一、工作簡(jiǎn)況

1.1任務(wù)來源

2023年國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)下達(dá)了“2023年第四批推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃”，《電子級(jí)四甲基硅

烷》正式立項(xiàng)，計(jì)劃號(hào)：20232465-T-469，由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。為保證項(xiàng)

目順利實(shí)施，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)組織南大光電半導(dǎo)體材料有限公司、南大光電其

它子公司等相關(guān)單位做了大量的前期調(diào)研及草案起草工作。

本標(biāo)準(zhǔn)由TC203（全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口上報(bào)及執(zhí)行，主管部門為國(guó)家

標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。

1.2工作過程的說明

1.2.1資料收集、初期調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)起草

標(biāo)準(zhǔn)編制組成立后立即開展了資料收集、初期調(diào)研等工作。編制組進(jìn)行了內(nèi)部討論，經(jīng)編制組內(nèi)部

討論，于2024年4月初形成了《電子級(jí)四甲基硅烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明。

1.2.3研討會(huì)

2024年5月在標(biāo)委會(huì)秘書處的組織下，電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)起草小組以及電子化學(xué)

品領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)專家召開標(biāo)準(zhǔn)研討及啟動(dòng)會(huì)，會(huì)上參會(huì)專家對(duì)《電子級(jí)四甲基硅烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明

進(jìn)行了研討，提出了修改意見和建議，會(huì)后編制組根據(jù)研討會(huì)專家意見，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案和編制說明進(jìn)行了

修改，在2024年7月形成了《電子級(jí)四甲基硅烷》的征求意見稿及編制說明。

二國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定原則

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1－2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。積極采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)技術(shù)指標(biāo)，本著促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，提高產(chǎn)品質(zhì)量；合理利用資源，提

高經(jīng)濟(jì)效益的原則編寫。

三標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容

本標(biāo)準(zhǔn)是在國(guó)內(nèi)高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及集成電路制造業(yè)的前提下，結(jié)合目前行業(yè)缺乏相應(yīng)電子

級(jí)四甲基硅烷標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)量方法的情況下，開展電子級(jí)四甲基硅烷的痕量金屬離子檢測(cè)技術(shù)研究，通過對(duì)

國(guó)外典型產(chǎn)品的指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，并進(jìn)行整理分析，參照國(guó)內(nèi)外類似標(biāo)準(zhǔn)，綜合考量后確定各項(xiàng)技

術(shù)指標(biāo)范圍，具備廣泛性、代表性和合理性。

3.1技術(shù)要求

2

電子級(jí)四甲基硅烷產(chǎn)品的質(zhì)量應(yīng)符合表1的要求。

表1技術(shù)要求

項(xiàng)目指向技術(shù)指標(biāo)客戶1指標(biāo)競(jìng)品1指標(biāo)客戶2指標(biāo)

-2

四甲基硅烷純度（Si(CH)4）/10≥99.9999.9999.9999.99

硼（B）含量/（ng/g）≤5.05.05.05.0

鋁（Al）含量/（ng/g）≤0.12.00.22.0

銻（Sb）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

砷（As）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鋇（Ba）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈹（Be）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉍（Bi）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎘（Cd）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈣（Ca）含量/（ng/g）≤0.110.010.02.0

鉻（Cr）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈷（Co）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

銅（Cu）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎵（Ga）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鍺（Ge）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

金（Au）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鐵（Fe）含量/（ng/g）≤0.15.05.02.0

鉛（Pb）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鋰（Li）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎂（Mg）含量/（ng/g）≤0.13.03.02.0

元素雜

錳（Mn）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

質(zhì)含量

汞（Hg）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉬（Mo）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎳（Ni）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈮（Nb）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉀（K）含量/（ng/g）≤0.11.01.01.0

銀（Ag）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈉（Na）含量/（ng/g）≤0.12.02.02.0

鍶（Sr）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉭（Ta）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉈（Tl）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

釷（Th）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

錫（Sn）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈦（Ti）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

3

鈾（U）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

釩（V）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鋅（Zn）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鋯（Zr）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

以元素雜質(zhì)占比計(jì)無機(jī)純度（%）≥99.999999999.9999999.9999999.99999

水分含量/（μg/g）≤10202020

色度/(APHA)≤5101010

氯離子含量/（μg/g）≤0.1111

顆粒度（Particle≥0.1um）/（mL）≤4040/40

顆粒度

顆粒度（Particle≥0.2um）/（mL）≤112/10

指標(biāo)

顆粒度（Particle≥0.5um）/（mL）≤0.15/3

3.2檢驗(yàn)規(guī)則

規(guī)定了批次定義及抽樣和合格判定標(biāo)準(zhǔn)等內(nèi)容。四甲基硅烷的采樣安全應(yīng)符合GB/T3723中對(duì)危險(xiǎn)

物質(zhì)的具體規(guī)定，采樣方法方式則應(yīng)符合GB6680中采樣操作方法的相關(guān)規(guī)定。

3.3試驗(yàn)方法

對(duì)四甲基硅烷有機(jī)純度、無機(jī)純度、水份含量、元素雜質(zhì)含量、氯離子含量、顆粒度含量、色度測(cè)

試方法進(jìn)行了規(guī)定。

3.4標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存的要求

四與國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比情況

標(biāo)準(zhǔn)起草小組搜集到國(guó)內(nèi)外同行及客戶要求的相關(guān)資料，與本次修訂的標(biāo)準(zhǔn)一致。

五預(yù)期效果

本文件適用于沉積SiC和SiN等硅基薄膜的電子級(jí)四甲基硅烷，作為刻蝕硬掩層、碳摻雜硅基膜和碳

化硅薄膜等；也適用于高純電子清洗劑和標(biāo)準(zhǔn)試劑所需的電子級(jí)四甲基硅烷。本標(biāo)準(zhǔn)的頒布實(shí)施將為生

產(chǎn)、使用、貿(mào)易三方提供了技術(shù)依據(jù)；制定的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義，能更好地

引領(lǐng)中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)行業(yè)整體水平的提高。

六建議

本標(biāo)準(zhǔn)是結(jié)合國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求變化和技術(shù)進(jìn)步而進(jìn)行的修訂；為生產(chǎn)、使用、貿(mào)易三方提供了基本的

技術(shù)依據(jù)；建議作為推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。

七與我國(guó)有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系

4

該標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定與目前我國(guó)現(xiàn)行的法律法規(guī)、相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)配套。本次國(guó)標(biāo)的制定是依據(jù)

半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展的要求，根據(jù)我國(guó)電子級(jí)四甲基硅烷產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行的，因此應(yīng)盡快實(shí)施國(guó)家

標(biāo)準(zhǔn)。

八有關(guān)專利的說明

本標(biāo)準(zhǔn)不涉及任何國(guó)內(nèi)外專利內(nèi)容。

5

《電子級(jí)四甲基硅烷》

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿

編制說明

標(biāo)準(zhǔn)起草工作組

2024年07月

一、工作簡(jiǎn)況

1.1任務(wù)來源

2023年國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)下達(dá)了“2023年第四批推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃”，《電子級(jí)四甲基硅

烷》正式立項(xiàng)，計(jì)劃號(hào)：20232465-T-469，由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。為保證項(xiàng)

目順利實(shí)施，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)組織南大光電半導(dǎo)體材料有限公司、南大光電其

它子公司等相關(guān)單位做了大量的前期調(diào)研及草案起草工作。

本標(biāo)準(zhǔn)由TC203（全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口上報(bào)及執(zhí)行，主管部門為國(guó)家

標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。

1.2工作過程的說明

1.2.1資料收集、初期調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)起草

標(biāo)準(zhǔn)編制組成立后立即開展了資料收集、初期調(diào)研等工作。編制組進(jìn)行了內(nèi)部討論，經(jīng)編制組內(nèi)部

討論，于2024年4月初形成了《電子級(jí)四甲基硅烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明。

1.2.3研討會(huì)

2024年5月在標(biāo)委會(huì)秘書處的組織下，電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)起草小組以及電子化學(xué)

品領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)專家召開標(biāo)準(zhǔn)研討及啟動(dòng)會(huì)，會(huì)上參會(huì)專家對(duì)《電子級(jí)四甲基硅烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明

進(jìn)行了研討，提出了修改意見和建議，會(huì)后編制組根據(jù)研討會(huì)專家意見，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案和編制說明進(jìn)行了

修改，在2024年7月形成了《電子級(jí)四甲基硅烷》的征求意見稿及編制說明。

二國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定原則

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1－2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。積極采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)技術(shù)指標(biāo)，本著促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，提高產(chǎn)品質(zhì)量；合理利用資源，提

高經(jīng)濟(jì)效益的原則編寫。

三標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容

本標(biāo)準(zhǔn)是在國(guó)內(nèi)高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及集成電路制造業(yè)的前提下，結(jié)合目前行業(yè)缺乏相應(yīng)電子

級(jí)四甲基硅烷標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)量方法的情況下，開展電子級(jí)四甲基硅烷的痕量金屬離子檢測(cè)技術(shù)研究，通過對(duì)

國(guó)外典型產(chǎn)品的指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，并進(jìn)行整理分析，參照國(guó)內(nèi)外類似標(biāo)準(zhǔn)，綜合考量后確定各項(xiàng)技

術(shù)指標(biāo)范圍，具備廣泛性、代表性和合理性。

3.1技術(shù)要求

2

電子級(jí)四甲基硅烷產(chǎn)品的質(zhì)量應(yīng)符合表1的要求。

表1技術(shù)要求

項(xiàng)目指向技術(shù)指標(biāo)客戶1指標(biāo)競(jìng)品1指標(biāo)客戶2指標(biāo)

-2

四甲基硅烷純度（Si(CH)4）/10≥99.9999.9999.9999.99

硼（B）含量/（ng/g）≤5.05.05.05.0

鋁（Al）含量/（ng/g）≤0.12.00.22.0

銻（Sb）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

砷（As）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鋇（Ba）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈹（Be）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉍（Bi）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎘（Cd）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈣（Ca）含量/（ng/g）≤0.110.010.02.0

鉻（Cr）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鈷（Co）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

銅（Cu）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎵（Ga）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鍺（Ge）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

金（Au）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鐵（Fe）含量/（ng/g）≤0.15.05.02.0

鉛（Pb）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鋰（Li）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎂（Mg）含量/（ng/g）≤0.13.03.02.0

元素雜

錳（Mn）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

質(zhì)含量

汞（Hg）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鉬（Mo）含量/（ng/g）≤0.10.50.50.5

鎳（Ni）含量/（ng/g）≤0.10.50.5