(12)發(fā)明專利由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)平霄路358梁潔王亮彭國發(fā)H01J37/32(2006.01)審查員丁鈺豐有限公司11718本說明書實施例提供一種晶圓等離子刻蝕體速度和/或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得晶圓上方體饋入孔吹向晶圓的氣體速度或氣體量進(jìn)行調(diào)2熱臺，所述晶圓放置于所述熱臺上，所述熱臺周向邊緣處開設(shè)有若干氣體饋入孔；管道組件，所述管道組件用于向若干所述氣體饋入孔內(nèi)通入氣體，所述管道組件包括主管道和若干支管道，所述主管道的第一端穿過所述熱臺與外部供氣系統(tǒng)相連通，所述主管道的第二端與若干所述支管道相連通，若干所述支管道分別與若干所述氣體饋入孔相連調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)可對若干所述氣體饋入孔吹向所述晶圓的氣體速度和/或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得所述晶圓上方的流場發(fā)生改變，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)包括蓋板和升降機構(gòu)，所述蓋板包括升降部和調(diào)節(jié)部，所述調(diào)節(jié)部至少部分延伸到所述氣體饋入孔的上方，所述升降部與所述升降機構(gòu)相連接，所述升降機構(gòu)帶動所述升降部運動，以使得所述調(diào)節(jié)部朝向靠近或遠(yuǎn)離所述氣體饋入孔方向運動。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述升降部和所述調(diào)節(jié)部之間一體成型。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述調(diào)節(jié)部和所述熱臺周向邊緣處之間形成氣體饋入?yún)^(qū)間，所述調(diào)節(jié)部朝向靠近或遠(yuǎn)離所述氣體饋入孔方向運動時，所述氣體饋入?yún)^(qū)間的大小發(fā)生改變。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述升降部環(huán)繞所述熱臺設(shè)置，所述升降部內(nèi)壁至少部分與所述熱臺外壁相貼合。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述升降機構(gòu)包括電缸、6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述熱臺頂部開設(shè)有容置槽，所述容置槽用于放置所述晶圓，所述容置槽與所述熱臺邊緣處之間形成過渡7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述過渡面上開設(shè)有若干異形貫穿孔，若干所述異形貫穿孔分別與若干所述氣體饋入孔相連通。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述外部供氣系統(tǒng)包括進(jìn)氣壓力恒定或出氣流量恒定兩種供應(yīng)方式。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓等離子刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述氣體饋入孔設(shè)置有多個，多個所述氣體饋入孔均勻分布在所述熱臺上。3一種晶圓等離子刻蝕設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本說明書涉及等離子刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓等離子刻蝕設(shè)備。背景技術(shù)[0002]在半導(dǎo)體加工中的等離子刻蝕工藝時，刻蝕工藝中往往需要對WAFER(晶圓)進(jìn)行控溫，一般都使用熱盤(擁有較高的溫度以及較低成本)進(jìn)行控溫加熱，目前普通熱盤僅有加熱功能，雖然加熱比較均勻，但面對腔內(nèi)氣體流場不均勻時，缺乏有效的調(diào)節(jié)手段，難以發(fā)明內(nèi)容[0003]有鑒于此，本說明書實施例提供一種晶圓等離子刻蝕設(shè)備，通過在熱臺的周向邊緣處開設(shè)若干氣體饋入孔，管道組件向氣體饋入孔內(nèi)通入氣體，氣體經(jīng)由氣體饋入孔吹向晶圓處，可對晶圓上方的氣體流場進(jìn)行改變，通過調(diào)節(jié)機構(gòu)對氣體饋入孔吹向晶圓的氣體速度或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，可控制氣體的影響范圍，從而實現(xiàn)對晶圓上方的氣體流場進(jìn)行調(diào)[0005]熱臺，所述晶圓放置于所述熱臺上，所述熱臺周向邊緣處開設(shè)有若干氣體饋入孔；[0006]管道組件，所述管道組件用于向若干所述氣體饋入孔內(nèi)通入氣體；[0007]調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)可對若干所述氣體饋入孔吹向所述晶圓的氣體速度和/或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得所述晶圓上方的流場發(fā)生改變。[0008]優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)包括蓋板和升降機構(gòu)，所述蓋板包括升降部和調(diào)節(jié)部，所述升降部和所述調(diào)節(jié)部之間一體成型，所述調(diào)節(jié)部至少部分延伸到所述氣體饋入孔的上方，所述升降部與所述升降機構(gòu)相連接，所述升降機構(gòu)帶動所述升降部運動，以使得所述調(diào)節(jié)部朝向靠近或遠(yuǎn)離所述氣體饋入孔方向運動。[0009]優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)部和所述熱臺周向邊緣處之間形成氣體饋入?yún)^(qū)間，所述調(diào)節(jié)部朝向靠近或遠(yuǎn)離所述氣體饋入孔方向運動時，所述氣體饋入?yún)^(qū)間的大小發(fā)生改變。[0010]優(yōu)選的，所述升降部環(huán)繞所述熱臺設(shè)置，所述升降部內(nèi)壁至少部分與所述熱臺外壁相貼合。[0012]優(yōu)選的，所述熱臺頂部開設(shè)有容置槽，所述容置槽用于放置所述晶圓，所述容置槽與所述熱臺邊緣處之間形成過渡面，所述過渡面為傾斜面。[0013]優(yōu)選的，所述過渡面上開設(shè)有若干異形貫穿孔，若干所述異形貫穿孔分別與若干所述氣體饋入孔相連通。[0014]優(yōu)選的，所述管道組件包括主管道和若干支管道，所述主管道的第一端穿過所述熱臺與外部供氣系統(tǒng)相連通，所述主管道的第二端與若干所述支管道相連通，若干所述支管道分別與若干所述氣體饋入孔相連通。4[0015]優(yōu)選的，所述外部供氣系統(tǒng)包括進(jìn)氣壓力恒定或出氣流量恒定兩種供應(yīng)方式。[0016]優(yōu)選的，所述氣體饋入孔設(shè)置有多個，多個所述氣體饋入孔均勻分布在所述熱臺[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本說明書實施例采用的上述至少一個技術(shù)方案能夠達(dá)到的有益效果至少包括：[0018]通過在熱臺的周向邊緣處開設(shè)若干氣體饋入孔，管道組件向氣體饋入孔內(nèi)通入氣體，氣體經(jīng)由氣體饋入孔吹向晶圓處，可對晶圓上方的氣體流場進(jìn)行改變，通過調(diào)節(jié)機構(gòu)對氣體饋入孔吹向晶圓的氣體速度或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，可控制氣體的影響范圍，從而實現(xiàn)對晶圓上方的氣體流場進(jìn)行調(diào)節(jié)，保證晶圓刻蝕的均勻性。附圖說明[0019]為了更清楚地說明本申請實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中等離子刻蝕氣體流場示意圖；[0021]圖2是本申請?zhí)峁┑木A等離子刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；[0022]圖3是本申請?zhí)峁┑木A等離子刻蝕設(shè)備的熱臺的結(jié)構(gòu)示意圖；[0023]圖4是本申請?zhí)峁┑木A等離子刻蝕設(shè)備的氣體流場分布示意圖；[0024]圖5是本申請?zhí)峁┑木A等離子刻蝕設(shè)備的熱臺的俯視圖。具體實施方式[0026]下面結(jié)合附圖對本申請實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。[0027]以下通過特定的具體實例說明本申請的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本申請的其他優(yōu)點與功效。顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。本申請還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本申請的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例及實施例中的特征可以相互組合?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。[0028]要說明的是，下文描述在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的實施例的各種方面。應(yīng)顯而易見，本文中所描述的方面可體現(xiàn)于廣泛多種形式中，且本文中所描述的任何特定結(jié)構(gòu)及/或功能僅為說明性的?；诒旧暾?，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，本文中所描述的一個方面可與任何其它方面獨立地實施，且可以各種方式組合這些方面中的兩者或兩者以上。舉例來說，可使用本文中所闡述的任何數(shù)目和方面來實施設(shè)備及/或?qū)嵺`方法。另外，可使用除了本文中所闡述的方面中的一或多者之外的其它結(jié)構(gòu)及/或功能性實施此設(shè)備及/或?qū)嵺`此方法。[0029]還需要說明的是，以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本申請的基本構(gòu)5想，圖式中僅顯示與本申請中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。[0030]另外，在以下描述中，提供具體細(xì)節(jié)是為了便于透徹理解實例。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實踐所述方面。[0031]等離子刻蝕工藝是半導(dǎo)體加工中的一種常見工藝，刻蝕工藝中往往需要對WAFER進(jìn)行控溫，常見控溫方法主要有以下兩種：[0034]但是目前普通熱盤僅有加熱功能，雖然加熱比較均勻，但面對腔內(nèi)氣體流場不均勻時，缺乏有效的調(diào)節(jié)手段，會導(dǎo)致晶圓在加工中靠中心位置與靠邊緣位置的氣體分子、有[0035]以下結(jié)合附圖，說明本申請各實施例提供的技術(shù)方案。[0037]熱臺1,所述晶圓6放置于所述熱臺1上，所述熱臺1周向邊緣處開設(shè)有若干氣體饋入孔3;[0038]管道組件，所述管道組件用于向若干所述氣體饋入孔3內(nèi)通入氣體；[0039]調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)可對若干所述氣體饋入孔3吹向所述晶圓6的氣體速度和/或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得所述晶圓6上方的流場發(fā)生改變。[0040]通過在熱臺1的周向邊緣處開設(shè)若干氣體饋入孔3,管道組件向氣體饋入孔3內(nèi)通入氣體，氣體經(jīng)由氣體饋入孔3吹向晶圓6處，可對晶圓6上方的氣體流場進(jìn)行改變，通過調(diào)節(jié)機構(gòu)對氣體饋入孔3吹向晶圓6的氣體速度或氣體量進(jìn)行調(diào)節(jié)，可控制氣體的影響范圍，從而實現(xiàn)對晶圓6上方的氣體流場進(jìn)行調(diào)節(jié)，保證晶圓6刻蝕的均勻性。[0041]需要說明的是，通過管道組件向氣體饋入孔3內(nèi)通入的氣體可以為工藝氣體或是稀釋氣體或是混合氣體，可以調(diào)整晶圓6外區(qū)的反應(yīng)離子濃度或是調(diào)整對刻蝕側(cè)壁的保護(hù)層厚度。可通過變更氣體種類、氣體饋入孔3吹向晶圓6的氣體速度或氣體量，從而調(diào)節(jié)對晶圓6的刻蝕效果。[0042]還需要說明的是，氣體經(jīng)由氣體饋入孔3吹向晶圓6處，會對晶圓6的外區(qū)產(chǎn)生影響形成影響區(qū)域，影響區(qū)域的大小會受到氣體出口速度和氣體量的影響，可通過氣體出口速度或氣體量對影響區(qū)域的大小進(jìn)行調(diào)整。[0043]如圖1所示的流場為現(xiàn)有技術(shù)中的流場大致示意，會導(dǎo)致晶圓6在加工中靠中心位置與靠邊緣位置的氣體分子、有效刻蝕粒子、離子等分布不均，造成刻蝕速率、刻蝕形貌不吹入氣體，因此可以保證氣體分子、有效刻蝕粒子、離子等分布均勻，實現(xiàn)刻蝕速率的均勻[0044]如圖2-圖4所示，在一些實施方式中，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)包括蓋板2和升降機構(gòu)9,所述蓋板2包括升降部22和調(diào)節(jié)部21,所述升降部22和所述調(diào)節(jié)部21之間一體成型，所述調(diào)節(jié)部21至少部分延伸到所述氣體饋入孔3的上方，所述升降部22與所述升降機構(gòu)9相連接，所述升降機構(gòu)9帶動所述升降部22運動，以使得所述調(diào)節(jié)部21朝向靠近或遠(yuǎn)離所述氣體饋入孔36方向運動，通過升降機構(gòu)9帶動蓋板2運動，可使得蓋板2沿著熱臺1的軸向方向運動，蓋板2的調(diào)節(jié)部21至少部分延伸到氣體饋入孔3的上方，當(dāng)升降機構(gòu)9通過升降部22帶動調(diào)節(jié)部21運動時，調(diào)節(jié)部21朝向靠近或遠(yuǎn)離熱臺1頂部的方向運動，使得調(diào)節(jié)部21與氣體饋入孔3之間的距離發(fā)生變化。向設(shè)置。[0046]如圖2和圖4所示，在一些實施方式中，所述調(diào)節(jié)部21和所述熱臺1周向邊緣處之間形成氣體饋入?yún)^(qū)間，所述調(diào)節(jié)部21朝向靠近或遠(yuǎn)離所述氣體饋入孔3方向運動時，所述氣體饋入?yún)^(qū)間的大小發(fā)生改變，調(diào)節(jié)部21延伸到氣體饋入孔3的上方，調(diào)節(jié)部21和熱臺1頂部周向邊緣處之間形成氣體饋入?yún)^(qū)間，當(dāng)升降機構(gòu)9帶動調(diào)節(jié)部21朝向靠近或遠(yuǎn)離氣體饋入孔3方向運動，調(diào)節(jié)部21與熱臺1頂部之間的距離發(fā)生變化，使得氣體饋入?yún)^(qū)間的大小發(fā)生改變，通過改變氣體饋入?yún)^(qū)間的大小可以實現(xiàn)氣體速度或氣體量的變化，從而改變晶圓6外區(qū)的刻蝕速率。[0047]如圖2和圖4所示，在一些實施方式中，所述升降部22環(huán)繞所述熱臺1設(shè)置，所述升降部22內(nèi)壁至少部分與所述熱臺1外壁相貼合，升降部22的內(nèi)壁與熱臺1外壁相貼合，能夠避免氣體饋入孔3吹出的氣體散發(fā)到熱臺1的外側(cè)，保證氣體能夠垂向晶圓6處。[0048]需要說明的是，在本實施方式中，升降部22與熱臺1之間滑動密封接觸。在其他實施方式中，也可以采用其它設(shè)置方式，只需要保證升降部22與熱臺1之間能夠密封，且升降部22能夠相對于熱臺1在豎直方向運動即可。成導(dǎo)軌中的一種。在本實施方式中，升降機構(gòu)9為電缸，電缸的伸縮端與升降部22之間相連接。在其他實施方式中，升降機構(gòu)9也可以為氣缸、滾珠絲杠、電磁集成導(dǎo)軌中的一種，保證升降機構(gòu)9能夠帶動升降部22做升降運動即可。[0050]如圖2-圖4所示，在一些實施方式中，所述熱臺1頂部開設(shè)有容置槽，所述容置槽用于放置所述晶圓6,所述容置槽與所述熱臺1邊緣處之間形成過渡面4,所述過渡面4為傾斜面，通過在熱臺1的頂部開設(shè)容置槽，且容置槽與熱臺1邊緣處形成傾斜的過渡面4,容置槽的中心處于熱臺1的軸心線上，保證晶圓6落下時處于熱臺1的頂部的中心位置。[0051]如圖2-圖4所示，在一些實施方式中，所述過渡面4上開設(shè)有若干異形貫穿孔5,若干所述異形貫穿孔5分別與若干所述氣體饋入孔3相連通，通過在過渡面4上開設(shè)與氣體饋入孔3相連通的異形貫穿孔5,氣體饋入孔3內(nèi)的部分氣體可經(jīng)由異形貫穿孔5垂向晶圓6處，異形貫穿孔5的處于容置槽的斜上方，可以抬高出氣口高度，方便氣體進(jìn)一步饋入晶圓6處。[0052]如圖4所示，在一些實施方式中，所述管道組件包括主管道7和若干支管道8,所述主管道7的第一端穿過所述熱臺1與外部供氣系統(tǒng)相連通，所述主管道7的第二端與若干所述支管道8相連通，若干所述支管道8分別與若干所述氣體饋入孔3相連通，主管道7延伸到熱臺1的外部與外部供氣系統(tǒng)相連通，外部供氣系統(tǒng)向主管道7內(nèi)供氣，主管道7內(nèi)的氣體分別流向若干個支管道8內(nèi)，若干個支管道8內(nèi)的氣體分別流入對應(yīng)的氣體饋入孔3內(nèi)，然后經(jīng)由氣體饋入孔3的頂部流出吹向晶圓6處。[0053]在一些實施方式中，所述外部供氣系統(tǒng)包括進(jìn)氣壓力恒定或出氣流量恒定兩種供應(yīng)方式。供氣方式分為前端UPC或MFC