國家標(biāo)準(zhǔn)《光伏（PV）組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1

部分：晶體硅組件分層》編制說明

一、工作簡況

1、任務(wù)來源

根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會2023年12月28日下發(fā)的[2023]63號文件《國家標(biāo)

準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達2023年第四批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版

計劃的通知》的相關(guān)要求，《光伏（PV）組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部

分晶體硅組件分層》（計劃號20231856-Z-339）由隆基樂葉光伏科技有限公司牽

頭編寫，由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）歸口管理。

2、協(xié)作單位及任務(wù)分工

隆基樂葉光伏科技有限公司牽頭制訂，隆基綠能科技股份有限公司、中國電

子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院共同主編，晶科能源股份有限公司、西安熱工研究院有限公

司、阿特斯陽光電力集團股份有限公司、中海油研究總院有限責(zé)任公司、國家太

陽能光伏產(chǎn)品質(zhì)量檢驗檢測中心、晶澳太陽能科技股份有限公司、正泰新能科技

股份有限公司、一道新能源科技股份有限公司、東方日升新能源股份有限公司、

英利能源發(fā)展有限公司、廣州高景太陽能科技有限公司、廣東產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗

研究院、河海大學(xué)、國家電投黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司西寧分公司參與編

寫。

3、編制過程

預(yù)研階段：經(jīng)過前期調(diào)研、資料收集、草案編寫等工作，2022年9月6日，由

全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘書處組織標(biāo)委會委員

及行業(yè)專家對以上2項國家標(biāo)準(zhǔn)《光伏組件擴展熱循環(huán)試驗程序》和《光伏（PV）

組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部分：晶硅組件分層》開展了充分討論，收

集了專家意見，并進行處理。2022年11月21日，由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化

技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘書處組織標(biāo)委會委員及行業(yè)專家進行第二次標(biāo)準(zhǔn)草

案的討論，進一步完善標(biāo)準(zhǔn)草案。

2023年12月28日，《光伏(PV)組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部分：晶體

硅組件分層》國家標(biāo)準(zhǔn)制定計劃正式下達。

1

2023年12月-2024年4月，組成標(biāo)準(zhǔn)編制組，確定測試方案，進行結(jié)果驗證。

2024年4月8日，召開標(biāo)準(zhǔn)啟動會。

2024年4月-6月，進一步完善實驗方案和標(biāo)準(zhǔn)草案。

2024年7月16日，全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘

書處組織召開了標(biāo)準(zhǔn)起草會，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員對2項國家標(biāo)準(zhǔn)展開了充分討論，

處理意見，完善形成征求意見稿。

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容的論據(jù)

1、編制原則

本標(biāo)準(zhǔn)格式依據(jù)GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)

構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)則編寫。

2、確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問題

本標(biāo)準(zhǔn)是等同轉(zhuǎn)化IECTS62804-1-1:2020Photovoltaic(PV)modules-Test

methodsforthedetectionofpotential-induceddegradationPart1-1:Crystalline

silicon-Delamination。

本標(biāo)準(zhǔn)的推出，提供了一個加速測試，以評估在水分和系統(tǒng)電壓綜合應(yīng)力下

組件對分層的敏感性。經(jīng)過研究和翻譯，本編寫組確定了本標(biāo)準(zhǔn)的主要技術(shù)內(nèi)容：

1.范圍，2.規(guī)范性引用文件，3.術(shù)語和定義，4.抽樣，5.試驗程序，6.測試報告。

三、主要試驗（或驗證）情況分析

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所Matsuda等人發(fā)現(xiàn)晶體硅組件發(fā)生分層現(xiàn)象與電池

表面金屬化的電化學(xué)反應(yīng)有關(guān)。NRELPeterHacke等人發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)電壓導(dǎo)致的電場

下，使用低體電阻率封裝材料的組件具有更大的PID敏感性，并研究發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致分

層的電化學(xué)反應(yīng)機制，在Ag離子的作用下，對水進行還原和氧化反應(yīng)，產(chǎn)生了

會導(dǎo)致脫層的氣體（圖1）：

負偏壓時：

正偏壓時：

通過DH+PID試驗，得出發(fā)生分層的因子包括①濕熱環(huán)境，②Na+遷移至電池（足

夠的電流，如圖2所示），③有H2或O2產(chǎn)物。

2

圖1電化學(xué)反應(yīng)示意圖

圖2組件分層失效與Na+遷移電流的關(guān)系（引用自文獻D.L.King,W.E.Boyson,

andJ.A.Kratochvil,"Photovoltaicarrayperformancemodel",SandiaNational

LaboratoriesSAND2004-3535,2004）

光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減針對組件分層測試方法是對IEC62804-1的補充，針

對電壓應(yīng)力下組件出現(xiàn)分層失效模式的加速試驗方法。

實驗驗證發(fā)現(xiàn)目前市場上產(chǎn)品均未出現(xiàn)分層失效現(xiàn)象（實驗過程圖片如圖

3）。目前行業(yè)的對封裝材料都有了很好的解決方案，使用的材料普遍具有體電阻

率較高，離子遷移率低等優(yōu)點，符合NRELPeterHacke等人的研究結(jié)果，不滿足

發(fā)生分層的條件二Na+遷移導(dǎo)致的較大電流，從而一般情況下不會出現(xiàn)分層失

效。通過與第三方認(rèn)證機構(gòu)交流，目前這一項測試發(fā)生失效概率很低。但是，如

果是因為層壓工藝異常，導(dǎo)致膠膜的交聯(lián)度不達標(biāo)，組件可能在濕熱環(huán)境中出現(xiàn)

脫層的現(xiàn)象（如圖4所示）。

3

圖3試驗組件玻璃面均鋪設(shè)鋁箔

圖4膠膜與電池片分層現(xiàn)象

四、知識產(chǎn)權(quán)情況說明

本標(biāo)準(zhǔn)編制不涉及專利。

五、產(chǎn)業(yè)化情況、推廣應(yīng)用論證和預(yù)期達到的經(jīng)濟效果等情況

戶外服役的組件，在偏壓應(yīng)力下存在性能下降，電勢誘導(dǎo)衰減存在多種失效

模式，包括漏電導(dǎo)致衰減PID-s、極化導(dǎo)致衰減PID-p、腐蝕導(dǎo)致的衰減PID-c等

性能衰減，還有偏壓應(yīng)力下的分層失效PID-d。IEC62804-1提供了性能衰減的測

試方法，IEC62804-1-1針對分層現(xiàn)象建立了加速測試方法。

本標(biāo)準(zhǔn)預(yù)期達到的經(jīng)濟效果有：

1、標(biāo)準(zhǔn)有效實施，填補國標(biāo)空白，為戶外應(yīng)用組件因水汽侵入和偏壓應(yīng)力

下的脫層失效提供加速評估方法。

2、推動國際接軌：IECTS62804-1-1:2020Photovoltaic(PV)modules-Test

methodsforthedetectionofpotential-induceddegradationPart1-1:Crystalline

4

silicon-Delamination已發(fā)布，本標(biāo)準(zhǔn)將參考國際標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容，完善組件戶外失效

的加速評價方法。

六、與國際、國外有關(guān)法律法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)水平的對比分析

與國際、國外有關(guān)法律法規(guī)無沖突。

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC國際標(biāo)準(zhǔn)：IECTS62804-1-1:2020。

七、與現(xiàn)行有關(guān)法律、法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系

該標(biāo)準(zhǔn)符合國家有關(guān)法律、法規(guī)的要求，與現(xiàn)行國家強制性標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)一致。

八、重大分歧意見的處理過程及依據(jù)

無。

九、貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議

建議作為指導(dǎo)性技術(shù)文件實施。

十、替代或廢止現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議

暫無。

十一、其他應(yīng)予以說明的事項

無。

《光伏（PV）組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部分：晶體硅組件分層》標(biāo)

準(zhǔn)編制工作組

2024年7月25日

5

國家標(biāo)準(zhǔn)《光伏（PV）組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1

部分：晶體硅組件分層》編制說明

一、工作簡況

1、任務(wù)來源

根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會2023年12月28日下發(fā)的[2023]63號文件《國家標(biāo)

準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達2023年第四批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版

計劃的通知》的相關(guān)要求，《光伏（PV）組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部

分晶體硅組件分層》（計劃號20231856-Z-339）由隆基樂葉光伏科技有限公司牽

頭編寫，由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）歸口管理。

2、協(xié)作單位及任務(wù)分工

隆基樂葉光伏科技有限公司牽頭制訂，隆基綠能科技股份有限公司、中國電

子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院共同主編，晶科能源股份有限公司、西安熱工研究院有限公

司、阿特斯陽光電力集團股份有限公司、中海油研究總院有限責(zé)任公司、國家太

陽能光伏產(chǎn)品質(zhì)量檢驗檢測中心、晶澳太陽能科技股份有限公司、正泰新能科技

股份有限公司、一道新能源科技股份有限公司、東方日升新能源股份有限公司、

英利能源發(fā)展有限公司、廣州高景太陽能科技有限公司、廣東產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗

研究院、河海大學(xué)、國家電投黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司西寧分公司參與編

寫。

3、編制過程

預(yù)研階段：經(jīng)過前期調(diào)研、資料收集、草案編寫等工作，2022年9月6日，由

全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘書處組織標(biāo)委會委員

及行業(yè)專家對以上2項國家標(biāo)準(zhǔn)《光伏組件擴展熱循環(huán)試驗程序》和《光伏（PV）

組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部分：晶硅組件分層》開展了充分討論，收

集了專家意見，并進行處理。2022年11月21日，由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化

技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘書處組織標(biāo)委會委員及行業(yè)專家進行第二次標(biāo)準(zhǔn)草

案的討論，進一步完善標(biāo)準(zhǔn)草案。

2023年12月28日，《光伏(PV)組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部分：晶體

硅組件分層》國家標(biāo)準(zhǔn)制定計劃正式下達。

1

2023年12月-2024年4月，組成標(biāo)準(zhǔn)編制組，確定測試方案，進行結(jié)果驗證。

2024年4月8日，召開標(biāo)準(zhǔn)啟動會。

2024年4月-6月，進一步完善實驗方案和標(biāo)準(zhǔn)草案。

2024年7月16日，全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘

書處組織召開了標(biāo)準(zhǔn)起草會，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員對2項國家標(biāo)準(zhǔn)展開了充分討論，

處理意見，完善形成征求意見稿。

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容的論據(jù)

1、編制原則

本標(biāo)準(zhǔn)格式依據(jù)GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)

構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)則編寫。

2、確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問題

本標(biāo)準(zhǔn)是等同轉(zhuǎn)化IECTS62804-1-1:2020Photovoltaic(PV)modules-Test

methodsforthedetectionofpotential-induceddegradationPart1-1:Crystalline

silicon-Delamination。

本標(biāo)準(zhǔn)的推出，提供了一個加速測試，以評估在水分和系統(tǒng)電壓綜合應(yīng)力下

組件對分層的敏感性。經(jīng)過研究和翻譯，本編寫組確定了本標(biāo)準(zhǔn)的主要技術(shù)內(nèi)容：

1.范圍，2.規(guī)范性引用文件，3.術(shù)語和定義，4.抽樣，5.試驗程序，6.測試報告。

三、主要試驗（或驗證）情況分析

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所Matsuda等人發(fā)現(xiàn)晶體硅組件發(fā)生