光伏設(shè)備行業(yè)市場分析

N型硅片存同心圓痛點，低氧型單晶爐助力降本增效

新款單晶爐為何在2023年推出？

隨著N型電池片，尤其是TOPCon快速放量，N型硅片需求大幅提

升。TOPCon2022年實際擴產(chǎn)約110GW，2023年1-4月擴產(chǎn)約

400GW,帶動N型硅片需求快速提升，而N型硅片對晶體品質(zhì)和氧

碳含量要求很高，要求更高的少子壽命和更低的氧含量。

N型硅片容易產(chǎn)生由原生氧造成同心圓、黑芯片問題。主要系高溫的

硅溶液在用堪里進(jìn)行相對高速的對流，因為外面熱中間冷，底部熱上

面冷，硅溶液在坨煙內(nèi)會形成類似“開鍋”現(xiàn)象，造成硅溶液內(nèi)部出現(xiàn)

流動，不停沖刷石英均煙，而石英就是二氧化硅，其中氧會在沖刷過

程中融入硅溶液，造成晶體里含有較多的氧。

TOPCon更容易發(fā)生同心圓問題。TOPCon在后續(xù)的高溫工藝（如B

擴散）下，氧容易沉淀形成氧環(huán)即同心圓，影響效率和良率，所以

TOPCon對硅片氧含量更敏感；而HJT為低溫工藝，出現(xiàn)同心圓概

率不高，可以選擇高氧含量硅片。

P型和N型的區(qū)別，為何PERC對雜質(zhì)要求不高？

N型電池對硅料要求比P型高。（1）轉(zhuǎn)換效率上,N型電池（TOPCon、

xBC、HJT）均高于P型電池（BSF、PERC）。（2）電特性及純

度上,N型表金屬、體金屬、受主雜質(zhì)和施主雜質(zhì)含量比P型少50%,

少子壽命也提高了。（3）含氧量上，現(xiàn)有的單晶爐技術(shù)可以實現(xiàn)

12.5ppma左右的含氧量，再往下，良率就很低，如果降低到10ppma,

良率可能不到10%。

當(dāng)下TOPCon一體化企業(yè)的痛點：同心圓和黑芯片問題

TOPCon高溫過程比較多（SE需要兩次擴硼，溫度在1050攝氏度

以上，擴磷850攝氏度，LPCVD也是高溫過程），高溫過程會激發(fā)

硅片內(nèi)的氧原子形成同心圓，使效率下降。缺陷分為空位缺陷和點缺

陷，空位缺陷是原子來不及排列，所以中間出現(xiàn)了孔洞。高拉速情況

下孔洞會多，摻雜磷之后孔洞缺陷會更多，過了7Ppm之后，缺陷會

急速上升。Topcon里的高溫制程就會導(dǎo)致氧聚集形成缺陷，400度

以上氧可以在硅片里活動，800900度以上氧可以游動，一旦冷了

凝固就不動了。氧喜歡CUP區(qū)域，氧原子堆積在一起，漏電大，一

定就是不會發(fā)電的，如果氧和過渡金屬復(fù)合之后，會引起局部的位錯。

從邏輯上，氧和雜質(zhì)是N型硅片的敵人，雜質(zhì)會復(fù)合掉少子，氧會

聚集形成缺陷。

TOPCon黑芯片問題放大了HJT硅棒利用率優(yōu)勢：目前TOPCon存

在黑芯片的問題，硅片氧含量高且在高溫下氧占位了硅，造成了電池

片或組件在EL檢測時中心發(fā)黑的現(xiàn)象。目前TOPcon黑芯片占比

4-5%,在企業(yè)的可接受范圍內(nèi)，但隨著未來TOPCon對良率的要求

變高，黑芯片會使得TOPCon比HJT硅棒利用率低3%。

單晶爐發(fā)展趨勢：平均3?4年換一代，從尺寸變大到質(zhì)量升級

之前單晶爐的發(fā)展思路是：在所有變動成本一致的情況下，硅片尺寸

越大，成本越低。當(dāng)下的G10硅片，從尺寸角度看，已經(jīng)是瓶頸，

210是最符合集裝箱尺寸的大小，自210推出后，硅片環(huán)節(jié)再無新的

技術(shù)迭代。

晶盛機電持續(xù)推出單晶爐新品，由注重尺寸到注重質(zhì)量。2007年晶

盛機電推出第一代全自動單晶爐；2011年首推水冷套裝置，實現(xiàn)高

拉速第二代單晶爐；2015年首推復(fù)投器+大熱場，開創(chuàng)第三代RCZ

高產(chǎn)單晶爐；2020年首推基于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的第四代智能化單晶爐。

2023年晶盛推出第五代新型單晶爐，最大的亮點在于改變了傳統(tǒng)的

封閉控制系統(tǒng)模式，配置了基于開放架構(gòu)的用戶可編程的軟件定義工

藝平臺。

增加磁場為有效解決方案之一，具備一定經(jīng)濟性

硅料降價+硅片10%~12%合理利潤率，單晶爐回本周期不到2年

硅料降價+硅片10%~12%合理利潤率下，行業(yè)整體利潤仍然較高，

單晶爐回本周期不到2年，其中N型設(shè)備回本周期比P型更短。（1）

單晶爐價格約140萬/臺，理論產(chǎn)值14MV/臺，N型硅片利潤率12%,

P型硅片利潤率10%。（2）進(jìn)口高純石英砂短缺，用煙更換頻繁,

單晶爐待機時間變長，間接造成產(chǎn)能損耗，其中N型單晶爐產(chǎn)能損

耗約20%,P型單晶爐產(chǎn)能損耗約10%。（3）N型每GW所需單

在過剩風(fēng)險。硅片質(zhì)量為后續(xù)競爭的關(guān)鍵要素。硅片產(chǎn)能過剩將放大

硅片質(zhì)量的重要性，下游對質(zhì)量優(yōu)秀硅片的傾向性凸顯。

超導(dǎo)磁場增效降本,0.3%效率提升+非硅降本貢獻(xiàn)2000-3000萬/GW

增效角度：以182尺寸72片組件、轉(zhuǎn)換效率24.3%為例，單晶爐十

超導(dǎo)磁場可以有效的提高電池轉(zhuǎn)換效率0.1~0.5%,進(jìn)而提高組件功

率。按照電池效率提升0.3%、組件1.6元/W估算，550W的組件溢

價10.8元，每GW多盈利約1900萬元。降本角度：單晶爐+超導(dǎo)磁

場可多利用5%的頭尾料，頭尾料重新投料，相當(dāng)于節(jié)省5%的電費。

目前非硅成本是0.1元/W,其中電費約0.08元/W,則可節(jié)省電費

0.004元/W,每GW節(jié)省電費成本約400萬元。

光伏磁場借鑒半導(dǎo)體領(lǐng)域經(jīng)驗，有效抑制對流以降低氧等雜質(zhì)

磁控直拉單晶技術(shù)可抑制熔體熱對流，降低晶體的雜質(zhì)含量

超導(dǎo)材料是指在低于其臨界溫度時，具有直流電阻為零和完全抗磁性

（外磁場的磁力線無法穿透到內(nèi)部）的材料，而超導(dǎo)磁體則是利用超

導(dǎo)材料的特殊性質(zhì)來產(chǎn)生強磁場的裝置：一般由超導(dǎo)材料制成的超導(dǎo)

線圈和冷卻系統(tǒng)（液態(tài)氯）組成。超導(dǎo)線圈在超低溫環(huán)境溫度下達(dá)到

超導(dǎo)狀態(tài)，能夠承我比常規(guī)線圈更高的電流，從而產(chǎn)生更高的磁場，

具有低功耗、高場強、重量輕、體積小等優(yōu)勢特點。

基于所產(chǎn)生的強磁場，超導(dǎo)磁體能夠應(yīng)用于人體核磁共振成像儀

（MRI）、磁控直拉單晶硅（MCZ）、超導(dǎo)磁體儲能等領(lǐng)域。其中，

磁控直拉單晶技術(shù)即在直拉法（CZ法）單晶生長的基礎(chǔ)上對生埸內(nèi)

熔體施加超導(dǎo)磁場，從而抑制熔體的熱對流：熔體硅具有導(dǎo)電性，在

磁場作用下，熔體流動必然引起感生電流從而產(chǎn)生洛倫茲力。在洛倫

茲力的作用下，熔體內(nèi)熱對流得到抑制，熔體液面處的氧、點缺陷及

其他雜質(zhì)得到抑制C適當(dāng)分布的磁場能改善單晶的均勻性，減少氧、

硼、鋁等雜質(zhì)從石英用煙進(jìn)入熔體，從而泥升單晶硅品質(zhì)。

磁控直拉法中的超導(dǎo)磁體產(chǎn)生的磁場一般分為橫向磁場、縱向磁場、

勾形磁場。其中縱向磁場由于抑制熔體熱對流表現(xiàn)不好，已被橫向磁

場和勾形磁場所替代。而橫向和勾形兩種磁場位型各有利弊，最優(yōu)技

術(shù)路線仍在摸索中：慧翔電液專利中橫向磁場和勾形磁場均采用過,

中國科學(xué)院電工研究所專利中采用了橫向磁場。

超導(dǎo)磁場優(yōu)勢明顯，助力單晶硅品質(zhì)進(jìn)一步提升

磁場拉制晶體最早可以追溯到1966年，該方法最早由Utech和

Fleming及ChedzeyHurle分別獨立提出，并第一次把磁場引入水平

生長InSb晶體，減小了熱對流和界面溫度波動，起到了抑制生長條

紋的作用；控制硅中氧在70年代末至80年代初成為單晶生長技術(shù)

中的重要課題，學(xué)者開始大規(guī)模研究磁場對晶體生長行為的影響。

日本索尼公司于1980年聯(lián)合發(fā)表了“優(yōu)質(zhì)硅單晶的新制法”，開始將

磁場應(yīng)用到CZ硅單晶生長中，獲得了適于VLSI和高反壓大功率器

件用的高質(zhì)量硅單晶，引起了半導(dǎo)體行業(yè)的重視。1982年初，索尼

公司宣布有償轉(zhuǎn)讓該技術(shù)，標(biāo)志著MCZ進(jìn)入實用階段。

傳統(tǒng)的MCZ方法采用永磁體或銅線圈導(dǎo)流產(chǎn)生背景磁場，但永磁體

穩(wěn)定性較差，而銅線圈磁體具有磁場強度低、能耗大的缺點，無法滿

足晶棒尺寸持續(xù)增加的需求。隨著超導(dǎo)磁體技術(shù)的發(fā)展，超導(dǎo)磁場提

供了更有吸引力的解決方案：可使材料凝固液面更穩(wěn)定，材料純度更

高；同常規(guī)磁體相比，超導(dǎo)磁體能夠降低300mm單晶硅制造能耗

20%、提高成品率30%。

客戶基礎(chǔ)+慧翔電液技術(shù)儲備+盈利模式演化：開拓晶盛機電發(fā)展空

間

堅實客戶基礎(chǔ)助推研發(fā)正反饋循環(huán)：晶盛機電作為光伏單晶爐龍頭企

業(yè)，客戶量大且覆蓋面廣，因此有充足的客戶資源供公司進(jìn)行技術(shù)驗

證，形成客戶端■設(shè)備端正反饋循環(huán)，助力研發(fā)過程推進(jìn)和關(guān)鍵技術(shù)

優(yōu)化。

全資子公司慧翔電液經(jīng)歷多年技術(shù)積累，先發(fā)優(yōu)勢鑄就行業(yè)領(lǐng)先地位:

晶盛機電初期超導(dǎo)磁場主要為外采，其2。17年開發(fā)的半導(dǎo)體級超導(dǎo)

磁場單晶硅生長爐的超導(dǎo)磁場由日本住友養(yǎng)供，但由于價格較為昂貴,

晶盛在此之后逐漸由外采轉(zhuǎn)向自研，晶盛全資子公司慧翔電液主要支

持超導(dǎo)磁場的國產(chǎn)化。

布局：根據(jù)專利申請時間，慧翔電液對超導(dǎo)磁場的布局可以追溯到

2018年：先后研發(fā)了能夠主動屏蔽漏磁的磁體結(jié)構(gòu)，以及能夠增加

磁場強度的優(yōu)化線圈結(jié)構(gòu)；到2019年，慧翔電液的開發(fā)范圍由局部

擴展到整體，申請了磁控直拉單晶設(shè)備的專利保護，不斷完善晶盛機

電在半導(dǎo)體級超導(dǎo)磁場單晶爐的布局。

低氧型單晶爐迎新一輪技術(shù)迭代，市場空間廣闊

我們預(yù)計到2025年低氧單晶爐市場空間超200億元

模型基本假設(shè)：(1)2023-2025年新增產(chǎn)能中低氧單晶爐滲透生分

別為5%/15%/30%;(2)超導(dǎo)磁場的增加能夠提升單品爐單產(chǎn)，

2023-2025年單產(chǎn)分別為14/15/15MW；(3)2023-2025年超導(dǎo)磁

場價格分別為150/120/100萬元；(4)2023-2025年存量產(chǎn)能更新

為低氧單晶爐的比例分別為4%/10%/15%o

重點公司分析

晶盛機電：推出第五代單晶爐，加入超導(dǎo)磁場

2023年5月22日晶盛機電發(fā)布第五代單晶爐,通過引入超導(dǎo)磁場解

決TOPCon的同心圓問題。晶盛機電為單晶爐龍頭，市占率為除隆

基外的90%,持續(xù)推進(jìn)單晶爐優(yōu)化升級，目前晶盛已推出第五代單

晶爐，亮點之一便為附加超導(dǎo)磁場來解決TOPCon硅片的同心圓問

題，其子公司慧翔電液具備磁場供應(yīng)能力，是國內(nèi)超導(dǎo)磁場市占率最

高的玩家，截至目前已經(jīng)出貨超200個。我們認(rèn)為晶盛機電作為傳

統(tǒng)單晶爐龍頭，在新型低氧單晶爐前瞻性布局，具備領(lǐng)先優(yōu)勢，隨著

N型硅片持續(xù)擴產(chǎn)&低氧單晶爐滲透率提升，晶盛機電訂單有望維持

高增。

西部超導(dǎo)：超導(dǎo)產(chǎn)品領(lǐng)軍者，已向下游相關(guān)客戶銷售MCZ磁體

西部超導(dǎo)主業(yè)為司、高端鈦合金、超導(dǎo)產(chǎn)品（超導(dǎo)線材、超導(dǎo)磁場）、

高性能高溫合金，公司持續(xù)開發(fā)超導(dǎo)材料和磁體技術(shù)在半導(dǎo)體、光伏、

醫(yī)療及電力領(lǐng)域的應(yīng)用，并與相關(guān)單位形成了實質(zhì)性合作。目前公司

自主研發(fā)了國內(nèi)第一臺專門用于磁控直拉單晶硅的高磁場強度超導(dǎo)

磁體，傳導(dǎo)冷卻類型MC乙已實現(xiàn)批量出口；滿足面向工程的電磁

場設(shè)計需要，開發(fā)了大型超導(dǎo)磁體繞制、固化及低溫杜瓦設(shè)計和制造、

制冷機直接冷卻快速降溫等全套超導(dǎo)磁體沒計制造核心技術(shù)；公司還

研發(fā)出特種磁體制備新技術(shù)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，批量應(yīng)用于國內(nèi)外高能加

速器制造領(lǐng)域，實現(xiàn)中國首次向美國能源部稀有同位素加速器項目批

量出口超導(dǎo)磁體；公司還具備鞍型和制冷機直冷低溫超導(dǎo)磁體、大型

高溫超導(dǎo)磁體關(guān)鍵制備技術(shù)，為蘭州重離子加速器、上海光源、廣東

電網(wǎng)超導(dǎo)限流器提供了核心的超導(dǎo)磁體，保障了國家重點工程建設(shè)。

連城數(shù)控：推出新品單晶爐，MCCZ+外加磁場降氧

推出KX420PV新品單晶爐，采用MCCz技術(shù)，通過外加磁場的引入

可有效抑制硅熔體熱對流，降低氧的形成和傳輸，同時結(jié)合全新設(shè)計

的氮氣吹掃方案、大尺寸排氣管道及低流阻設(shè)計，匹配大抽速真空干

泵和可升降式加熱器，最大程度帶走氧雜質(zhì)。目前連城數(shù)控已深度掌

握磁場模塊（永磁場、勾型磁場及水平磁場、超導(dǎo)磁場）用于光伏單

晶生長的一系列方案。

奧特維：了公司松瓷機電推出高性價比的低氧型單晶爐

松瓷研發(fā)團隊掌握了同心圓缺陷出現(xiàn)的機率與單晶氧含量存在的相

關(guān)關(guān)系，結(jié)合低氧拉晶技術(shù)，優(yōu)化單晶爐軟硬件設(shè)計，顯著降低同心

圓缺陷比例：