第41頁（共41頁）2021-2025年高考化學真題知識點分類匯編之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)一．選擇題（共32小題）1．（2025?全國）一種負熱膨脹材料的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞密度為dg?cm﹣3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．沿晶胞體對角線方向的投影圖為： B．Ag和B均為sp3雜化 C．晶體中與Ag最近且距離相等的Ag有6個 D．Ag和B的最短距離為32×32．（2025?湖南）K+摻雜的鉍酸鋇具有超導性。K+替代部分Ba2+形成Ba0.6K0.4BiO3（摩爾質(zhì)量為354.8g?mol﹣1），其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該立方晶胞的參數(shù)為anm，設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）A．晶體中與鉍離子最近且距離相等的O2﹣有6個 B．晶胞中含有的鉍離子個數(shù)為8 C．第一電離能：Ba＞O D．晶體的密度為3.548×1021a3?3．（2025?重慶）化合物X的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列敘述正確的是（）A．X中存在π鍵 B．X屬于混合型晶體 C．X的化學式可表示為C3N4 D．X中C原子上有一對孤電子對4．（2025?湖北）SO2晶胞是長方體，邊長a≠b≠c，如圖所示。下列說法正確的是（）A．一個晶胞中含有4個O原子 B．晶胞中SO2分子的取向相同 C．1號和2號S原子間的核間距為22aD．每個S原子周圍與其等距且緊鄰的S原子有4個5．（2025?全國）下列對物質(zhì)性質(zhì)的解釋錯誤的是（）選項物質(zhì)性質(zhì)解釋A氯化鈉熔點高于氯化銫氯化鈉離子鍵強于氯化銫B碘易溶于四氯化碳碘和四氯化碳都是非極性分子C草酸氫鈉溶液顯酸性草酸氫根離子水解程度大于電離程度D離子液體導電性良好離子液體中有可移動的陰、陽離子A．A B．B C．C D．D6．（2025?云南）（Li0.45La0.85）ScO3是優(yōu)良的固態(tài)電解質(zhì)材料，Ce4+取代部分La3+后產(chǎn)生空位，可提升Li+傳導性能。取代后材料的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖（O2﹣未畫出）及其作為電解質(zhì)的電池裝置如圖。下列說法錯誤的是（）A．每個晶胞中O2﹣個數(shù)為12 B．該晶胞在yz平面的投影為 C．Ce4+取代后，該電解質(zhì)的化學式為（Li0.45La0.85﹣yCey）ScO3 D．若只有Li+發(fā)生遷移，外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的Li+數(shù)目相等7．（2025?河北）SmCok（k＞1）是一種具有優(yōu)異磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等領域中獲得重要應用。SmCok的六方晶胞示意圖如圖，晶胞參數(shù)a＝500pm、c＝400pm，M、N原子的分數(shù)坐標分別為(56，設NA是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該物質(zhì)的化學式為SmCo5 B．體心原子的分數(shù)坐標為(1C．晶體的密度為89033NA×10D．原子Q到體心的距離為100418．（2025?安徽）以下研究文物的方法達不到目的的是（）A．用14C斷代法測定竹簡的年代 B．用X射線衍射法分析玉器的晶體結(jié)構(gòu) C．用原子光譜法鑒定漆器表層的元素種類 D．用紅外光譜法測定古酒中有機分子的相對分子質(zhì)量9．（2025?安徽）碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，層間作用為范德華力，層間距為dpm。圖給出了碘的單層結(jié)構(gòu)，層內(nèi)碘分子間存在“鹵鍵”（強度與氫鍵相近）。NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．碘晶體是混合型晶體 B．液態(tài)碘單質(zhì)中也存在“鹵鍵“ C．127g碘晶體中有NA個“鹵鍵” D．碘晶體的密度為2×254abd×NA×110．（2025?選擇性）NaxWO3晶體因x變化形成空位而導致顏色各異，當0.44≤x≤0.95時，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯誤的是（）A．與W最近且等距的O有6個 B．x增大時，W的平均價態(tài)升高 C．密度為243.5×1030a3?D．空位數(shù)不同，吸收的可見光波長不同11．（2024?安徽）研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導電氧化物（LixLayTiO3），其立方晶胞和導電時Li+遷移過程如圖所示。已知該氧化物中Ti為+4價，La為+3價。下列說法錯誤的是（）A．導電時，Ti和La的價態(tài)不變 B．若x=13，LiC．與體心最鄰近的O原子數(shù)為12 D．導電時，空位移動方向與電流方向相反12．（2024?天津）我國學者在碳化硅（SiC）表面制備出超高遷移率半導體外延石墨烯。下列說法正確的是（）A．SiC是離子化合物 B．SiC晶體的熔點高、硬度大 C．核素14C的質(zhì)子數(shù)為8 D．石墨烯屬于烯烴13．（2024?選擇性）某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu)；晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；所有晶胞均為立方晶胞。下列說法錯誤的是（）A．結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學式為Co9S8 B．晶胞2中S與S的最短距離為32C．晶胞2中距Li最近的S有4個 D．晶胞2和晶胞3表示同一晶體14．（2024?廣西）一定條件下，存在H﹣缺陷位的LiH晶體能吸附N2使其分解為N，隨后N占據(jù)缺陷位（如圖）。下列說法錯誤的是（）A．c＞0.5a B．半徑：r（H﹣）＞r（H） C．b＝d D．LiH晶體為離子晶體15．（2024?重慶）儲氫材料MgH2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，MgH2的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說法正確的是（）A．H﹣的配位數(shù)為2 B．晶胞中含有2個Mg2+ C．晶體密度的計算式為2MD．Mg2+（ⅰ）和Mg2+（ⅱ）之間的距離為a16．（2024?貴州）我國科學家首次合成了化合物[K（2，2，2﹣crypt）]5[K@Au12Sb20]。其陰離子[K@Au12Sb20]5﹣為全金屬富勒烯（結(jié)構(gòu)如圖），具有與富勒烯C60相似的高對稱性。下列說法錯誤的是（）A．富勒烯C60是分子晶體 B．圖示中的K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi) C．全金屬富勒烯和富勒烯C60互為同素異形體 D．銻（Sb）位于第五周期第ⅤA族，則其基態(tài)原子價層電子排布式是5s25p317．（2024?江西）NbO的立方晶胞如圖，晶胞參數(shù)為anm，P的分數(shù)坐標為（0，0，0），阿伏加德羅常數(shù)的值M為NA，下列說法正確的是（）A．Nb的配位數(shù)是6 B．Nb和O最短距離為22anmC．晶體密度ρ=D．M的分數(shù)坐標為(18．（2024?湖南）Li2CN2是一種高活性的人工固氮產(chǎn)物，其合成反應為2LiH+C+N2高溫Li2CN2A．合成反應中，還原劑是LiH和C B．晶胞中含有的Li+個數(shù)為4 C．每個CN22-周圍與它最近且距離相等的Li+有8D．CN22-為19．（2024?山東）下列物質(zhì)均為共價晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點最低的是（）A．金剛石（C） B．單晶硅（Si） C．金剛砂（SiC） D．氮化硼（BN，立方相）20．（2024?河北）金屬鉍及其化合物廣泛應用于電子設備、醫(yī)藥等領域。如圖是鉍的一種氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ點的截面圖，晶胞的邊長為apm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該鉍氟化物的化學式為BiF3 B．粒子S、T之間的距離為114apmC．該晶體的密度為1064NA×a3×1D．晶體中與鉍離子最近且等距的氟離子有6個21．（2024?湖北）黃金按質(zhì)量分數(shù)分級，純金為24K。Au—Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯誤的是（）A．Ⅰ為18K金 B．Ⅱ中Au的配位數(shù)是12 C．Ⅲ中最小核間距Au—Cu＜Au—Au D．Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au與Cu原子個數(shù)比依次為1：1、1：3、3：122．（2023?遼寧）晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對稱美同樣受關注。某富鋰超離子導體的晶胞是立方體（圖1），進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料（圖2）。下列說法錯誤的是（）A．圖1晶體密度為72.5NA×a3×1B．圖1中O原子的配位數(shù)為6 C．圖2表示的化學式為LiMg2OClxBr1﹣x D．Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導23．（2023?河北）鋯（Zr）是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。如圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該氧化物的化學式為ZrO2 B．該氧化物的密度為123×1030NA?aC．Zr原子之間的最短距離為22apmD．若坐標取向不變，將p點Zr原子平移至原點，則q點Zr原子位于晶胞xy面的面心24．（2023?湖南）科學家合成了一種高溫超導材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．晶體最簡化學式為KCaB6C6 B．晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個 C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個面 D．晶體的密度為2.17×1032a3?25．（2023?湖北）鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn，在儲氫和超導等領域具有重要應用。LaHn屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，LaH2中的每個H結(jié)合4個H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，即得到晶體LaHx。下列說法錯誤的是（）A．LaH2晶體中La的配位數(shù)為8 B．晶體中H和H的最短距離：LaH2＞LaHx C．在LaHx晶胞中，H形成一個頂點數(shù)為40的閉合多面體籠 D．LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為40(4.84×10-8)26．（2022?山東）AlN、GaN屬于第三代半導體材料，二者成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶體中只存在N—Al鍵、N—Ga鍵。下列說法錯誤的是（）A．GaN的熔點高于AlN B．晶體中所有化學鍵均為極性鍵 C．晶體中所有原子均采取sp3雜化 D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同27．（2022?湖北）某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是（）A．Ca2+的配位數(shù)為6 B．與F﹣距離最近的是K+ C．該物質(zhì)的化學式為KCaF3 D．若F﹣換為Cl﹣，則晶胞棱長將改變28．（2022?天津）下列物質(zhì)沸點的比較，正確的是（）A．CH4＞C2H6 B．HF＞HCl C．H2S＞H2Se D．＞CH3CH2CH2CH329．（2022?上海）下列屬于原子晶體的是（）A．CO2 B．金剛石 C．NaCl D．氦氣30．（2021?遼寧）單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導材料，其晶胞如圖。下列說法錯誤的是（）A．S位于元素周期表p區(qū) B．該物質(zhì)的化學式為H3S C．S位于H構(gòu)成的八面體空隙中 D．該晶體屬于分子晶體31．（2021?湖北）某立方晶系的銻鉀（Sb﹣K）合金可作為鉀離子電池的電極材料，圖a為該合金的晶胞結(jié)構(gòu)圖，圖b表示晶胞的一部分。下列說法正確的是（）A．該晶胞的體積為a3×10﹣36cm3 B．K和Sb原子數(shù)之比為3：1 C．與Sb最鄰近的K原子數(shù)為4 D．K和Sb之間的最短距離為1232．（2021?天津）下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是（）A．SiO2和SO3 B．I2和NaCl C．Cu和Ag D．SiC和MgO

2021-2025年高考化學真題知識點分類匯編之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)參考答案與試題解析一．選擇題（共32小題）題號1234567891011答案AACDCCDDABB題號1213141516171819202122答案BBCBCDDBDCC題號23242526272829303132答案BCCABBBDBC一．選擇題（共32小題）1．（2025?全國）一種負熱膨脹材料的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞密度為dg?cm﹣3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．沿晶胞體對角線方向的投影圖為： B．Ag和B均為sp3雜化 C．晶體中與Ag最近且距離相等的Ag有6個 D．Ag和B的最短距離為32×3【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；理解與辨析能力．【分析】A．沿晶胞體對角線方向的投影，對角白球重合，對角線上兩黑球重合及對角線上兩灰球重合，Ag位于體心；B．Ag和B的價層電子對均為4；C．晶體中Ag位于晶胞的體心，與Ag最近且距離相等的Ag位于前后、左右、上下；D．根據(jù)ρ=mV求出晶胞參數(shù)，再根據(jù)【解答】解：A．沿晶胞體對角線方向的投影，對角白球重合，對角線上兩黑球重合及對角線上兩灰球重合，Ag位于體心，正確的投影圖為：，故A錯誤；B．Ag和B的價層電子對均為4，則Ag和B均為sp3雜化，故B正確；C．晶體中Ag位于晶胞的體心，與Ag最近且距離相等的Ag位于前后、左右、上下，故晶體中與Ag最近且距離相等的Ag有6個，故C正確；D．設晶胞參數(shù)為xpm，該晶胞中含有1個Ag原子，1個B原子，4個C原子和4個N原子，則ρ=mV=(108+11+4×12+4×14)NA(x×10-10)3g?cm﹣3＝dg?cm﹣3，解得x=故選：A?！军c評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學生晶胞計算的掌握情況，題目難度中等。2．（2025?湖南）K+摻雜的鉍酸鋇具有超導性。K+替代部分Ba2+形成Ba0.6K0.4BiO3（摩爾質(zhì)量為354.8g?mol﹣1），其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該立方晶胞的參數(shù)為anm，設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（）A．晶體中與鉍離子最近且距離相等的O2﹣有6個 B．晶胞中含有的鉍離子個數(shù)為8 C．第一電離能：Ba＞O D．晶體的密度為3.548×1021a3?【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；分析與推測能力．【分析】A．根據(jù)圖知，晶體中與鉍離子最近且距離相等的O2﹣有6個；B．晶胞中Bi原子個數(shù)為8×1C．Ba為金屬，易失電子，O非金屬性較強，難失電子；D．該晶胞中Bi原子個數(shù)為8×18=1，O原子個數(shù)為12×14=3，根據(jù)化學式知，該晶胞中含有0.6個Ba2+、0.4個K+，晶胞的體積為（a×10﹣7【解答】解：A．根據(jù)圖知，晶體中與鉍離子最近且距離相等的O2﹣有6個，故A正確；B．晶胞中Bi原子個數(shù)為8×18=1C．Ba為金屬，易失電子，O非金屬性較強，難失電子，所以第一電離能Ba＜O，故C錯誤；D．該晶胞中Bi原子個數(shù)為8×18=1，O原子個數(shù)為12×14=3，根據(jù)化學式知，該晶胞中含有0.6個Ba2+、0.4個K+，晶胞的體積為（a×10﹣7cm）3，晶體的密度為MNA故選：A?！军c評】本題考查晶胞的計算，側(cè)重考查分析、判斷、空間想象能力及計算能力，明確元素周期律的內(nèi)涵、晶胞的計算方法是解本題關鍵，注意單位換算，題目難度不大。3．（2025?重慶）化合物X的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列敘述正確的是（）A．X中存在π鍵 B．X屬于混合型晶體 C．X的化學式可表示為C3N4 D．X中C原子上有一對孤電子對【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；分析與推測能力．【分析】A．根據(jù)圖知，相鄰的C、N原子之間存在共價單鍵；B．X是由C、N原子共存的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體，該晶體中只存在共價鍵；C．該晶胞中C原子個數(shù)為6×12=3、ND．根據(jù)圖知，每個碳原子連接4個氮原子，每個氮原子連接3個碳原子?！窘獯稹拷猓篈．根據(jù)圖知，相鄰的C、N原子之間存在共價單鍵，所以X中不存在π鍵，故A錯誤；B．X是由C、N原子共存的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體，該晶體中只存在共價鍵，所以X屬于共價晶體，不屬于混合晶體，故B錯誤；C．該晶胞中C原子個數(shù)為6×12=3、N原子個數(shù)是4，X的化學式為C3N4D．根據(jù)圖知，每個碳原子連接4個氮原子，每個氮原子連接3個碳原子，所以X中碳原子沒有一對孤電子，故D錯誤；故選：C?！军c評】本題考查晶胞的計算，側(cè)重考查空間想象能力及計算能力，明確X的構(gòu)成微粒及微粒之間的作用力、晶胞的計算方法是解本題關鍵，題目難度不大。4．（2025?湖北）SO2晶胞是長方體，邊長a≠b≠c，如圖所示。下列說法正確的是（）A．一個晶胞中含有4個O原子 B．晶胞中SO2分子的取向相同 C．1號和2號S原子間的核間距為22aD．每個S原子周圍與其等距且緊鄰的S原子有4個【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；理解與辨析能力．【分析】A．由晶胞圖可知，SO2分子位于長方體的棱心和體心，1個晶胞中含（12×14+1）＝4個SO2分子，含有8B．由圖可知晶胞中SO2分子的取向不完全相同，如1和2；C.1號和2號S原子間的核間距離為上、下面面對角線的一半，即12a2D.以體心的S原子為例，由于a≠b≠c，每個S原子周圍與其等距且緊鄰（距離最小）的S原子有4個。【解答】解：A．由晶胞圖可知，SO2分子位于長方體的棱心和體心，1個晶胞中含（12×14+1）＝4個SO2分子，含有8個OB．由圖可知晶胞中SO2分子的取向不完全相同，如1和2，故B錯誤；C.1號和2號S原子間的核間距離為上、下面面對角線的一半，即12a2+bD.以體心的S原子為例，由于a≠b≠c，每個S原子周圍與其等距且緊鄰（距離最?。┑腟原子有4個，故D正確，故選：D?！军c評】本題考查均攤法在晶胞中的計算、配位數(shù)、原子間的距離等知識點，題目比較基礎。5．（2025?全國）下列對物質(zhì)性質(zhì)的解釋錯誤的是（）選項物質(zhì)性質(zhì)解釋A氯化鈉熔點高于氯化銫氯化鈉離子鍵強于氯化銫B碘易溶于四氯化碳碘和四氯化碳都是非極性分子C草酸氫鈉溶液顯酸性草酸氫根離子水解程度大于電離程度D離子液體導電性良好離子液體中有可移動的陰、陽離子A．A B．B C．C D．D【專題】物質(zhì)的性質(zhì)和變化專題．【分析】A．離子晶體的熔點隨離子鍵強度的增大而升高，離子鍵強度與離子半徑成反比；B．根據(jù)相似相溶原理進行分析；C．在溶液中草酸氫根離子能出電離H+，也能發(fā)生水解反應，生成OH﹣；D．在離子液體中，存在可自由移動的陽離子和陰離子?！窘獯稹拷猓篈．離子晶體的熔點隨離子鍵強度的增大而升高，離子鍵強度與離子半徑成反比，Na+半徑小于Cs+，則離子鍵強度：NaCl大于CsCl，所以熔點：NaCl＞CsCl，故A正確；B．碘和四氯化碳是非極性分子，根據(jù)相似相溶原理可知碘易溶于四氯化碳，故B正確；C．在溶液中草酸氫根離子能出電離H+，也能發(fā)生水解反應，生成OH﹣，草酸氫鈉溶液顯酸性說明草酸氫根離子水解程度小于電離程度，故C錯誤；D．在離子液體中，存在可自由移動的陽離子和陰離子，所以具有良好的導電性，故D正確；故選：C。【點評】本題考查物質(zhì)的性質(zhì)，側(cè)重考查分析、判斷及知識綜合運用能力，掌握基礎是關鍵，題目難度一般。6．（2025?云南）（Li0.45La0.85）ScO3是優(yōu)良的固態(tài)電解質(zhì)材料，Ce4+取代部分La3+后產(chǎn)生空位，可提升Li+傳導性能。取代后材料的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖（O2﹣未畫出）及其作為電解質(zhì)的電池裝置如圖。下列說法錯誤的是（）A．每個晶胞中O2﹣個數(shù)為12 B．該晶胞在yz平面的投影為 C．Ce4+取代后，該電解質(zhì)的化學式為（Li0.45La0.85﹣yCey）ScO3 D．若只有Li+發(fā)生遷移，外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的Li+數(shù)目相等【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；電化學專題；分析與推測能力．【分析】A．根據(jù)（Li0.45La0.85）ScO3中N（Sc）：N（O）＝1：3進行計算；B．該晶胞在yz平面的投影即為其正視圖，結(jié)合視圖規(guī)則分析判斷；C．Ce4+取代部分La3+后化學式為（Li0.45La0.85﹣yCex）ScO3，根據(jù)化合價規(guī)則進行計算；D．Li+和電子所帶電荷數(shù)相等，根據(jù)電路中電流處處相等規(guī)則分析判斷。【解答】解：A．Ce4+取代部分La3+后產(chǎn)生空位，但N（Sc3+）：N（O2﹣）＝1：3，晶胞中N（Sc3+）＝8×14+4×12=4，則每個晶胞中O2﹣個數(shù)N（O2﹣）＝4×B．該晶胞在yz平面的投影即為其正視圖，面或棱上原子的視圖落在棱上，頂點原子的視圖落在長方形的頂點，體內(nèi)原子的視圖在長方形內(nèi)部，同一高度原子的視圖重合，則該晶胞在yz平面的投影為，故B正確；C．Ce4+取代部分La3+后化學式為（Li0.45La0.85﹣yCex）ScO3，化合物中元素化合價代數(shù)和為0，即（+1）×0.45+（+3）×（0.85﹣y）+（+4）×x+（+3）×1+（﹣2）×3＝0，解得x＝0.75y，即Ce4+取代后，該電解質(zhì)的化學式為（Li0.45La0.85﹣yCe0.75y）ScO3或（Li0.45La0.85﹣43yCey）ScO3，故CD．電路中電流處處相等，Li+和電子所帶電荷數(shù)相等，若只有Li+發(fā)生遷移，則外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過截面MNPQ的Li+數(shù)目相等，故D正確；故選：C?！军c評】本題考查晶胞相關計算、原電池原理，側(cè)重分析判斷能力和計算能力考查，把握均攤法計算、化合價規(guī)則的應用、原電池工作原理是解題關鍵，題目難度中等。7．（2025?河北）SmCok（k＞1）是一種具有優(yōu)異磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等領域中獲得重要應用。SmCok的六方晶胞示意圖如圖，晶胞參數(shù)a＝500pm、c＝400pm，M、N原子的分數(shù)坐標分別為(56，設NA是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該物質(zhì)的化學式為SmCo5 B．體心原子的分數(shù)坐標為(1C．晶體的密度為89033NA×10D．原子Q到體心的距離為10041【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；理解與辨析能力．【分析】A．白球位于體心，晶胞中數(shù)目為1，黑球位于頂角、棱心、體內(nèi)，根據(jù)均攤法則進行分析解答；B．體心原子位于晶胞的中心；C．根據(jù)ρ=mD．原子Q的分數(shù)坐標為（0，12，1），由體心原子向上底面作垂線，垂足為上底面面心，連接該面心與原子Q、體心與原子Q可得直角三角形：，據(jù)此進行解答。【解答】解：A．白球位于體心，晶胞中數(shù)目為1，黑球位于頂角、棱心、體內(nèi)，晶胞中數(shù)目為8×18+8×14+2＝5，結(jié)合題意知，白球為Sm、黑球為CoB．體心原子位于晶胞的中心，其分數(shù)坐標為（12，12，12C．每個晶胞中含有1個“SmCo5”，晶胞底面為菱形，晶胞體積為32a2c，則晶體密度=1NA?(150+59×5)g3D．原子Q的分數(shù)坐標為（0，12，1），由體心原子向上底面作垂線，垂足為上底面面心，連接該面心與原子Q、體心與原子Q可得直角三角形：，則原子Q到體心的距離=2502+2002pm＝故選：D?！军c評】本題考查晶胞結(jié)構(gòu)的分析及相關計算，涉及化學式、晶體密度等，解答此題還要有一定的空間想象能力，題目難度較大。8．（2025?安徽）以下研究文物的方法達不到目的的是（）A．用14C斷代法測定竹簡的年代 B．用X射線衍射法分析玉器的晶體結(jié)構(gòu) C．用原子光譜法鑒定漆器表層的元素種類 D．用紅外光譜法測定古酒中有機分子的相對分子質(zhì)量【專題】化學應用；理解與辨析能力．【分析】A．可用14C斷代法測定物質(zhì)中C元素的含量；B．X射線衍射法可測定晶體的結(jié)構(gòu)；C．原子光譜可鑒定元素種類；D．用紅外光譜法測定有機物中含有的官能團?！窘獯稹拷猓篈．14C的半衰期約為5730年左右，根據(jù)測定14C的剩余含量以及的它的半衰期，可以計算出文物的年代，故A正確；B．X射線衍射法可測定晶體的結(jié)構(gòu)，故可用X射線衍射法分析玉器的晶體結(jié)構(gòu)，故B正確；C．原子光譜可鑒定元素種類，故用原子光譜法鑒定漆器表層的元素種類，故C正確；D．用紅外光譜法測定有機物中含有的官能團，測定古酒中有機分子的相對分子質(zhì)量是用質(zhì)譜法進行測定，故D錯誤；故選：D?！军c評】本題考查物質(zhì)的性質(zhì)與變化及現(xiàn)代儀器的測定，掌握基礎是關鍵，題目難度不大。9．（2025?安徽）碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，層間作用為范德華力，層間距為dpm。圖給出了碘的單層結(jié)構(gòu)，層內(nèi)碘分子間存在“鹵鍵”（強度與氫鍵相近）。NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．碘晶體是混合型晶體 B．液態(tài)碘單質(zhì)中也存在“鹵鍵“ C．127g碘晶體中有NA個“鹵鍵” D．碘晶體的密度為2×254abd×NA×1【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；理解與辨析能力．【分析】A．碘晶體層內(nèi)和層間均為分子間作用力；B．液態(tài)碘單質(zhì)中，層內(nèi)碘分子間也存在“鹵鍵”；C．127g碘晶體的物質(zhì)的量為127g254g/mol=0.5mol，由圖可知，結(jié)合均攤法計算，1個I2含有的“鹵鍵“數(shù)目為4×1D．根據(jù)ρ=m【解答】解：A．碘晶體層內(nèi)和層間均為分子間作用力，是分子晶體，故A錯誤；B．液態(tài)碘單質(zhì)中，層內(nèi)碘分子間也存在“鹵鍵”，故B正確；C．127g碘晶體的物質(zhì)的量為127g254g/mol=0.5mol，由圖可知，結(jié)合均攤法計算，1個I2含有的“鹵鍵“數(shù)目為4×12=2個，則0.5molI2D．碘晶體的密度為ρ=mV=2×254abd×NA故選：A。【點評】本題主要考查晶體類型的判斷、晶胞密度的計算，屬于基本知識的考查，難度中等。10．（2025?選擇性）NaxWO3晶體因x變化形成空位而導致顏色各異，當0.44≤x≤0.95時，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯誤的是（）A．與W最近且等距的O有6個 B．x增大時，W的平均價態(tài)升高 C．密度為243.5×1030a3?D．空位數(shù)不同，吸收的可見光波長不同【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)；分析與推測能力．【分析】A．與W最近且等距的O位于其上下左右前后；B．x增大時，根據(jù)各元素的代數(shù)和為0可知W的平均價態(tài)降低；C．晶胞的體積為a3×10﹣30cm3，若晶胞的密度為243.5×1030a3?NAg?cm-3時，則晶胞的質(zhì)量為243.5D．由題干可知，NaxWO3晶體因x變化形成空位而導致顏色各異，因此空位數(shù)不同，吸收的可見光波長不同。【解答】解：A．與W最近且等距的O位于其上下左右前后，有6個，故A正確；B．x增大時，根據(jù)各元素的代數(shù)和為0可知W的平均價態(tài)降低，故B錯誤；C．晶胞的體積為a3×10﹣30cm3，若晶胞的密度為243.5×1030a3?NAg?cm-3時，則晶胞的質(zhì)量為243.5ND．由題干可知，NaxWO3晶體因x變化形成空位而導致顏色各異，因此空位數(shù)不同，吸收的可見光波長不同，故D正確；故選：B?！军c評】本題主要考查晶胞的計算，為高頻考點，題目難度一般。11．（2024?安徽）研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導電氧化物（LixLayTiO3），其立方晶胞和導電時Li+遷移過程如圖所示。已知該氧化物中Ti為+4價，La為+3價。下列說法錯誤的是（）A．導電時，Ti和La的價態(tài)不變 B．若x=13，LiC．與體心最鄰近的O原子數(shù)為12 D．導電時，空位移動方向與電流方向相反【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．導電是帶電離子的定向移動；B．分攤法得到1個晶胞中含Ti個數(shù)＝8×18=1，含O原子數(shù)＝12×14=3，含La或Li或空位1個，若x=13，則La和空位為23，n（La）+n（空位）=23，正負化合價代數(shù)和為0計算，（+3）×13+（+3）×n（La）+（+4）×1+（﹣2C．晶胞結(jié)構(gòu)分析得到，棱心上的12個氧原子與體心最鄰近；D．導電時，Li+遷移向陰極，和電流方向相同，空穴相反?！窘獯稹拷猓篈．導電時Li+遷移，化合價不變，Ti和La的價態(tài)也不變，故A正確；B．分攤法得到1個晶胞中含Ti個數(shù)＝8×18=1，含O原子數(shù)＝12×14=3，含La或Li或空位1個，若x=13，則La和空位為23，n（La）+n（空位）=23，正負化合價代數(shù)和為0計算，（+3）×13+（+3）×n（La）+（+4）×1+（﹣2）×3＝0，C．結(jié)合結(jié)構(gòu)分析可知，與體心最鄰近的O原子數(shù)為12，即為棱心上的12個氧原子，故C正確；D．導電時，Li+遷移向陰極，和電流方向相同，則空位移動方向與電流方向相反，故D正確；故選：B?！军c評】本題考查了晶體結(jié)構(gòu)的分析判斷、晶胞中所含微粒數(shù)的理解應用，題目難度較大。12．（2024?天津）我國學者在碳化硅（SiC）表面制備出超高遷移率半導體外延石墨烯。下列說法正確的是（）A．SiC是離子化合物 B．SiC晶體的熔點高、硬度大 C．核素14C的質(zhì)子數(shù)為8 D．石墨烯屬于烯烴【專題】物質(zhì)的組成專題；理解與辨析能力．【分析】A．SiC是由Si—C鍵構(gòu)成的化合物；B．SiC晶體是共價晶體；C．質(zhì)子數(shù)＝原子序數(shù)；D．石墨烯是由碳元素組成的單質(zhì)。【解答】解：A．SiC是由Si—C鍵構(gòu)成的化合物，是共價化合物，故A錯誤；B．SiC晶體是共價晶體，SiC晶體的熔點高、硬度大，故B正確；C．質(zhì)子數(shù)＝原子序數(shù)，核素14C的原子序數(shù)為6，故質(zhì)子數(shù)為6，故C錯誤；D．石墨烯是由碳元素組成的單質(zhì)，不屬于烯烴，故D錯誤；故選：B?！军c評】本題考查物質(zhì)的組成的相關知識，屬于基礎知識的考查，題目比較簡單。13．（2024?選擇性）某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu)；晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；所有晶胞均為立方晶胞。下列說法錯誤的是（）A．結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學式為Co9S8 B．晶胞2中S與S的最短距離為32C．晶胞2中距Li最近的S有4個 D．晶胞2和晶胞3表示同一晶體【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．根據(jù)均攤法則進行解答；B．晶胞2中S與S的最短距離為同一面上，相鄰棱上S與S的距離；C．根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)進行解答；D．根據(jù)晶胞2和晶胞3的原子分布和均攤法則進行解答?！窘獯稹拷猓篈．結(jié)構(gòu)1中Co的個數(shù)＝4×1+4×18=92，S的個數(shù)＝1×1+12×14=4，則Co與S的個數(shù)比＝9：8，結(jié)構(gòu)1B．晶胞2中S與S的最短距離為同一面上，相鄰棱上S與S的距離，晶胞的邊長為a，根據(jù)勾股定理，相鄰棱上S與S的距離=22a，故C．根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)可知，晶胞2中距Li最近的S有4個，故C正確；D．根據(jù)晶胞2的結(jié)構(gòu)可知，S的個數(shù)為12×14+1×1＝4，Li的個數(shù)為8，則晶胞2表示的化學式為Li2S，在晶胞3中，S的個數(shù)為8×18+6×12=4，Li的個數(shù)為8，則晶胞2表示的化學式為Li故選：B?！军c評】本題考查晶體的結(jié)構(gòu)相關性質(zhì)，其中晶胞計算為解題難點，需要結(jié)合均攤法進行分析，掌握基礎為解題關鍵，整體難度適中。14．（2024?廣西）一定條件下，存在H﹣缺陷位的LiH晶體能吸附N2使其分解為N，隨后N占據(jù)缺陷位（如圖）。下列說法錯誤的是（）A．c＞0.5a B．半徑：r（H﹣）＞r（H） C．b＝d D．LiH晶體為離子晶體【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．由LiH立方晶胞圖可知，c為同一面上頂點到面心的距離；B．電子層數(shù)和核電荷數(shù)都相同時，核外電子數(shù)越多，微粒半徑越大；C．N原子的電負性比H原子大；D．由圖可知，該晶體中存在H﹣、Li+?！窘獯稹拷猓篈．由LiH立方晶胞圖可知，c為同一面上頂點到面心的距離，即c=22a，故B．H﹣與H原子電子層數(shù)和核電荷數(shù)都相同，H﹣的核外電子數(shù)多，H﹣半徑更大，即r（H﹣）＞r（H），故B正確C．N原子的電負性比H原子大，與Li+的作用力更大，使得兩微粒間距離更小，即b＞d，故C錯誤；D．由圖可知，該晶體中存在H﹣、Li+，該晶體為離子晶體，故D正確；故選：C?！军c評】本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及晶胞結(jié)構(gòu)、微粒半徑大小比較、晶體類型等知識，側(cè)重考查學生晶胞結(jié)構(gòu)、微粒半徑大小比較等基礎知識的掌握情況，題目難度中等。15．（2024?重慶）儲氫材料MgH2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，MgH2的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說法正確的是（）A．H﹣的配位數(shù)為2 B．晶胞中含有2個Mg2+ C．晶體密度的計算式為2MD．Mg2+（?。┖蚆g2+（ⅱ）之間的距離為a【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．根據(jù)圖知，與H﹣距離最近且等距離的Mg2+的個數(shù)是3；B．Mg2+位于晶胞的頂點和體心上，該晶胞中Mg2+的個數(shù)為8×18C．該晶胞的體積為（a×10﹣7×a×10﹣7×c×10﹣7）cm3＝a2c×10﹣21cm3，該晶胞中Mg2+的個數(shù)為8×18+1＝2、H﹣的個數(shù)為2+4×12=4，相當于該晶胞中含有2D．Mg2+（?。┖蚆g2+（ⅱ）之間的距離等于晶胞體對角線長度的一半。【解答】解：A．根據(jù)圖知，與H﹣距離最近且等距離的Mg2+的個數(shù)是3，所以H﹣的配位數(shù)為3，故A錯誤；B．Mg2+位于晶胞的頂點和體心上，該晶胞中Mg2+的個數(shù)為8×18+1＝2C．該晶胞的體積為（a×10﹣7×a×10﹣7×c×10﹣7）cm3＝a2c×10﹣21cm3，該晶胞中Mg2+的個數(shù)為8×18+1＝2、H﹣的個數(shù)為2+4×12=4，相當于該晶胞中含有2個“MgH2”，晶體的密度為D．Mg2+（?。┖蚆g2+（ⅱ）之間的距離等于晶胞體對角線長度的一半，為2a2+c故選：B?！军c評】本題考查晶胞的計算，側(cè)重考查圖象分析判斷、空間想象能力和計算能力，明確離子在晶胞中的位置、晶胞密度的計算方法是解本題關鍵，注意單位的換算，題目難度不大。16．（2024?貴州）我國科學家首次合成了化合物[K（2，2，2﹣crypt）]5[K@Au12Sb20]。其陰離子[K@Au12Sb20]5﹣為全金屬富勒烯（結(jié)構(gòu)如圖），具有與富勒烯C60相似的高對稱性。下列說法錯誤的是（）A．富勒烯C60是分子晶體 B．圖示中的K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi) C．全金屬富勒烯和富勒烯C60互為同素異形體 D．銻（Sb）位于第五周期第ⅤA族，則其基態(tài)原子價層電子排布式是5s25p3【專題】原子組成與結(jié)構(gòu)專題；化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．由分子構(gòu)成的晶體是分子晶體；B．根據(jù)圖知，12個Au原子構(gòu)成二十面體籠；C．同一種元素的不同單質(zhì)互為同素異形體；D．銻（Sb）位于第五周期第ⅤA族，和N元素位于同一主族，其基態(tài)原子價層電子為5s、5p能級上的電子。【解答】解：A．富勒烯C60是由C60分子構(gòu)成的晶體，屬于分子晶體，故A正確；B．根據(jù)圖知，12個Au原子構(gòu)成二十面體籠，K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi)，故B正確；C．根據(jù)圖知，全金屬富勒烯不是碳元素的單質(zhì)，所以與富勒烯C60不互為同素異形體，故C錯誤；D．銻（Sb）位于第五周期第ⅤA族，和N元素位于同一主族，其基態(tài)原子價層電子為5s、5p能級上的電子，其基態(tài)原子價層電子排布式是5s25p3，故D正確；故選：C?！军c評】本題考查物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，側(cè)重考查分析、判斷及知識綜合運用能力，明確晶體類型的判斷方法、基本概念內(nèi)涵、原子核外電子排布規(guī)律是解本題關鍵，題目難度不大。17．（2024?江西）NbO的立方晶胞如圖，晶胞參數(shù)為anm，P的分數(shù)坐標為（0，0，0），阿伏加德羅常數(shù)的值M為NA，下列說法正確的是（）A．Nb的配位數(shù)是6 B．Nb和O最短距離為22anmC．晶體密度ρ=D．M的分數(shù)坐標為(【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．根據(jù)頂面中心Nb原子，與其距離最近且相等的O原子有4個，即頂面的4個O原子；B．Nb和O最短距離為正方體棱長的一半；C．根據(jù)均攤法計算可知，Nb的個數(shù)為3，O的個數(shù)為3，即晶胞中含有3個NbO，晶胞密度為ρ=mD．P的分數(shù)坐標為（0，0，0），推算M的分數(shù)坐標?！窘獯稹拷猓篈．由圖可知，Nb的配位數(shù)是4，故A錯誤；B．晶胞參數(shù)為anm，Nb和O最短距離為12anm，故BC．根據(jù)均攤法計算可知，Nb的個數(shù)為6×12=3，O的個數(shù)為12×14=3，即晶胞中含有3個NbO，晶D．P的分數(shù)坐標為（0，0，0），M的分數(shù)坐標為(12，故選：D?！军c評】本題主要考查晶胞的計算，屬于基本知識的考查，難度不大。18．（2024?湖南）Li2CN2是一種高活性的人工固氮產(chǎn)物，其合成反應為2LiH+C+N2高溫Li2CN2A．合成反應中，還原劑是LiH和C B．晶胞中含有的Li+個數(shù)為4 C．每個CN22-周圍與它最近且距離相等的Li+有8D．CN22-為【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．物質(zhì)所含元素化合價升高的反應物是還原劑，反之是氧化劑；B．根據(jù)均攤法進行計算；C．CN22-位于體心，與它最近且距離相等的Li+有D．互為等電子體的微?？臻g構(gòu)型相似。【解答】解：A．LiH中H元素為﹣1價，有圖中CN22-離子化合價可知，N元素為﹣3價，C元素為+4價，根據(jù)反應2LiH+C+N2高溫Li2CN2+H2可知，H元素由﹣1價升高為0價，C元素由0價升高到+4價，N元素由0價降低為﹣3價，所以還原劑為LiHB．Li+位于晶胞的面上，根據(jù)均攤法計算可知，含有Li+的個數(shù)為8×12=4C．觀察位于體心的CN22-離子，與它最近且距離相等的Li+有8個，故D．CN22-離子的中心原子C原子的價層電子對數(shù)為：2+4+2-2×32=2，且CN22-與故選：D?！军c評】本題主要考查制備實驗方案的設計，具體涉及方程式書寫、氧化還原反應和平衡移動原理的應用，產(chǎn)率的計算等，理解流程的原理是解決本題的關鍵，屬于高考高頻考點，難度不大。19．（2024?山東）下列物質(zhì)均為共價晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點最低的是（）A．金剛石（C） B．單晶硅（Si） C．金剛砂（SiC） D．氮化硼（BN，立方相）【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】共價晶體中成鍵鍵長越短，鍵能越大，熔沸點越高，據(jù)此進行解答?！窘獯稹拷猓航饎偸–）、單晶硅（Si）、金剛砂（SiC）、氮化硼（BN，立方相）均為共價晶體，共價晶體中成鍵鍵長越短，鍵能越大，熔沸點越高，Si—Si鍵的鍵長最長，故鍵能最小，熔沸點最低，故B正確，故選：B?！军c評】本題考查共價晶體的熔沸點比較，注意從鍵能的角度分析解答即可，題目比較簡單。20．（2024?河北）金屬鉍及其化合物廣泛應用于電子設備、醫(yī)藥等領域。如圖是鉍的一種氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ點的截面圖，晶胞的邊長為apm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該鉍氟化物的化學式為BiF3 B．粒子S、T之間的距離為114apmC．該晶體的密度為1064NA×a3×1D．晶體中與鉍離子最近且等距的氟離子有6個【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．由晶胞圖可知，Bi位于棱心和體心，個數(shù)為12×14+1＝4，F(xiàn)位于頂點、面心和體內(nèi)，個數(shù)為8×18+B．由晶胞圖可知，將晶胞切割成8個小立方體，粒子S位于左前上方小立方體的體心，粒子T位于右側(cè)面面心；C．晶胞體積為（a×10﹣10）3cm3，晶胞質(zhì)量為4×209+12×19NAg，根據(jù)ρD．由晶胞圖可知，距體心的鉍離子最近且等距的氟離子有8個?！窘獯稹拷猓篈．由晶胞圖可知，Bi位于棱心和體心，個數(shù)為12×14+1＝4，F(xiàn)位于頂點、面心和體內(nèi)，個數(shù)為8×18+6×12+8＝12，Bi：F＝4：12＝B．由晶胞圖可知，將晶胞切割成8個小立方體，粒子S位于左前上方小立方體的體心，粒子T位于右側(cè)面面心，則粒子S、T之間的距離為(14a)2+(C．晶胞體積為（a×10﹣10）3cm3，晶胞質(zhì)量為4×209+12×19NAg，晶體密度ρ=mV=4×209+12×19NA(a×10-10D．由晶胞圖可知，距體心的鉍離子最近且等距的氟離子有8個，故D錯誤；故選：D。【點評】本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計算，掌握晶胞結(jié)構(gòu)與計算為解題難點，需要結(jié)合均攤法進行分析，掌握基礎為解題關鍵，整體難度適中。21．（2024?湖北）黃金按質(zhì)量分數(shù)分級，純金為24K。Au—Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯誤的是（）A．Ⅰ為18K金 B．Ⅱ中Au的配位數(shù)是12 C．Ⅲ中最小核間距Au—Cu＜Au—Au D．Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au與Cu原子個數(shù)比依次為1：1、1：3、3：1【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．Ⅰ中含金Au個數(shù)＝1個，銅個數(shù)＝8×18=1，1個晶胞中含1個AuCuB．和頂點金原子距離相同最近的Cu原子在面心上；C．Ⅲ中晶胞結(jié)構(gòu)分析可知，設Ⅲ中晶胞參數(shù)為a，Au—Cu核間距=22a，Au﹣Au的最小核間距=D．Ⅰ中含金Au個數(shù)＝1個，銅個數(shù)＝8×18=1，．Ⅱ中含Cu個數(shù)＝6×12=3個，金個數(shù)＝8×18=1，Ⅲ中含Cu個數(shù)8【解答】解：A．黃金按質(zhì)量分數(shù)分級，純金為24K，則18K金的質(zhì)量分數(shù)=1824×100%＝75%，Ⅰ中1個晶胞中含1個AuCu，金的質(zhì)量分數(shù)=197197+64×B．Ⅱ中含Cu個數(shù)＝6×12=3個，金個數(shù)＝8×18=1，面心上銅原子分攤給晶胞12，C．Ⅲ晶胞結(jié)構(gòu)分析可知，設Ⅲ中晶胞參數(shù)為a，Au—Cu核間距=22a，Au﹣Au的最小核間距=22a，最小核間距存在Au—Cu＝Au﹣D．分攤法得到，Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au與Cu原子個數(shù)比依次為1：1、1：3、3：1，故D正確；故選：C?！军c評】本題考查了晶體結(jié)構(gòu)、晶胞所含微粒的計算應用、配位數(shù)計算等知識點，注意知識的熟練掌握，題目難度中等。22．（2023?遼寧）晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對稱美同樣受關注。某富鋰超離子導體的晶胞是立方體（圖1），進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料（圖2）。下列說法錯誤的是（）A．圖1晶體密度為72.5NA×a3×1B．圖1中O原子的配位數(shù)為6 C．圖2表示的化學式為LiMg2OClxBr1﹣x D．Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．根據(jù)均攤法計算晶胞的化學式，再根據(jù)晶體密度為：ρ=mB．由圖可知，圖1中與O原子距離最近且相等的Li原子的個數(shù)為6；C．根據(jù)均攤法計算晶胞中Mg的個數(shù)即可；D．因為Mg2+的半徑大于Li+，Mg2+取代產(chǎn)生的空位體積更大?！窘獯稹拷猓篈．由圖可知，晶胞中含有Cl：4×14=1，含有O：2×12=1，含有Li：8×14+1＝3，晶胞的化學式為Li3ClO，所以晶體密度為：ρB．由圖可知，圖1中與O原子距離最近且相等的Li原子的個數(shù)為6，即O配位數(shù)為6，故B正確；C．由圖可知，晶胞中含有Cl或Br：4×14=1，含有O：2×12=1，含Li+為1×1＝1，Mg或空位：8×14=2，鎂的個數(shù)小于2，根據(jù)化合價代數(shù)和為0可知，鎂的個數(shù)為1，所以晶胞的化學式為D．因為Mg2+的半徑大于Li+，Mg2+取代產(chǎn)生的空位體積更大，有利于內(nèi)部的Li+傳導，故D正確；故選：C。【點評】本題主要考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)的相關知識，具體涉及均攤法計算，晶胞密度的計算，同時考查學生對信息的理解、加工、處理的能力，屬于高考高頻考點，難度較大。23．（2023?河北）鋯（Zr）是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。如圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該氧化物的化學式為ZrO2 B．該氧化物的密度為123×1030NA?aC．Zr原子之間的最短距離為22apmD．若坐標取向不變，將p點Zr原子平移至原點，則q點Zr原子位于晶胞xy面的面心【專題】計算題．【分析】A．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含4個Zr、8×18+12×14B．結(jié)合A分析可知，晶體密度為ρ=C．Zr原子之間的最短距離為兩個四分之一晶胞的體心的距離，為整個晶胞二分之一對角線的距離，即22D．根據(jù)晶胞的位置可知，若坐標取向不變，將p點Zr原子平移至原點，則垂直向下，q點Zr原子位于晶胞xy面的面心?！窘獯稹拷猓篈．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含4個Zr、8×18+12×14+6×1B．結(jié)合A分析可知，晶體密度為ρ=91×4+16×8NC．Zr原子之間的最短距離為兩個四分之一晶胞的體心的距離，為整個晶胞對角線距離的一半，即22aD．若坐標取向不變，將p點Zr原子平移至原點，則垂直向下，q點Zr原子位于晶胞xy面的面心，故D正確；故選：B?！军c評】本題考查了晶胞的計算，屬于高考的高頻必考點，正確分析晶胞圖是計算的基礎，掌握“均攤法”和晶體密度的計算公式是解題的關鍵。24．（2023?湖南）科學家合成了一種高溫超導材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．晶體最簡化學式為KCaB6C6 B．晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個 C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個面 D．晶體的密度為2.17×1032a3?【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A.根據(jù)均攤法，可求算各微粒的個數(shù)；B.晶體最簡化學式為KCaB6C6，根據(jù)與Ca2+最近且距離相等的K+有8個，可判斷與K+最近且距離相等的Ca2+的個數(shù)；C.通過歐拉定理：頂點+面數(shù)﹣棱數(shù)＝2，即可算出面數(shù)；D.通過晶體密度公式ρ=NM【解答】解：A.根據(jù)均攤法，鈣原子的個數(shù)為1，鉀原子的個數(shù)為8×18=1，硼原子、碳原子個數(shù)均為12×12=6，晶體最簡化學式為KCaBB.晶體最簡化學式為KCaB6C6，根據(jù)與Ca2+最近且距離相等的K+有8個，可判斷與K+最近且距離相等的Ca2+的個數(shù)也為8個，故B正確；C.通過歐拉定理：頂點數(shù)+面數(shù)﹣棱數(shù)＝2，則面數(shù)＝棱數(shù)﹣頂點數(shù)+2＝36﹣24+2＝14，故C錯誤；D.通過晶體密度公式ρ=NMNAV=39+40+11×6+12×6NA故選：C?！军c評】本題考查晶胞化學式、配位數(shù)、密度，多面體個數(shù)的求算，要求學生有較好的空間想象能力和數(shù)學計算能力，中等難度。25．（2023?湖北）鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn，在儲氫和超導等領域具有重要應用。LaHn屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，LaH2中的每個H結(jié)合4個H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，即得到晶體LaHx。下列說法錯誤的是（）A．LaH2晶體中La的配位數(shù)為8 B．晶體中H和H的最短距離：LaH2＞LaHx C．在LaHx晶胞中，H形成一個頂點數(shù)為40的閉合多面體籠 D．LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為40(4.84×10-8)【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點和面心，晶胞內(nèi)8個小立方體的中心各有1個H原子；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個H結(jié)合4個H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變??；C．在LaHx晶胞中，每個H結(jié)合4個H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個，且不閉合；D．1個LaHx晶胞中含有5×8＝40個H原子，含H質(zhì)量為40NA/mol×1g/mol=40NAg，晶胞的體積為（484.0×10﹣10cm）【解答】解：A．由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點和面心，晶胞內(nèi)8個小立方體的中心各有1個H原子，若以頂點La研究，與之最近的H原子有8個，則La的配位數(shù)為8，故A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個H結(jié)合4個H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：LaH2＞LaHx，故B正確；C．由題干信息可知，在LaHx晶胞中，每個H結(jié)合4個H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個，頂點數(shù)為4×8＝32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯誤；D．1個LaHx晶胞中含有5×8＝40個H原子，含H質(zhì)量為40NA/mol×1g/mol=40NAg，晶胞的體積為（484.0×10﹣10cm）3＝（4.84×10﹣8）3cm3故選：C?！军c評】本題考查了晶胞計算，主要是晶胞中微粒個數(shù)、密度計算應用、配位數(shù)的分析應用等知識點，注意知識的熟練掌握，題目難度中等。26．（2022?山東）AlN、GaN屬于第三代半導體材料，二者成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶體中只存在N—Al鍵、N—Ga鍵。下列說法錯誤的是（）A．GaN的熔點高于AlN B．晶體中所有化學鍵均為極性鍵 C．晶體中所有原子均采取sp3雜化 D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】Al和Ga均為第ⅢA元素，N屬于第ⅤA元素，AlN、GaN的成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，則其為共價晶體，AlN、GaN晶體中，N原子與其相鄰的原子形成3個普通共價鍵和1個配位鍵?！窘獯稹拷猓篈．因為AlN、GaN為結(jié)構(gòu)相似的共價晶體，由于Al原子的半徑小于Ga，N—Al的鍵長小于N—Ga的，則N—Al的鍵能較大，鍵能越大則其對應的共價晶體的熔點越高，故GaN的熔點低于AlN，故A錯誤；B．不同種元素的原子之間形成的共價鍵為極性鍵，故兩種晶體中所有化學鍵均為極性鍵，故B正確；C．金剛石中每個C原子形成4個共價鍵（即C原子的價層電子對數(shù)為4），C原子無孤電子對，故C原子均采取sp3雜化；由于AlN、GaN與金剛石結(jié)構(gòu)相似，則其晶體中所有原子均采取sp3雜化，故C正確；D．金剛石中每個C原子與其周圍4個C原子形成共價鍵，即C原子的配位數(shù)是4，由于AlN、GaN與金剛石結(jié)構(gòu)相似，則其晶體中所有原子的配位數(shù)也均為4，故D正確；故選：A。【點評】本題以信息的形式考查原子結(jié)構(gòu)和化學鍵，明確構(gòu)成該晶體的微粒間只以單鍵結(jié)合是解答本題的關鍵，題目難度不大。27．（2022?湖北）某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是（）A．Ca2+的配位數(shù)為6 B．與F﹣距離最近的是K+ C．該物質(zhì)的化學式為KCaF3 D．若F﹣換為Cl﹣，則晶胞棱長將改變【專題】化學鍵與晶體結(jié)構(gòu)．【分析】A．與Ca2+等距離且最近的F﹣有6個；B．設晶胞棱長為a，與F﹣最近的K+的距離為22a、與F﹣最近的Ca2+的距離為aC．晶胞中Ca2+在內(nèi)部，Ca2+個數(shù)為1、F﹣個數(shù)＝6×12=3、K+個數(shù)＝8D．離子半徑不同，晶胞棱長不同?！窘獯稹拷猓篈．與Ca2+等距離且最近的F﹣有6個，所以Ca2+的配位數(shù)為6，故A正確；B．設晶胞棱長為a，與F﹣最近的K+的距離為22a、與F﹣最近的Ca2+的距離為a2，與F﹣距離最近的是Ca2+，故C．該晶胞中Ca2+在內(nèi)部，Ca2+個數(shù)為1、F﹣個數(shù)＝6×12=3、K+個數(shù)＝8×18=1D．r（F﹣）＜r（Cl﹣），相鄰離子之間的距離改變，則晶胞棱長