《電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備》編制說明

（征求意見稿）

一、工作簡況

1任務(wù)來源

本項目來源于中國電工技術(shù)學(xué)會2024年第二批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃，項目編

號：CESBZ2024039，項目名稱：《電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備》。本標(biāo)準(zhǔn)為制定項

目，屬產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)，由蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司負(fù)責(zé)起草，計劃應(yīng)完成時

間2025年。

2主要工作過程

起草（草案、調(diào)研）階段：2023年6月成立標(biāo)準(zhǔn)起草工作組，分不同地域?qū)?/p>

電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備進(jìn)行調(diào)研，收集設(shè)備穩(wěn)定生長碳化硅單晶時主要部件的

相關(guān)參數(shù)。2024年7月，由標(biāo)準(zhǔn)起草工作組負(fù)責(zé)起草標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿、編制說明。

2024年8月，由標(biāo)準(zhǔn)起草負(fù)責(zé)單位蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司召集行業(yè)內(nèi)

的專家和相關(guān)企業(yè)，共同討論并制定標(biāo)準(zhǔn)的初步內(nèi)容。根據(jù)中國電工技術(shù)學(xué)會專家

意見對標(biāo)準(zhǔn)所涉及的術(shù)語、技術(shù)要求、試驗方法和檢測規(guī)則等多個方面的內(nèi)容，進(jìn)

行了多次討論，并進(jìn)行了詳細(xì)的修改，對標(biāo)準(zhǔn)草案進(jìn)行進(jìn)一步完善形成征求意見稿、

編制說明。

征求意見階段：2024年10月，中國電工技術(shù)學(xué)會標(biāo)準(zhǔn)工作委員會電熱工作組

將標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿及編制說明發(fā)往60個相關(guān)單位征求意見。

審查階段：

報批階段：

3主要參加單位和工作組成員及其所做的工作

本文件由蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司負(fù)責(zé)具體的制定工作。

項目參加單位：西安電爐研究所有限公司、江蘇科技大學(xué)。

主要成員：蔡金榮、余維江、李琨、陳建明、張禮華、陳曙光、王葉松、裴永

勝、趙文超、袁長路、劉海娥。

主要起草人所做的工作：蔡金榮任起草工作組組長，全面協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)起草工作，

同時也是本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人。余維江、李琨、陳建明負(fù)責(zé)收集相關(guān)參數(shù)驗證數(shù)據(jù)，

對電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備相關(guān)指標(biāo)進(jìn)行調(diào)研、分析比對。張禮華、陳曙光、王

葉松、裴永勝負(fù)責(zé)對各方面的意見和建議進(jìn)行歸納整理和修訂，趙文超、袁長路、

劉海娥負(fù)責(zé)其他材料的編制。

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和主要內(nèi)容

1標(biāo)準(zhǔn)編制原則

本文件在制定過程中遵循“面向市場、服務(wù)產(chǎn)業(yè)、自主制定、適時推出、及時

修訂、不斷完善”的原則，標(biāo)準(zhǔn)制定與技術(shù)創(chuàng)新、試驗驗證、產(chǎn)業(yè)推進(jìn)、應(yīng)用推廣

相結(jié)合，統(tǒng)籌推進(jìn)。

本文件在結(jié)構(gòu)編寫和內(nèi)容編排等方面依據(jù)GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則

第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》進(jìn)行編寫。在確定本文件主要技術(shù)性能

指標(biāo)時，綜合考慮生產(chǎn)企業(yè)的能力和用戶的利益，尋求最大的經(jīng)濟(jì)、社會效益，充

分體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)在技術(shù)上的先進(jìn)性和合理性。

2標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容

本文件規(guī)定了電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗

方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等。本文件適用于物理氣相傳輸法

PVT(physicalvaportransport)生長半導(dǎo)體碳化硅、氮化鋁等單晶爐。

本文件主要性能指標(biāo)包括工作溫度、工作真空度、空爐抽氣時間、壓升率等。

對例行試驗方法以及產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證和合格評定進(jìn)行規(guī)定，并給出了各項性能指標(biāo)的

檢驗方法。

3解決的主要問題

本文件為首次制定，充分納入和反映了當(dāng)今新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的先進(jìn)技

術(shù)成果，保證了標(biāo)準(zhǔn)的時效性，為我國電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)提供了

統(tǒng)一的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，改變了國內(nèi)無標(biāo)可用的現(xiàn)狀，同時填補(bǔ)了電阻法碳化硅單晶生長

設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的空白，進(jìn)一步推進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化升級，推動我國電阻法碳化硅單晶生

長設(shè)備技術(shù)快速發(fā)展。本文件的發(fā)布，對提升標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)性、合理性和適用性，提

高其節(jié)能水平起到了關(guān)鍵性的引導(dǎo)作用。

三、主要試驗（或驗證）情況

本文件經(jīng)驗證并結(jié)合當(dāng)前行業(yè)現(xiàn)狀制定，以企業(yè)超5年以上的實際生產(chǎn)實踐和

檢驗數(shù)據(jù)為參考依據(jù)，并根據(jù)目前國內(nèi)電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備制造企業(yè)的實際

技術(shù)水平，同時考慮用戶對電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備的要求和對標(biāo)國際先進(jìn)水平，

提出了各項技術(shù)指標(biāo)。經(jīng)過廣泛征求意見，證明本文件規(guī)定的技術(shù)要求和試驗方法

先進(jìn)合理、切實可行。

四、標(biāo)準(zhǔn)中涉及專利的情況

本文件不涉及專利問題。

五、預(yù)期達(dá)到的社會效益、對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的作用等情況

第三代半導(dǎo)體材料SiC具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗

輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是支撐下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互

聯(lián)網(wǎng)、國防軍工等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵，在國家安全和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)

型升級（低碳、智能）方面均起到核心支撐作用。因此，第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)

體技術(shù)研究前沿和新的產(chǎn)業(yè)競爭焦點。

我國已將碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用納入了重點發(fā)展方向，科

技部、工信部、國家發(fā)改委等多部委出臺了多項政策予以支持，也是“863”項目、

重大專項重點支持項目。我國多地紛紛投入巨資發(fā)展“三代半”產(chǎn)業(yè)，目前已形成

一定規(guī)模的生產(chǎn)能力，預(yù)計在今后10年，碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)將以超過30%的增

速發(fā)展。碳化硅單晶生長裝置經(jīng)過20多年的不斷研究實驗已經(jīng)得到了長足的發(fā)展，

國際國內(nèi)已有3000多臺套在運(yùn)轉(zhuǎn)使用；受碳化硅材料在國防、航空、航天、石油

勘探、光存儲、寬帶通訊、太陽能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用

的快速發(fā)展，碳化硅單晶生長裝置的需求量快速擴(kuò)大，預(yù)計近10年將以每年30%

以上的增速發(fā)展，裝置保有量將超過30000臺套。

本文件的制定，將為我國“電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備”的發(fā)展提供一個重要

的基礎(chǔ)技術(shù)平臺，引導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研究，對提高產(chǎn)品質(zhì)量、提高用戶滿意度和樹

立企業(yè)品牌形象都具有重要意義。通過本標(biāo)準(zhǔn)的實施，能夠促進(jìn)“電阻法碳化硅單

晶生長設(shè)備”的推廣應(yīng)用，使用戶放心使用國產(chǎn)電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備，為國

家節(jié)省大量外匯和降低運(yùn)行費用。為電阻法碳化硅單晶生長設(shè)備打開市場，帶來重

大的經(jīng)濟(jì)和社會效益。

六、與國際、國外對比情況

本文件在制定過程中沒有查詢到相應(yīng)的國際、國外標(biāo)準(zhǔn)，因此沒有采標(biāo)。

本文件為國內(nèi)先進(jìn)水平。

七、在標(biāo)準(zhǔn)體系中的位置，與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，特別是強(qiáng)

制性標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性

0912101

工業(yè)電熱設(shè)備

010203040506070810111213

等離電子09

電弧感應(yīng)電阻微波電渣介質(zhì)電磁紅外激光燃料

子體束加伴熱

加熱加熱加熱加熱重熔加熱處理加熱加熱加熱

加熱熱裝系統(tǒng)

裝置裝置裝置裝置裝置置裝置裝置裝置裝置裝置裝置

10自01

010203040608

02連限紅

010203工中高感01030405真07鋁09續(xù)

電溫外

電精埋頻頻頻應(yīng)箱井臺罩空實材網(wǎng)加

感透熱電輻

弧煉弧感感式式車式電驗退帶熱

應(yīng)熱浴機(jī)伴射

爐爐爐應(yīng)應(yīng)爐爐爐爐阻爐火爐

設(shè)裝爐組熱器

爐爐備置爐爐帶

本文件在工業(yè)電熱設(shè)備領(lǐng)域的13大類產(chǎn)