國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《LED外延芯片用砷化鎵襯底》

編制說(shuō)明（征求意見(jiàn)稿）

一、工作簡(jiǎn)況

1、立項(xiàng)目的與意義

砷化鎵是一種重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料，是LED外延芯片的關(guān)鍵襯底材料，在微電子、

光電子等領(lǐng)域有非常明顯的優(yōu)勢(shì)。我國(guó)較早就開展了LED外延芯片用砷化鎵襯底材料的研究工作，

在砷化鎵襯底材料生長(zhǎng)和性質(zhì)方面的研究取得了很多成果，目前已經(jīng)形成成熟的產(chǎn)品體系熟。

2014年制定了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T30856-2014LED外延芯片用砷化鎵襯底》，隨著生產(chǎn)技術(shù)水平

的提高，已經(jīng)不能滿足現(xiàn)有產(chǎn)品的需求，有必要對(duì)技術(shù)參數(shù)加以規(guī)范，進(jìn)行修訂、增加相關(guān)指標(biāo)。

形成新的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)后可作為砷化鎵單晶行業(yè)今后組織生產(chǎn)、銷售和接受質(zhì)量監(jiān)督的依據(jù)，以利于LED

外延芯片用砷化鎵襯底材料更好發(fā)展。。

2、任務(wù)來(lái)源

根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)(2023年)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃（修訂）的通知》（國(guó)標(biāo)

委發(fā)[2023]58號(hào)，由大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱溢泰）負(fù)責(zé)修訂《GB/T30856-2014LED

外延芯片用砷化鎵襯底》，計(jì)劃編號(hào)為20200798-T-469。

3、承擔(dān)單位概況

本項(xiàng)目承擔(dān)單位大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司，多年從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料研制和生

產(chǎn)，且重視標(biāo)準(zhǔn)化工作，是全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)秘書處依托單位，多年來(lái)一直在標(biāo)準(zhǔn)

化領(lǐng)域開展了大量國(guó)內(nèi)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化工作。

大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司從事砷化鎵材料制備工作已有20余年的歷史，公司經(jīng)營(yíng)的范圍包

括半導(dǎo)體新材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、技術(shù)服務(wù)等。公司運(yùn)營(yíng)、技術(shù)團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體襯底材料領(lǐng)域有30

多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，具有很強(qiáng)的技術(shù)開發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，先后承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家，省里，市里的重大

專項(xiàng)、重大預(yù)研、國(guó)產(chǎn)化等多種任務(wù)，了解和熟悉國(guó)內(nèi)砷化鎵材料的生產(chǎn)、使用和研制工作動(dòng)態(tài)及

技術(shù)水平。公司現(xiàn)已成為二代半導(dǎo)體襯底材料，全國(guó)TOP3供應(yīng)商。

4、編制過(guò)程

大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司于2023年1月成立編制組，負(fù)責(zé)本標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)研和編寫工作。2023

年1月~7月之間，編制組根據(jù)任務(wù)落實(shí)會(huì)確定的起草原則，對(duì)國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)LED外延芯片用砷化鎵襯

底的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行調(diào)研和統(tǒng)計(jì)，并調(diào)研了下游客戶的質(zhì)量要求，按照產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的編制原則、框架要

求和國(guó)家的法律法規(guī)，同時(shí)結(jié)合企業(yè)的一些技術(shù)指標(biāo)和檢驗(yàn)數(shù)據(jù)，起草了本標(biāo)準(zhǔn)的初稿。

1

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容的確定依據(jù)

1、編制原則

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場(chǎng)需

求及客戶要求等信息，初步確定了《LED外延芯片用砷化鎵襯底》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編

制依據(jù)：

1）按照GB/T1.1產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)編寫示例的要求進(jìn)行格式和結(jié)構(gòu)編寫；

2）根據(jù)國(guó)內(nèi)LED外延芯片用砷化鎵襯底生產(chǎn)企業(yè)的具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性和實(shí)用

性；

3）根據(jù)技術(shù)發(fā)展水平及測(cè)試數(shù)據(jù)確定技術(shù)取值范圍；

4）查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；

5）根據(jù)國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。

2、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容和確定依據(jù)

a）范圍中本標(biāo)準(zhǔn)改為本文件，并重新定義本標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍；

本文件規(guī)定了LED外延芯片用砷化鎵單晶襯底（以下簡(jiǎn)稱“砷化鎵襯底”）的技術(shù)要求、試驗(yàn)方

法和檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、標(biāo)簽，以及包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存、質(zhì)量證明書與訂貨單（或合同）內(nèi)容。

本文件適用于砷化鎵襯底的生產(chǎn)、測(cè)試、檢驗(yàn)分析及質(zhì)量評(píng)價(jià)。LD外延芯片用砷化鎵襯底可參

照?qǐng)?zhí)行。

b）增加“Φ200mm”直徑規(guī)格砷化鎵襯底（見(jiàn)4.1，2014年版的4.3）；

4.1.2LED外延用的砷化鎵襯底直徑規(guī)格需要增加“200mm”

c）電學(xué)性能需要增加n型和p摻雜劑及截面電阻率均勻性（見(jiàn)5.1，2014年版的4.1和4.4）；

表1砷化鎵襯底的電學(xué)性能

要求

序號(hào)項(xiàng)目

np

電阻率-2-3-1-3

11×10～1×101×10～1×10

Ω·cm

遷移率

2≥1000≥40

cm2/(V·s)

載流子濃度17181719

31×10～5×101×10～5×10

cm-3

4截面電阻率不均勻性＜15%＜15%

注n型摻雜劑包括：Si、Te、S、Se、Sn；p型摻雜劑包括：Zn、Cd、Be、Mn、Fe、Co、Mg；

注截面電阻均勻性偏差＝(ρmax－ρmin)/×100%，其中，＝(ρmax＋ρmin)/2。

d）增加表面要求的具體內(nèi)容及不同尺寸對(duì)應(yīng)的允許范圍，增加表2；

表2砷化鎵襯底的表面質(zhì)量

2

單位為毫米

要求

序號(hào)規(guī)格近邊緣區(qū)域徑向尺寸

近邊緣區(qū)域合格質(zhì)量區(qū)

1Ф50.8≤0.2

2Ф76.2≤0.2

3Ф100.0≤0.5無(wú)崩邊劃痕、桔皮、裂縫、凹坑

4Ф150.0≤0.5

5Ф200.0≤0.8

注：砷化鎵襯底整個(gè)表面無(wú)沾污、溶劑殘留物、蠟殘留物。

e）增加4寸和6寸副邊的新規(guī)定，增加“Φ200mm”直徑規(guī)格參考面的取向、形狀和尺寸（見(jiàn)5.3，

2014年版的4.8）

表3砷化鎵襯底參考面的取向、形狀和長(zhǎng)度

單位為毫米

序號(hào)參數(shù)項(xiàng)目參考面選擇規(guī)格要求

-

V型槽-[011]±0.5°屬于1個(gè)砷面，

主參考面垂直于V型槽

1主參考面取向--

燕尾槽-[011]±0.5°屬于1個(gè)鎵面，

主參考面垂直于燕尾槽

V型槽-[011]±0.5°

2副參考面取向-

燕尾槽-[011]±0.5°

-Ф50.816±1

-Ф76.222±1

3主參考面長(zhǎng)度

-Ф100.032±1

-Ф150.048±1

-Ф50.88±1

-Ф76.211±1

4副參考面長(zhǎng)度

-Ф100.0（18±1）/（0）

-Ф150.0（28±1）/（0）

表4砷化鎵襯底切口的取向、深度和開角

序號(hào)項(xiàng)目規(guī)格要求

Ф150.0

1取向[010]±2°

Ф200.0

深度Ф150.0

21+0.25

mmФ200.00

開角Ф150.0

390+5

°Ф200.0-1

f）晶向及晶向偏離角，增加常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品角度表5（見(jiàn)5.4，2014年版的4.5）；

3

表5常見(jiàn)的晶向及晶向偏離

晶向角度主邊偏向偏角

--

<100>2°[011][011]180°

--

<100>6°[011][011]180°

--

<100>15°[011][011]180°

---

<100>15°[011][011]90°

g）增加“Φ200mm”規(guī)格的外形尺寸，修改厚度范圍、修改TIR、TTV、Warp值（見(jiàn)5.5,2014

年版本的4.9）；

表6砷化鎵襯底的幾何尺寸

要求

序號(hào)項(xiàng)目

Φ50.8mmΦ76.2mmΦ100.0mmΦ150.0mmΦ200.0mm

直徑及允許偏差

150.8±0.276.2±0.2100±0.2150±0.3200±0.3

mm

厚度及允許偏差（275～650）（300～650）±（400～675）（500～750）

2（275～650）±20

μm±2025±25±25

總厚度變化

3≤12≤12≤15≤15≤20

TTV/μm

平整度

4≤6≤6≤8≤10≤15

TIR/μm

翹曲度

5≤12≤15≤60≤60≤60

Warp/μm

h）增加不同直徑不同等級(jí)的位錯(cuò)密度（見(jiàn)5.6,2014年版的4.6）；

表7砷化鎵襯底的位錯(cuò)密度

要求

序號(hào)項(xiàng)目等級(jí)

Ф50.8Ф76.2Ф100.0Ф150.0Ф200.0

1Ⅰ≤1×102≤1×102≤1×102≤3×102≤5×102

2位錯(cuò)密度Ⅱ≤3×102≤3×102≤3×102≤5×102≤3×103

3個(gè)/cm2Ⅲ≤5×102≤5×102≤1×103≤1×103≤1×103

4Ⅳ≤1×103≤3×103≤5×103≤5×103≤5×103

i）修改切口的引用規(guī)范由SEMI標(biāo)準(zhǔn)改為GB/T標(biāo)準(zhǔn)（見(jiàn)6.5,2014年版的5.5）；

砷化鎵襯底的參考面切口形狀的測(cè)試按GB/T11093規(guī)定的測(cè)量方法進(jìn)行。

j）修改檢驗(yàn)條件（見(jiàn)7.1，2014版的6.1）；

除另有規(guī)定外，應(yīng)在下列條件下進(jìn)行檢驗(yàn)：

a)溫度：23℃±5℃；

b)相對(duì)濕度：35%～70%；

a)潔凈度：GB/T25915.1—2021表1中規(guī)定的ISO5級(jí)；

k）修改檢驗(yàn)和驗(yàn)收，對(duì)驗(yàn)收組批和驗(yàn)收時(shí)效性進(jìn)行規(guī)定（見(jiàn)7.2，2014版的6.2）；

產(chǎn)品應(yīng)由供方進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。

4

需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。若發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量不符合本標(biāo)準(zhǔn)的要求時(shí)，應(yīng)在

保質(zhì)期內(nèi)使用產(chǎn)品，并且使用之后起1個(gè)月內(nèi)向供方提出，或由供需雙方協(xié)商解決。

l）重新定義組批（見(jiàn)7.3，見(jiàn)2014版的6.3）；

砷化鎵襯底應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每組批應(yīng)由同一砷化鎵單晶加工而成的具有相同幾何參數(shù)的產(chǎn)品

組成。

m）檢驗(yàn)項(xiàng)目由每根砷化鎵單晶改為每組批所需砷化鎵單晶（見(jiàn)7.4.1,2014年版的6.4.1）

7.4.1首先在每批所需要的砷化鎵單晶錠頭和錠尾各切2片襯底，然后進(jìn)行電學(xué)性能參數(shù)、表面晶向

及晶向偏離和位錯(cuò)密度的檢驗(yàn)，砷化鎵單晶切割后，每組批需要1片進(jìn)行復(fù)測(cè)表面晶向和晶向偏離。

n）刪除條款號(hào)具體內(nèi)容分條款，僅需要引用具體條款號(hào)即可（見(jiàn)7.4.1,2014年版的6.4.1）；

o）檢驗(yàn)項(xiàng)目中增加復(fù)測(cè)檢驗(yàn)晶向及晶向偏移度（見(jiàn)7.4.1,2014年版的6.4.1）；

表8電學(xué)性能檢驗(yàn)項(xiàng)目、規(guī)則及判據(jù)

序允許不合

檢驗(yàn)項(xiàng)目要求條款號(hào)檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則

號(hào)格數(shù)

1電阻率6.1.1

4塊（指由1根晶錠頭和錠尾所切1

5.1

2遷移率6.1.2晶片的中心點(diǎn)和邊緣到1/3位置之0

間所取的共4片測(cè)試樣塊

3載流子濃度6.1.3

2塊（指由1根晶錠頭和錠尾所切

表面晶向及晶向的、進(jìn)行電性能測(cè)試后晶片剩余部

45.46.20

偏離分所取的測(cè)試樣塊），切割后取1

片復(fù)測(cè)表面晶向和晶向偏離度

2片（指由1根晶錠頭和錠尾所切的

5位錯(cuò)密度5.66.30

另外各1整片晶片）

p）刪除條款號(hào)具體內(nèi)容分條款，僅需要引用具體條款號(hào)即可（見(jiàn)7.4.2,2014年版的6.4.2）

q）增加晶向偏離度砷化鎵襯底的條款和檢驗(yàn)方法（見(jiàn)7.4.2,2014版的6.4.2）；

表9檢驗(yàn)項(xiàng)目、規(guī)則及判據(jù)

序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目要求條款號(hào)檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則允許不合格數(shù)

1電阻率6.1.1

2片（指由1根晶錠頭和錠尾所切

2遷移率5.16.1.20

的另外各1整片晶片）

3載流子濃度6.1.3

2塊（指由1根晶錠頭和錠尾所切

表面晶向及晶向偏的、進(jìn)行電性能測(cè)試后晶片剩余

45.46.20

離部分所取的測(cè)試樣塊）切割后取1

片復(fù)測(cè)表面晶向和晶向偏離度

2片（指由1根晶錠頭和錠尾所切

5位錯(cuò)密度5.66.30

的另外各1整片晶片）

r）修改包裝盒標(biāo)志內(nèi)容（見(jiàn)8.1.2，2014年版的7.1.2）；

a)生產(chǎn)日期和保質(zhì)期；

b)砷化鎵襯底牌號(hào)；

5

c)砷化鎵襯底編號(hào)；

d)砷化鎵襯底角度；

e)砷化鎵襯底數(shù)量；

s）增加25片卡塞包裝(見(jiàn)8.2,2014年版的7.2）；

經(jīng)過(guò)清洗干凈的襯底片放入特制的聚乙烯圓形包裝盒里，每盒一片或者25片卡塞包裝，大片包

裝要求主面朝下，放上壓環(huán)，用塑料袋充氮?dú)饷芊猓?5片卡塞包裝要求襯底片放入25片卡塞，拋光

面統(tǒng)一朝前或朝后，主參考邊統(tǒng)一朝下或者朝上，用包裝袋充氮?dú)獍b，再使用鋁箔或者鍍鋁包裝

袋進(jìn)行二次包裝，然后連同合格證、質(zhì)量保證書一起裝入裝有專用塑料泡沫或含有防沖擊材料的包

裝箱內(nèi)，最后用膠帶封好。

t）質(zhì)量保證書上增加生產(chǎn)日期和保質(zhì)期（見(jiàn)8.4，2014版的7.4）；

每批產(chǎn)品應(yīng)附有質(zhì)量證明書，其上注明：

a)供方名稱；

b)合同號(hào)；

c)產(chǎn)品名稱、牌號(hào)；

d)產(chǎn)品檢驗(yàn)批號(hào)和構(gòu)成檢驗(yàn)所有的襯底及其晶錠編號(hào)；

e)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果和檢驗(yàn)員印章及檢驗(yàn)日期；

f)生產(chǎn)日期和保質(zhì)期；

h）檢驗(yàn)部門印章；

u）改變附錄A和附錄B中對(duì)測(cè)試環(huán)條件的描述；

除另有規(guī)定外，應(yīng)在下列條件下進(jìn)行檢驗(yàn)：

a)溫度：23℃±5℃；

b)相對(duì)濕度：35%~70%；

c)潔凈度：GB/T25915.1—2021表1中規(guī)定的ISO7級(jí)。

v）增加附錄A對(duì)測(cè)點(diǎn)的描述，并附圖17點(diǎn)的測(cè)試圖。

根據(jù)襯底的尺寸，以襯底中心點(diǎn)為圓心，半徑為4/5襯底半徑的圓形區(qū)域作為有效測(cè)試區(qū)域。測(cè)

試點(diǎn)數(shù)為17個(gè)～33個(gè)，其分布以襯底中心為圓心，呈徑向均勻放射形狀，對(duì)常規(guī)的（100）面的砷化

--

鎵襯底一般依照[010]和[110]兩個(gè)方向，依照直徑的1/10進(jìn)行逐步的進(jìn)行測(cè)點(diǎn)，測(cè)試點(diǎn)數(shù)為17個(gè)，

---

或者增加[001]和[110]兩個(gè)方向，同樣依照直徑的1/10進(jìn)行逐步的進(jìn)行測(cè)點(diǎn)，測(cè)試點(diǎn)數(shù)為33個(gè)。

6

三、標(biāo)準(zhǔn)水平分析

本標(biāo)準(zhǔn)擬代替GB/T30856-2014《LED外延芯片用砷化鎵襯底》，為推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到國(guó)

內(nèi)領(lǐng)先水平.

四、與我國(guó)有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系

本標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)家現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)不存在相違背和抵觸的地方。

五、重大分歧意見(jiàn)的處理經(jīng)過(guò)和依據(jù)

無(wú)

六、標(biāo)準(zhǔn)作為強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)或推薦性標(biāo)準(zhǔn)的建議

本標(biāo)準(zhǔn)作為推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實(shí)施。

七、代替或廢止現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議

本標(biāo)準(zhǔn)修訂后，將代替GB/T30856--2014《LED外延芯片用砷化鎵襯底》

八、其他需要說(shuō)明的事項(xiàng)

無(wú)。

7

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《LED外延芯片用砷化鎵襯底》

編制說(shuō)明（征求意見(jiàn)稿）

一、工作簡(jiǎn)況

1、立項(xiàng)目的與意義

砷化鎵是一種重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料，是LED外延芯片的關(guān)鍵襯底材料，在微電子、

光電子等領(lǐng)域有非常明顯的優(yōu)勢(shì)。我國(guó)較早就開展了LED外延芯片用砷化鎵襯底材料的研究工作，

在砷化鎵襯底材料生長(zhǎng)和性質(zhì)方面的研究取得了很多成果，目前已經(jīng)形成成熟的產(chǎn)品體系熟。

2014年制定了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T30856-2014LED外延芯片用砷化鎵襯底》，隨著生產(chǎn)技術(shù)水平

的提高，已經(jīng)不能滿足現(xiàn)有產(chǎn)品的需求，有必要對(duì)技術(shù)參數(shù)加以規(guī)范，進(jìn)行修訂、增加相關(guān)指標(biāo)。

形成新的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)后可作為砷化鎵單晶行業(yè)今后組織生產(chǎn)、銷售和接受質(zhì)量監(jiān)督的依據(jù)，以利于LED

外延芯片用砷化鎵襯底材料更好發(fā)展。。

2、任務(wù)來(lái)源

根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)(2023年)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃（修訂）的通知》（國(guó)標(biāo)

委發(fā)[2023]58號(hào)，由大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱溢泰）負(fù)責(zé)修訂《GB/T30856-2014LED

外延芯片用砷化鎵襯底》，計(jì)劃編號(hào)為20200798-T-469。

3、承擔(dān)單位概況

本項(xiàng)目承擔(dān)單位大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司，多年從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料研制和生

產(chǎn)，且重視標(biāo)準(zhǔn)化工作，是全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)秘書處依托單位，多年來(lái)一直在標(biāo)準(zhǔn)

化領(lǐng)域開展了大量國(guó)內(nèi)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化工作。

大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司從事砷化鎵材料制備工作已有20余年的歷史，公司經(jīng)營(yíng)的范圍包

括半導(dǎo)體新材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、技術(shù)服務(wù)等。公司運(yùn)營(yíng)、技術(shù)團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體襯底材料領(lǐng)域有30

多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，具有很強(qiáng)的技術(shù)開發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，先后承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家，省里，市里的重大

專項(xiàng)、重大預(yù)研、國(guó)產(chǎn)化等多種任務(wù)，了解和熟悉國(guó)內(nèi)砷化鎵材料的生產(chǎn)、使用和研制工作動(dòng)態(tài)及

技術(shù)水平。公司現(xiàn)已成為二代半導(dǎo)體襯底材料，全國(guó)TOP3供應(yīng)商。

4、編制過(guò)程

大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司于2023年1月成立編制組，負(fù)責(zé)本標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)研和編寫工作。2023

年1月~7月之間，編制組根據(jù)任務(wù)落實(shí)會(huì)確定的起草原則，對(duì)國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)LED外延芯片用砷化鎵襯

底的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行調(diào)研和統(tǒng)計(jì)，并調(diào)研了下游客戶的質(zhì)量要求，按照產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的編制原則、框架要

求和國(guó)家的法律法規(guī)，同時(shí)結(jié)合企業(yè)的一些技術(shù)指標(biāo)和檢驗(yàn)數(shù)據(jù)，起草了本標(biāo)準(zhǔn)的初稿。

1

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容的確定依據(jù)

1、編制原則

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場(chǎng)需

求及客戶要求等信息，初步確定了《LED外延芯片用砷化鎵襯底》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編

制依據(jù)：

1）按照GB/T1.1產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)編寫示例的要求進(jìn)行格式和結(jié)構(gòu)編寫；

2）根據(jù)國(guó)內(nèi)LED外延芯片用砷化鎵襯底生產(chǎn)企業(yè)的具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性和實(shí)用

性；

3）根據(jù)技術(shù)發(fā)展水平及測(cè)試數(shù)據(jù)確定技術(shù)取值范圍；

4）查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；

5）根據(jù)國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。

2、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容和確定依據(jù)

a）范圍中本標(biāo)準(zhǔn)改為本文件，并重新定義本標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍；

本文件規(guī)定了LED外延芯片用砷化鎵單晶襯底（以下簡(jiǎn)稱“砷化鎵襯底”）的技術(shù)要求、試驗(yàn)方

法和檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、標(biāo)簽，以及包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存、質(zhì)量證明書與訂貨單（或合同）內(nèi)容。

本文件適用于砷化鎵襯底的生產(chǎn)、測(cè)試、檢驗(yàn)分析及質(zhì)量評(píng)價(jià)。LD外延芯片用砷化鎵襯底可參

照?qǐng)?zhí)行。

b）增加“Φ200mm”直徑規(guī)格砷化鎵襯底（見(jiàn)4.1，2014年版的4.3）；

4.1.2LED外延用的砷化鎵襯底直徑規(guī)格需要增加“200mm”

c）電學(xué)性能需要增加n型和p摻雜劑及截面電阻率均勻性（見(jiàn)5.1，2014年版的4.1和4.4）；

表1砷化鎵襯底的電學(xué)性能

要求

序號(hào)項(xiàng)目

np

電阻率-2-3-1-3

11×10～1×101×10～1×10

Ω·cm

遷移率

2≥1000≥40

cm2/(V·s)

載流子濃度17181719

31×10～5×101×10～5×10

cm-3

4截面電阻率不均勻性＜15%＜15%

注n型摻雜劑包括：Si、Te、S、Se、Sn；p型摻雜劑包括：Zn、Cd、Be、Mn、Fe、Co、Mg；

注截面電阻均勻性偏差＝(ρmax－ρmin)/×100%，其中，＝(ρmax＋ρmin)/2。

d）增加表面要求的具體內(nèi)容及不同尺寸對(duì)應(yīng)的允許范圍，增加表2；

表2砷化鎵襯底的表面質(zhì)量

2

單位為毫米

要求

序號(hào)規(guī)格近邊緣區(qū)域徑向尺寸

近邊緣區(qū)域合格質(zhì)量區(qū)

1Ф50.8≤0.2

2Ф76.2≤0.2

3Ф100.0≤0.5無(wú)崩邊劃痕、桔皮、裂縫、凹坑

4Ф150.0≤0.5

5Ф200.0≤0.8

注：砷化鎵襯底整個(gè)表面無(wú)沾污、溶劑殘留物、蠟殘留物。

e）增加4寸和6寸副邊的新規(guī)定，增加“Φ200mm”直徑規(guī)格參考面的取向、形狀和尺寸（見(jiàn)5.3，

2014年版的4.8）

表3砷化鎵襯底參考面的取向、形狀和長(zhǎng)度

單位為毫米

序號(hào)參數(shù)項(xiàng)目參考面選擇規(guī)格要求

-

V型槽-[011]±0.5°屬于1個(gè)砷面，

主參考面垂直于V型槽

1主參考面取向--