5年（2021-2025）高考1年模擬化學(xué)真題分類匯編PAGEPAGE1專題07晶體的有關(guān)計(jì)算考點(diǎn)五年考情（2021-2025）命題趨勢(shì)考點(diǎn)01?晶胞參數(shù)計(jì)算（5年5考）2025·湖北卷、2024·湖北卷、2023·湖北卷、2022·湖北卷、2021·湖北卷近5年湖北卷選擇題中對(duì)本專題的考查，每年必考1題（通常為后5題中?），?分值3分?，五年覆蓋率達(dá)100%。難度中等偏上，側(cè)重?空間想象與量化計(jì)算?1.考查規(guī)律如下：（1）?晶胞參數(shù)計(jì)算，涉及原子間距（核間距）、密度的計(jì)算，如2025年晶胞中1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距的計(jì)算（2）配位數(shù)與空間結(jié)構(gòu)，涉及面心立方（配位數(shù)12）、體心立方（配位數(shù)8）、離子晶體中陰、陽(yáng)離子配位關(guān)系，如2024年：Au-Cu合金Ⅱ中Au的配位數(shù)（12）。（3）晶胞原子個(gè)數(shù)比，涉及晶胞原子數(shù)、原子個(gè)數(shù)比及化學(xué)式的確定，如2022年確定某立方鹵化物的化學(xué)式。2.預(yù)測(cè)2026年湖北卷：（1）情境創(chuàng)新①前沿材料載體?：如2024年Au-Cu合金分級(jí)（18K金）、2023年儲(chǔ)氫材料LaH?。②學(xué)術(shù)化模型?：晶胞投影圖，如2023年儲(chǔ)氫材料LaH?。（2）計(jì)算綜合化?：①?gòu)膯我幻芏扔?jì)算轉(zhuǎn)向?多參數(shù)關(guān)聯(lián)?（如同時(shí)求算密度、配位數(shù)、原子間距）。②融入?反常條件?（如2024年Au-Cu合金Ⅲ中核間距比較需結(jié)合幾何關(guān)系）。湖北卷在該專題的命題趨向?學(xué)術(shù)情境復(fù)雜化?、?計(jì)算鏈條延長(zhǎng)化?及?信息呈現(xiàn)隱蔽化?，需通過(guò)模型化訓(xùn)練提升空間推理能力?？键c(diǎn)02配位數(shù)與空間結(jié)構(gòu)（5年5考）2025·湖北卷、2024·湖北卷、2023·湖北卷、2022·湖北卷、2021·湖北卷考點(diǎn)03晶胞原子個(gè)數(shù)比（5年4考）2025·湖北卷、2024·湖北卷、2023·湖北卷、2021·湖北卷1．（2025·湖北·高考真題）晶胞是長(zhǎng)方體，邊長(zhǎng)，如圖所示。下列說(shuō)法正確的是A．一個(gè)晶胞中含有4個(gè)O原子B．晶胞中分子的取向相同C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距為D．每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰的S原子有4個(gè)【答案】D【解析】A．由晶胞圖可知，SO2分子位于長(zhǎng)方體的棱心和體心，1個(gè)晶胞中含(12×+1)個(gè)SO2分子，含有8個(gè)O原子，A錯(cuò)誤；B．由圖可知晶胞中SO2分子的取向不完全相同，如1和2，B錯(cuò)誤；C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距離為上、下面面對(duì)角線的一半，即pm，C錯(cuò)誤；D．以體心的S原子為例，由于a≠b≠c，每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰(距離最小)的S原子有4個(gè)，D正確；答案選D。2．（2024·湖北·高考真題）黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為。合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．I為金B(yǎng)．Ⅱ中的配位數(shù)是12C．Ⅲ中最小核間距D．I、Ⅱ、Ⅲ中，與原子個(gè)數(shù)比依次為、、【答案】C【解析】A．由24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%，則18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為：

，I中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值為1:1，則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為：

，A正確；B．Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂點(diǎn)，Au的配位數(shù)指距離最近的Cu，Cu處于面心處，類似于二氧化碳晶胞結(jié)構(gòu)，二氧化碳分子周圍距離最近的二氧化碳有12個(gè)，則Au的配位數(shù)為12，B正確；C．設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a，的核間距為，的最小核間距也為，最小核間距，C錯(cuò)誤；D．I中，處于內(nèi)部，處于晶胞的八個(gè)頂點(diǎn)，其原子個(gè)數(shù)比為1:1；Ⅱ中，處于立方體的八個(gè)頂點(diǎn)，處于面心，其原子個(gè)數(shù)比為：；Ⅲ中，處于立方體的面心，處于頂點(diǎn)，其原子個(gè)數(shù)比為；D正確；故選C。3．（2023·湖北·高考真題）鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，即得到晶體。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶體中La的配位數(shù)為8B．晶體中H和H的最短距離：C．在晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D．單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為【答案】C【解析】A．由的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點(diǎn)和面心，晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子，若以頂點(diǎn)La研究，與之最近的H原子有8個(gè)，則La的配位數(shù)為8，故A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：，故B正確；C．由題干信息可知，在晶胞中，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè)，頂點(diǎn)數(shù)為48=32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯(cuò)誤；D．1個(gè)晶胞中含有58=40個(gè)H原子，含H質(zhì)量為g，晶胞的體積為(484.010-10cm)3=(4.8410-8)3cm3，則單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為，故D正確；答案選C。4．（2022湖北·高考真題）某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．的配位數(shù)為6 B．與距離最近的是C．該物質(zhì)的化學(xué)式為 D．若換為，則晶胞棱長(zhǎng)將改變【答案】B【解析】A．配位數(shù)為與其距離最近且等距離的F-的個(gè)數(shù)，如圖所示，位于體心，F(xiàn)-位于面心，所以配位數(shù)為6，A正確；B．與的最近距離為棱長(zhǎng)的，與的最近距離為棱長(zhǎng)的，所以與距離最近的是，B錯(cuò)誤；C．位于頂點(diǎn)，所以個(gè)數(shù)==1，F(xiàn)-位于面心，F(xiàn)-個(gè)數(shù)==3，位于體心，所以個(gè)數(shù)=1，綜上，該物質(zhì)的化學(xué)式為，C正確；D．與半徑不同，替換后晶胞棱長(zhǎng)將改變，D正確；故選B。5．（2021湖北·高考真題）某立方晶系的銻鉀(Sb—K)合金可作為鉀離子電池的電極材料，圖a為該合金的晶胞結(jié)構(gòu)圖，圖b表示晶胞的一部分。下列說(shuō)法正確的是A．該晶胞的體積為a3×10-36cm-3 B．K和Sb原子數(shù)之比為3∶1C．與Sb最鄰近的K原子數(shù)為4 D．K和Sb之間的最短距離為apm【答案】B【解析】A．該晶胞的邊長(zhǎng)為，故晶胞的體積為，A項(xiàng)錯(cuò)誤；B．該晶胞中K的個(gè)數(shù)為，Sb的個(gè)數(shù)為，故K和Sb原子數(shù)之比為3∶1，B項(xiàng)正確；C．以面心處Sb為研究對(duì)象，與Sb最鄰近的K原子數(shù)為8，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D．K和Sb的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的，即，D項(xiàng)錯(cuò)誤。故選B。1．（2025·湖北·二模）某種含釩超導(dǎo)材料的晶胞結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)俯視圖如圖，晶胞參數(shù)為。下列敘述錯(cuò)誤的是A．基態(tài)V原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有13種B．晶體中與原子距離最近的原子有6個(gè)C．該晶體的化學(xué)式為D．若該含釩超導(dǎo)材料的摩爾質(zhì)量為，則該晶體密度為【答案】D【解析】A．V是23號(hào)元素，基態(tài)V原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d34s2，含有電子的軌道數(shù)為13，原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有13種，A正確；B．該晶胞中Cs原子位于頂點(diǎn)，由于晶胞參數(shù)為，且，晶體中與原子距離最近的原子有6個(gè)，位置為，B正確；C．該晶胞中Cs原子的個(gè)數(shù)為=1，V原子的個(gè)數(shù)為=3，Sb原子的個(gè)數(shù)為=5，該晶體的化學(xué)式為，C正確；D．該晶胞中Cs原子的個(gè)數(shù)為1，V原子的個(gè)數(shù)為3，Sb原子的個(gè)數(shù)為5，若該含釩超導(dǎo)材料的摩爾質(zhì)量為，晶胞的體積為，則該晶體密度為，D錯(cuò)誤；故選D。2．（2025·湖北沙市·模擬預(yù)測(cè)）金屬鉬()的一種晶胞為體心立方堆積(圖1)，晶胞參數(shù)為。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立如圖所示坐標(biāo)系(圖2)，該晶胞沿其體對(duì)角線方向上的投影如圖3所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．圖3中原子3和原子4的連線長(zhǎng)度為B．金屬鉬的密度為C．若圖1中原子1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則原子2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為D．鉬原子的空間利用率為【答案】A【解析】A．圖3中原子3和原子4的連線為面對(duì)角線，長(zhǎng)度為，故A錯(cuò)誤；B．根據(jù)均攤原則，晶胞中鉬原子數(shù)為，金屬鉬的密度為，故B正確；C．原子2在體心，若圖1中原子1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則原子2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故C正確；D．金屬鉬晶胞為體心立方堆積，晶胞中鉬原子數(shù)為2，鉬原子半徑為體對(duì)角線的，所以鉬原子半徑為，鉬原子的空間利用率為，故D正確；選A。3．（2025·湖北·二模）固態(tài)儲(chǔ)氫材料具有不易泄露，不易爆炸等優(yōu)點(diǎn)。下圖是鐵鎂儲(chǔ)氫材料的晶胞，晶胞參數(shù)為；氫原子通過(guò)與鐵鎂形成化學(xué)鍵儲(chǔ)存在晶體中，并位于以鐵原子為中心的正八面體頂點(diǎn)處。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．該晶胞的化學(xué)式是 B．與鐵原子最近的鎂原子有8個(gè)C．儲(chǔ)氫后晶體密度為 D．晶胞中與的最短距離為【答案】C【解析】A．根據(jù)均攤法，晶胞中所含Mg的個(gè)數(shù)為8，鐵原子的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，則該晶胞的化學(xué)式是Mg2Fe，故A正確；B．由晶胞的結(jié)構(gòu)可知，以上面面心的鐵原子為參考，上面再加一個(gè)晶胞，可以看出與鐵原子最近的鎂原子有8個(gè)，故B正確；C．氫原子通過(guò)與鐵鎂形成化學(xué)鍵儲(chǔ)存在晶體中，并位于以鐵原子為中心的正八面體頂點(diǎn)處，則晶胞中氫原子位于晶胞的體心和棱心，晶胞中氫原子個(gè)數(shù)為12×+1=4，晶胞的質(zhì)量為=，晶胞的體積為a3×10-21cm3，晶胞的密度為ρ===，故C錯(cuò)誤；D．晶胞中Fe與Fe的最短距離為面對(duì)角線的一半，為，故D正確；答案選C。4．（2025·湖北武漢·二模）中科院課題組報(bào)道了空穴摻雜型銅氧化物超導(dǎo)體，其四方晶胞(晶胞參數(shù)：a=b≠c，α=β=γ=90°)的結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶胞的俯視圖為B．Cu位于元素周期表的ds區(qū)C．Cu位于O構(gòu)成的八面體的體心D．該超導(dǎo)體的化學(xué)式為Re2CuO4【答案】A【解析】A．從晶胞結(jié)構(gòu)看，俯視時(shí)，Re原子在正方形中心，由于棱上也有Re原子，且Re原子半徑大于Cu原子半徑，故在正方形頂點(diǎn)還能看到Re原子，O原子在正方形棱上，所以晶胞的俯視圖錯(cuò)誤，A錯(cuò)誤；B．Cu的價(jià)電子排布式為，位于元素周期表的ds區(qū)，B正確；C．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Cu位于O構(gòu)成的八面體的體心，C正確；D．由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，O原子：棱上16個(gè)（每個(gè)棱上原子被4個(gè)晶胞共用），面上4個(gè)（每個(gè)面上原子被2個(gè)晶胞共用），晶胞內(nèi)部有2個(gè)（完全屬于該晶胞），，Cu原子：頂點(diǎn)8個(gè)（每個(gè)頂點(diǎn)原子被8個(gè)晶胞共用），晶胞內(nèi)部有1個(gè)（完全屬于該晶胞），，Re原子：棱上8個(gè)（每個(gè)棱上原子被4個(gè)晶胞共用），晶胞內(nèi)部有2個(gè)（完全屬于該晶胞），，所以該超導(dǎo)體的化學(xué)式為Re2CuO4，D正確；故選A。5．（2025·湖北·二模）科學(xué)家研究發(fā)現(xiàn)，利用晶體釋放出的和可脫除硅烷，這拓展了金屬氟化物材料的生物醫(yī)學(xué)功能。晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，該晶胞從A離子處沿體對(duì)角線的投影如圖2所示。下列敘述錯(cuò)誤的是A．填充在以構(gòu)成的立方體空隙中B．若C離子的投影位置在?，則B離子的投影位置在⑦C．晶胞內(nèi)和的最短距離為D．若脫硅速率依賴于晶體提供自由氟離子的能力，則脫硅速率：<【答案】D【解析】A．從晶胞圖1可看出，周圍距離最近的有8個(gè)，故填充在以構(gòu)成的立方體空隙中，A項(xiàng)正確；B．從A離子處沿體對(duì)角線的投影圖中，A離子及對(duì)角線位置的在位置①，其余頂角的位于⑧⑨⑩???，面心位置的位于②③④⑤⑥⑦，若C離子的投影位置在?，則B離子的投影位置在⑦，B項(xiàng)正確；C．位于體對(duì)角線的處，晶胞內(nèi)和的最短距離為nm，C項(xiàng)正確；D．的半徑大于的半徑，中離子鍵強(qiáng)度較小，易提供自由氟離子，故脫硅速率>，D項(xiàng)錯(cuò)誤；答案選D。6．（2025·湖北武漢·一模）某熱電材料的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，屬于立方晶系，晶體密度為，摩爾質(zhì)量為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．化學(xué)式為SnAuSc B．與Au等距且最近的Au原子有12個(gè)C．摩爾體積 D．微粒間作用力為金屬鍵【答案】C【解析】A．根據(jù)均攤法計(jì)算可知，Sn的個(gè)數(shù)：，Au的個(gè)數(shù)：，Sc的個(gè)數(shù)為4，則晶胞的化學(xué)式為SnAuSc，A正確；B．以體心的Au為研究對(duì)象，其等距且最近的Au原子位于12個(gè)棱心上，B正確；C．根據(jù)A選項(xiàng)可知，每個(gè)晶胞含有4個(gè)SnAuSc，摩爾體積(每摩爾晶胞的體積)，C錯(cuò)誤；D．此晶體屬于金屬材料，微粒間作用力為金屬鍵，D正確；故選C。7．（2025·湖北·模擬預(yù)測(cè)）普魯士藍(lán)的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為，鐵氰骨架組成晶胞中的8個(gè)小立方體，在小立方體的頂點(diǎn)，在小立方體的棱上(圖中未畫出)，兩端均與相連，小立方體中心空隙可容納。普魯士藍(lán)的摩爾質(zhì)量為，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．普魯士藍(lán)的化學(xué)式為 B．與距離最近且相等的有8個(gè)C．該晶體中含有共價(jià)鍵、配位鍵和離子鍵 D．普魯士藍(lán)的密度為【答案】B【解析】A．該晶胞中位于體心和棱上，的數(shù)目為，位于頂點(diǎn)和面心，的數(shù)目為，位于晶胞內(nèi)，的數(shù)目為4，根據(jù)化合物中正、負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為零可知，晶胞中的數(shù)目為，則晶胞中、、與的數(shù)目之比為，故普魯士藍(lán)的化學(xué)式為，A項(xiàng)正確；B．由晶胞體心的可看出，與距離最近且相等的有6個(gè)，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．該晶體中含有，碳氮鍵屬于共價(jià)鍵；內(nèi)界的與形成配位鍵；、和形成離子鍵，C項(xiàng)正確；D．1個(gè)晶胞中含有4個(gè)、4個(gè)、4個(gè)、24個(gè)，而1個(gè)晶胞的體積為，則晶胞的密度為，D項(xiàng)正確；故選B。8．（2025·湖北黃岡·二模）水系鎂離子電池正極材料的化學(xué)式可表示為，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖1，晶胞參數(shù)為apm，俯視時(shí)的位置如圖2。電池放電過(guò)程中，電解液中的會(huì)不斷嵌入小立方體中心，晶胞中和含量發(fā)生變化，當(dāng)電池放電完全時(shí)，形成。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶胞中兩個(gè)之間的距離為pmB．電池正極材料的化學(xué)式可表示為MgCu2Fe2(CN)9C．x：x′=D．或位于Cu2+所構(gòu)成的八面體空隙【答案】B【解析】A．晶胞中兩個(gè)之間的距離為體對(duì)角線的一半，即為pm，A正確；B．由圖1結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含有2個(gè)；位于棱心和體心，個(gè)數(shù)為：；位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為：；位于棱上、面上和體內(nèi)，，所以各微粒個(gè)數(shù)比為：，故該晶胞的化學(xué)式可表示，B錯(cuò)誤；C．根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為零可知，為價(jià)，，當(dāng)電池放電完全時(shí)，完全轉(zhuǎn)化為，根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為零可知，含有4個(gè)，則，C正確；D．正中間一層的銅位于中心，與下層的四個(gè)銅原子可以構(gòu)成一個(gè)正四面體，結(jié)合晶胞的空間結(jié)構(gòu)考慮，或位于所構(gòu)成的八面體空隙，D正確；故選B。9．（2025·湖北黃岡·二模）許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物含有氮、磷。用●、○分別表示K+和，其構(gòu)成的四方晶胞如圖a所示，圖b、圖c分別顯示的是K+和該含磷微粒在晶胞xz面、yz面上的位置下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．甲中釩的化合價(jià)為+3，中心離子配位數(shù)為6B．乙的碳氧鍵鍵長(zhǎng)大于甲醇的碳氧鍵，可能原因是乙中O與芳環(huán)大π鍵的共軛效應(yīng)C．若晶體的密度為ρg/cm3，晶胞高為cpm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶胞正方形底邊的邊長(zhǎng)為pmD．晶胞沿x軸方向的投影圖為：【答案】B【解析】A．甲中N提供孤電子對(duì)與V形成配位鍵，然后與O形成3個(gè)共價(jià)鍵，釩的化合價(jià)為+3，中心離子V與3個(gè)N原子和3個(gè)O原子形成配位鍵，所以配位數(shù)是6，A正確；B．由于乙中存在大π鍵，N原子與芳環(huán)的共軛效應(yīng)可在一定程度上縮短碳氧原子之間的鍵長(zhǎng)，B錯(cuò)誤；C．設(shè)晶胞正方形底邊邊長(zhǎng)為xpm，據(jù)“均攤法”，晶胞中含個(gè)、個(gè)K+，則晶體密度為；解得晶胞正方形底邊的邊長(zhǎng)為x=pm，C正確；D．由圖(a)、(b)、(c)可知，晶胞在x軸方向的投影圖為，D正確；故選B。10．（2025·湖北·三模）某水性鈉離子電池電極材料由Na＋、Fe2＋、Fe3＋、CN-組成，其立方晶胞嵌入和嵌出Na＋過(guò)程中，F(xiàn)e2＋與Fe3＋含量發(fā)生變化，依次變?yōu)楦窳志G、普魯士藍(lán)、普魯士白三種物質(zhì)，其過(guò)程如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．鐵在元素周期表中位于第4周期第Ⅷ族B．普魯士藍(lán)的導(dǎo)電能力小于普魯士白C．普魯士藍(lán)中Fe2＋與Fe3＋個(gè)數(shù)比為1：2D．普魯士白的化學(xué)式為NaFe(CN)3【答案】C【解析】A．鐵元素的原子序數(shù)為26，位于元素周期表第4周期第Ⅷ族，故A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，普魯士白晶胞中鈉離子數(shù)目比普魯士藍(lán)多，鈉離子嵌入越多，電極的導(dǎo)電性能越強(qiáng)，所以普魯士藍(lán)的導(dǎo)電能力小于普魯士白，故B正確；C．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，普魯士藍(lán)晶胞中位于棱上和體心的亞鐵離子個(gè)數(shù)為12×+1=4，位于頂點(diǎn)和面心的鐵離子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，所以普魯士藍(lán)中亞鐵離子與鐵離子個(gè)數(shù)比為1：1，故C錯(cuò)誤；D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，普魯士白中嵌入8個(gè)Na+，則有8個(gè)Fe3+轉(zhuǎn)化為Fe2+，位于棱上、面上、體內(nèi)的氰酸根離子的個(gè)數(shù)為24×+12×+12=24，則鈉離子、亞鐵離子、硫氰酸根離子的個(gè)數(shù)比為8：8：24=1：1：3，化學(xué)式為NaFe(CN)3，故D正確；故選C。11．（2025·湖北黃石·二模）一種具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的光催化劑，其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(α=β=γ=90°)，NA是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶體密度=B．1位和2位O2-的核間距為apmC．該物質(zhì)的化學(xué)式為PbTiO3D．晶胞中距離Ti4+最近的O2-數(shù)目為4【答案】A〖祥解〗該晶胞為四方晶胞，包含、、三種離子，可由粒子位置與均攤得出化學(xué)式：位于晶胞頂點(diǎn)，共有8個(gè)頂點(diǎn)，均攤后為個(gè)。位于晶胞體心，共有1個(gè)體心，均攤后為1個(gè)。位于面心，共有6個(gè)面心粒子，均攤后為個(gè)。、、個(gè)數(shù)比為1：3：1，化學(xué)式為。晶胞質(zhì)量為；晶胞體積為（），密度為；【解析】A．晶胞的密度為，故A錯(cuò)誤；B．如圖，構(gòu)造一個(gè)直角三角形，m=0.5a，n=0.55a，由勾股定理可得1位和2位的核間距為，故B正確；C．、、個(gè)數(shù)比為1：3：1，化學(xué)式為，故C正確；D．位于晶胞體心，距離它最近的分別位于前、后、左、右的4個(gè)面心，距離為0.5a，上、下兩個(gè)面面心的距離0.55a，所以晶胞中距離最近的數(shù)目為4，故D正確；故選A。12．（2025·湖北武漢·模擬預(yù)測(cè)）某種超導(dǎo)材料的立方晶胞如圖所示（原子1到原子2之間的距離為cnm）。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．化學(xué)式為B．與K原子等距且最近的Se原子有8個(gè)C．原子2坐標(biāo)為(0，0，c)D．原子1與原子3之間的距離為【答案】C【解析】A．用均攤法，K原子位于體心和頂點(diǎn)，原子數(shù)，F(xiàn)e原子數(shù)，Se原子數(shù)，化學(xué)式為（K、Fe、Se原子數(shù)比2:4:4=1:2:2），A正確；B．如圖，K原子位于體心和頂點(diǎn)，Se位于體內(nèi)和棱上，以中心K原子來(lái)看，與K原子等距且最近的Se原子有棱上的8個(gè)，B正確；C．原子2在z軸上，距離1號(hào)原子為cnm，晶胞的高為bnm，則原子2坐標(biāo)為(0，0，)，C錯(cuò)誤；D．原子1與原子3坐標(biāo)分別為(0,0,0)、(,,)，距離為，D正確；故選C。13．（2025·湖北襄陽(yáng)·三模）Mg2Fe的一種氫化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(氫未示出)，晶胞參數(shù)為pm。晶胞中Fe原子處于立方體的頂點(diǎn)和面心，Mg占據(jù)Fe堆積形成的所有四面體空隙，H原子以正八面體的配位模式有序分布在Fe的周圍，H原子與Fe原子之間的最短距離為apm。下列說(shuō)法正確的是A．該晶胞中H原子的個(gè)數(shù)為12 B．H原子之間的最短距離為apmC．Mg原子最近的H原子數(shù)為12 D．H原子最近的H原子數(shù)為6【答案】C【解析】A．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含個(gè)Fe、8個(gè)Mg，儲(chǔ)氫后H原子以正八面體的配位模式有序分布在Fe原子的周圍，則每個(gè)周圍存在6個(gè)氫原子，共6×4=24個(gè)氫，則晶胞中H原子個(gè)數(shù)為24，故A項(xiàng)錯(cuò)誤；B．已知H原子構(gòu)成正八面體、鐵原子位于正八面體的體心，晶胞參數(shù)為apm，H原子與Fe原子之間距離為，則兩個(gè)H原子之間的最短距離為，故B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．晶胞中與鎂最近的氫原子，同層、上下層各4個(gè)，共12個(gè)，則Mg原子最近的H原子數(shù)為12，故C項(xiàng)正確；D．儲(chǔ)氫后，H原子以正八面體的配位模式有序分布在Fe的周圍，，H原子與Fe原子之間的最短距離為apm，則H原子最近的H原子數(shù)為8，故D項(xiàng)錯(cuò)誤；故答案選C。14．（2025·湖北·二模）硼化鈣晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，每六個(gè)硼原子構(gòu)成一個(gè)正八面體，各個(gè)頂點(diǎn)通過(guò)B-B鍵相互連接，正八面體中B-B鍵的鍵長(zhǎng)為dnm，Ca位于立方體體心，原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是A．距離Ca最近的B有8個(gè) B．Ca與B個(gè)數(shù)比為1：24C．M點(diǎn)的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 D．該晶體的密度為【答案】C〖祥解〗晶胞中Ca為1個(gè)在晶胞內(nèi)部；B的個(gè)數(shù)為8×個(gè)。【解析】A．距離Ca最近的B有3×8=24個(gè)，A錯(cuò)誤；B．由分析可知，硼化鈣的化學(xué)式為CaB6，Ca與B個(gè)數(shù)比為1：6，B錯(cuò)誤；C．M點(diǎn)在x方向坐標(biāo)為0，y方向坐標(biāo)為1，B-B鍵的鍵長(zhǎng)為dnm，M到頂點(diǎn)的距離為，z方向分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，M點(diǎn)的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，C正確；D．該晶體的密度為，D錯(cuò)誤。答案選C。15．（2025·湖北·一模）一種由陽(yáng)離子、和陰離子組成的無(wú)機(jī)固體電解質(zhì)結(jié)構(gòu)如圖，其中高溫相呈現(xiàn)無(wú)序結(jié)構(gòu)，、均未畫出，低溫相呈現(xiàn)有序結(jié)構(gòu)。

下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．該物質(zhì)的化學(xué)式為B．低溫相中的配位數(shù)為3C．低溫相晶體中陽(yáng)離子占據(jù)37.5%的四面體空隙D．高溫相中空隙有66.7%被填充，33.3%被填充【答案】D【解析】A．由低溫相可推得：晶胞中有4個(gè)，2個(gè)，1個(gè)，所以該物質(zhì)的化學(xué)式為，A正確；B．低溫相時(shí)，每個(gè)連有2個(gè)，1個(gè)，1個(gè)四面體空隙，配位數(shù)為3，B正確；C．低溫相晶體中一共有8個(gè)四面體空隙，占據(jù)了3個(gè)，因此占據(jù)了37.5%的四面體空隙，C正確；D．高溫相中2個(gè)，1個(gè)在四面體空隙中的位置不確定