DB61陜西省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布I本標(biāo)準(zhǔn)參考SEMIM6—2008《太陽光伏電池用硅片規(guī)范》、GB/T12965—2005《硅單晶切本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：牛軍旗、柳軍、李拉平、孫濤、王帥、焦致雨、皇甫國、張超、趙可1太陽電池用單晶硅片檢驗(yàn)規(guī)則GB/T1550—1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測GB/T1553—2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命光測定電導(dǎo)衰GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)GB/T6617硅片電阻率測定擴(kuò)展電GB/T6618—2009硅片厚度和總厚度變化的測GB/T6619—2009硅片彎曲度測GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量SEMIMF1535—2007微波反射無接觸光電導(dǎo)衰退測量硅片載流子復(fù)合壽命徑向電阻率變化radialresistivitytol晶片中心點(diǎn)與偏離晶片中心的某一點(diǎn)或若干對稱分布的設(shè)置點(diǎn)（典型設(shè)置點(diǎn)2外緣1mm范圍除外。無每片2個(gè)，圓周弦長最大到0.1mm,不接受貝殼狀崩邊。崩邊/缺口無圖13aa6″8″硅片厚度應(yīng)在140μm～240μm的范圍，用戶有特殊要求時(shí)PN4硅單晶晶體完整性由位錯(cuò)密度指標(biāo)反映，其位錯(cuò)密度應(yīng)不大于3000個(gè)/平規(guī)格及尺寸用游標(biāo)卡尺（精度0.02mm）、直角尺、塞硅片厚度和總厚度變化按GB/T6618—2009的3.2掃硅片彎曲度按GB/T6619—2009的方法2——硅片翹曲度測量按GB/T6620規(guī)定硅片電阻率測量按GB/T6617規(guī)定硅片徑向電阻率變化測量按GB/T11073規(guī)定的方法硅單晶導(dǎo)電類型測試按GB/T1550—1997的方法A——熱探針、熱電勢導(dǎo)電類型測試硅單晶晶體完整性測試按GB/T1554規(guī)定的硅單晶晶向及偏離度測試按GB/T1555—2009的方法1——X射線衍射定向5表4）。產(chǎn)品應(yīng)經(jīng)生產(chǎn)企業(yè)質(zhì)檢部門檢驗(yàn)合格，并簽發(fā)合格證后方b)正常生產(chǎn)而原材料、工藝、關(guān)鍵設(shè)備等有較大改變，可能影響產(chǎn)品質(zhì)量時(shí)；1●●2●●3●●4●○5●○6●●7●●8●○9●○●○●○6.5.1硅片出廠檢驗(yàn)按GB/T2828.1規(guī)定的一次抽樣方案，其檢驗(yàn)水平、合格質(zhì)量限(AQL)見表4。66.5.2硅片型式檢驗(yàn)按GB/T