五年（2021-2025）高考真題分類匯編PAGEPAGE1專題10磁場考點(diǎn)五年考情（2021-2025）命題趨勢考點(diǎn)1磁場與磁現(xiàn)象2021、2022、2024聚焦基礎(chǔ)概念與模型分析。以磁電式電表為背景，考查磁場分布與安培力方向的判斷，需結(jié)合左手定則和磁感線分布分析。計(jì)算題則常與力學(xué)、電磁學(xué)跨模塊綜合以“質(zhì)子束反射折射裝置”為背景，要求聯(lián)立洛倫茲力公式與動(dòng)量定理，分析帶電粒子在磁場中的軌跡調(diào)控。實(shí)驗(yàn)題雖未直接考查磁場，但隱含相關(guān)分析安培力與電磁感應(yīng)：命題從單一通電導(dǎo)線擴(kuò)展至多導(dǎo)體系統(tǒng)，通過正方形線框在變化磁場中的運(yùn)動(dòng)，要求聯(lián)立法拉第電磁感應(yīng)定律與焦耳定律計(jì)算安培力和發(fā)熱功率。以“電磁撬技術(shù)”為情境，考查電磁感應(yīng)與恒定電流的動(dòng)態(tài)建模，涉及安培力與焦耳熱的關(guān)聯(lián)分析。、帶電粒子運(yùn)動(dòng)與能量轉(zhuǎn)化：高頻考點(diǎn)從勻速圓周運(yùn)動(dòng)擴(kuò)展至復(fù)合場中的復(fù)雜軌跡，需綜合應(yīng)用動(dòng)能定理與運(yùn)動(dòng)分解。要求結(jié)合半衰期模型推導(dǎo)核反應(yīng)方程，并利用磁場確定粒子電性與動(dòng)量。磁場疊加與邊界條件：命題注重磁場分布的空間分析。考點(diǎn)2安培力2021、2022、2023、2024、2025考點(diǎn)3洛倫茲力2024考點(diǎn)4帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)2022、2023考點(diǎn)5帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動(dòng)2021、2022、2023、2024、2025考點(diǎn)01磁場與磁現(xiàn)象1．（2024·浙江·1月選考）磁電式電表原理示意圖如圖所示，兩磁極裝有極靴，極靴中間還有一個(gè)用軟鐵制成的圓柱。極靴與圓柱間的磁場都沿半徑方向，兩者之間有可轉(zhuǎn)動(dòng)的線圈。a、b、c和d為磁場中的四個(gè)點(diǎn)。下列說法正確的是（）A．圖示左側(cè)通電導(dǎo)線受到安培力向下 B．a(chǎn)、b兩點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度相同C．圓柱內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度處處為零 D．c、d兩點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等2．（2022·浙江·6月選考）下列說法正確的是（

）A．恒定磁場對靜置于其中的電荷有力的作用B．小磁針N極在磁場中的受力方向是該點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向C．正弦交流發(fā)電機(jī)工作時(shí)，穿過線圈平面的磁通量最大時(shí)，電流最大D．升壓變壓器中，副線圈的磁通量變化率大于原線圈的磁通量變化率3．（2021·浙江·1月選考）如圖所示是通有恒定電流的環(huán)形線圈和螺線管的磁感線分布圖。若通電螺線管是密繞的，下列說法正確的是（）A．電流越大，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場B．螺線管越長，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場C．螺線管直徑越大，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場D．磁感線畫得越密，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場考點(diǎn)02安培力4．（（2025·浙江·1月選考）如圖所示，接有恒流源的正方形線框邊長2L、質(zhì)量m、電阻R，放在光滑水平地面上，線框部分處于垂直地面向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中。以磁場邊界CD上一點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，水平向右建立Ox軸，線框中心和一條對角線始終位于Ox軸上。開關(guān)S(1)線框中心位于x=0，閉合開關(guān)S后，線框中電流大小為I，求①閉合開關(guān)S瞬間，線框受到的安培力大小；②線框中心運(yùn)動(dòng)至x=L③線框中心運(yùn)動(dòng)至x=L(2)線框中心分別位于x=0和x=L2，閉合開關(guān)S后，線框中電流大小為I，線框中心分別運(yùn)動(dòng)到x=L所需時(shí)間分別為t1和t5．（2024·浙江·6月選考）如圖所示，邊長為1m、電阻為0.04Ω的剛性正方形線框abcd放在與強(qiáng)磁場中，線框平面與磁場B垂直。若線框固定不動(dòng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度以ΔBΔt=0.1T/s均勻增大時(shí)，線框的發(fā)熱功率為P；若磁感應(yīng)強(qiáng)度恒為0.2T，線框以某一角速度繞其中心軸OOA．12N B．22N C．1N6．（2023·浙江·6月選考）如圖所示，質(zhì)量為M、電阻為R、長為L的導(dǎo)體棒，通過兩根長均為l、質(zhì)量不計(jì)的導(dǎo)電細(xì)桿連在等高的兩固定點(diǎn)上，固定點(diǎn)間距也為L。細(xì)桿通過開關(guān)S可與直流電源E0或理想二極管串接。在導(dǎo)體棒所在空間存在磁感應(yīng)強(qiáng)度方向豎直向上、大小為B的勻強(qiáng)磁場，不計(jì)空氣阻力和其它電阻。開關(guān)S接1，當(dāng)導(dǎo)體棒靜止時(shí)，細(xì)桿與豎直方向的夾角固定點(diǎn)θ=π4；然后開關(guān)S接2

A．電源電動(dòng)勢E0=2C．從左向右運(yùn)動(dòng)時(shí)，最大擺角小于π4 D7．（2022·浙江·1月選考）如圖所示，將一通電螺線管豎直放置，螺線管內(nèi)部形成方向豎直向上、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=kt的勻強(qiáng)磁場，在內(nèi)部用絕緣輕繩懸掛一與螺線管共軸的金屬薄圓管，其電阻率為ρ、高度為h、半徑為r、厚度為d（d?r），則（）A．從上向下看，圓管中的感應(yīng)電流為逆時(shí)針方向B．圓管的感應(yīng)電動(dòng)勢大小為kπC．圓管的熱功率大小為πdhD．輕繩對圓管的拉力隨時(shí)間減小8．（2022·浙江·1月選考）利用如圖所示裝置探究勻強(qiáng)磁場中影響通電導(dǎo)線受力的因素，導(dǎo)線垂直勻強(qiáng)磁場方向放置。先保持導(dǎo)線通電部分的長度L不變，改變電流I的大小，然后保持電流I不變，改變導(dǎo)線通電部分的長度L，得到導(dǎo)線受到的安培力F分別與I和L的關(guān)系圖象，則正確的是（）A． B．C． D．9．（2021·浙江·6月選考）如圖所示，有兩根用超導(dǎo)材料制成的長直平行細(xì)導(dǎo)線a、b，分別通以80A和100A流向相同的電流，兩導(dǎo)線構(gòu)成的平面內(nèi)有一點(diǎn)p，到兩導(dǎo)線的距離相等。下列說法正確的是（）A．兩導(dǎo)線受到的安培力FB．導(dǎo)線所受的安培力可以用F=ILB計(jì)算C．移走導(dǎo)線b前后，p點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向改變D．在離兩導(dǎo)線所在的平面有一定距離的有限空間內(nèi)，不存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的位置考點(diǎn)03洛倫茲力10.（2024·浙江·6月選考）如圖所示，一根固定的足夠長的光滑絕緣細(xì)桿與水平面成θ角。質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電小球套在細(xì)桿上。小球始終處于磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場中。磁場方向垂直細(xì)桿所在的豎直面，不計(jì)空氣阻力。小球以初速度v0A．合力沖量大小為mv0cos? B．重力沖量大小為mC．洛倫茲力沖量大小為qBv022g考點(diǎn)04帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)11.（2023·浙江·6月選考）利用磁場實(shí)現(xiàn)離子偏轉(zhuǎn)是科學(xué)儀器中廣泛應(yīng)用的技術(shù)。如圖所示，Oxy平面（紙面）的第一象限內(nèi)有足夠長且寬度均為L、邊界均平行x軸的區(qū)域Ⅰ和Ⅱ，其中區(qū)域Ⅰ存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B1的勻強(qiáng)磁場，區(qū)域Ⅱ存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B2的磁場，方向均垂直紙面向里，區(qū)域Ⅱ的下邊界與x軸重合。位于(0,3L)處的離子源能釋放出質(zhì)量為m、電荷量為q、速度方向與x軸夾角為60°的正離子束，沿紙面射向磁場區(qū)域。不計(jì)離子的重力及離子間的相互作用，并忽略磁場的邊界效應(yīng)。（1）求離子不進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅱ的最大速度v1及其在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t；（2）若B2=2B1，求能到達(dá)y=（3）若B2=B1L

12．（2022·浙江·6月選考）離子速度分析器截面圖如圖所示。半徑為R的空心轉(zhuǎn)筒P，可繞過O點(diǎn)、垂直xOy平面（紙面）的中心軸逆時(shí)針勻速轉(zhuǎn)動(dòng)（角速度大小可調(diào)），其上有一小孔S。整個(gè)轉(zhuǎn)筒內(nèi)部存在方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場。轉(zhuǎn)筒下方有一與其共軸的半圓柱面探測板Q，板Q與y軸交于A點(diǎn)。離子源M能沿著x軸射出質(zhì)量為m、電荷量為–q（q>0）、速度大小不同的離子，其中速度大小為v0的離子進(jìn)入轉(zhuǎn)筒，經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后恰好沿y軸負(fù)方向離開磁場。落在接地的筒壁或探測板上的離子被吸收且失去所帶電荷，不計(jì)離子的重力和離子間的相互作用。（1）①求磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大??；②若速度大小為v0的離子能打在板Q的A處，求轉(zhuǎn)筒P角速度ω的大??；（2）較長時(shí)間后，轉(zhuǎn)筒P每轉(zhuǎn)一周有N個(gè)離子打在板Q的C處，OC與x軸負(fù)方向的夾角為θ，求轉(zhuǎn)筒轉(zhuǎn)動(dòng)一周的時(shí)間內(nèi)，C處受到平均沖力F的大小；（3）若轉(zhuǎn)筒P的角速度小于6v0R，且A處探測到離子，求板Q上能探測到離子的其他θ′的值（θ′為探測點(diǎn)位置和O考點(diǎn)05帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動(dòng)13.（2025·浙江·1月選考）同位素614C相對含量的測量在考古學(xué)中有重要應(yīng)用，其測量系統(tǒng)如圖1所示。將少量古木樣品碳化、電離后，產(chǎn)生的離子經(jīng)過靜電分析儀ESA-I、磁體-I和高電壓清除器，讓只含有三種碳同位素612C、613C、614C的C3+離子束（初速度可忽略不計(jì)）進(jìn)入磁體-Ⅱ．磁體-Ⅱ由電勢差為U的加速電極P，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、半徑為R的四分之一圓弧細(xì)管道和離子接收器F構(gòu)成。通過調(diào)節(jié)U，可分離612C、613C、614C(1)寫出中子與714N發(fā)生核反應(yīng)生成614C，以及(2)根據(jù)圖2寫出612C的C3+離子所對應(yīng)的U值，并求磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小（計(jì)算結(jié)果保留兩位有效數(shù)字。已知R=0.2m(3)如圖1所示，ESA-Ⅱ可簡化為間距d=5cm兩平行極板，在下極板開有間距L=10cm的兩小孔，僅允許入射角φ=45°的6(4)對古木樣品，測得614C與612C離子數(shù)之比值為4×10-13；采用同樣辦法，測得活木頭中614C14.（2024·浙江·6月選考）探究性學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了一個(gè)能在噴鍍板的上下表面噴鍍不同離子的實(shí)驗(yàn)裝置，截面如圖所示。在xOy平面內(nèi)，除x軸和虛線之間的區(qū)域外，存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，在無磁場區(qū)域內(nèi)，沿著x軸依次放置離子源、長度為L的噴鍍板P、長度均為L的柵極板M和N（由金屬細(xì)絲組成的網(wǎng)狀電極），噴鍍板P上表面中點(diǎn)Q的坐標(biāo)為（1.5L，0），柵極板M中點(diǎn)S的坐標(biāo)為（3L，0），離子源產(chǎn)生a和b兩種正離子，其中a離子質(zhì)量為m，電荷量為q，b離子的比荷為a離子的14倍，經(jīng)電壓U=kU0（其中U0=B2qL28m，k大小可調(diào)，a和b離子初速度視為0）的電場加速后，沿著y軸射入上方磁場。經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)和柵極板N和M間電壓UNM（1）若U=U0，求a離子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后，到達(dá)x軸上的位置x0（用L表示）。（2）調(diào)節(jié)U和UNM，并保持UNM=34U①U的調(diào)節(jié)范圍（用U0表示）；②b離子落在噴鍍板P下表面的區(qū)域長度；（3）要求a和b離子恰好分別落在噴鍍板P上下表面的中點(diǎn)，求U和UNM的大小。15.（2024·浙江·1月選考）類似光學(xué)中的反射和折射現(xiàn)象，用磁場或電場調(diào)控也能實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束的“反射”和“折射”。如圖所示，在豎直平面內(nèi)有三個(gè)平行區(qū)域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ；Ⅰ區(qū)寬度為d，存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直平面向外的勻強(qiáng)磁場，Ⅱ區(qū)的寬度很小。Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)電勢處處相等，分別為φⅠ和φⅢ，其電勢差U=φⅠ-φⅢ。一束質(zhì)量為m、電荷量為e的質(zhì)子從O點(diǎn)以入射角θ射向Ⅰ區(qū)，在P點(diǎn)以出射角θ射出，實(shí)現(xiàn)“反射”；質(zhì)子束從P點(diǎn)以入射角θ射入Ⅱ區(qū)，經(jīng)Ⅱ區(qū)“折射”進(jìn)入Ⅲ區(qū)，其出射方向與法線夾角為“（1）若不同角度射向磁場的質(zhì)子都能實(shí)現(xiàn)“反射”，求d的最小值；（2）若U=mv022e，求（3）計(jì)算說明如何調(diào)控電場，實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束從P點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)發(fā)生“全反射”（即質(zhì)子束全部返回Ⅰ區(qū)）（4）在P點(diǎn)下方距離3mv0eB處水平放置一長為4mv0eB的探測板CQD（Q在P的正下方），CQ長為mv0eB，質(zhì)子打在探測板上即被吸收中和。若還有另一相同質(zhì)子束，與原質(zhì)子束關(guān)于法線左右對稱，同時(shí)從16.（2023·浙江·1月選考）探究離子源發(fā)射速度大小和方向分布的原理如圖所示。x軸上方存在垂直xOy平面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場。x軸下方的分析器由兩塊相距為d、長度足夠的平行金屬薄板M和N組成，其中位于x軸的M板中心有一小孔C（孔徑忽略不計(jì)），N板連接電流表后接地。位于坐標(biāo)原點(diǎn)O的離子源能發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子，其速度方向與y軸夾角最大值為60°；且各個(gè)方向均有速度大小連續(xù)分布在12v0和2v0之間的離子射出。已知速度大小為v0、沿y（1）求孔C所處位置的坐標(biāo)x0（2）求離子打在N板上區(qū)域的長度L；（3）若在N與M板之間加載電壓，調(diào)節(jié)其大小，求電流表示數(shù)剛為0時(shí)的電壓U0（4）若將分析器沿著x軸平移，調(diào)節(jié)加載在N與M板之間的電壓，求電流表示數(shù)剛為0時(shí)的電壓Ux與孔C位置坐標(biāo)x17.（2023·浙江·1月選考）某興趣小組設(shè)計(jì)的測量大電流的裝置如圖所示，通有電流I的螺繞環(huán)在霍爾元件處產(chǎn)生的磁場B=k1I，通有待測電流I'的直導(dǎo)線ab垂直穿過螺繞環(huán)中心，在霍爾元件處產(chǎn)生的磁場B'=k2IA．a(chǎn)→b，k2k1I0C．b→a，k2k1I018.（2022·浙江·6月選考）如圖為某一徑向電場的示意圖，電場強(qiáng)度大小可表示為E=ar，a為常量。比荷相同的兩粒子在半徑A．軌道半徑r小的粒子角速度一定小B．電荷量大的粒子的動(dòng)能一定大C．粒子的速度大小與軌道半徑r一定無關(guān)D．當(dāng)加垂直紙面磁場時(shí)，粒子一定做離心運(yùn)動(dòng)19．（2022·浙江·1月選考）如圖為研究光電效應(yīng)的裝置示意圖，該裝置可用于分析光子的信息。在xOy平面（紙面）內(nèi)，垂直紙面的金屬薄板M、N與y軸平行放置，板N中間有一小孔O。有一由x軸、y軸和以O(shè)為圓心、圓心角為90°的半徑不同的兩條圓弧所圍的區(qū)域Ⅰ，整個(gè)區(qū)域Ⅰ內(nèi)存在大小可調(diào)、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)電場和磁感應(yīng)強(qiáng)度大小恒為B1、磁感線與圓弧平行且逆時(shí)針方向的磁場。區(qū)域Ⅰ右側(cè)還有一左邊界與y軸平行且相距為l、下邊界與x軸重合的勻強(qiáng)磁場區(qū)域Ⅱ，其寬度為a，長度足夠長，其中的磁場方向垂直紙面向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)。光電子從板M逸出后經(jīng)極板間電壓U加速（板間電場視為勻強(qiáng)電場），調(diào)節(jié)區(qū)域Ⅰ的電場強(qiáng)度和區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度，使電子恰好打在坐標(biāo)為（a+2l，0）的點(diǎn)上，被置于該處的探測器接收。已知電子質(zhì)量為m、電荷量為e，板M的逸出功為W0，普朗克常量為h。忽略電子的重力及電子間的作用力。當(dāng)頻率為ν的光照射板M時(shí)有光電子逸出，（1）求逸出光電子的最大初動(dòng)能Ekm，并求光電子從O點(diǎn)射入?yún)^(qū)域Ⅰ時(shí)的速度v0的大小范圍；（2）若區(qū)域Ⅰ的電場強(qiáng)度大小E=B13eUm，區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B2=emUea，求被探測到的電子剛從板M（3）為了使從O點(diǎn)以各種大小和方向的速度射向區(qū)域Ⅰ的電子都能被探測到，需要調(diào)節(jié)區(qū)域Ⅰ的電場強(qiáng)度E和區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度B2，求E的最大值和B2的最大值。20．（2021·浙江·6月選考）如圖甲所示，空間站上某種離子推進(jìn)器由離子源、間距為d的中間有小孔的兩平行金屬板M、N和邊長為L的立方體構(gòu)成，其后端面P為噴口。以金屬板N的中心O為坐標(biāo)原點(diǎn)，垂直立方體側(cè)面和金屬板建立x、y和z坐標(biāo)軸。M、N板之間存在場強(qiáng)為E、方向沿z軸正方向的勻強(qiáng)電場；立方體內(nèi)存在磁場，其磁感應(yīng)強(qiáng)度沿z方向的分量始終為零，沿x和y方向的分量Bx和By隨時(shí)間周期性變化規(guī)律如圖乙所示，圖中B0可調(diào)。氙離子（Xe2+）束從離子源小孔S射出，沿z方向勻速運(yùn)動(dòng)到M板，經(jīng)電場加速進(jìn)入磁場區(qū)域，最后從端面P射出，測得離子經(jīng)電場加速后在金屬板N中心點(diǎn)O處相對推進(jìn)器的速度為v0。已知單個(gè)離子的質(zhì)量為（1）求離子從小孔S射出時(shí)相對推進(jìn)器的速度大小vS；（2）不考慮在磁場突變時(shí)運(yùn)動(dòng)的離子，調(diào)節(jié)B0的值，使得從小孔S射出的離子均能從噴口后端面P射出，求B（3）設(shè)離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間遠(yuǎn)小于磁場變化周期T，單位時(shí)間從端面P射出的離子數(shù)為n，且B0=2mv21.（2021·浙江·1月選考）在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，然后通過磁分析器，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓（硅片）。速度選擇器、磁分析器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán)，其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場和磁場的分布區(qū)域是同一邊長為L的正方體，其偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的底面與晶圓所在水平面平行，間距也為L。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場及磁場時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)（即圖中坐標(biāo)原點(diǎn)，x軸垂直紙面向外）。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，不計(jì)離子重力，打在晶圓上的離子，經(jīng)過電場和磁場偏轉(zhuǎn)的角度都很小。當(dāng)α很小時(shí)，有sinα≈tanα≈α(1)離子通過速度選擇器后的速度大小v和磁分析器選擇出來離子的比荷；(2)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場時(shí)離子注入晶圓的位置，用坐標(biāo)(x，y)表示；(3)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場時(shí)離子注入晶圓的位置，用坐標(biāo)(x，y)表示；(4)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)同時(shí)加上電場和磁場時(shí)離子注入晶圓的位置，用坐標(biāo)(x，y)表示，并說明理由。1．（2025·浙江Z20名校聯(lián)盟·模擬預(yù)測）電磁彈射器在我國自行研制的第三艘航空母艦“福建號”進(jìn)行了使用。其原理是彈射車處于強(qiáng)磁場中，當(dāng)彈射車內(nèi)的導(dǎo)體有強(qiáng)電流通過時(shí)，彈射車就給艦載機(jī)提供強(qiáng)大的推力而快速起飛，下列與其原理相同的是（）A． B．C． D．2．（2025·浙江北斗星盟·三模）一個(gè)處于勻強(qiáng)磁場中的靜止放射性原子核，由于發(fā)生了衰變而生成a，b兩粒子，在磁場中形成如圖所示的兩個(gè)圓形徑跡，兩圓半徑之比為1：45，下列判斷正確的是（）A．該原子核發(fā)生了β衰變 B．a(chǎn)粒子做順時(shí)針運(yùn)動(dòng)C．原來靜止的核，其原子序數(shù)為92 D．兩粒子的運(yùn)動(dòng)周期相等3．（2025·浙江稽陽聯(lián)誼學(xué)?！ざ＃┫铝形锢砹渴菢?biāo)量且其單位用國際單位制基本單位表示正確的是（）A．功，kg?m/s2C．電場強(qiáng)度，N/C D．磁通量，kg4．（2025·浙江金華義烏·三模）甲、乙、丙、丁四幅圖分別是回旋加速器、磁流體發(fā)電機(jī)、泊松亮斑、重核裂變的結(jié)構(gòu)示意圖，下列說法中正確的是（）A．圖甲中增大交變電壓場的電壓可增大粒子的最大動(dòng)能B．圖乙中磁流體發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的電動(dòng)勢大小與等離子體的濃度無關(guān)C．圖丙中的泊松亮斑支持了光的波動(dòng)說，它是菲涅爾通過實(shí)驗(yàn)觀察到的D．圖丁所示的核反應(yīng)屬于重核裂變，鋇141的平均核子質(zhì)量、比結(jié)合能都比鈾235的小5．（2025·浙江紹興一中·模擬）利用霍爾元件可以進(jìn)行微小位移的測量。如圖甲所示，將固定有霍爾元件的物體置于兩塊磁性強(qiáng)弱相同、同極相對放置的磁體縫隙中，建立如圖乙所示的空間坐標(biāo)系。保持沿x方向通過霍爾元件的電流I不變，當(dāng)物體沿z軸方向移動(dòng)時(shí)，由于不同位置處磁感應(yīng)強(qiáng)度B不同，霍爾元件將在y軸方向的上、下表面間產(chǎn)生不同的霍爾電壓UH。當(dāng)霍爾元件處于中間位置時(shí)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0，UH=0，將該點(diǎn)作為位移的零點(diǎn)。在小范圍內(nèi)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和坐標(biāo)zA．在小范圍內(nèi)，霍爾電壓UH的大小和坐標(biāo)zB．其他條件相同的情況下，電流I越大，霍爾電壓UHC．其他條件相同的情況下，霍爾元件沿z軸方向的長度越小，霍爾電壓UHD．若霍爾元件中的載流子為電子，測得霍爾元件上表面電勢高，說明元件向z軸正方向移動(dòng)6．（2025·浙江金華義烏·三模）下列物理量中是標(biāo)量，且其單位用國際制基本單位表示正確的是（）A．動(dòng)量

N·t B．安培力

kg·m·s-2C．重力勢能

kg·m2·s-2 D．電動(dòng)勢

V·m7．（2025·浙江精誠聯(lián)盟·二模）汽車裝有加速度傳感器，以測量汽車行駛時(shí)縱向加速度。加速度傳感器有一個(gè)彈性梁，一端夾緊固定，另一端連接霍爾元件，如圖所示。汽車靜止時(shí)，霍爾元件處在上下正對的兩個(gè)相同磁體中央位置，如果汽車有一向上的縱向加速度，則霍爾元件離開中央位置而向下偏移。偏移程度與加速度大小有關(guān)。如霍爾元件通入從左往右的電流，則下說法正確的是（）A．若霍爾元件材料為N型半導(dǎo)體（載流子為電子），則前表面比后表面的電勢高B．若汽車加速度越大，則霍爾電壓也越大C．若汽車縱向加速度為0，增大電流，則監(jiān)測到的霍爾電壓也會(huì)增大D．若汽車速度增大，則霍爾電壓也增大8．．（2025·浙江寧波·三模）如圖甲為利用電磁驅(qū)動(dòng)原理制作的交流感應(yīng)電動(dòng)機(jī)。三個(gè)線圈連接到三相電源上，電流形成的磁場可等效為以角速度ω0轉(zhuǎn)動(dòng)的輻向磁場。邊長為l、總電阻為R的單匝正方形線框ABCD可繞其中心軸OO'旋轉(zhuǎn)，圖乙為這種驅(qū)動(dòng)裝置的俯視圖，線框的兩條邊AB、CD所處位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B。當(dāng)線框由靜止開始轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，AB、CD兩條邊受到的阻力均為Ff=kv，其中比例系數(shù)k=2BA．線框的轉(zhuǎn)動(dòng)方向與輻向磁場的轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反B．線框的角速度大小為ωC．線框的感應(yīng)電動(dòng)勢大小為BD．線框AB邊所受安培力大小為B9．（2025·浙江金華·三模）π+介子會(huì)發(fā)生衰變，反應(yīng)方程式為π+→μ++vμ，即生成一個(gè)μ+介子和一個(gè)μ子中微子。在云室中可觀察到πA．1∶1 B．1∶3 C．3∶1 D．2∶110．（2025·浙江紹興·三模）磁懸浮列車是一種使用磁力使得列車懸浮起來移動(dòng)的交通工具，由于懸浮行駛時(shí)不與地面接觸，故可減小摩擦力，以便獲得較高的行駛速度。如圖1所示，科學(xué)家利用EDS系統(tǒng)來產(chǎn)生懸浮，列車在導(dǎo)槽內(nèi)行駛，車廂的兩側(cè)有電磁鐵，而導(dǎo)槽兩側(cè)則有“8”字形的線圈，當(dāng)車輛兩側(cè)的電磁鐵（左側(cè)N極、右側(cè)S極）通過“8”字形線圈時(shí)會(huì)在線圈上感應(yīng)出電流，感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場又與電磁鐵產(chǎn)生排斥及吸引作用，形成一個(gè)向上的磁力使得列車懸浮起來。某時(shí)刻車廂的左邊電磁鐵靠近“8”字形線圈產(chǎn)生圖2中方向所示的感應(yīng)電流，則關(guān)于電磁鐵與線圈的相對位置說法正確的是（）A．電磁鐵中心與線圈中心等高B．電磁鐵中心高于線圈中心C．電磁鐵中心低于線圈中心D．電磁鐵中心高于或等于線圈中心11．（2025·浙江·選考測評）石墨烯是一種由碳原子組成的呈蜂巢晶格結(jié)構(gòu)的單層二維納米材料，利用如圖所示的電路可測量石墨烯樣品的載流子的濃度（即1m2內(nèi)所含電子個(gè)數(shù)）。在石墨烯表面加方向垂直向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場，在電極1、3間通以恒定電流I，則電極2、4間將產(chǎn)生電壓U。已知電子的電荷量為e，則該樣品的載流子濃度為（A．2UBeI B．UBeI C．IBeU12．（2025·浙江·選考測評）下列各物理量是矢量且括號中對應(yīng)單位正確的是（

）A．電勢（V） B．電流（A）C．加速度的變化率ms3 D13．（2025·浙江溫州·二模）有關(guān)下列四幅圖的描述，正確的是（）A．圖甲中，線圈順時(shí)針勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，電路中A、B發(fā)光二極管不會(huì)交替發(fā)光B．圖乙中，強(qiáng)相互作用可以存在于各種核子之間，作用范圍只有約10?10mC．圖丙中，磁電式儀表中的鋁框可使指針較快停止擺動(dòng)，是利用了電磁驅(qū)動(dòng)的原理D．圖丁中，自由電荷為負(fù)電荷的霍爾元件（電流和磁場方向如圖所示）的N側(cè)電勢高14．（2025·浙江金華·三模）在無線長通電直導(dǎo)線周圍某點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度B與距離r的一次方成反比，可表示為B=kIr?，F(xiàn)有一半徑為R的薄壁長圓筒如圖1，其壁上電流I0，在筒內(nèi)側(cè)磁感應(yīng)強(qiáng)度處處為0A．圓筒側(cè)壁單位面積受到的壓力為kB．圓筒左半側(cè)在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度水平垂直紙面向里C．若在圓筒外側(cè)同軸心放置一逆時(shí)針的圓形電流如圖2，則圓形電流受到圓筒的吸引力D．若在圓筒軸線放置一反向電流也為I0長直細(xì)導(dǎo)線如圖3，則圓筒側(cè)壁單位面積受力15．（2025·浙江Z20名校聯(lián)盟·模擬預(yù)測）芯片制造工藝中，離子注入控制是一道重要的工序。某技術(shù)人員利用電磁場設(shè)計(jì)一種方案簡要如圖所示，從離子源產(chǎn)生的離子（初速度不計(jì)）經(jīng)勻強(qiáng)電場加速U0后，沿中軸線飛入平行金屬板A、B，之后經(jīng)需要先后進(jìn)入由電流控制磁場的半徑為r（較小）的圓形邊界勻強(qiáng)磁場Bx和足夠大的勻強(qiáng)磁場By，兩磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度分別由相應(yīng)的電流Ix和Iy大小和方向控制，磁感應(yīng)強(qiáng)度與電流關(guān)系滿足B=kI，k為常數(shù)，忽略邊緣效應(yīng)，以平行極板中心O為坐標(biāo)原點(diǎn)，建立O-xyz坐標(biāo)系（垂直紙面向外為z軸正方向），平行極板長為L1，間距為d，圓形邊界在YOZ平面內(nèi)的勻強(qiáng)磁場BX的圓心坐標(biāo)（0，L2，0），待制造芯片放置位置中心坐標(biāo)（0，L3，0）。已知離子電量為+q、質(zhì)量為m。tan(1)若Ix=Iy=0時(shí)，離子恰好打到（R，L3，O）點(diǎn)，求UAB的值；(2)若UAB=0，Iy=0時(shí)，控制離子恰好打到（0，L3，R）點(diǎn)，求Ix的值；(3)若UAB=0，Ix為某值時(shí)，離子經(jīng)圓形磁場偏轉(zhuǎn)θ角進(jìn)入By磁場，試導(dǎo)出離子打到芯片上位置（x，y，z）與Iy的關(guān)系式（設(shè)離子轉(zhuǎn)動(dòng)不到90°）。16．（2025·浙江北斗星盟·三模）某創(chuàng)新小組設(shè)計(jì)了一個(gè)粒子探測器。如圖所示，在xOy平面內(nèi)第一象限的虛線與y軸所圍區(qū)域內(nèi)有一個(gè)場強(qiáng)大小為E1=3mv022qL、方向平行于y軸的勻強(qiáng)電場；第三象限內(nèi)存在垂直xOy平面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B1=6mv0qd的勻強(qiáng)磁場；在電場邊界右側(cè)放置長為7πL6+3l2、高為3L的容器（左側(cè)為網(wǎng)狀不影響粒子進(jìn)入，右側(cè)為收集板），容器內(nèi)分布著正交電磁場，其中勻強(qiáng)磁場方向垂直xOy平面向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B2=2mv0qL，勻強(qiáng)電場方向豎直向下，場強(qiáng)大小為E2=2m(1)粒子由P點(diǎn)射出時(shí)水平分速度vx的大??；(2)要使所有粒子經(jīng)過勻強(qiáng)電場后均能沿x軸正方向運(yùn)動(dòng)，試判斷電場方向并寫出此虛線的方程；(3)在滿足（2）的條件下，能進(jìn)入容器的粒子占總粒子數(shù)的百分比；(4)在滿足（2）的條件下，右側(cè)收集板因吸收粒子而在水平方向上受到的平均作用力。17．（2025·浙江稽陽聯(lián)誼學(xué)?！ざ＃┠撑d趣小組為探索光電效應(yīng)和光電子在電磁場中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律，設(shè)計(jì)裝置如圖所示，頻率為ν=1.06×1015Hz的激光照射在豎直放置的鋅板K的中心位置O點(diǎn)，其右側(cè)距離為d1=0.4m處有另一足夠大極板A，A上正對O點(diǎn)有一豎直狹縫，并在兩極板間加電壓U=1.8V，兩極板間電場可視為勻強(qiáng)電場。在A板右側(cè)有寬度為D、方向垂直紙面向內(nèi)、大小為B=10-5T的勻強(qiáng)磁場。鋅板的逸出功W=5.376×10-19J，普朗克常量(1)光電子到達(dá)極板A的最大速度vm(2)極板A上有光電子打中的區(qū)域面積；(3)要使所有光電子均不從右側(cè)邊界飛出，磁場寬度D應(yīng)滿足的條件，并計(jì)算電子在磁場中運(yùn)動(dòng)最短時(shí)間（計(jì)算結(jié)果保留1位有效數(shù)字）；(4)將勻強(qiáng)磁場改為垂直平面向內(nèi)的非勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度滿足B'=kxk=2×10-418．（24-25高三下·浙江諸暨·二模）如圖甲所示是托卡馬克裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其主要包括環(huán)形真空室、極向場線圈、環(huán)向場線圈等，在環(huán)形真空室內(nèi)注入少量氫的同位素氘和氚，提高溫度使其發(fā)生聚變反應(yīng)。如圖乙所示為環(huán)形真空室的示意圖，它的軸線半徑為r，橫截面的圓半徑為R，假設(shè)環(huán)形真空室內(nèi)粒子質(zhì)量為m、電荷量為+q，粒子碰到真空室的室壁立即被吸收?！咎崾荆嚎臻g角是三維空間中的角度度量，用于描述從一個(gè)點(diǎn)出發(fā)所能觀察到的立體角，半頂角為θ的圓錐形發(fā)散空間角為2π(1-cos(1)寫出氘和氚核聚變的核反應(yīng)方程式；(2)若粒子以v0速度沿真空室軸線做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，求極向場線圈產(chǎn)生磁場的大?。?3)將裝置中相鄰環(huán)向場線圈簡化為兩個(gè)平行線圈，通電后在真空室內(nèi)產(chǎn)生磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場，如圖丙所示。位于兩個(gè)線圈軸線中點(diǎn)的粒子源O向右側(cè)各個(gè)方向均勻發(fā)射速度大小為v0①若某粒子發(fā)射時(shí)速度方向與x軸的夾角θ=37°，求該粒子做螺旋線運(yùn)動(dòng)的螺距；②求粒子源發(fā)出的粒子沒有被室壁吸收的百分比η1(4)實(shí)際裝置的環(huán)向場線圈產(chǎn)生類似“磁瓶”形狀的非勻強(qiáng)磁場來約束粒子，如圖丁所示。已知沿軸線方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度最大和最小的關(guān)系為：Bmax=k1Bmin，在粒子運(yùn)行過程中，垂直軸線方向速度的平方與沿軸線方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小之比為一常數(shù)，即v⊥2B19.（2025·浙江紹興一中·模擬）《中國激光》雜志第六期（2025.3）報(bào)道，上海光學(xué)精密機(jī)械研究所林楠團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新地采用固體激光器方案，實(shí)現(xiàn)了LPP-EUV光源技術(shù)全球領(lǐng)先，這標(biāo)志著國產(chǎn)芯片制造邁入了新階段。物理氣相沉積鍍膜是芯片制作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，該設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖簡化如下（z方向足夠長），晶圓（截面MN）固定放置于xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，OMN區(qū)域內(nèi)有勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1×10-2T，方向沿z軸負(fù)方向；第二象限內(nèi)有勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)E=2×104V/m，方向沿y軸負(fù)方向。初速可略的氬離子（比荷q1/m1=2.4×106C/kg）經(jīng)電壓為(1)U的數(shù)值；(2)假設(shè)進(jìn)入磁場的離子沿各個(gè)方向都有，求晶圓MN方向上的涂膜（金屬離子打中的區(qū)域）長度；(3)假設(shè)從O點(diǎn)飛入磁場的離子分布在半頂角θ=45°的圓錐側(cè)面上，圓錐對稱軸垂直于晶圓截面，如圖乙，考察α=90°方向上的離子，打在晶圓上的位置坐標(biāo)。專題10磁場考點(diǎn)五年考情（2021-2025）命題趨勢考點(diǎn)1磁場與磁現(xiàn)象2021、2022、2024聚焦基礎(chǔ)概念與模型分析。以磁電式電表為背景，考查磁場分布與安培力方向的判斷，需結(jié)合左手定則和磁感線分布分析。計(jì)算題則常與力學(xué)、電磁學(xué)跨模塊綜合以“質(zhì)子束反射折射裝置”為背景，要求聯(lián)立洛倫茲力公式與動(dòng)量定理，分析帶電粒子在磁場中的軌跡調(diào)控。實(shí)驗(yàn)題雖未直接考查磁場，但隱含相關(guān)分析安培力與電磁感應(yīng)：命題從單一通電導(dǎo)線擴(kuò)展至多導(dǎo)體系統(tǒng)，通過正方形線框在變化磁場中的運(yùn)動(dòng)，要求聯(lián)立法拉第電磁感應(yīng)定律與焦耳定律計(jì)算安培力和發(fā)熱功率。以“電磁撬技術(shù)”為情境，考查電磁感應(yīng)與恒定電流的動(dòng)態(tài)建模，涉及安培力與焦耳熱的關(guān)聯(lián)分析。、帶電粒子運(yùn)動(dòng)與能量轉(zhuǎn)化：高頻考點(diǎn)從勻速圓周運(yùn)動(dòng)擴(kuò)展至復(fù)合場中的復(fù)雜軌跡，需綜合應(yīng)用動(dòng)能定理與運(yùn)動(dòng)分解。要求結(jié)合半衰期模型推導(dǎo)核反應(yīng)方程，并利用磁場確定粒子電性與動(dòng)量。磁場疊加與邊界條件：命題注重磁場分布的空間分析?？键c(diǎn)2安培力2021、2022、2023、2024、2025考點(diǎn)3洛倫茲力2024考點(diǎn)4帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)2022、2023考點(diǎn)5帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動(dòng)2021、2022、2023、2024、2025考點(diǎn)01磁場與磁現(xiàn)象1．（2024·浙江·1月選考）磁電式電表原理示意圖如圖所示，兩磁極裝有極靴，極靴中間還有一個(gè)用軟鐵制成的圓柱。極靴與圓柱間的磁場都沿半徑方向，兩者之間有可轉(zhuǎn)動(dòng)的線圈。a、b、c和d為磁場中的四個(gè)點(diǎn)。下列說法正確的是（）A．圖示左側(cè)通電導(dǎo)線受到安培力向下 B．a(chǎn)、b兩點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度相同C．圓柱內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度處處為零 D．c、d兩點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等2．（2022·浙江·6月選考）下列說法正確的是（

）A．恒定磁場對靜置于其中的電荷有力的作用B．小磁針N極在磁場中的受力方向是該點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向C．正弦交流發(fā)電機(jī)工作時(shí)，穿過線圈平面的磁通量最大時(shí)，電流最大D．升壓變壓器中，副線圈的磁通量變化率大于原線圈的磁通量變化率3．（2021·浙江·1月選考）如圖所示是通有恒定電流的環(huán)形線圈和螺線管的磁感線分布圖。若通電螺線管是密繞的，下列說法正確的是（）A．電流越大，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場B．螺線管越長，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場C．螺線管直徑越大，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場D．磁感線畫得越密，內(nèi)部的磁場越接近勻強(qiáng)磁場考點(diǎn)02安培力4．（（2025·浙江·1月選考）如圖所示，接有恒流源的正方形線框邊長2L、質(zhì)量m、電阻R，放在光滑水平地面上，線框部分處于垂直地面向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中。以磁場邊界CD上一點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，水平向右建立Ox軸，線框中心和一條對角線始終位于Ox軸上。開關(guān)S(1)線框中心位于x=0，閉合開關(guān)S后，線框中電流大小為I，求①閉合開關(guān)S瞬間，線框受到的安培力大??；②線框中心運(yùn)動(dòng)至x=L③線框中心運(yùn)動(dòng)至x=L(2)線框中心分別位于x=0和x=L2，閉合開關(guān)S后，線框中電流大小為I，線框中心分別運(yùn)動(dòng)到x=L所需時(shí)間分別為t1和t5．（2024·浙江·6月選考）如圖所示，邊長為1m、電阻為0.04Ω的剛性正方形線框abcd放在與強(qiáng)磁場中，線框平面與磁場B垂直。若線框固定不動(dòng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度以ΔBΔt=0.1T/s均勻增大時(shí)，線框的發(fā)熱功率為P；若磁感應(yīng)強(qiáng)度恒為0.2T，線框以某一角速度繞其中心軸OOA．12N B．22N C．1N6．（2023·浙江·6月選考）如圖所示，質(zhì)量為M、電阻為R、長為L的導(dǎo)體棒，通過兩根長均為l、質(zhì)量不計(jì)的導(dǎo)電細(xì)桿連在等高的兩固定點(diǎn)上，固定點(diǎn)間距也為L。細(xì)桿通過開關(guān)S可與直流電源E0或理想二極管串接。在導(dǎo)體棒所在空間存在磁感應(yīng)強(qiáng)度方向豎直向上、大小為B的勻強(qiáng)磁場，不計(jì)空氣阻力和其它電阻。開關(guān)S接1，當(dāng)導(dǎo)體棒靜止時(shí)，細(xì)桿與豎直方向的夾角固定點(diǎn)θ=π4；然后開關(guān)S接2

A．電源電動(dòng)勢E0=2C．從左向右運(yùn)動(dòng)時(shí)，最大擺角小于π4 D7．（2022·浙江·1月選考）如圖所示，將一通電螺線管豎直放置，螺線管內(nèi)部形成方向豎直向上、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=kt的勻強(qiáng)磁場，在內(nèi)部用絕緣輕繩懸掛一與螺線管共軸的金屬薄圓管，其電阻率為ρ、高度為h、半徑為r、厚度為d（d?r），則（）A．從上向下看，圓管中的感應(yīng)電流為逆時(shí)針方向B．圓管的感應(yīng)電動(dòng)勢大小為kπC．圓管的熱功率大小為πdhD．輕繩對圓管的拉力隨時(shí)間減小8．（2022·浙江·1月選考）利用如圖所示裝置探究勻強(qiáng)磁場中影響通電導(dǎo)線受力的因素，導(dǎo)線垂直勻強(qiáng)磁場方向放置。先保持導(dǎo)線通電部分的長度L不變，改變電流I的大小，然后保持電流I不變，改變導(dǎo)線通電部分的長度L，得到導(dǎo)線受到的安培力F分別與I和L的關(guān)系圖象，則正確的是（）A． B．C． D．9．（2021·浙江·6月選考）如圖所示，有兩根用超導(dǎo)材料制成的長直平行細(xì)導(dǎo)線a、b，分別通以80A和100A流向相同的電流，兩導(dǎo)線構(gòu)成的平面內(nèi)有一點(diǎn)p，到兩導(dǎo)線的距離相等。下列說法正確的是（）A．兩導(dǎo)線受到的安培力FB．導(dǎo)線所受的安培力可以用F=ILB計(jì)算C．移走導(dǎo)線b前后，p點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向改變D．在離兩導(dǎo)線所在的平面有一定距離的有限空間內(nèi)，不存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的位置考點(diǎn)03洛倫茲力10.（2024·浙江·6月選考）如圖所示，一根固定的足夠長的光滑絕緣細(xì)桿與水平面成θ角。質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電小球套在細(xì)桿上。小球始終處于磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場中。磁場方向垂直細(xì)桿所在的豎直面，不計(jì)空氣阻力。小球以初速度v0A．合力沖量大小為mv0cos? B．重力沖量大小為mC．洛倫茲力沖量大小為qBv022g考點(diǎn)04帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)11.（2023·浙江·6月選考）利用磁場實(shí)現(xiàn)離子偏轉(zhuǎn)是科學(xué)儀器中廣泛應(yīng)用的技術(shù)。如圖所示，Oxy平面（紙面）的第一象限內(nèi)有足夠長且寬度均為L、邊界均平行x軸的區(qū)域Ⅰ和Ⅱ，其中區(qū)域Ⅰ存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B1的勻強(qiáng)磁場，區(qū)域Ⅱ存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B2的磁場，方向均垂直紙面向里，區(qū)域Ⅱ的下邊界與x軸重合。位于(0,3L)處的離子源能釋放出質(zhì)量為m、電荷量為q、速度方向與x軸夾角為60°的正離子束，沿紙面射向磁場區(qū)域。不計(jì)離子的重力及離子間的相互作用，并忽略磁場的邊界效應(yīng)。（1）求離子不進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅱ的最大速度v1及其在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t；（2）若B2=2B1，求能到達(dá)y=（3）若B2=B1L

12．（2022·浙江·6月選考）離子速度分析器截面圖如圖所示。半徑為R的空心轉(zhuǎn)筒P，可繞過O點(diǎn)、垂直xOy平面（紙面）的中心軸逆時(shí)針勻速轉(zhuǎn)動(dòng)（角速度大小可調(diào)），其上有一小孔S。整個(gè)轉(zhuǎn)筒內(nèi)部存在方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場。轉(zhuǎn)筒下方有一與其共軸的半圓柱面探測板Q，板Q與y軸交于A點(diǎn)。離子源M能沿著x軸射出質(zhì)量為m、電荷量為–q（q>0）、速度大小不同的離子，其中速度大小為v0的離子進(jìn)入轉(zhuǎn)筒，經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后恰好沿y軸負(fù)方向離開磁場。落在接地的筒壁或探測板上的離子被吸收且失去所帶電荷，不計(jì)離子的重力和離子間的相互作用。（1）①求磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大?。虎谌羲俣却笮関0的離子能打在板Q的A處，求轉(zhuǎn)筒P角速度ω的大?。唬?）較長時(shí)間后，轉(zhuǎn)筒P每轉(zhuǎn)一周有N個(gè)離子打在板Q的C處，OC與x軸負(fù)方向的夾角為θ，求轉(zhuǎn)筒轉(zhuǎn)動(dòng)一周的時(shí)間內(nèi)，C處受到平均沖力F的大?。唬?）若轉(zhuǎn)筒P的角速度小于6v0R，且A處探測到離子，求板Q上能探測到離子的其他θ′的值（θ′為探測點(diǎn)位置和O考點(diǎn)05帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動(dòng)13.（2025·浙江·1月選考）同位素614C相對含量的測量在考古學(xué)中有重要應(yīng)用，其測量系統(tǒng)如圖1所示。將少量古木樣品碳化、電離后，產(chǎn)生的離子經(jīng)過靜電分析儀ESA-I、磁體-I和高電壓清除器，讓只含有三種碳同位素612C、613C、614C的C3+離子束（初速度可忽略不計(jì)）進(jìn)入磁體-Ⅱ．磁體-Ⅱ由電勢差為U的加速電極P，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、半徑為R的四分之一圓弧細(xì)管道和離子接收器F構(gòu)成。通過調(diào)節(jié)U，可分離612C、613C、614C(1)寫出中子與714N發(fā)生核反應(yīng)生成614C，以及(2)根據(jù)圖2寫出612C的C3+離子所對應(yīng)的U值，并求磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大?。ㄓ?jì)算結(jié)果保留兩位有效數(shù)字。已知R=0.2m(3)如圖1所示，ESA-Ⅱ可簡化為間距d=5cm兩平行極板，在下極板開有間距L=10cm的兩小孔，僅允許入射角φ=45°的6(4)對古木樣品，測得614C與612C離子數(shù)之比值為4×10-13；采用同樣辦法，測得活木頭中614C14.（2024·浙江·6月選考）探究性學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)了一個(gè)能在噴鍍板的上下表面噴鍍不同離子的實(shí)驗(yàn)裝置，截面如圖所示。在xOy平面內(nèi)，除x軸和虛線之間的區(qū)域外，存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，在無磁場區(qū)域內(nèi)，沿著x軸依次放置離子源、長度為L的噴鍍板P、長度均為L的柵極板M和N（由金屬細(xì)絲組成的網(wǎng)狀電極），噴鍍板P上表面中點(diǎn)Q的坐標(biāo)為（1.5L，0），柵極板M中點(diǎn)S的坐標(biāo)為（3L，0），離子源產(chǎn)生a和b兩種正離子，其中a離子質(zhì)量為m，電荷量為q，b離子的比荷為a離子的14倍，經(jīng)電壓U=kU0（其中U0=B2qL28m，k大小可調(diào)，a和b離子初速度視為0）的電場加速后，沿著y軸射入上方磁場。經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)和柵極板N和M間電壓UNM（1）若U=U0，求a離子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后，到達(dá)x軸上的位置x0（用L表示）。（2）調(diào)節(jié)U和UNM，并保持UNM=34U①U的調(diào)節(jié)范圍（用U0表示）；②b離子落在噴鍍板P下表面的區(qū)域長度；（3）要求a和b離子恰好分別落在噴鍍板P上下表面的中點(diǎn)，求U和UNM的大小。15.（2024·浙江·1月選考）類似光學(xué)中的反射和折射現(xiàn)象，用磁場或電場調(diào)控也能實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束的“反射”和“折射”。如圖所示，在豎直平面內(nèi)有三個(gè)平行區(qū)域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ；Ⅰ區(qū)寬度為d，存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直平面向外的勻強(qiáng)磁場，Ⅱ區(qū)的寬度很小。Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)電勢處處相等，分別為φⅠ和φⅢ，其電勢差U=φⅠ-φⅢ。一束質(zhì)量為m、電荷量為e的質(zhì)子從O點(diǎn)以入射角θ射向Ⅰ區(qū)，在P點(diǎn)以出射角θ射出，實(shí)現(xiàn)“反射”；質(zhì)子束從P點(diǎn)以入射角θ射入Ⅱ區(qū)，經(jīng)Ⅱ區(qū)“折射”進(jìn)入Ⅲ區(qū)，其出射方向與法線夾角為“（1）若不同角度射向磁場的質(zhì)子都能實(shí)現(xiàn)“反射”，求d的最小值；（2）若U=mv022e，求（3）計(jì)算說明如何調(diào)控電場，實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束從P點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)發(fā)生“全反射”（即質(zhì)子束全部返回Ⅰ區(qū)）（4）在P點(diǎn)下方距離3mv0eB處水平放置一長為4mv0eB的探測板CQD（Q在P的正下方），CQ長為mv0eB，質(zhì)子打在探測板上即被吸收中和。若還有另一相同質(zhì)子束，與原質(zhì)子束關(guān)于法線左右對稱，同時(shí)從16.（2023·浙江·1月選考）探究離子源發(fā)射速度大小和方向分布的原理如圖所示。x軸上方存在垂直xOy平面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場。x軸下方的分析器由兩塊相距為d、長度足夠的平行金屬薄板M和N組成，其中位于x軸的M板中心有一小孔C（孔徑忽略不計(jì)），N板連接電流表后接地。位于坐標(biāo)原點(diǎn)O的離子源能發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子，其速度方向與y軸夾角最大值為60°；且各個(gè)方向均有速度大小連續(xù)分布在12v0和2v0之間的離子射出。已知速度大小為v0、沿y（1）求孔C所處位置的坐標(biāo)x0（2）求離子打在N板上區(qū)域的長度L；（3）若在N與M板之間加載電壓，調(diào)節(jié)其大小，求電流表示數(shù)剛為0時(shí)的電壓U0（4）若將分析器沿著x軸平移，調(diào)節(jié)加載在N與M板之間的電壓，求電流表示數(shù)剛為0時(shí)的電壓Ux與孔C位置坐標(biāo)x17.（2023·浙江·1月選考）某興趣小組設(shè)計(jì)的測量大電流的裝置如圖所示，通有電流I的螺繞環(huán)在霍爾元件處產(chǎn)生的磁場B=k1I，通有待測電流I'的直導(dǎo)線ab垂直穿過螺繞環(huán)中心，在霍爾元件處產(chǎn)生的磁場B'=k2IA．a(chǎn)→b，k2k1I0C．b→a，k2k1I018.（2022·浙江·6月選考）如圖為某一徑向電場的示意圖，電場強(qiáng)度大小可表示為E=ar，a為常量。比荷相同的兩粒子在半徑A．軌道半徑r小的粒子角速度一定小B．電荷量大的粒子的動(dòng)能一定大C．粒子的速度大小與軌道半徑r一定無關(guān)D．當(dāng)加垂直紙面磁場時(shí)，粒子一定做離心運(yùn)動(dòng)19．（2022·浙江·1月選考）如圖為研究光電效應(yīng)的裝置示意圖，該裝置可用于分析光子的信息。在xOy平面（紙面）內(nèi)，垂直紙面的金屬薄板M、N與y軸平行放置，板N中間有一小孔O。有一由x軸、y軸和以O(shè)為圓心、圓心角為90°的半徑不同的兩條圓弧所圍的區(qū)域Ⅰ，整個(gè)區(qū)域Ⅰ內(nèi)存在大小可調(diào)、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)電場和磁感應(yīng)強(qiáng)度大小恒為B1、磁感線與圓弧平行且逆時(shí)針方向的磁場。區(qū)域Ⅰ右側(cè)還有一左邊界與y軸平行且相距為l、下邊界與x軸重合的勻強(qiáng)磁場區(qū)域Ⅱ，其寬度為a，長度足夠長，其中的磁場方向垂直紙面向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)。光電子從板M逸出后經(jīng)極板間電壓U加速（板間電場視為勻強(qiáng)電場），調(diào)節(jié)區(qū)域Ⅰ的電場強(qiáng)度和區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度，使電子恰好打在坐標(biāo)為（a+2l，0）的點(diǎn)上，被置于該處的探測器接收。已知電子質(zhì)量為m、電荷量為e，板M的逸出功為W0，普朗克常量為h。忽略電子的重力及電子間的作用力。當(dāng)頻率為ν的光照射板M時(shí)有光電子逸出，（1）求逸出光電子的最大初動(dòng)能Ekm，并求光電子從O點(diǎn)射入?yún)^(qū)域Ⅰ時(shí)的速度v0的大小范圍；（2）若區(qū)域Ⅰ的電場強(qiáng)度大小E=B13eUm，區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B2=emUea，求被探測到的電子剛從板M（3）為了使從O點(diǎn)以各種大小和方向的速度射向區(qū)域Ⅰ的電子都能被探測到，需要調(diào)節(jié)區(qū)域Ⅰ的電場強(qiáng)度E和區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度B2，求E的最大值和B2的最大值。20．（2021·浙江·6月選考）如圖甲所示，空間站上某種離子推進(jìn)器由離子源、間距為d的中間有小孔的兩平行金屬板M、N和邊長為L的立方體構(gòu)成，其后端面P為噴口。以金屬板N的中心O為坐標(biāo)原點(diǎn)，垂直立方體側(cè)面和金屬板建立x、y和z坐標(biāo)軸。M、N板之間存在場強(qiáng)為E、方向沿z軸正方向的勻強(qiáng)電場；立方體內(nèi)存在磁場，其磁感應(yīng)強(qiáng)度沿z方向的分量始終為零，沿x和y方向的分量Bx和By隨時(shí)間周期性變化規(guī)律如圖乙所示，圖中B0可調(diào)。氙離子（Xe2+）束從離子源小孔S射出，沿z方向勻速運(yùn)動(dòng)到M板，經(jīng)電場加速進(jìn)入磁場區(qū)域，最后從端面P射出，測得離子經(jīng)電場加速后在金屬板N中心點(diǎn)O處相對推進(jìn)器的速度為v0。已知單個(gè)離子的質(zhì)量為（1）求離子從小孔S射出時(shí)相對推進(jìn)器的速度大小vS；（2）不考慮在磁場突變時(shí)運(yùn)動(dòng)的離子，調(diào)節(jié)B0的值，使得從小孔S射出的離子均能從噴口后端面P射出，求B（3）設(shè)離子在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間遠(yuǎn)小于磁場變化周期T，單位時(shí)間從端面P射出的離子數(shù)為n，且B0=2mv21.（2021·浙江·1月選考）在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，然后通過磁分析器，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓（硅片）。速度選擇器、磁分析器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán)，其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場和磁場的分布區(qū)域是同一邊長為L的正方體，其偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的底面與晶圓所在水平面平行，間距也為L。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場及磁場時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)（即圖中坐標(biāo)原點(diǎn)，x軸垂直紙面向外）。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，不計(jì)離子重力，打在晶圓上的離子，經(jīng)過電場和磁場偏轉(zhuǎn)的角度都很小。當(dāng)α很小時(shí)，有sinα≈tanα≈α(1)離子通過速度選擇器后的速度大小v和磁分析器選擇出來離子的比荷；(2)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場時(shí)離子注入晶圓的位置，用坐標(biāo)(x，y)表示；(3)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場時(shí)離子注入晶圓的位置，用坐標(biāo)(x，y)表示；(4)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)同時(shí)加上電場和磁場時(shí)離子注入晶圓的位置，用坐標(biāo)(x，y)表示，并說明理由。1．（2025·浙江Z20名校聯(lián)盟·模擬預(yù)測）電磁彈射器在我國自行研制的第三艘航空母艦“福建號”進(jìn)行了使用。其原理是彈射車處于強(qiáng)磁場中，當(dāng)彈射車內(nèi)的導(dǎo)體有強(qiáng)電流通過時(shí)，彈射車就給艦載機(jī)提供強(qiáng)大的推力而快速起飛，下列與其原理相同的是（）A． B．C． D．2．（2025·浙江北斗星盟·三模）一個(gè)處于勻強(qiáng)磁場中的靜止放射性原子核，由于發(fā)生了衰變而生成a，b兩粒子，在磁場中形成如圖所示的兩個(gè)圓形徑跡，兩圓半徑之比為1：45，下列判斷正確的是（）A．該原子核發(fā)生了β衰變 B．a(chǎn)粒子做順時(shí)針運(yùn)動(dòng)C．原來靜止的核，其原子序數(shù)為92 D．兩粒子的運(yùn)動(dòng)周期相等3．（2025·浙江稽陽聯(lián)誼學(xué)校·二模）下列物理量是標(biāo)量且其單位用國際單位制基本單位表示正確的是（）A．功，kg?m/s2C．電場強(qiáng)度，N/C D．磁通量，kg4．（2025·浙江金華義烏·三模）甲、乙、丙、丁四幅圖分別是回旋加速器、磁流體發(fā)電機(jī)、泊松亮斑、重核裂變的結(jié)構(gòu)示意圖，下列說法中正確的是（）A．圖甲中增大交變電壓場的電壓可增大粒子的最大動(dòng)能B．圖乙中磁流體發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的電動(dòng)勢大小與等離子體的濃度無關(guān)C．圖丙中的泊松亮斑支持了光的波動(dòng)說，它是菲涅爾通過實(shí)驗(yàn)觀察到的D．圖丁所示的核反應(yīng)屬于重核裂變，鋇141的平均核子質(zhì)量、比結(jié)合能都比鈾235的小5．（2025·浙江紹興一中·模擬）利用霍爾元件可以進(jìn)行微小位移的測量。如圖甲所示，將固定有霍爾元件的物體置于兩塊磁性強(qiáng)弱相同、同極相對放置的磁體縫隙中，建立如圖乙所示的空間坐標(biāo)系。保持沿x方向通過霍爾元件的電流I不變，當(dāng)物體沿z軸方向移動(dòng)時(shí)，由于不同位置處磁感應(yīng)強(qiáng)度B不同，霍爾元件將在y軸方向的上、下表面間產(chǎn)生不同的霍爾電壓UH。當(dāng)霍爾元件處于中間位置時(shí)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0，UH=0，將該點(diǎn)作為位移的零點(diǎn)。在小范圍內(nèi)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和坐標(biāo)zA．在小范圍內(nèi)，霍爾電壓UH的大小和坐標(biāo)zB．其他條件相同的情況下，電流I越大，霍爾電壓UHC．其他條件相同的情況下，霍爾元件沿z軸方向的長度越小，霍爾電壓UHD．若霍爾元件中的載流子為電子，測得霍爾元件上表面電勢高，說明元件向z軸正方向移動(dòng)6．（2025·浙江金華義烏·三模）下列物理量中是標(biāo)量，且其單位用國際制基本單位表示正確的是（）A．動(dòng)量

N·t B．安培力

kg·m·s-2C．重力勢能

kg·m2·s-2 D．電動(dòng)勢

V·m7．（2025·浙江精誠聯(lián)盟·二模）汽車裝有加速度傳感器，以測量汽車行駛時(shí)縱向加速度。加速度傳感器有一個(gè)彈性梁，一端夾緊固定，另一端連接霍爾元件，如圖所示。汽車靜止時(shí)，霍爾元件處在上下正對的兩個(gè)相同磁體中央位置，如果汽車有一向上的縱向加速度，則霍爾元件離開中央位置而向下偏移。偏移程度與加速度大小有關(guān)。如霍爾元件通入從左往右的電流，則下說法正確的是（）A．若霍爾元件材料為N型半導(dǎo)體（載流子為電子），則前表面比后表面的電勢高B．若汽車加速度越大，則霍爾電壓也越大C．若汽車縱向加速度為0，增大電流，則監(jiān)測到的霍爾電壓也會(huì)增大D．若汽車速度增大，則霍爾電壓也增大8．．（2025·浙江寧波·三模）如圖甲為利用電磁驅(qū)動(dòng)原理制作的交流感應(yīng)電動(dòng)機(jī)。三個(gè)線圈連接到三相電源上，電流形成的磁場可等效為以角速度ω0轉(zhuǎn)動(dòng)的輻向磁場。邊長為l、總電阻為R的單匝正方形線框ABCD可繞其中心軸OO'旋轉(zhuǎn)，圖乙為這種驅(qū)動(dòng)裝置的俯視圖，線框的兩條邊AB、CD所處位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B。當(dāng)線框由靜止開始轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，AB、CD兩條邊受到的阻力均為Ff=kv，其中比例系數(shù)k=2BA．線框的轉(zhuǎn)動(dòng)方向與輻向磁場的轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反B．線框的角速度大小為ωC．線框的感應(yīng)電動(dòng)勢大小為BD．線框AB邊所受安培力大小為B9．（2025·浙江金華·三模）π+介子會(huì)發(fā)生衰變，反應(yīng)方程式為π+→μ++vμ，即生成一個(gè)μ+介子和一個(gè)μ子中微子。在云室中可觀察到πA．1∶1 B．1∶3 C．3∶1 D．2∶110．（2025·浙江紹興·三模）磁懸浮列車是一種使用磁力使得列車懸浮起來移動(dòng)的交通工具，由于懸浮行駛時(shí)不與地面接觸，故可減小摩擦力，以便獲得較高的行駛速度。如圖1所示，科學(xué)家利用EDS系統(tǒng)來產(chǎn)生懸浮，列車在導(dǎo)槽內(nèi)行駛，車廂的兩側(cè)有電磁鐵，而導(dǎo)槽兩側(cè)則有“8”字形的線圈，當(dāng)車輛兩側(cè)的電磁鐵（左側(cè)N極、右側(cè)S極）通過“8”字形線圈時(shí)會(huì)在線圈上感應(yīng)出電流，感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場又與電磁鐵產(chǎn)生排斥及吸引作用，形成一個(gè)向上的磁力使得列車懸浮起來。某時(shí)刻車廂的左邊電磁鐵靠近“8”字形線圈產(chǎn)生圖2中方向所示的感應(yīng)電流，則關(guān)于電磁鐵與線圈的相對位置說法正確的是（）A．電磁鐵中心與線圈中心等高B．電磁鐵中心高于線圈中心C．電磁鐵中心低于線圈中心D．電磁鐵中心高于或等于線圈中心11．（2025·浙江·選考測評）石墨烯是一種由碳原子組成的呈蜂巢晶格結(jié)構(gòu)的單層二維納米材料，利用如圖所示的電路可測量石墨烯樣品的載流子的濃度（即1m2內(nèi)所含電子個(gè)數(shù)）。在石墨烯表面加方向垂直向里，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場，在電極1、3間通以恒定電流I，則電極2、4間將產(chǎn)生電壓U。已知電子的電荷量為e，則該樣品的載流子濃度為（A．2UBeI B．UBeI C．IBeU12．（2025·浙江·選考測評）下列各物理量是矢量且括號中對應(yīng)單位正確的是（

）A．電勢（V） B．電流（A）C．加速度的變化率ms3 D13．（2025·浙江溫州·二模）有關(guān)下列四幅圖的描述，正確的是（）A．圖甲中，線圈順時(shí)針勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，電路中A、B發(fā)光二極管不會(huì)交替發(fā)光B．圖乙中，強(qiáng)相互作用可以存在于各種核子之間，作用范圍只有約10?10mC．圖丙中，磁電式儀表中的鋁框可使指針較快停止擺動(dòng)，是利用了電磁驅(qū)動(dòng)的原理D．圖丁中，自由電荷為負(fù)電荷的霍爾元件（電流和磁場方向如圖所示）的N側(cè)電勢高14．（2025·浙江金華·三模）在無線長通電直導(dǎo)線周圍某點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度B與距離r的一次方成反比，可表示為B=kIr?，F(xiàn)有一半徑為R的薄壁長圓筒如圖1，其壁上電流I0，在筒內(nèi)側(cè)磁感應(yīng)強(qiáng)度處處為0A．圓筒側(cè)壁單位面積受到的壓力為kB．圓筒左半側(cè)在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度水平垂直紙面向里C