔接拉伸強度熔接拉伸強度按GB/T23805的規(guī)定進行測試。8檢驗規(guī)則8.1出廠檢驗8.1.1每臺產(chǎn)品經(jīng)質(zhì)檢部門按本標準檢驗合格并出具檢驗合格證后方能出廠。8.1.2出廠檢驗項目為外觀、幾何尺寸、表面粗糙度。8.2型式檢驗8.2.1正常批量生產(chǎn)時每季度進行一次，有下列情況之一時也需進行型式試驗：a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)的試制定型鑒定時；b)正式生產(chǎn)后，如結(jié)構、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時；c)停產(chǎn)1年后，恢復生產(chǎn)時；d)出廠檢驗結(jié)果與上次型式試驗有較大差異時；e)國家質(zhì)量監(jiān)督機構提出進行型式試驗要求時。8.2.2除新產(chǎn)品外，型式試驗樣品應從出廠檢驗合格的產(chǎn)品中隨機抽取。8.2.3型式試驗項目為表4中的全部項目。表4檢驗項目√√√√√√—√—√—√8.3判定規(guī)則8.3.1出廠檢驗時，檢驗項目全部符合本文件規(guī)定的，判定該批產(chǎn)品合格；檢驗項目有不符合的，允許對不合格的項目進行復檢，復檢結(jié)果全部符合的，判定該批產(chǎn)品合格，仍有不符合的，則判該批產(chǎn)品不合格。8.3.2型式檢驗時，檢驗項目全部符合本文件規(guī)定的，判定型式檢驗合格；檢驗項目有不符合的，允許加倍取樣對不合格項進行復檢。復檢項目全部符合格的，判定型式檢驗合格，仍有不符合的，則判定型式檢驗不合格。9標志、包裝、運輸、貯存和隨行文件9.1標志產(chǎn)品包裝箱外應標有“小心輕放”“易碎”“防潮”字樣或標志，圖形標志應符合GB/T191的規(guī)定，并注明：a)生產(chǎn)企業(yè)名稱；b)產(chǎn)品名稱；c)數(shù)量；T/ZJBDTXXXX—XXXX5d)生產(chǎn)日期。9.2包裝產(chǎn)品用潔凈的PE（聚乙烯）袋進行真空包裝，然后裝入包裝箱內(nèi)，并裝滿填充物，防止產(chǎn)品松動。9.3運輸產(chǎn)品在運輸過程中應輕裝輕卸，嚴禁拋擲，且應采取防震、防潮措施。9.4貯存產(chǎn)品應貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。9.5隨行文件每臺產(chǎn)品應附有隨行文件，包含產(chǎn)品質(zhì)量證明書或產(chǎn)品合格證。e)產(chǎn)品質(zhì)量證明書內(nèi)容如下：1)生產(chǎn)企業(yè)名稱；2)客戶名稱；3)產(chǎn)品名稱、規(guī)格；4)產(chǎn)品批號；5)產(chǎn)品數(shù)量；6)各項參數(shù)檢驗結(jié)果。f)產(chǎn)品合格證內(nèi)容如下：1)產(chǎn)品批號；2)檢驗日期；3)產(chǎn)品名稱、規(guī)格。4)產(chǎn)品刻字號；5)部門簽章。10質(zhì)量承諾10.1.1客戶有異常情況反饋，應在24小時內(nèi)作出響應。10.1.2在用戶正常使用條件下，產(chǎn)品因質(zhì)量問題而不能正常使用時，應提供免費換貨服務并承擔合理的責任。T/ZJBDTXXXX—XXXX6（規(guī)范性）硅制晶舟溝齒面平面度、溝齒面平行度、溝棒垂直度和表面粗糙度試驗方法A.1溝齒面平面度A.1.1三坐標測量法A.1.1.1測量工具三坐標測量儀、大理石V型塊。A.1.1.2測量步驟A.1.1.2.1硅制晶舟橫向放置在測量儀三坐標測量儀大理石平臺上的大理石V型塊上（如圖A.1）。A.1.1.2.2同一平面取點，一個溝齒面采2個點，所有溝棒溝齒面構成一個平面，在三坐標測量儀上讀取平面度。A.1.1.2.3每臺硅制晶舟均布測量五處，測得5個測量值并作好記錄，取最大值作為溝齒面平面度。圖A.1溝齒面平面度測量點位A.1.2硅片測量法A.1.2.1測量工具測試硅片（12英寸/8英寸）、塞尺。A.1.2.2測量步驟A.1.2.2.1硅制晶舟基準面（法蘭端）垂直放置大理石平臺上。A.1.2.2.2將硅片按入溝齒面，按照硅制晶舟溝齒數(shù)量均勻分布放置5處（圖A.2）。A.1.2.2.3目視硅片接觸面是否有間隙，并用塞尺檢查硅片與溝齒的間隙。測得5個測量值并作好記錄，取最大值，作為溝齒面平面度。7圖A.2溝齒面平面度測量硅片放置示意圖A.2溝齒面平行度A.2.1測量工具測高儀或高度儀。A.2.2測量步驟A.2.2.1硅制晶舟基準面（法蘭端）垂直放置大理石平臺上（如圖A.3）。A.2.2.2在各溝棒上取同一高度的溝齒，每個溝齒面選一個點，使用測高儀測量或高度儀（按硅制晶舟實際尺寸選擇）進行測量，按最大值減去最小值計算出溝齒面的平行度。A.2.2.3按硅制晶舟溝齒數(shù)量均勻分布5處，取得5個測量值，取最大值作為溝齒面平行度。圖A.3溝齒面平行度測量點位A.3溝棒垂直度A.3.1測量工具激光測試儀。A.3.2測量步驟A.3.2.1硅制晶舟基準面（法蘭端）垂直放置大理石平臺上（如圖A.4）。A.3.2.2使用激光測試儀，測量溝棒背面垂直度和溝棒側(cè)面垂直度（扭曲度）。A.3.2.3法蘭端溝棒背面數(shù)值作為零點（點1記錄每根溝棒背面上部的垂直度（點2）。T/ZJBDTXXXX—XXXX8A.3.2.4法蘭端溝棒側(cè)面數(shù)值作為零點（點3記錄每根溝棒側(cè)面上部的垂直度（扭曲度，點4）。A.3.2.5取溝棒背面上部的垂直度和溝棒側(cè)面上部的垂直度（扭曲度）中的最大值作為溝棒垂直度。圖A.4垂直度測量點位A.4表面粗糙度A.4.1測試工具粗糙度儀器。A.4.2測試步驟A.4.2.1硅制晶舟基準面（法蘭端）垂直放置大理石上。A.4.2.2設定檢測參數(shù)ISO1997評價輪廓類別。A.4.2.3每根溝棒溝齒面選5處，用粗糙度儀器測量，每根溝棒測得5個測量值。取最