(19)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利(65)同一申請(qǐng)的已公布的文獻(xiàn)號(hào)(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)2020-1999132020.12.01(73)專利權(quán)人株式會(huì)社日本顯示器地址日本東京都小野寺涼US2013069054A1,2013.03.21(74)專利代理機(jī)構(gòu)北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322半導(dǎo)體裝置本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其提高包含使用了氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置的可靠性。半導(dǎo)體裝置在各像素中具有薄膜晶體絕緣層；隔著所述柵極絕緣層與所述氧化物半導(dǎo)體層重疊的柵極電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的源極電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的漏極電極；和第1金屬層，其與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸，并且與所述源極電極和所述漏極電極隔開間隔地配置在所述源極電極與所述漏極電極之21.一種在各像素中具有薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管具有：氧化物半導(dǎo)體層；柵極絕緣層；隔著所述柵極絕緣層與所述氧化物半導(dǎo)體層重疊的柵極電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的源極電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的漏極電極；和第1金屬層，其與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸，并且與所述源極電極和所述漏極電極隔開間隔地配置在所述源極電極與所述漏極電極之間，所述氧化物半導(dǎo)體層具有：溝道區(qū)域；漏極區(qū)域；和位于所述溝道區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的與所述溝道區(qū)域和所述漏極區(qū)域分別接觸的低電阻區(qū)域，所述低電阻區(qū)域的至少一部分與所述第1金屬層接觸，所述低電阻區(qū)域的氧濃度比所述溝道區(qū)域的氧濃度低。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1金屬層與所述漏極電極之間的距離為1.0μm以上且3.0μm以下。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1金屬層和所述漏極電極設(shè)置在彼此相同的層。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1金屬層和所述漏極電極由彼此相同的金屬材料構(gòu)成。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1金屬層是電浮置的。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述低電阻區(qū)域包含：與所述第1金屬層接觸的區(qū)域；和第1區(qū)域，所述第1區(qū)域配置在與所述第1金屬層接觸的區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間。7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述低電阻區(qū)域包含：與所述第1金屬層接觸的區(qū)域；和第2區(qū)域，所述第2區(qū)域配置在與所述第1金屬層接觸的區(qū)域和所述溝道區(qū)域之間。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域通過與所述第1金屬層接觸的區(qū)域而相互隔開間隔。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1金屬層貫通所述柵極絕緣層而與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還具有第2金屬層，其與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸，并且與所述源極電極和所述第1金屬層隔開間隔地配置在所述源極電極與所述第1金屬層之間。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第2金屬層與所述源極電極之間的距離為1.0μm以上且3.0μm以下。3半導(dǎo)體裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及在各像素中包含薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置。特別地，本發(fā)明涉及包括使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管的顯示裝置。背景技術(shù)[0002]近年來，作為構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(OLED顯示裝置)中使用的薄膜晶體管的溝道層的半導(dǎo)體，氧化物半導(dǎo)體受到關(guān)注。使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管的截止?fàn)顟B(tài)的漏電流低，能夠進(jìn)行低頻率驅(qū)動(dòng)。因此，使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)低消耗電力的顯示裝置。[0003]一般而言，薄膜晶體管存在如下問題：由于在溝道區(qū)域與漏極區(qū)域的邊界附近產(chǎn)生的熱載流子而導(dǎo)致電特性劣化。具體而言，已知Vg-Id特性的閾值因熱載流子而偏移的問題。該問題在使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管中也不例外，為了提高可靠性，優(yōu)選采取熱載流子對(duì)策。例如，在專利文獻(xiàn)1中，作為熱載流子對(duì)策，公開了在溝置用于緩和電場(chǎng)集中的緩沖區(qū)域的技術(shù)。[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-114426號(hào)公報(bào)。發(fā)明內(nèi)容[0007]發(fā)明要解決的問題[0008]在上述現(xiàn)有技術(shù)中，控制各向同性地蝕刻漏極電極時(shí)的后退量來決定緩沖區(qū)域的長(zhǎng)度(L)。因此，在基板上形成多個(gè)薄膜晶體管時(shí)，有時(shí)基板面內(nèi)的蝕刻量的分布產(chǎn)生偏差。在該情況下，無法對(duì)多個(gè)薄膜晶體管形成均勻長(zhǎng)度的緩沖區(qū)域，有可能使顯示裝置的可靠性降低。[0009]本發(fā)明的目的之一在于提高包含使用了氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置(特別是顯示裝置)的可靠性。[0010]用于解決問題的技術(shù)手段[0011]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置在各像素中具有薄膜晶體管。所述薄膜晶體管具有：氧化物半導(dǎo)體層；柵極絕緣層；隔著所述柵極絕緣層與所述氧化物半導(dǎo)體層重疊的柵極電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的源極電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的漏極電極；和第1金屬層，其與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸，并且與所述源極電極和所述漏極電極隔開間隔地配置在所述源極電極與所述漏極電極之間。[0012]根據(jù)本發(fā)明，能夠提高包含使用了氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置(特別是顯示裝置)的可靠性。4附圖說明[0013]圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。[0014]圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中的像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。[0015]圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中的顯示部的結(jié)構(gòu)的截面圖。[0016]圖4A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的截面[0017]圖4B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的俯視[0018]圖5A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的截面圖。[0019]圖5B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的俯視圖。[0020]圖6A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的截面圖。[0021]圖6B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的俯視圖。[0022]圖7A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的截面圖。[0023]圖7B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的俯視圖。[0024]圖8A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的截面圖。[0025]圖8B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的俯視圖。[0026]圖9A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的截面圖。[0027]圖9B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的制造方法的俯視圖。[0028]圖10A是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。[0029]圖10B是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的俯視圖。[0030]圖11A是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。[0031]圖11B是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的俯視圖。[0032]圖12A是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。[0033]圖12B是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的俯5視圖。[0034]附圖標(biāo)記說明[0035]10、10a～10c…薄膜晶體管，11…柵極電極，12、13…絕緣層，14…源極電極，15…漏極電極，16、17…金屬層，18、19…絕緣層，20…金屬層，30…氧化物半導(dǎo)體層，31…源極區(qū)域，32…漏極區(qū)域，33～36…第1低電阻區(qū)域，37、38…第2低電阻區(qū)域，39…溝道區(qū)域，41…第1低電阻區(qū)域，42…溝道區(qū)域，51…基底層，52…柵極絕緣層，53…柵極電極，54、55…絕緣層，56…源極電極，57…漏極電極，58、59…金屬層，60…氧化物半導(dǎo)體層，61…源極區(qū)域，62…漏極區(qū)域，63～66…第1低電阻區(qū)域，67、68…第2低電阻區(qū)域，71、72…金屬層，100…顯示裝置，110…基板，120…顯示部，121…絕緣層，122…陽(yáng)極電極，123…分隔壁層，124…有機(jī)層，125…陰極電極，126…密封層，126a、126c…無機(jī)絕緣層，126b…有機(jī)絕緣層，127…粘接層，128…保護(hù)玻璃，130…驅(qū)動(dòng)電路部，140…端子部，141…端子，150…柔性印刷電路板，160…驅(qū)動(dòng)IC芯片，200…像素，200R、200G、200B…像素，300…像素電路，310…選擇晶體管，312…柵極線，314…數(shù)據(jù)線，320…驅(qū)動(dòng)晶體管，322…陽(yáng)極電源線，324…陰極電源線，330…電容器，340…發(fā)光元件。具體實(shí)施方式[0036]以下，參照附圖等對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明能夠在不脫離其主旨的范圍內(nèi)以各種方式實(shí)施。本發(fā)明并不限定于以下例示的實(shí)施方式的記載內(nèi)容來解釋。附圖中，為了使說明更明確，與實(shí)際的方式相比，有時(shí)示意性地表示各部分的寬度、厚度、形狀等。然而，附圖只不過是一例，并不限定本發(fā)明的解釋。[0037]在本發(fā)明的實(shí)施方式的說明中，將從基板朝向發(fā)光元件的方向定義為“上”,將其相反的方向定義為“下”。但是，“上”或“下”這樣的表現(xiàn)只不過是對(duì)各要素的上限關(guān)系進(jìn)行說明。例如，在基板上配置發(fā)光元件的表述也包括在基板與發(fā)光元件之間存在其他部件的情況。進(jìn)而，“上”或“下”這樣的表現(xiàn)不僅包括在俯視時(shí)各要素重疊的情況，還包括不重疊的情況。[0038]在本發(fā)明的實(shí)施方式的說明中，對(duì)于具有與已經(jīng)說明的要素相同的功能的要素，有時(shí)對(duì)相同的附圖標(biāo)記或相同的附圖標(biāo)記標(biāo)注字母等記號(hào)而省略說明。[0039]在本發(fā)明的實(shí)施方式的說明中，有時(shí)將通過對(duì)某一個(gè)膜實(shí)施蝕刻等加工處理而形成的多個(gè)要素(element)分別記載為具有不同的功能或作用的要素。這些多個(gè)要素由相同的層結(jié)構(gòu)和相同的材料構(gòu)成。因此，有時(shí)將由某一個(gè)膜形成的多個(gè)要素稱為設(shè)置于“同一含從由A、B和C構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)”這樣的表達(dá)只要沒有特別明示，則不排除a包含A～C的多個(gè)組合的情況。進(jìn)而，這些表現(xiàn)在α包含其他要素的情況下也不排除。[0041]在本發(fā)明的實(shí)施方式的說明中，“顯示裝置”是指顯示圖像的裝置。即，“顯示裝置”不僅包括顯示面板或顯示組件，還包括在顯示面板或顯示組件上安裝有其他光學(xué)部件(例如，偏振部件、觸摸面板等)的裝置。[0043][顯示裝置100的結(jié)構(gòu)]6[0044]圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置100的結(jié)構(gòu)的俯視圖。顯示裝置100包括顯示部120、驅(qū)動(dòng)電路部130和端子部140。顯示部120、驅(qū)動(dòng)電路部130和端子部140設(shè)置在基板110上。[0045]顯示部120包括多個(gè)像素200R、200G和200B。像素200R對(duì)應(yīng)于發(fā)射紅色光的像素。像素200G對(duì)應(yīng)于發(fā)出綠色光的像素。像素200B對(duì)應(yīng)于發(fā)出藍(lán)色光的像素。顯示部120通過控制多個(gè)像素200R、200G和200B的發(fā)光和不發(fā)光來顯示圖像。在本實(shí)施方式中，在不需要特別區(qū)分RGB各色的情況下，有時(shí)僅記載為像素200.對(duì)于各像素200的結(jié)構(gòu)在后面進(jìn)行敘述。[0046]驅(qū)動(dòng)電路部130控制顯示部120的各像素200。驅(qū)動(dòng)電路部130例如包括柵極線驅(qū)動(dòng)電路等。雖然在圖1中省略了圖示，但驅(qū)動(dòng)電路部130也可以包括數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路。[0047]端子部140作為從外部接收向顯示部120和驅(qū)動(dòng)電路部130供給的信號(hào)的端子發(fā)揮功能。端子部140包括多個(gè)端子141。端子部140與柔性印刷電路板150連接，多個(gè)端子141分別與柔性印刷電路板150側(cè)的對(duì)應(yīng)的端子連接。在本實(shí)施方式中，在柔性印刷電路板150上[0048]在圖1中，平面地表示了顯示裝置100的整體結(jié)構(gòu)，但也可以在顯示部120與端子部140之間彎折基板110。在該情況下，作為基板110,使用樹脂基板等柔性基板即可。在采用這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，能夠?qū)⒍俗硬?40和柔性印刷電路板150折疊到顯示裝置100的背面?zhèn)龋軌蚴癸@示裝置100小型化。[0050]圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置100中的像素200的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。像素電路300包括選擇晶體管310、驅(qū)動(dòng)晶[0051]選擇晶體管310連接到柵極線312和數(shù)據(jù)線314。具體而言，柵極線312與選擇晶體管310的柵極連接。數(shù)據(jù)線314與選擇晶體管310的源極連接。選擇晶體管310作為用于選擇是否向像素電路300輸入數(shù)據(jù)信號(hào)(影像信號(hào)Vs)的開關(guān)發(fā)揮功能。選擇晶體管310的漏極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管320的柵極和電容器330。[0052]驅(qū)動(dòng)晶體管320連接到陽(yáng)極電源線322、發(fā)光元件340和電容器330。具體地，陽(yáng)極電源線322連接到驅(qū)動(dòng)晶體管320的漏極。發(fā)光元件340與驅(qū)動(dòng)晶體管320的源極連接。電容器330連接在驅(qū)動(dòng)晶體管320的柵極與源極之間。驅(qū)動(dòng)晶體管320作為用于控制流過發(fā)光元件340的電流量的閥發(fā)揮功能。對(duì)陽(yáng)極電源線322施加高電位的電源電壓(PVDD)。[0053]電容器330具有保持經(jīng)由選擇晶體管310輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)的作用。與保持在電容器330中的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管320的柵極。由此，根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)來控制經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管320流動(dòng)的電流量。[0054]發(fā)光元件340連接在驅(qū)動(dòng)晶體管320與陰極電源線324之間。具體而言，發(fā)光元件340的陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)晶體管320的源極連接。即，發(fā)光元件340的陽(yáng)極經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管320與陽(yáng)極電源線322連接。發(fā)光元件340的陰極與陰極電源線324連接。對(duì)陰極電源線324施加低電位的電源電壓(PVSS)。[0055]在像素電路300中，當(dāng)選擇晶體管310成為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從數(shù)據(jù)線314輸入數(shù)據(jù)信330的電壓來控制驅(qū)動(dòng)晶體管320的柵極，經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管320流過與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電流。當(dāng)電流流過發(fā)光元件340時(shí)，發(fā)光元件340以與電流量對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。7[0057]圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置100中的顯示部120的結(jié)構(gòu)的截面圖。具體而言，圖3所示的截面結(jié)構(gòu)與用單點(diǎn)劃線A-A切斷圖1所示的顯示部120的截面圖對(duì)應(yīng)。由于各像素200R、200G和200B的基本結(jié)構(gòu)相同，所以在圖3中著眼于發(fā)出綠色光的像素200G進(jìn)行說明。[0058]如圖3所示，在基板110上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)晶體管320。雖然在圖3中省略了圖示，但在基板110上還設(shè)置有選擇晶體管310和電容器330等構(gòu)成像素電路300的各要素。[0059]驅(qū)動(dòng)晶體管320被包含樹脂層的絕緣層121覆蓋。絕緣層121中包含的樹脂層具有使由驅(qū)動(dòng)晶體管320等引起的起伏平坦化的作用。絕緣層121可以具有無機(jī)絕緣層和樹脂層的層疊結(jié)構(gòu)。作為無機(jī)絕緣層的材料，例如能夠使用氧化硅、氮化硅等硅類無機(jī)材料。作為樹脂層的材料，例如能夠使用丙烯酸或聚酰亞胺等感光性的有機(jī)材料。[0060]在絕緣層121上設(shè)置有陽(yáng)極電極122.陽(yáng)極電極122是發(fā)光元件340的陽(yáng)極，并且還作為像素200的像素電極發(fā)揮功能。陽(yáng)極電極122經(jīng)由設(shè)置于絕緣層121的接觸孔與驅(qū)動(dòng)晶體管320的源極電極電連接。在本實(shí)施方式中，陽(yáng)極電極122由透明導(dǎo)電層構(gòu)成。但是，不限于該例，陽(yáng)極電極122可以由金屬層構(gòu)成，也可以具有透明導(dǎo)電層與金屬層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，作為陽(yáng)極電極122,能夠使用包含金屬氧化物的透明導(dǎo)電層。在本實(shí)施方式中，作為陽(yáng)極電極122,使用將包含銀的金屬層和由ITO(IndiumTinOxide:氧化銦錫)構(gòu)成的透明導(dǎo)電層層疊而成的導(dǎo)電層。在該情況下，將與后述的有機(jī)層124接觸的一側(cè)的導(dǎo)電層作為透明導(dǎo)[0061]在陽(yáng)極電極122之上設(shè)置有分隔壁層123。分隔壁層123具有開口部以使得陽(yáng)極電極122的表面的一部分露出。即，分隔壁層123以覆蓋陽(yáng)極電極122的端部的方式設(shè)置。分隔壁層123的開口部的內(nèi)壁優(yōu)選為平緩的錐形狀。通過將分隔壁層123的開口部的內(nèi)壁設(shè)為錐形形狀，能夠減少形成于陽(yáng)極電極122之上的有機(jī)層124或陰極電極125的覆蓋不良。分隔壁層123有時(shí)也被稱為隔堤或肋。[0062]在陽(yáng)極電極122上設(shè)置有至少包含空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的有機(jī)層124。在像素200G的情況下，有機(jī)層124的發(fā)光層由發(fā)出綠色光的有機(jī)材料構(gòu)成。同樣地，在像素200R和像素200B的情況下，有機(jī)層124的發(fā)光層分別由發(fā)出紅色光的有機(jī)材料和發(fā)出藍(lán)色光的有機(jī)材料構(gòu)成。有機(jī)層124所包含的空穴輸送層和電子輸送層也可以以跨各像素200的方式設(shè)置。有機(jī)層124還可以包括功能層，例如電子注入層、電子阻擋層、空穴注入層或空穴阻擋層。[0063]在有機(jī)層124上設(shè)置陰極電極125。陰極電極125也可以以跨各像素200的方式設(shè)明導(dǎo)電層構(gòu)成，也可以具有透明導(dǎo)電層與金屬層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，作為陰極電極125,能夠使用包含堿金屬或堿土金屬的金屬層。在本實(shí)施方式中，作為陰極電極125,使用由MgAg合金(包含鎂和銀的合金)構(gòu)成的金屬層。在該情況下，陰極電極125的膜厚為能夠透過可見光的程度的厚度。[0064]在陰極電極125上設(shè)置有密封層126。密封層126例如具有層疊了無機(jī)絕緣層126a、有機(jī)絕緣層126b和無機(jī)絕緣層126c的結(jié)構(gòu)。作為無機(jī)絕緣層126a和無機(jī)絕緣層126c的材料，例如能夠使用氧化硅、氮化硅等硅類無機(jī)材料。無機(jī)絕緣層126a和無機(jī)絕緣層126c具有8防止水分從外部侵入的作用。因此，作為無機(jī)絕緣層126a和無機(jī)絕緣層126c,優(yōu)選使用膜質(zhì)致密的絕緣層。作為有機(jī)絕緣層126b的材料，例如能夠使用丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞[0065]在本實(shí)施方式中，在密封層126上經(jīng)由粘接層127設(shè)置有保護(hù)玻璃128。雖然在圖3中省略了圖示，但也可以在保護(hù)玻璃128的上方或下方進(jìn)一步設(shè)置偏光板或觸摸傳感器等光學(xué)部件。也可以省略粘接層127和保護(hù)玻璃128。[0067]圖4A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置100中使用的薄膜晶體管10的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4B是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置100中使用的薄膜晶體管10的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖4B中，為了便于說明，省略了圖4A所示的絕緣層18和19的圖示。薄膜晶體管10能夠用于圖2所示的選擇晶體管310和驅(qū)動(dòng)晶體管320中的至少一個(gè)。圖4A和圖4B所示的薄膜晶體管10是底柵型晶體管的一例。[0068]在具有絕緣表面的基板110上設(shè)置有柵極電極11。作為基板110,例如能夠使用由玻璃、石英或藍(lán)寶石等構(gòu)成的透光性基板。但是，作為基板110,也可以使用由硅或陶瓷等構(gòu)成的非透光性基板。進(jìn)而，作為基板110,也可以使用由聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、硅氧烷樹脂或氟樹脂等樹脂材料構(gòu)成的柔性基板。合金材料構(gòu)成。柵極電極11可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是層疊結(jié)構(gòu)。[0070]柵極電極11被絕緣層12和13覆蓋。在本實(shí)施方式中，絕緣層12是氮化硅層。絕緣層13是氧化硅層。在本實(shí)施方式中，層疊絕緣層12和13,使其作為柵極絕緣層發(fā)揮功能。但是，不限于該例，作為柵極絕緣層，也可以以單層使用絕緣層13。[0071]在絕緣層13上設(shè)置氧化物半導(dǎo)體層30。作為氧化物半導(dǎo)體層30的材料，例如能夠使用氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銦鋁鋅(IAZ0)化物半導(dǎo)體層30可以為單層，也可以為疊層。在本實(shí)施方式中，作為氧化物半導(dǎo)體層30,使用氧化銦鎵鋅(IGZO)。因此，本實(shí)施方式的薄膜晶體管10作為以大量載流子為電子的N溝道型晶體管進(jìn)行動(dòng)作。稍后將描述氧化物半導(dǎo)體層30的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)。[0072]在氧化物半導(dǎo)體層30之上，以與氧化物半導(dǎo)體層30的端部相接的方式設(shè)置有源極電極14和漏極電極15。具體而言，在截面圖中，以與氧化物半導(dǎo)體層30的第1端部相接的方式設(shè)置源極電極14,以與第1端部的相反側(cè)的第2端部相接的方式設(shè)置漏極電極15。在本實(shí)施方式中，在氧化物半導(dǎo)體層30的端部，以覆蓋3個(gè)邊的方式設(shè)置源極電極14和漏極電極15,但并不限定于該例。例如，源極電極14和漏極電極15也可以以橫穿氧化物半導(dǎo)體層30的屬材料、或者包含這些金屬的合金材料構(gòu)成。源極電極14和漏極電極15可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是層疊結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，作為源極電極14和漏極電極15,使用具有鈦/鋁/鈦的三層結(jié)構(gòu)的金屬層。[0074]在本實(shí)施方式中，與源極電極14和漏極電極15同時(shí)形成金屬層16和17。即，金屬層16和17均設(shè)置在與源極電極14和漏極電極15相同的層。因此，金屬層16和17與源極電極14和漏極電極15同樣地具有鈦/鋁/鈦的三層結(jié)構(gòu)。但是，不限于該例，金屬層16和17也可以由9與源極電極14和漏極電極15不同的金屬材料形成。[0075]金屬層16和17均以與氧化物半導(dǎo)體層30相接的方式設(shè)置。此時(shí)，金屬層16和17分別與源極電極14和漏極電極15隔開間隔而配置。具體而言，在本實(shí)施方式中，源極電極14與[0076]在本實(shí)施方式中，金屬層16和17是電浮置的。即，金屬層16和17的電位不確定。但是，并不限于該例，金屬層16和17也可以固定為固定的電位。金屬層16和17的寬度沒有特別17的寬度的下限也可以是能夠曝光的最小限度的寬度。[0077]如圖4A所示，在源極電極14、漏極電極15、金屬層16和金屬層17上設(shè)置絕緣層18和19.絕緣層18和19分別作為鈍化層發(fā)揮功能。在本實(shí)施方式中，作為絕緣層18,使用氧化硅層。另外，作為絕緣層19,使用氮化硅層。絕緣層18除了作為鈍化層的作用以外，還具有向氧化物半導(dǎo)體層30供給氧的作用。因此，作為絕緣層18的材料，優(yōu)選使用氧化硅、氧氮化硅等氧的含量比較多的材料。與此相對(duì)，絕緣層19主要起到作為鈍化層的作用。因此，絕緣層19優(yōu)選使用膜質(zhì)致密的氮化硅層。[0078][氧化物半導(dǎo)體層30的結(jié)構(gòu)][0079]本實(shí)施方式的薄膜晶體管10中，氧化物半導(dǎo)體層30具有電阻相互不同的多個(gè)區(qū)域(換言之，電導(dǎo)率不同的多個(gè)區(qū)域)。具體地，氧化物半導(dǎo)體層30包括源極區(qū)域31、漏極區(qū)域[0080]第1低電阻區(qū)域33～36、以及第2低電阻區(qū)域37和38均具有比溝道區(qū)域39低的電阻。第2低電阻區(qū)域37和38具有比第1低電阻區(qū)域33～36更低的電阻。另外，第2低電阻區(qū)域37和38的電阻與源極區(qū)域31和漏極區(qū)域32的電阻大致相等。在本實(shí)施方式中，第1低電阻區(qū)域33～36作為緩和源極區(qū)域31或者漏極區(qū)域32的附近的電場(chǎng)集中的緩沖區(qū)域發(fā)揮功能。這樣的緩沖區(qū)域作為熱載流子對(duì)策是有效的。[0081]本實(shí)施方式的氧化物半導(dǎo)體層30為氧化銦鎵鋅(IGZO),所以具有如下物性：當(dāng)氧從層內(nèi)部向外部脫離時(shí)，氧脫離的部分的電阻降低。因此，當(dāng)其他金屬層與氧化物半導(dǎo)體層30接觸時(shí)，伴隨著其他金屬層的氧化，引起氧從氧化物半導(dǎo)體層30的內(nèi)部脫離的現(xiàn)象。即，本實(shí)施方式的氧化物半導(dǎo)體層30具有其他金屬層所接觸的部分和其附近的電阻降低的物金屬層17等的影響，形成電阻比溝道區(qū)域39低的區(qū)域。[0082]具體而言，如圖4A所示，源極區(qū)域31和漏極區(qū)域32分別形成于氧化物半導(dǎo)體層30中的與源極電極14和漏極電極15相接的區(qū)域。第2低電阻區(qū)域37和38形成在氧化物半導(dǎo)體層30的與金屬層16和17接觸的區(qū)域中。[0083]第1低電阻區(qū)域33形成在源極區(qū)域31與第2低電阻區(qū)域37之間。此時(shí)，源極區(qū)域31與第2低電阻區(qū)域37之間在整個(gè)區(qū)域上成為第1低電阻區(qū)域33。同樣地，第1低電阻區(qū)域34形成在漏極區(qū)域32與第2低電阻區(qū)域38之間。在這種情況下，漏極區(qū)域32與第2低電阻區(qū)域38之間也在整個(gè)區(qū)域上成為第1低電阻區(qū)域34.第1低電阻區(qū)域35形成在第2低電阻區(qū)域37與溝道區(qū)域39之間。同樣地，第1低電阻區(qū)域36形成在第2低電阻區(qū)域38與溝道區(qū)域39之間。[0084]如上所述，源極區(qū)域31、漏極區(qū)域32、第1低電阻區(qū)域33～36、以及第2低電阻區(qū)域37和38,通過氧從氧化物半導(dǎo)體層30的內(nèi)部脫離而形成。因此，這些區(qū)域的氧濃度比溝道區(qū)域39的氧濃度低。此外，第1低電阻區(qū)域33～36不直接接觸源極電極1416和金屬層17。因此，第1低電阻區(qū)域33～36的氧濃度比源極區(qū)域31、漏極區(qū)域32以及第2低電阻區(qū)域37和38的氧濃度高，并且比溝道區(qū)域39的氧濃度低。[0085]另外，第1低電阻區(qū)域33～36的長(zhǎng)度(沿著載流子移動(dòng)的方向的長(zhǎng)度)根據(jù)形成源極電極14、漏極電極15、金屬層16和金屬層17之后的制造工藝的阻區(qū)域33～36的長(zhǎng)度能夠通過形成絕緣層18時(shí)的工藝溫度、或者形成絕緣層18后的烘烤溫度等來控制。在本實(shí)施方式中，對(duì)形成絕緣層18時(shí)的工藝溫度進(jìn)行控制，以使得例如第1低第1低電阻區(qū)域35和36的長(zhǎng)度成為期望的長(zhǎng)度，則控制方法沒有限制。[0086]在第1低電阻區(qū)域34中，氧由于漏極電極15和金屬層17兩者的影響而脫離。因此，第1低電阻區(qū)域34的形成從靠近漏極電極15的區(qū)域和靠近金屬層17的區(qū)域這兩者開始進(jìn)行。因此，例如在經(jīng)過了上述的工藝溫度的情況下，第1低電阻區(qū)域34的長(zhǎng)度成為第1低電阻域32附近的緩沖區(qū)域的長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上成為第1低電阻區(qū)域34和36的長(zhǎng)度的合計(jì)。即，根據(jù)本實(shí)源極區(qū)域31的附近也是同樣的。[0087]根據(jù)本申請(qǐng)人的見解，在使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管中，配置在漏極區(qū)域附近的低電阻區(qū)域的長(zhǎng)度越長(zhǎng)，熱載流子耐性越提高。具體而言，本申請(qǐng)人得到了如下見解：如果低電阻區(qū)域的長(zhǎng)度至少為1.5μm以上(優(yōu)選為2.0μm以上),則能夠有效地抑制由熱載流子引起的特性劣化。然而，在僅使用源極電極14和漏極電極15使氧從氧化物半導(dǎo)體層30脫離的情況下，難以形成足夠長(zhǎng)度的低電阻區(qū)域。[0088]與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，僅通過在形成源極電極14和漏極電極15的同時(shí)形成金屬層16和17,就能夠增加形成低電阻區(qū)域的總長(zhǎng)度。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠在不增加制造工藝的情況下形成具有足夠長(zhǎng)度的第1低電阻區(qū)域33～36。[0089]此外，由于第1低電阻區(qū)域33～36的長(zhǎng)度由在形成源極電極14、漏極電極15、金屬層16和金屬層17之后的熱歷程等確定，所以第1低電阻區(qū)域33～36在基板110的平面中的長(zhǎng)度偏差較小。因此，能夠?qū)Χ鄠€(gè)薄膜晶體管10形成均勻長(zhǎng)度的緩沖區(qū)域。[0090]進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠在源極區(qū)域31和漏極區(qū)域32這兩者的附近形成足夠長(zhǎng)度的緩沖區(qū)域。因此，例如，如圖2所示的選擇晶體管310那樣，在根據(jù)施加于源極區(qū)域和漏極區(qū)域的電壓的大小關(guān)系而使源極和漏極調(diào)換的薄膜晶體管中，無論載流子的移動(dòng)方向如何，都能夠抑制熱載流子引起的特性劣化。即使在通過交流驅(qū)動(dòng)等使源極和漏極調(diào)換的情況下，也能夠與載流子的移動(dòng)方向無關(guān)地抑制特性劣化。[0091]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提高包含使用了氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管10的顯示裝置100的可靠性。[0092][薄膜晶體管10的制造方法]8A和圖9A是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的顯示裝置100所使用11施方式的顯示裝置100中使用的薄膜晶體管10的制造方法的俯視圖。柵極電極11的金屬材料(在本實(shí)施方式中，作為金屬材料為鋁和鈦)的金屬層。然后，對(duì)層疊有鋁和鈦的金屬層進(jìn)行蝕刻加工而形成柵極電極11。[0095]接著，如圖6A和圖6B所示，以覆蓋柵極電極11的方式形成絕緣層12和13.在本實(shí)施方式中，首先，形成氮化硅層作為絕緣層12。然后，在絕緣層12上形成氧化硅層作為絕緣層40nm以上100nm以下的厚度形成由氧化銦鎵鋅(IGZO)構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層。然后，對(duì)氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻加工而形成氧化物半導(dǎo)體層30。[0096]接著，如圖7A和圖7B所示，以覆蓋氧化物半導(dǎo)體層30的方式形成金屬層20。金屬層20從下層起依次層疊鈦層、鋁層和鈦層而形成。在本實(shí)施方式中，通過在最下層設(shè)置鈦層，使得氧化物半導(dǎo)體層30與鋁層不直接接觸。由此，能夠防止伴隨著鋁層的氧化的過量的氧從氧化物半導(dǎo)體層30脫離。[0097]接著，如圖8A和圖8B所示，對(duì)金屬層20進(jìn)行蝕刻加工而形成源極電極14、漏極電極15、金屬層16和金屬層17。此時(shí)，如圖8B所示，金屬層16和17以橫穿氧化物半導(dǎo)體層30的方式形成。在本實(shí)施方式中，使源極電極14與金屬層16之間、或者漏極電極15與金屬層17之間氧化物半導(dǎo)體層30的方式形成絕緣層18。在本實(shí)施方式中，作為絕緣層18,以100nm以上300nm以下的厚度形成氧化硅層。在本實(shí)施方式中，在絕緣層18的形成工藝期間，在氧化物半導(dǎo)體層30中形成源極區(qū)域31、漏極區(qū)域32、第1低電阻區(qū)域33～36、第2低電阻區(qū)域37和38、以及溝道區(qū)域39。也可以在形成絕緣層18之后，對(duì)絕緣層18進(jìn)行烘烤工藝域33～36的長(zhǎng)度也可以通過對(duì)絕緣層18的烘烤工藝的溫度來調(diào)整。[0099]在上述的絕緣層18的形成工藝和對(duì)于絕緣層18的烘烤工藝中，從作為絕緣層18的氧化硅層對(duì)溝道區(qū)域39供給氧。由此，能夠調(diào)整溝道區(qū)域39的電阻，以使溝道區(qū)域39正常地作為溝道發(fā)揮功能。從絕緣層18放出的氧也被供給到第1低電阻區(qū)域33～36。然而，氧由于金屬層16和17的影響而從第1低電阻區(qū)域33～36脫離。因此，第1低電阻區(qū)域33～36的電阻比溝道區(qū)域39的電阻低。[0100]在完成圖9A和圖9B的處理之后，在絕緣層18上形成絕緣層19。在本實(shí)施方式中，作為絕緣層19,以100nm以上200nm以下的厚度形成氮化硅層。由此，完成使用圖4A和圖4B說明的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管10。[0101]<第2實(shí)施方式>[0102]在本實(shí)施方式中，對(duì)具有與第1實(shí)施方式不同的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管10a的顯示裝置進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，主要對(duì)與第1實(shí)施方式不同的部分進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的說明所使用的附圖中，對(duì)與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略詳細(xì)的說[0103]圖10A是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管10a的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖10B是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管10a的結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖10A和圖10B所示，在本實(shí)施方式中，采用在源極電極14的附近不設(shè)置金屬層(圖4A和圖4B所示的金屬層16)的結(jié)構(gòu)。[0104]在源極與漏極的位置關(guān)系不變化、載流子始終向一定的方向移動(dòng)的薄膜晶體管的情況下，僅在漏極區(qū)域的附近設(shè)置足夠長(zhǎng)度的緩沖區(qū)域即可。與這樣的情況對(duì)應(yīng)地，在本實(shí)施方式中，僅在漏極區(qū)域32的附近設(shè)置有第1低電阻區(qū)域34和36。在該情況下，在源極區(qū)域31的附近，僅形成伴隨源極電極14的氧化而形成的第1低電阻區(qū)域41。因此，在本實(shí)施方式中，第1低電阻區(qū)域41與第1低電阻區(qū)域36之間作為溝道區(qū)域42而發(fā)揮功能。[0105]在本實(shí)施方式中，也能夠在不增加制造工藝的情況下在漏極區(qū)域32附近形成具有足夠長(zhǎng)度的第1低電阻區(qū)域34和36。另外，與第1實(shí)施方式同樣地，能夠在多個(gè)薄膜晶體管10a之間使第1低電阻區(qū)域34和36的長(zhǎng)度均勻。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提高包含使用了氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管10a的顯示裝置的可靠性。[0106]<第3實(shí)施方式>[0107]在本實(shí)施方式中，對(duì)具有與第1實(shí)施方式不同的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管10b的顯示裝置進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施方式的薄膜晶體管10b相當(dāng)于將第1實(shí)施方式中說明的底柵型的薄膜晶體管10的結(jié)構(gòu)變更為頂柵型的薄膜晶體管。[0108]圖11A是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管10b的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖11B是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的顯示裝置中使用的薄膜晶體管10b的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖11B中，為了便于說明，省略了圖11A所示的柵極絕緣層52、絕緣層54和絕緣層55的圖示。薄膜晶體管10b能夠用于圖2所示的選擇晶體管310和驅(qū)動(dòng)晶體管320中的至少一個(gè)。圖11A和圖11B所示的薄膜晶體管10b是頂柵型晶體管的一例。[0109]在基板110上隔著基底層51設(shè)置氧化物半導(dǎo)體層60。作為基底層51,能夠使用氧化硅層、或者具有氮化硅層和氧化硅層的雙層結(jié)構(gòu)的絕緣層。在基底層51為雙層結(jié)構(gòu)的情況下，與氧化物半導(dǎo)體層60相接的絕緣層優(yōu)選為氧化硅層?；?10的材料與第1實(shí)施方式相[0110]作為氧化物半導(dǎo)體層60的材料，例如能夠使用氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銦鋁鋅(IAZ0)或氧化鋅(ZnO)等。另外，氧化物半導(dǎo)體是疊層。在本實(shí)施方式中，作為氧化物半導(dǎo)體層60,使用氧化銦鎵鋅(IGZO)。因此，本式的薄膜晶體管10b作為以大量載流子為電子的N溝道型晶體管進(jìn)行動(dòng)作。[0111]氧化物半導(dǎo)體層60被柵極絕緣層52覆蓋。在本實(shí)施方式中，作為柵極絕緣層52,使用氧化硅層。但是，不限于該例，作為柵極絕緣層52,也可以使用具有氮化硅層和氧化硅層的雙層結(jié)構(gòu)的絕緣層。但是，在該情況下，與氧化物半導(dǎo)體層60相接的絕緣層優(yōu)選為氧化硅層。[0112]在柵極絕緣層52之上設(shè)置有柵極電極53。柵極電極53的材料與第1實(shí)施方式相同，所以省略此處的說明。柵極電極53被絕緣層54和55覆蓋。在本實(shí)施方式中，絕緣層54是氧化硅層。絕緣層54主要是為了將柵極電極53與源極電極56、漏極電極57、金屬層58和金屬層59絕緣分離而設(shè)置。絕緣層55是氮化硅層。絕緣層55作為也能夠省略絕緣層55。[0113]在絕緣層55上設(shè)置有源極電極56、漏極電極57、金屬層58和金屬層59。在本實(shí)施方式中，作為源極電極56、漏極電極57、金屬層58和金屬層59,與第1實(shí)施方式同樣地，使用具有鈦/鋁/鈦的三層結(jié)構(gòu)的金屬層。在本實(shí)施方式中，金屬層58和59可以是電浮置的，也可以固定為一定的電位。在本實(shí)施方式中，源極電極56、漏極電極57、金屬層58和金屬層59通過同一工藝同時(shí)形成。即，源極電極56和漏極電極57與金屬層58和59是設(shè)置于同一層的要素。但是，不限于該例，金屬層58和59也可以由與源極電極56和漏極電極57不同的金屬材料形[0114]源極電極56、漏極電極57、金屬層58和金屬層59均經(jīng)由設(shè)置于柵極絕緣層52、絕緣層54和55的接觸孔與氧化物半導(dǎo)體層60相接。因此，與第1實(shí)施方式同樣地，隨著源極電極化物半導(dǎo)體層60中形成源極區(qū)域61、漏極區(qū)域62、第1低電阻區(qū)域63～66、第2低電阻區(qū)域67域67和68的詳情分別與第1實(shí)施方式中說明過的源極區(qū)域31、漏極區(qū)域32、第1低電阻區(qū)域33～36、以及第2低電阻區(qū)域37和38的詳情相同，所以這里省略說明。[0115]金屬層58和59分別與源極電極56和漏極電極57隔開間隔地配置。具體地，在本實(shí)施方式中，第1低電阻區(qū)域63的長(zhǎng)度或第