9月1+X集成電路理論?？荚囶}+答案一、單選題（共20題，每題1分，共20分）1.干-濕-干氧化過程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A:提高二氧化硅和光刻膠的黏附性B:形成所需的二氧化硅膜厚度C:獲得致密的二氧化硅表面D:改善二氧化硅和硅交界面的性能2.清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SC-1清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可以去除的物質(zhì)是（）。A:金屬B:自然氧化物C:顆粒D:光刻膠3.點(diǎn)銀漿時(shí)，銀漿的覆蓋范圍需要（）。A:小于50%B:大于75%C:大于50%D:不小于90%4.進(jìn)行料盤包裝時(shí)，一個(gè)內(nèi)盒中通常裝有()袋真空包裝完的料盤。A:1B:4C:3D:25.在使用J-link驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的（）中設(shè)置（）。A:Output；工作頻率B:Output；地址范圍C:Debug；工作頻率D:Debug；地址范圍6.對準(zhǔn)和曝光過程中，套準(zhǔn)精度是指形成的圖形層與前層的最大相對位移大約是關(guān)鍵尺寸的（）。A:四分之一B:三分之一C:五分之一D:二分之一7.下列關(guān)于平移式分選機(jī)描述錯(cuò)誤的是（）。A:料盤輸送到待測區(qū)的指定位置后，吸嘴從料盤上真空吸取芯片，然后轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”B:等待芯片傳輸裝置移動(dòng)到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)C:當(dāng)待測區(qū)料盤上的芯片全部轉(zhuǎn)移后，需要更換料盤，繼續(xù)進(jìn)行上料D:傳送帶將料架上層的料盤輸送至待測區(qū)料盤放置的指定區(qū)域8.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：()。A:測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試B:測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選C:測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選D:芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試9.用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是()。A:防止芯片散落B:節(jié)省人工檢查時(shí)間C:確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行D:比較美觀10.下列描述正確的是（）。A:QFP和SOP封裝一般為重力式分選B:BGA封裝一般為重力式分選C:PLCC和LCCC封裝一般為重力式分選D:DIP和S0P封裝一般為重力式分選11.激光打標(biāo)文本內(nèi)容和格式設(shè)置好之后，需要（）。A:點(diǎn)擊開始打標(biāo)按鈕B:選擇打標(biāo)文檔C:點(diǎn)擊保存按鈕D:調(diào)整光具位置12.單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足，提示水流量低報(bào)警，該故障是（）。A:斷水B:液面過低C:打火D:電極故障13.編帶過程中，在進(jìn)行熱封處理后，需要進(jìn)行()環(huán)節(jié)。A:編帶收料B:光檢C:芯片放入載帶D:密封14.使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測時(shí)，第一環(huán)節(jié)需進(jìn)行()操作。A:上料B:分選C:外檢D:編帶15.利用編帶機(jī)進(jìn)行編帶的過程中，在完成熱封處理后，需要進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。A:密封B:光檢C:將芯片放入載帶中D:編帶收料16.利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測時(shí)，芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)進(jìn)入（）區(qū)域。A:上料B:測試C:分選D:待測17.若采用全自動(dòng)探針臺(tái)對晶圓進(jìn)行扎針測試，需把承載的晶圓花籃放到探針臺(tái)相應(yīng)位置等待檢測，假如位置放置不正確，會(huì)造成（）后果。A:位置指示燈異常B:晶圓探針錯(cuò)位、破片C:探針臺(tái)死機(jī)D:晶圓撞擊探針測試卡18.晶圓檢測工藝的測試車間符合()潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。A:10萬級(jí)B:萬級(jí)C:千級(jí)D:100萬級(jí)19.口罩和發(fā)罩（）。A:不得重復(fù)使用B:需要定期清洗C:一周必須更換一次D:每天下班時(shí)放入消毒柜，下次對應(yīng)取用20.解決鋁尖刺的方法有（）。A:在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑鱼~B:采用三層夾心結(jié)構(gòu)C:在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸鐳:采用“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)二、判斷題（共20題，每題1分，共20分）1.下列程序?yàn)槎〞r(shí)器基本設(shè)置語句。A:正確B:錯(cuò)誤2.一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕具有較高的選擇比。A:正確B:錯(cuò)誤3.利用四探針法檢測單晶硅錠的導(dǎo)電類型時(shí)，可以利用檢流計(jì)的偏轉(zhuǎn)方向的不同確定被測硅錠是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體。A:正確B:錯(cuò)誤4.解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進(jìn)行輕摻雜。A:正確B:錯(cuò)誤5.晶圓在扎針測試時(shí)，探針臺(tái)上需要進(jìn)行清零操作。A:正確B:錯(cuò)誤6.最大不失真輸出電壓定義為運(yùn)算放大器在額定電源電壓和額定負(fù)載下，不出現(xiàn)明顯削波失真時(shí)所得到的最大峰值輸出電壓（也稱為最大輸出電壓、輸出電壓擺幅、輸出電壓動(dòng)態(tài)范圍）。（）A:正確B:錯(cuò)誤7.上料時(shí)，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無芯片落在氣泡膜內(nèi)。A:正確B:錯(cuò)誤8.編帶工藝操作時(shí)，用蓋帶進(jìn)行熱封，是為了防止載帶中的芯片掉落。（）A:正確B:錯(cuò)誤9.集成電路制作工藝的車間需要定期進(jìn)行除塵清掃，其可以有效減少生產(chǎn)環(huán)境的變化對產(chǎn)品質(zhì)量的影響。A:正確B:錯(cuò)誤10.PB->OUTEN=0x00ff;中I/O設(shè)置為0表示輸出；1表示輸入。A:正確B:錯(cuò)誤11.數(shù)?；旌霞呻娐樊a(chǎn)品以Bi-CMOS產(chǎn)品居多。A:正確B:錯(cuò)誤12.平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測時(shí)，是通過出料梭將待測芯片從待測區(qū)轉(zhuǎn)移到測試區(qū)的。A:正確B:錯(cuò)誤13.經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)測試的芯片都需要進(jìn)行編帶。A:正確B:錯(cuò)誤14.在芯片檢測工藝中，要根據(jù)封裝形式選擇對應(yīng)的測試夾具，并進(jìn)行調(diào)試，使測試夾具能夠和芯片引腳一一對應(yīng)。A:正確B:錯(cuò)誤15.單晶硅生長結(jié)束后，用四探針技術(shù)測量單晶硅錠的電阻率。A:正確B:錯(cuò)誤16.和待測芯片并行測試一樣，串行測試也是由測試夾具（金手指）夾持固定后再進(jìn)行測試，不同點(diǎn)在于串行測試區(qū)有A/B/C三個(gè)測試軌道，每個(gè)測試軌道各連接一塊測試卡，測試卡之間互不干擾，模塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測試。（）A:正確B:錯(cuò)誤17.MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLib是常用接插件庫。A:正確B:錯(cuò)誤18.標(biāo)準(zhǔn)單元版圖其主要是用于大規(guī)模數(shù)字集成電路版圖的自動(dòng)布局布線。A:正確B:錯(cuò)誤19.導(dǎo)片是在核對晶圓與晶圓測試隨件單上的信息一致后，將同一批次的晶圓按片號(hào)依次放入常溫花籃的過程。A:正確B:錯(cuò)誤20.晶圓研磨和晶圓切割前都需要在晶圓背面進(jìn)行覆膜。A:正確B:錯(cuò)誤答案與解析一、單選題答案1.答案：(C)答案解析：干-濕-干氧化中，第一次干氧是為了獲得致密的SiO2表面，從而提高對雜質(zhì)的阻擋能力。干氧氧化和濕氧氧化各有自己的特點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)中往往將這兩種方式結(jié)合起來，采用干-濕-干的氧化方式，既保證二氧化硅的厚度及一定的生產(chǎn)效率，又改善了表面的完整性和解決了光刻時(shí)的浮膠問題。第一次干氧是為了獲得致密的二氧化硅表面，從而提高對雜質(zhì)的阻擋能力。濕氧主要用來形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生產(chǎn)效率；第二次干氧，是為了改善二氧化硅和硅交界面的性能，同時(shí)使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻膠的粘附性。2.答案：(C)3.答案：(B)答案解析：引線框架被推至點(diǎn)銀漿指定位置后，點(diǎn)膠頭在晶粒座預(yù)定粘著晶粒的位置點(diǎn)上定量的銀漿（銀漿覆蓋范圍>75%）。4.答案：(A)答案解析：進(jìn)行料盤包裝時(shí)，-個(gè)內(nèi)盒中通常裝有1袋真空包裝完的料盤。5.答案：(D)答案解析：在使用J-link驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)時(shí)，需在魔法棒按鈕的Debug中設(shè)置地址范圍，以確定調(diào)試時(shí)訪問的內(nèi)存區(qū)域等相關(guān)參數(shù)，所以答案是[A]。6.答案：(B)答案解析：版圖套準(zhǔn)過程有了對準(zhǔn)規(guī)范，也就是常說的套準(zhǔn)容差或套準(zhǔn)精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。7.答案：(D)8.答案：(B)答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選。9.答案：(A)答案解析：空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程中可能會(huì)出現(xiàn)封口分離的情況，導(dǎo)致端口的芯片散落。10.答案：(D)答案解析：重力式分選常用于引腳間距較大的封裝形式。DIP（雙列直插式封裝）和SOP（小外形封裝）引腳間距相對較大，一般采用重力式分選；QFP（塑料方形扁平封裝）引腳間距較小，通常不是重力式分選；PLCC（塑料有引線芯片載體）和LCCC（無引線陶瓷芯片載體）引腳間距也較小，一般不是重力式分選；BGA（球柵陣列封裝）引腳在芯片底部呈球狀排列，一般不是重力式分選。所以正確答案是A。11.答案：(C)答案解析：打標(biāo)文本內(nèi)容編輯好后點(diǎn)擊“保存”即可，然后開始調(diào)整光具位置準(zhǔn)備打標(biāo)。12.答案：(A)答案解析：當(dāng)單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足提示水流量低報(bào)警時(shí)，故障原因就是斷水。液面過低與水流量低報(bào)警無關(guān)；電極故障和打火也不會(huì)直接導(dǎo)致水流量低報(bào)警這種情況。所以該故障是斷水，答案選[A]13.答案：(A)答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行編帶的步驟是：芯片光檢→載帶移動(dòng)→熱封處理→編帶收料→清料。14.答案：(A)答案解析：重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝流程：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。15.答案：(D)16.答案：(C)答案解析：在平移式分選設(shè)備中，芯片在完成特定區(qū)域操作后會(huì)進(jìn)入分選區(qū)域進(jìn)行進(jìn)一步的分類篩選等操作。17.答案：(B)答案解析：若晶圓花籃位置放置不正確，在進(jìn)行扎針測試時(shí)很可能導(dǎo)致晶圓探針錯(cuò)位，進(jìn)而引發(fā)破片等嚴(yán)重后果。而探針臺(tái)死機(jī)、晶圓撞擊探針測試卡、位置指示燈異常等情況通常不是因晶圓花籃位置放置不正確直接造成的。18.答案：(B)答案解析：晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級(jí)潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。19.答案：(A)答案解析：口罩和發(fā)罩不得重復(fù)使用，每天需穿戴全新的口罩和發(fā)罩。20.答案：(C)答案解析：解決鋁尖刺的方法有在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸?。二、判斷題答案1.答案：(A)2.答案：(B)答案解析：一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕的選擇比不高。3.答案：(B)4.答案：(B)答案解析：采用高摻雜來形成歐姆接觸，從而消除鋁硅接觸中的肖特基現(xiàn)象。5.答案：(A)6.答案：(A)7.答案：(A)8.答案：(A)9.答案：(A)答案解析：由于車間內(nèi)設(shè)備、通風(fēng)、空調(diào)等的運(yùn)行會(huì)逐漸帶入灰塵，經(jīng)過累積會(huì)使車間內(nèi)的微粒數(shù)超過該車間的無塵指標(biāo)，此時(shí)電路和設(shè)備易被灰塵污染、損壞，造成一定的損失，所以定期對車間進(jìn)行除塵清掃是必不可少的環(huán)節(jié)，防止生產(chǎn)環(huán)境的變化而影響產(chǎn)品質(zhì)量。10.答案：(B)11.答案：(A)12.答案：(B)答案解析：平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測時(shí)，是通過入料梭將待測芯片從待測區(qū)轉(zhuǎn)移到測試區(qū)的。13.答案：(B)答案解析：TO封裝的芯片