第3章ARM進(jìn)階開(kāi)發(fā)3.1Flash編程3.2UART

3.3USB

3.4DMA

3.5LCD3.6MMU

3.1Flash編程

3.1.1概述

Flash是一種非易失性(Non-Volatile)內(nèi)存，在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，它在嵌入式系統(tǒng)中的地位與PC上的硬盤(pán)類(lèi)似，用于保存系統(tǒng)運(yùn)行所需要的操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序等。

Flash存儲(chǔ)器具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)：

非易失性，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器不需要后備電源來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)，掉電后數(shù)據(jù)不丟失。

易更新性，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器具有電可擦除的特點(diǎn)，更新數(shù)據(jù)很方便。

成本低、密度高、可靠性好。

因此，嵌入式系統(tǒng)常用Flash來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)。

1.?NANDFlash和NORFlash

NORFlash與NANDFlash是在現(xiàn)在的市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel公司于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORFlash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。NANDFlash則是由Toshiba公司在1989年開(kāi)發(fā)的。

NORFlash帶有SRAM接口，支持ExecuteONChip技術(shù)，即程序可以直接在Flash片內(nèi)執(zhí)行。NANDFlash屬于I/O設(shè)備，需要串行的讀取數(shù)據(jù)，因此需要特殊的接口來(lái)訪(fǎng)問(wèn)，對(duì)處理器的要求較高。

NANDFlash與NORFlash的主要性能比較如表3-1所示。表3-1NORFlash和NANDFlash性能比較

正是由于NORFlash和NANDFlash不能同時(shí)擁有對(duì)方的優(yōu)點(diǎn)，這就使得在項(xiàng)目中，有時(shí)會(huì)采取NORFlash和NANDFlash兩者并存的程序存儲(chǔ)系統(tǒng)。本書(shū)所用開(kāi)發(fā)板只選取了NANDFlash，因此本節(jié)重點(diǎn)講解NANDFlash的應(yīng)用，關(guān)于NORFlash的應(yīng)用請(qǐng)參考相關(guān)資料。

2.系統(tǒng)啟動(dòng)方式若NORFlash和NANDFlash兩個(gè)設(shè)備并存，S3C2440在上電時(shí)首先需要選擇從哪個(gè)設(shè)備啟動(dòng)程序。具體選擇是通過(guò)外部模式引腳OM1和OM0的邏輯電平來(lái)配置的，如表3-2所示。

表3-2啟動(dòng)方式選擇表從表中可以看出，OM[1:0]所決定的啟動(dòng)方式有以下幾種：

OM[1:0]=00，處理器從NANDFlash啟動(dòng)。

OM[1:0]=01，處理器從16位NORFlash啟動(dòng)。

OM[1:0]=10，處理器從32位NORFlash啟動(dòng)。

OM[1:0]=11，處理器從TestMode(測(cè)試模式)啟動(dòng)。

NORFlash可以直接連接到BANK0上作為系統(tǒng)ROM，地址空間從0x00000000～0x08000000(0～128MB)，因此可以用于啟動(dòng)系統(tǒng)(S3C2440上電后，是從0x00000000地址開(kāi)始執(zhí)行)。

NANDFlash是I/O設(shè)備，作為外部存儲(chǔ)器連接到S3C2440的NANDFlash控制器上。NANDFlash沒(méi)有被分配地址空間，只能作為程序或數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)載體，因此不能在其中直接運(yùn)行程序，若要運(yùn)行程序，必須將存儲(chǔ)內(nèi)容拷貝到RAM中運(yùn)行。

3.從NANDFlash啟動(dòng)為了支持系統(tǒng)從NANDFlash啟動(dòng)系統(tǒng)，S3C2440配備了一個(gè)內(nèi)置的被映射到BANK0的BootSRAM緩沖器，叫做“Stepping-stone(進(jìn)階石)”，其地址被映射到0x00000000。當(dāng)引導(dǎo)啟動(dòng)時(shí)，NANDFlash存儲(chǔ)器的前4KB將被硬件系統(tǒng)自動(dòng)加載到Stepping-stone中并且運(yùn)行加載到“Stepping-stone”的啟動(dòng)程序中。

3.1.2NANDFlash控制器

S3C2440提供了一組特殊的接口對(duì)NANDFlash進(jìn)行讀寫(xiě)操作，并利用硬件機(jī)制實(shí)現(xiàn)從NANDFlash啟動(dòng)運(yùn)行，這組接口稱(chēng)為NANDFlash控制器。

NANDFlash控制器的特性如下：

引導(dǎo)啟動(dòng)，程序在復(fù)位期間被傳送到4KB的Stepping-stone中，傳送完成后，程序在Stepping-stone中執(zhí)行。

NANDFlash存儲(chǔ)器接口支持256字節(jié)、512字節(jié)、1K字節(jié)和2K字節(jié)頁(yè)。

?用戶(hù)可以直接通過(guò)軟件訪(fǎng)問(wèn)NANDFlash存儲(chǔ)器。

具有8位/16位NANDFlash存儲(chǔ)器接口總線(xiàn)。

?支持小端模式，按字節(jié)、半字、字訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)和ECC數(shù)據(jù)寄存器。

Stepping-stone接口，支持大、小端模式的按字節(jié)、半字、字訪(fǎng)問(wèn)。

Stepping-stone的4KB內(nèi)部SRAM可以在NANDFlash引導(dǎo)啟動(dòng)后用于其他用途。下面內(nèi)容從控制器的組成和數(shù)據(jù)校驗(yàn)兩個(gè)方面介紹NANDFlash控制器的工作原理。

1.?NANDFlash控制器組成

NANDFlash控制器組成如圖3-1所示。圖3-1NANDFlash控制器方框示意圖由圖可知NANDFlash控制器由NANDFlash接口、ECC生成器、控制和狀態(tài)機(jī)、Stepping-stone控制器以及Stepping-stone組成。其中，NANDFlash接口提供給NANDFlash存儲(chǔ)器各個(gè)控制信號(hào)和數(shù)據(jù)傳輸I/O信號(hào)。NANDFlash控制器的工作流程如下：

(1)當(dāng)系統(tǒng)復(fù)位且OM[1:0]?=?00時(shí)，NANDFlash控制器將通過(guò)CPU四個(gè)外部輸入引腳(NCON、GPG13、GPG14、GPG15)來(lái)獲取連接的NANDFlash信息，如芯片ID、存儲(chǔ)容量等。各各引腳對(duì)應(yīng)的NANDFlash信息如表3-3所示。

表3-3NANDFlash控制引腳配置

(2)?NANDFlash控制器自動(dòng)加載NANDFlash內(nèi)前4KB的程序代碼到Stepping-stone。

(3)在加載完成后，Stepping-stone內(nèi)的程序代碼開(kāi)始執(zhí)行。

2.數(shù)據(jù)校驗(yàn)

NANDFlash控制器除了能進(jìn)行數(shù)據(jù)的訪(fǎng)問(wèn)操作外，還可以進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)的校驗(yàn)，此項(xiàng)工作由控制器內(nèi)部的ECC生成器完成。

NANDFlash的ECC(錯(cuò)誤糾正碼)生成、檢測(cè)和指示均由NANDFlash控制器的硬件支持。NANDFlash控制器由4個(gè)ECC模塊組成，兩個(gè)用于2048B的ECC奇偶校驗(yàn)碼的生成，另兩個(gè)用于16BECC奇偶校驗(yàn)碼的生成。

在NANDFlash的每一頁(yè)中有兩個(gè)區(qū)，main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于存儲(chǔ)正常數(shù)據(jù)，spare區(qū)存儲(chǔ)其他附加信息，其中包括ECC校驗(yàn)碼。在寫(xiě)入一頁(yè)時(shí)，將main區(qū)數(shù)據(jù)的ECC校驗(yàn)碼存儲(chǔ)到spare區(qū)的特定區(qū)域。在下一次讀到這一頁(yè)時(shí)，同時(shí)計(jì)算ECC校驗(yàn)碼并與存儲(chǔ)在spare區(qū)的ECC校驗(yàn)碼相比較，若相同，則說(shuō)明讀取數(shù)據(jù)正確；若不同，則說(shuō)明讀取數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。3.1.3NANDFlash控制器寄存器

通過(guò)對(duì)NANDFlash寄存器組的配置可以實(shí)現(xiàn)NANDFlash的初始化操作與訪(fǎng)問(wèn)操作。NANDFlash控制器寄存器組按功能可以分為兩部分。

1.基本操作寄存器

1)?NANDFlash配置寄存器NFCONFNFCONF寄存器是用來(lái)設(shè)置NANDFlash的時(shí)序參數(shù)TACLS、TWRPH0、TWRPH1的。TACLS為CLE/ALE有效到nWE有效之間的持續(xù)時(shí)間；TWRPH0為nWE的有效持續(xù)時(shí)間；TWRPH1為nWE無(wú)效到CLE/ALE無(wú)效之間的持續(xù)時(shí)間，這些時(shí)間都是以HCLK為單位的。設(shè)置時(shí)只需要比Flash芯片的datasheet給出的最小時(shí)間大就可以。配置寄存器的[3:0]是只讀位，用來(lái)指示外部所接的NANDFlash的配置信息，它們是由配置引腳NCON、GPG13、GPG14和GPG15所決定的。NFCONF寄存器的詳細(xì)配置如表3-4所示。

表3-4NFCONF寄存器

2)?NANDFlash控制寄存器NFCONT

NFCONT用來(lái)使能/禁止NANDFlash控制器、使能/禁止控制引腳信號(hào)nFCE、初始化ECC。NFCONT寄存器的詳細(xì)配置如表3-5所示。表3-5NFCONT寄存器

3)?NANDFlash命令寄存器NFCMMD對(duì)于不同型號(hào)的Flash，操作命令一般不同，只用到低8位[7:0]。

4)?NANDFlash地址寄存器NFADDR當(dāng)寫(xiě)這個(gè)寄存器時(shí)，它將對(duì)Flash發(fā)出地址信號(hào)。只用到低8位來(lái)傳輸?shù)刂沸盘?hào)，所以需要分次寫(xiě)入一個(gè)完整的32位地址。

5)?NANDFlash數(shù)據(jù)寄存器NFDATA只用到低8位，讀、寫(xiě)此寄存器將啟動(dòng)對(duì)NANDFlash的讀數(shù)據(jù)、寫(xiě)數(shù)據(jù)操作。

6)?NANDFlash操作狀態(tài)寄存器NFSTAT只用到位0，用來(lái)檢測(cè)NANDFlash設(shè)備是否準(zhǔn)備好。NFSTAT寄存器如表3-6所示。表3-6NFSTAT寄存器

2.?ECC校驗(yàn)寄存器

NANDFlash控制器寄存器中還提供了諸多有關(guān)ECC校驗(yàn)寄存器，用于管理NANDFlash的ECC校驗(yàn)，例如：

NANDFlash主數(shù)據(jù)區(qū)域ECC寄存器NFMECCD0/1。

NANDFlash空閑區(qū)域ECC寄存器NFSECCD。

NANDFlashECC0/1狀態(tài)寄存器NFMECC。

NANDFlash主數(shù)據(jù)區(qū)域ECC狀態(tài)寄存器NFMECC。

NANDFlash空閑區(qū)域ECC狀態(tài)寄存器NFSECC。

NANDFlash塊地址寄存器NFSBLK及NFEBLK。3.1.4NANDFlash實(shí)例本書(shū)所配備開(kāi)發(fā)板使用的NANDFlash存儲(chǔ)器為Samsung的K9F2G08U0A，下面以此型號(hào)的Flash為例講解NANDFlash的工作原理以及S3C2440對(duì)NANDFlash的操作過(guò)程。

1.?K9F2G08U0A物理結(jié)構(gòu)

K9F2G08U0A主要以Page(頁(yè))為單位進(jìn)行讀寫(xiě)操作，以Block(塊)為單位進(jìn)行擦除操作。每一頁(yè)中又分為main區(qū)和spare區(qū)。main區(qū)用于正常數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，spare區(qū)用于存儲(chǔ)一些附加信息，如塊好壞的標(biāo)記、頁(yè)內(nèi)的ECC校驗(yàn)和等。K9F2G08U0A的存儲(chǔ)陣列如圖3-2所示。圖3-2K9F2G08U0A的存儲(chǔ)陣列由上圖可知，K9F2G08U0A的一頁(yè)為(2K?+?64)B，2KB表示的是main區(qū)容量，64B表示的是spare區(qū)容量，它的一塊為64頁(yè)，而整個(gè)設(shè)備包括了2048個(gè)塊。這樣計(jì)算Flash一共有2112Mb容量，main區(qū)容量則有256MB(即256M?×?8b)。

2.?K9F2G08U0A與S3C2440的連接

K9F2G08U0A與S3C2440的連接如圖3-3所示。圖3-3S3C2440與K9F2G08U0A連接圖從圖中可知，S3C2440為K9F2G08U0A提供8個(gè)I/O引腳、5個(gè)使能引腳、1個(gè)狀態(tài)引腳，地址、數(shù)據(jù)和命令都是在這些使能信號(hào)的配合下，通過(guò)8個(gè)I/O引腳進(jìn)行傳輸?shù)摹８饕_的具體作用如下：

DATA0～DATA7：8個(gè)I/O口進(jìn)行命令、地址、數(shù)據(jù)的輸入/輸出。

?命令鎖存使能CLE：當(dāng)CLE為高和WE在上升沿時(shí)，命令被鎖存在命令寄存器中。

?地址鎖存使能ALE：當(dāng)ALE為高和WE在上升沿時(shí)，地址被鎖存在地址寄存器中。

?芯片使能nFCE與寫(xiě)使能nFWE：當(dāng)對(duì)設(shè)備寫(xiě)操作時(shí)，nFCE與nFWE應(yīng)同時(shí)為低電平，數(shù)據(jù)在nFWE的上升沿被鎖存。

?讀使能nFRE信號(hào)：對(duì)設(shè)備發(fā)出讀命令信號(hào)。

?就緒/忙信號(hào)RnB：判斷設(shè)備是就緒狀態(tài)還是忙狀態(tài)。K9F2G08U0A是先進(jìn)的8位NANDFlash，2K字節(jié)/頁(yè)，需要5個(gè)地址周期，根據(jù)表3-3所述，S3C2440的外部引腳應(yīng)配置為NCON(高電平)、GPG13(高電平)、GPG14(高電平)、GPG15(低電平)、OM[1:0]=00。

3.?K9F2G08U0A操作訪(fǎng)問(wèn)NANDFlash時(shí)，應(yīng)先傳命令，再傳地址，最后讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，期間要檢查Flash的狀態(tài)。下面的內(nèi)容描述有關(guān)K9F2G08U0A的命令字與尋址方式。

1)命令字不同型號(hào)的Flash，操作命令各不一樣。K9F2G08U0A提供一個(gè)命令集來(lái)完成對(duì)Flash的各種操作，有的命令需要一個(gè)周期，有的需要兩個(gè)周期，如表3-7所示。表3-7K9F2G08U0A命令字在實(shí)際編程中，經(jīng)常用宏定義各個(gè)命令字，方便使用。示例代碼如下。

【示例3-1】宏定義常用命令字

#defineCMD_READ10x00//頁(yè)讀命令周期1

#defineCMD_READ20x30//頁(yè)讀命令周期2

#defineCMD_READID0x90//讀ID命令

#defineCMD_WRITE10x80//頁(yè)寫(xiě)命令周期1

#defineCMD_WRITE20x10//頁(yè)寫(xiě)命令周期2

#defineCMD_ERASE10x60//塊擦除命令周期1

2)存儲(chǔ)單元尋址

K9F2G08U0A總線(xiàn)寬度為8位，容量為256MB，需要地址線(xiàn)28根，S3C2440需要5個(gè)地址周期來(lái)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)單元，如表3-8所示。

表3-8K9F2G08U0A地址序列由表中可以看出，前兩個(gè)地址周期訪(fǎng)問(wèn)的A0～A11為頁(yè)內(nèi)地址(0～2KB)，后三個(gè)地址周期訪(fǎng)問(wèn)的A12～A28為頁(yè)地址。如果直接訪(fǎng)問(wèn)塊，地址需要從A18開(kāi)始。3)讀寫(xiě)操作

NFCMMD、NFADDR和NFDATA寄存器分別用于傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)，為了方便使用，利用宏定義實(shí)現(xiàn)Flash的讀寫(xiě)數(shù)據(jù)操作。用宏定義讀寫(xiě)32位數(shù)據(jù)和8位數(shù)據(jù)的代碼如下?！臼纠?-2】宏定義數(shù)據(jù)讀寫(xiě)#defineNF_RDDATA()(rNFDATA) //讀32位數(shù)據(jù)#defineNF_RDDATA8()(rNFDATA8) //讀8位數(shù)據(jù)#defineNF_WRDATA(data){rNFDATA=(data)；} //寫(xiě)32位數(shù)據(jù)#defineNF_WRDATA8(data){rNFDATA8=(data)；} //寫(xiě)8位數(shù)據(jù)

4.?K9F2G08U0A編程

S3C2440對(duì)NANDFlash只支持軟件模式的訪(fǎng)問(wèn)，具體訪(fǎng)問(wèn)步驟如下：

(1)?NANDFlash初始化，設(shè)置NANDFlash配置寄存器NFCONF和控制寄存器NFCONT。

(2)若是第一次操作NANDFlash，需要復(fù)位NANDFlash(片選使能后發(fā)送命令字0xff)，若不是第一次操作，直接執(zhí)行步驟3)。

(3)寫(xiě)命令字到命令寄存器NFCMMD。

(4)寫(xiě)地址到地址寄存器NFADDR。

(5)讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)寄存器NFDATA之前，應(yīng)先通過(guò)寄存器NFSTAT[0](即RnB輸入引腳)來(lái)檢測(cè)NANDFlash是否準(zhǔn)備就緒。下述內(nèi)容用于實(shí)現(xiàn)任務(wù)描述3.D.1——實(shí)現(xiàn)NANDFlash的基本讀寫(xiě)操作，包括Flash的初始化、頁(yè)讀、頁(yè)寫(xiě)、塊擦除等。實(shí)現(xiàn)步驟如下：

1)編寫(xiě)項(xiàng)目所需要的頭文件

【描述3.D.1】include.h

#ifndef__INCLUDE_H_

#define__INCLUDE_H_

//NANDFlash控制器寄存器地址

#definerNFCONF(*(volatileunsigned*)0x4E000000)#definerNFCONT(*(volatileunsigned*)0x4E000004)#definerNFCMD(*(volatileunsigned*)0x4E000008)#definerNFADDR(*(volatileunsigned*)0x4E00000C)#definerNFCMMD(*(volatileunsigned*)0x4E000008)#definerNFDATA(*(volatileunsigned*)0x4E000010)#definerNFDATA8(*(volatileunsignedchar*)0x4E000010)#definerNFMECC0(*(volatileunsigned*)0x4E00002c)#definerNFSTAT(*(volatileunsigned*)0x4E000020)#definerNFESTAT0(*(volatileunsigned*)0x4E000024)#definerGPACON(*(volatileunsigned*)0x56000000)#definerNFMECCD0(*(volatileunsignedlong*)0x4E000014)#definerNFMECCD1(*(volatileunsignedlong*)0x4E000018)#definerNFSECCD(*(volatileunsignedlong*)0x4E00001C)#definerNFSECC(*(volatileunsignedlong*)0x4E000034)#defineTACLS 1//7 //1-clk(0ns)#defineTWRPH0 4//7 //3-clk(25ns)#defineTWRPH1 1//7 //1-clk(10ns)//TACLS+TWRPH0+TWRPH1>=50ns#defineU32unsignedint#defineU16unsignedshort#defineS32int#defineS16shortint#defineU8unsignedchar#define S8char#defineTRUE1#defineFALSE0#defineOK1#defineFAIL0#endif2)編寫(xiě)啟始代碼init.s【描述3.D.1】init.sIMPORTmainAREAReset，CODE，READONLYPRESERVE8ENTRYldrr13，=0x31000000bmain；進(jìn)入main函數(shù)ldrpc，=0x30000000END

3)編寫(xiě)NANDFlash功能子程序nand.c

nand.c子程序中實(shí)現(xiàn)了操作命令宏定義，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備初始化函數(shù)NF_Init(?)、復(fù)位函數(shù)rNF_Reset(?)、讀設(shè)備ID函數(shù)rNF_ReadID(?)、整頁(yè)讀函數(shù)rNF_ReadPage(?)、整頁(yè)寫(xiě)函數(shù)rNF_WritePage()、塊擦除函數(shù)rNF_EraseBlock(?)、隨機(jī)寫(xiě)函數(shù)rNF_RamdomRead(?)、隨機(jī)讀函數(shù)rNF_RamdomWrite(?)。其具體代碼如下：【描述3.D.1】nand.c#include"include.h"#defineCMD_READ10x00//頁(yè)讀命令周期1#defineCMD_READ20x30 //頁(yè)讀命令周期2#defineCMD_READID0x90 //讀ID命令#defineCMD_WRITE10x80//頁(yè)寫(xiě)命令周期1#defineCMD_WRITE20x10//頁(yè)寫(xiě)命令周期2#defineCMD_ERASE10x60//塊擦除命令周期1#defineCMD_ERASE20xd0//塊擦除命令周期2#defineCMD_STATUS0x70//讀狀態(tài)命令#defineCMD_RESET0xff //復(fù)位#defineCMD_RANDOMREAD10x05//隨意讀命令周期1#defineCMD_RANDOMREAD20xE0//隨意讀命令周期2#defineCMD_RANDOMWRITE0x85 //隨意寫(xiě)命令#definerNFDATA8(*(volatileunsignedchar*)0x4E000010)#defineNF_CMD(data){rNFCMD=(data)；}//傳輸命令#defineNF_ADDR(addr){rNFADDR=(addr)；}//傳輸?shù)刂?defineNF_RDDATA()(rNFDATA) //讀32位數(shù)據(jù)#defineNF_RDDATA8()(rNFDATA8) //讀8位數(shù)據(jù)#defineNF_WRDATA(data){rNFDATA=(data)；}//寫(xiě)32位數(shù)據(jù)#defineNF_WRDATA8(data){rNFDATA8=(data)；}//寫(xiě)8位數(shù)據(jù)#defineNF_nFCE_L(){rNFCONT&=～(1<<1)；}#defineNF_CE_L()NF_nFCE_L() //打開(kāi)NANDFlash片選#defineNF_nFCE_H(){rNFCONT|=(1<<1)；}#defineNF_CE_H()NF_nFCE_H() //關(guān)閉NANDFlash片選#defineNF_RSTECC(){rNFCONT|=(1<<4)；} //復(fù)位ECC#defineNF_MECC_UnLock(){rNFCONT&=～(1<<5)；} //解鎖main區(qū)ECC#defineNF_MECC_Lock(){rNFCONT|=(1<<5)；} //鎖定main區(qū)ECC#defineNF_SECC_UnLock(){rNFCONT&=～(1<<6)；} //解鎖spare區(qū)ECC#defineNF_SECC_Lock(){rNFCONT|=(1<<6)；} //鎖定spare區(qū)ECC#defineNF_WAITRB(){while(!(rNFSTAT&(1<<0)))；} //等待NANDFlash不忙#defineNF_CLEAR_RB(){rNFSTAT|=(1<<2)；} //清除RnB信號(hào)#defineNF_DETECT_RB(){while(!(rNFSTAT&(1<<2)))；} //等待RnB信號(hào)變高，即不忙U8ECCBuf[20]；U8rNF_IsBadBlock(U32block)；U8rNF_MarkBadBlock(U32block)；voiddelay(U32n){ U32i=0；

for(i=0；i<n；i++)；}//初始化NANDFlash控制器voidNF_Init(void){//配置芯片引腳PIN17～22第二功能

rGPACON=(rGPACON&～(0x3f<<17))|(0x3f<<17)；//TACLS=1、TWRPH0=2、TWRPH1=0，8位IO，

rNFCONF=(TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0)；

//非鎖定，屏蔽NANDFlash中斷，初始化ECC及鎖定main區(qū)和spare區(qū)ECC，使能NANDFlash //片選及控制器

rNFCONT=(0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1) |(1<<0)；}//復(fù)位操作，在NANDFlash第一次操作，首先要進(jìn)行復(fù)位操作，選中設(shè)備后，發(fā)送命令字0xFFstaticvoidrNF_Reset(){

NF_CE_L()；//打開(kāi)NANDFlash片選

NF_CLEAR_RB()；//清除RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_RESET)； //寫(xiě)入復(fù)位命令

NF_DETECT_RB()；//等待RnB信號(hào)變高，即不忙

NF_CE_H()；//關(guān)閉NANDFlash片選}//讀取K9F2G08U0A芯片IDcharrNF_ReadID(){ charpMID=0；

charpDID；

charcyc3，cyc4，cyc5；

NF_nFCE_L()； //打開(kāi)NANDFlash片選

NF_CLEAR_RB()； //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_READID)； //讀ID命令

NF_ADDR(0x0)； //寫(xiě)0x00地址//讀5個(gè)周期的ID //pMID=NF_RDDATA()； //廠(chǎng)商ID：0xEC //pDID=NF_RDDATA()； //設(shè)備ID：0xDA //cyc3=NF_RDDATA()； //0x10 //cyc4=NF_RDDATA()； //0x95 //cyc5=NF_RDDATA()； //0x44 pMID=NF_RDDATA8()； //廠(chǎng)商ID：0xEC

pDID=NF_RDDATA8()； //設(shè)備ID：0xDA cyc3=NF_RDDATA8()； //0x10 cyc4=NF_RDDATA8()； //0x95 cyc5=NF_RDDATA8()； //0x44 NF_nFCE_H()； //關(guān)閉NANDFlash片選

return(pDID)；}//整頁(yè)讀，讀操作是以頁(yè)為單位進(jìn)行的，在寫(xiě)入讀命令的兩個(gè)周期之間寫(xiě)入要讀取的頁(yè)地址，然后讀取數(shù)據(jù)U8rNF_ReadPage(U32page_number，U8*buf){ U32i，mecc0，secc；

NF_RSTECC()； //復(fù)位ECC NF_MECC_UnLock()； //解鎖main區(qū)ECC NF_nFCE_L()； //打開(kāi)NANDFlash片選

NF_CLEAR_RB()； //清RnB信號(hào)NF_CMD(CMD_READ1)； //頁(yè)讀命令周期1 //寫(xiě)入5個(gè)地址周期

NF_ADDR(0x00)； //列地址A0～A7 NF_ADDR(0x00)； //列地址A8～A11 NF_ADDR((page_number)&0xff)； //行地址A12～A19 NF_ADDR((page_number>>8)&0xff)； //行地址A20～A27

NF_ADDR((page_number>>16)&0xff)； //行地址A28 NF_CMD(CMD_READ2)； //頁(yè)讀命令周期2 NF_DETECT_RB()； //等待RnB信號(hào)變高，即不忙

//讀取一頁(yè)數(shù)據(jù)內(nèi)容

for(i=0；i<2048；i++) {buf[i]=NF_RDDATA8()；

} NF_MECC_Lock()； //鎖定main區(qū)ECC值

NF_SECC_UnLock()； //解鎖spare區(qū)ECC //讀spare區(qū)的前4個(gè)地址內(nèi)容，即第2048～2051地址，這4個(gè)字節(jié)為main區(qū)的ECC mecc0=NF_RDDATA()；

//把讀取到的main區(qū)的ECC校驗(yàn)碼放入NFMECCD0/1的相應(yīng)位置內(nèi)

rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff)；

rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16)；NF_SECC_Lock()； //鎖定spare區(qū)的ECC值

//繼續(xù)讀spare區(qū)的4個(gè)地址內(nèi)容，即第2052～2055地址，其中前2個(gè)字節(jié)為spare區(qū)的ECC值

secc=NF_RDDATA()；

//把讀取到的spare區(qū)的ECC校驗(yàn)碼放入NFSECCD的相應(yīng)位置內(nèi)

rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff)；

NF_nFCE_H()； //關(guān)閉NANDFlash片選

//判斷所讀取到的數(shù)據(jù)是否正確

if((rNFESTAT0&0xf)==0x0) return0x66； //正確

else return0x44； //錯(cuò)誤}//整頁(yè)寫(xiě)，在兩個(gè)寫(xiě)命令周期之間分別寫(xiě)入頁(yè)地址和數(shù)據(jù)U8rNF_WritePage(U32page_number，U8*buf){ U32i，mecc0，secc；

U8stat，temp；

temp=rNF_IsBadBlock(page_number>>6)； //判斷該塊是否為壞塊

if(temp==0x33) return0x42；

//是壞塊，返回

NF_RSTECC()； //復(fù)位ECC NF_MECC_UnLock()； //解鎖main區(qū)的ECC NF_nFCE_L()； //打開(kāi)NANDFlash片選

NF_CLEAR_RB()； //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_WRITE1)； //頁(yè)寫(xiě)命令周期1 //寫(xiě)入5個(gè)地址周期

NF_ADDR(0x00)； //列地址A0～A7 NF_ADDR(0x00)； //列地址A8～A11

NF_ADDR((page_number)&0xff)； //行地址A12～A19 NF_ADDR((page_number>>8)&0xff)； //行地址A20～A27

NF_ADDR((page_number>>16)&0xff)； //行地址A28//寫(xiě)入一頁(yè)數(shù)據(jù)

for(i=0；i<2048；i++) { //NF_WRDATA8((char)(i+6))；

NF_WRDATA8(buf[i])；

} NF_MECC_Lock()； //鎖定main區(qū)的ECC值

mecc0=rNFMECC0； //讀取main區(qū)的ECC校驗(yàn)碼//把ECC校驗(yàn)碼由字型轉(zhuǎn)換為字節(jié)型，并保存到全局變量數(shù)組ECCBuf中

ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff)；

ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8)&0xff)；

ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16)&0xff)；

ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24)&0xff)；NF_SECC_UnLock()； //解鎖spare區(qū)的ECC //把main區(qū)的ECC值寫(xiě)入到spare區(qū)的前4個(gè)字節(jié)地址內(nèi)，即第2048～2051地址

for(i=0；i<4；i++) { NF_WRDATA8(ECCBuf[i])；

} NF_SECC_Lock()； //鎖定spare區(qū)的ECC值

secc=rNFSECC； //讀取spare區(qū)的ECC校驗(yàn)碼

//把ECC校驗(yàn)碼保存到全局變量數(shù)組ECCBuf中ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff)；

ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8)&0xff)；

//把spare區(qū)的ECC值繼續(xù)寫(xiě)入到spare區(qū)的第2052～2053地址內(nèi)

for(i=4；i<6；i++) { NF_WRDATA8(ECCBuf[i])；

} NF_CMD(CMD_WRITE2)； //頁(yè)寫(xiě)命令周期2 delay(1000)； //延時(shí)一段時(shí)間，以等待寫(xiě)操作完成

NF_CMD(CMD_STATUS)； //讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB()；相同 do { stat=NF_RDDATA8()；

}while(!(stat&0x40))；

NF_nFCE_H()； //關(guān)閉NANDFlash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫(xiě)操作正確，否則錯(cuò)誤

if(stat&0x1) { temp=rNF_MarkBadBlock(page_number>>6)； //標(biāo)注該頁(yè)所在的塊為壞塊

if(temp==0x21) return0x43； //標(biāo)注壞塊失敗

else return0x44； //寫(xiě)操作失敗

} else return0x66； //寫(xiě)操作成功}//NANDFlash的擦除操作是以塊為單位進(jìn)行的，因此在寫(xiě)地址周期時(shí)，只需要寫(xiě)3個(gè)行周期，從A18開(kāi)始寫(xiě)起U8rNF_EraseBlock(U32block_number){

charstat，temp；

temp=rNF_IsBadBlock(block_number)； //判斷該塊是否為壞塊

if(temp==0x33) return0x42； //是壞塊，返回

NF_nFCE_L()； //打開(kāi)片選NF_CLEAR_RB()； //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_ERASE1)； //擦除命令周期1 //寫(xiě)入3個(gè)地址周期，從A18開(kāi)始寫(xiě)起

NF_ADDR((block_number<<6)&0xff)； //行地址A18～A19 NF_ADDR((block_number>>2)&0xff)； //行地址A20～A27

NF_ADDR((block_number>>10)&0xff)； //行地址A28

NF_CMD(CMD_ERASE2)； //擦除命令周期2 delay(1000)； //延時(shí)一段時(shí)間

NF_CMD(CMD_STATUS)； //讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB()；相同

do {

stat=NF_RDDATA8()；

}while(!(stat&0x40))；

NF_nFCE_H()；//關(guān)閉NANDFlash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則擦除操作正確，否則錯(cuò)誤

if(stat&0x1) { temp=rNF_MarkBadBlock(block_number>>6)；//標(biāo)注該塊為壞塊

if(temp==0x21) return0x43；//標(biāo)注壞塊失敗

else return0x44；//擦除操作失敗

} else return0x66；//擦除操作成功}//隨機(jī)讀U8rNF_RamdomRead(U32page_number，U32add){ NF_nFCE_L()；//打開(kāi)NANDFlash片選

NF_CLEAR_RB()；//清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_READ1)；//頁(yè)讀命令周期1 //寫(xiě)入5個(gè)地址周期

NF_ADDR(0x00)；//列地址A0～A7 NF_ADDR(0x00)；//列地址A8～A11NF_ADDR((page_number)&0xff)； //行地址A12～A19 NF_ADDR((page_number>>8)&0xff)； //行地址A20～A27 NF_ADDR((page_number>>16)&0xff)； //行地址A28 NF_CMD(CMD_READ2)； //頁(yè)讀命令周期2 NF_DETECT_RB()；//等待RnB信號(hào)變高，即不忙 NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1)； //隨意讀命令周期1 //頁(yè)內(nèi)地址

NF_ADDR((char)(add&0xff))；//列地址A0～A7 NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f))； //列地址A8～A11 NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2)； //隨意讀命令周期2 returnNF_RDDATA8()；//讀取數(shù)據(jù)}//隨機(jī)寫(xiě)U8rNF_RamdomWrite(U32page_number，U32add，U8dat){ U8temp，stat；

NF_nFCE_L()； //打開(kāi)NANDFlash片選

NF_CLEAR_RB()； //清RnB信號(hào)

NF_CMD(CMD_WRITE1)； //頁(yè)寫(xiě)命令周期1 //寫(xiě)入5個(gè)地址周期

NF_ADDR(0x00)； //列地址A0～A7 NF_ADDR(0x00)； //列地址A8～A11 NF_ADDR((page_number)&0xff)； //行地址A12～A19

NF_ADDR((page_number>>8)&0xff)； //行地址A20～A27 NF_ADDR((page_number>>16)&0xff)； //行地址A28 NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE)； //隨意寫(xiě)命令

//頁(yè)內(nèi)地址

NF_ADDR((char)(add&0xff))； //列地址A0～A7 NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f))； //列地址A8～A11 NF_WRDATA8(dat)；//寫(xiě)入數(shù)據(jù)

NF_CMD(CMD_WRITE2)；//頁(yè)寫(xiě)命令周期2 delay(1000)；//延時(shí)一段時(shí)間

NF_CMD(CMD_STATUS)； //讀狀態(tài)命令 //判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB()；相同

do{ stat=NF_RDDATA8()；

}while(!(stat&0x40))；

NF_nFCE_H()；//關(guān)閉NANDFlash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫(xiě)操作正確，否則錯(cuò)誤 if(stat&0x1) return0x44；//失敗

else return0x66； //成功}4)編寫(xiě)主函數(shù)主函數(shù)用于測(cè)試nand.c的設(shè)備操作的函數(shù)?！久枋?.D.1】main.cintmain(void){ U8*buf=(U8*)0x30001000；

U8stat；

NF_Init()； //初始化

NF_Reset()； //復(fù)位設(shè)備

rNF_ReadID()； //讀NANDFlashID rNF_writePage(64，buf)；//寫(xiě)取0頁(yè)內(nèi)容到buf區(qū)

rNF_ReadPage(64，buf)；//讀取0頁(yè)內(nèi)容到buf區(qū)

}在MDK下將程序編譯后運(yùn)行，在主函數(shù)的讀寫(xiě)函數(shù)中設(shè)置斷點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)將SDRAM中某一地址空間內(nèi)容寫(xiě)入到NANDFlash某一塊中，之后再讀出到SDRAM中的另一地址空間，查看兩部分?jǐn)?shù)據(jù)是否一致。3.2UART

在嵌入式系統(tǒng)中，經(jīng)常用UART來(lái)進(jìn)行CPU與外圍設(shè)備的通信，UART是一種異步串行通信，例如，工業(yè)中常用的RS-232、RS-485通信以及現(xiàn)在電子設(shè)備上常用的USB，在本質(zhì)上都是串行通信。本節(jié)將主要講解UART的原理以及S3C2440UART的使用方法。

3.2.1概述在計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)通信中，經(jīng)常會(huì)用到以下幾個(gè)基本術(shù)語(yǔ)：并行：數(shù)據(jù)各位同時(shí)進(jìn)行傳輸。串行：數(shù)據(jù)逐位進(jìn)行傳輸。全雙工：收/發(fā)可同時(shí)進(jìn)行(串行通信)。半雙工：收/發(fā)不可同時(shí)進(jìn)行(串行通信)。異步串行通信：以字符為單位進(jìn)行傳輸。同步串行通信：以數(shù)據(jù)塊為單位進(jìn)行傳輸。波特率：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)傳輸?shù)奈粩?shù)。

UART，即通用異步收發(fā)傳輸器(UniversalAsynchronousReceive/Transmitter)，是一種通用串行數(shù)據(jù)總線(xiàn)，用于異步通信，可實(shí)現(xiàn)全雙工發(fā)送和接收。不僅可以實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)之間的通信，還可以實(shí)現(xiàn)與PC之間的通信。

UART以位傳輸，傳輸過(guò)程為，發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)，CPU將并行數(shù)據(jù)先存放到UART發(fā)送寄存器中，再通過(guò)FIFO(先進(jìn)先出隊(duì)列)傳送到串行設(shè)備；接收數(shù)據(jù)時(shí)，UART先將串行字符匯集到UART接收緩存區(qū)中，CPU再進(jìn)行讀取接收寄存器數(shù)據(jù)。兩個(gè)端口之間的通信，以幀為數(shù)據(jù)傳輸單位，一個(gè)幀由一組具有完整意義的位組成，例如開(kāi)始位、數(shù)據(jù)位、校驗(yàn)位、停止位。依據(jù)通信協(xié)議，比特率、數(shù)據(jù)位、停止位和奇偶校驗(yàn)位這幾個(gè)參數(shù)必須匹配。一個(gè)典型的UART傳輸數(shù)據(jù)幀(使用1個(gè)開(kāi)始位，7個(gè)數(shù)據(jù)位，1個(gè)校驗(yàn)位，2個(gè)停止位)如圖3-4所示。圖3-4典型UART傳輸數(shù)據(jù)幀兩個(gè)UART端口全雙工方式通信時(shí)，最簡(jiǎn)單的三線(xiàn)連線(xiàn)方式如圖3-5所示。

圖3-5UART連線(xiàn)圖其中：

Txd用于發(fā)送數(shù)據(jù)。

Rxd用于接收數(shù)據(jù)。

Gnd用于為雙方提供參考電平。

UART為標(biāo)準(zhǔn)的TTL/CMOS邏輯電平(0～5V或0～3.3V等)，為了增強(qiáng)數(shù)據(jù)的傳輸能力，增長(zhǎng)數(shù)據(jù)的傳輸長(zhǎng)度，通常把TTL/CMOS電平通過(guò)電平轉(zhuǎn)換芯片(例如Max232等)轉(zhuǎn)換為RS-232邏輯電平(3V～12V表示0，-3V～-12V表示1)。3.2.2S3C2440UART

S3C2440中的UART有3個(gè)獨(dú)立的UART通道，其主要特性如下：基于DMA或基于中斷操作的RxD0、TxD0、RxD1、TxD1、RxD2、TxD2。

UART通道0、通道1、通道2帶有IrDA1.0和64BFIFO。

UART通道0、通道1帶nRTS0、nCTS0、nRTS1、nCTS1。支持握手發(fā)送/接收功能。

UART由波特率發(fā)生器、發(fā)送器、接收器和控制單元組成。如圖3-6所示。圖3-6S3C2440UART組成圖其中：波特率發(fā)生器可以由PCLK、FCLK/n或UEXTCLK(外部輸入時(shí)鐘)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)。發(fā)送器和接收器各包含64BFIFO和數(shù)據(jù)移位器。在非FIFO模式下，傳輸數(shù)據(jù)不使用FIFO緩存，而是一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)地傳輸，即FIFO深度為1。發(fā)送數(shù)據(jù)，發(fā)送FIFO中數(shù)據(jù)時(shí)，在發(fā)送前先復(fù)制數(shù)據(jù)到發(fā)送移位器，再通過(guò)TxDn發(fā)出。接收數(shù)據(jù)，接收移位器接收RxDn上的數(shù)據(jù)并復(fù)制到接收FIFO中。

S3C2440UART的操作需要設(shè)置的參數(shù)有波特率、數(shù)據(jù)幀格式以及傳輸方式。

1.波特率每個(gè)UART的波特率發(fā)生器為發(fā)送器和接收器提供串行時(shí)鐘。波特率值根據(jù)UART波特率分頻寄存器UBRDIVn的分頻系數(shù)計(jì)算，時(shí)鐘源可以是S3C2440A的系統(tǒng)時(shí)鐘也可以是外部時(shí)鐘。計(jì)算公式如下：【示例3-3】波特率為115200b/s，UART時(shí)鐘為40MHz，計(jì)算UBRDIVn的值。

2.數(shù)據(jù)幀

S3C2440的每個(gè)UART在發(fā)送和接收數(shù)據(jù)時(shí)，都支持可編程數(shù)據(jù)幀，即可由1個(gè)起始位，5個(gè)～8個(gè)數(shù)據(jù)位，1個(gè)可選奇偶位，1個(gè)～2個(gè)停止位組成。數(shù)據(jù)幀是由UART行控制寄存器ULCONn指定。

3.傳輸方式

UART可以通過(guò)查詢(xún)方式、中斷方式和DMA方式實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸。查詢(xún)方式，在主程序的循環(huán)體內(nèi)不斷查詢(xún)UART端口，當(dāng)有數(shù)據(jù)來(lái)時(shí)，就接收數(shù)據(jù)；當(dāng)有數(shù)據(jù)發(fā)送時(shí)，就發(fā)送數(shù)據(jù)。其示例代碼如下?！臼纠?-4】查詢(xún)方式實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)發(fā)送操作{ while(1){ if(發(fā)送狀態(tài)==可發(fā)送)

執(zhí)行數(shù)據(jù)發(fā)送操作；

}}【示例3-5】查詢(xún)方式實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)接收操作{ while(1){ if(接收狀態(tài)==有數(shù)據(jù)到達(dá))

執(zhí)行數(shù)據(jù)接收操作；

}}

中斷方式，UART的發(fā)送和接收就是一個(gè)中斷源，在主程序循環(huán)體內(nèi)并不執(zhí)行數(shù)據(jù)傳輸程序，而只在中斷服務(wù)程序內(nèi)進(jìn)行。

DMA方式，DMA硬件自動(dòng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)移，CPU幾乎不用干涉。

4.?UART寄存器

UART傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，需要設(shè)置多個(gè)參數(shù)，諸如波特率、數(shù)據(jù)幀格式等，這都通過(guò)UART相關(guān)寄存器的配置來(lái)實(shí)現(xiàn)。

1)?UART分頻寄存器UBRDIVn

UBRDIVn的[15:0]用來(lái)設(shè)置分頻值，從而計(jì)算出傳輸波特率。

2)?UART線(xiàn)路控制寄存器ULCONn

ULCONn寄存器用來(lái)設(shè)置數(shù)據(jù)幀格式、是否是紅外傳輸、奇偶檢驗(yàn)、停止位個(gè)數(shù)及字長(zhǎng)度等。寄存器配置如表3-9所示。

表3-9ULCONn寄存器

3)?UART控制寄存器UCONn

UCONn寄存器用來(lái)選擇UART時(shí)鐘源、設(shè)置UART中斷方式，寄存器的具體配置如表3-10所示。表3-10UCONn寄存器續(xù)表

4)?UARTTx/Rx狀態(tài)寄存器UTRSTATn

UTRSTATn寄存器用來(lái)描述數(shù)據(jù)是否已經(jīng)發(fā)送完畢、是否已經(jīng)接收到數(shù)據(jù)。寄存器內(nèi)容如表3-11所示。表3-11UTRSTATn寄存器

5)?UART錯(cuò)誤寄存器UERSTATn

UERSTATn寄存器用來(lái)表示在接收狀態(tài)時(shí)，各種錯(cuò)誤是否發(fā)生。錯(cuò)誤狀態(tài)如表3-12所示。表3-12UERSTATn寄存器

6)?UART發(fā)送緩存寄存器UTXHn

CPU將數(shù)據(jù)寫(xiě)入這個(gè)寄存器，UART將會(huì)將它保存到緩沖區(qū)中并自動(dòng)發(fā)送出去。

7)?UART接收緩存寄存器URXHn當(dāng)UART接收到數(shù)據(jù)時(shí)，CPU讀取此寄存器，即可獲得數(shù)據(jù)。

8)其他寄存器

UFCONn寄存器、UFSTATn寄存器，UFCONn寄存器用于設(shè)置是否使用FIFO，設(shè)置各FIFO的觸發(fā)閾值，即發(fā)送FIFO中有多少個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生中斷、接收FIFO中有多少個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生中斷，并且可以通過(guò)設(shè)置UFCONn寄存器來(lái)復(fù)位各個(gè)FIFO。讀取UFSTATn寄存器可以知道各個(gè)FIFO是否已滿(mǎn)，以及其中有多少個(gè)數(shù)據(jù)。

UMCONn寄存器、UMSTATn寄存器，這兩類(lèi)寄存器用于流量控制，本書(shū)不做介紹。3.2.3UART編程

UART編程一般遵循以下步驟：

(1)?I/O初始化，即設(shè)置UART相應(yīng)的I/O功能為UART功能。

(2)?UART設(shè)備初始化，設(shè)置UBRDIVn、ULCONn、UCONn等寄存器，用于設(shè)置波特率、傳輸格式、選擇UART時(shí)鐘、中斷方式等。

(3)接收、發(fā)送數(shù)據(jù)，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。下述內(nèi)容用于實(shí)現(xiàn)任務(wù)描述3.D.2——實(shí)現(xiàn)往串口寫(xiě)入1個(gè)字符，開(kāi)發(fā)板收到后再通過(guò)串口輸出。其實(shí)現(xiàn)步驟如下：

1)所需頭文件所需頭文件的源碼如下。

【描述3.D.2】s3c2440.h

/*WOTCHDOGregister*/

#defineWTCON (*(volatileunsignedlong*)0x53000000)

/*SDRAMregisers*/

#defineMEM_CTL_BASE 0x48000000

#defineSDRAM_BASE 0x30000000/*NANDFlashregisters*/#defineNFCONF (*(volatileunsignedint*)0x4e000000)#defineNFCMD (*(volatileunsignedchar*)0x4e000004)#defineNFADDR (*(volatileunsignedchar*)0x4e000008)#defineNFDATA (*(volatileunsignedchar*)0x4e00000c)#defineNFSTAT (*(volatileunsignedchar*)0x4e000010)/*GPIOregisters*/#defineGPBCON (*(volatileunsignedlong*)0x56000010)#defineGPBDAT

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