圖34a、b、c分別為Cs3Cu2Cl5量子點在500nm、200nm、50nm標尺下的電子顯微鏡圖，利用透射電子顯微鏡對量子點的尺寸、形態(tài)和分散性進行了詳細分析。研究發(fā)現(xiàn)，Cs3Cu2Cl5量子點呈現(xiàn)出正交晶系的結(jié)構(gòu)特征，空間組群是Pnma。從透射電子顯微鏡中可以觀察到Cs3Cu2Cl5量子點形狀為近球形狀，量子點的直徑尺寸在66-120nm之間。d、e、f分別為20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點在500nm、200nm、50nm標尺下的電子顯微鏡圖，從透射電子顯微鏡中可以觀察到量子點形狀比Cs3Cu2Cl5量子點的形狀更接近六邊形，且量子點大小更加均勻，量子點的直徑尺寸在110-130nm之間。觀察結(jié)果表明，Mg元素的摻入有助于Cs3Cu2Cl5量子點形成更加均勻的形狀，并且使得量子點的形態(tài)更加規(guī)則。圖STYLEREF1\s3SEQ圖\*ARABIC\s14a~c分別是Cs3Cu2Cl5量子點在500nm、200nm、50nm標尺下的TEM，d~f分別是20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點在500nm、200nm、50nm標尺下的TEM。REF_Ref161824909\h圖35中圖a為Cs3Cu2Cl5量子點的HAADF-STEM，在對a區(qū)域打mapping得到圖b、c、d、e，圖b為各個元素成分的mapping圖，c、d、e分別為Cs元素、Cu元素、Cl元素的mapping圖。從元素成分分布的mapping圖可以看出銫元素，銅元素和氯元素均勻的分布在量子點中。圖STYLEREF1\s3SEQ圖\*ARABIC\s15a為Cs3Cu2Cl5量子點的HAADF-STEM，對a打mapping得到圖b、c、d、e，圖b為各個元素成分的mapping圖，c、d、e分別為Cs、Cu、Cl元素的mapping圖。REF_Ref161824954\h圖36中圖a為20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點的HAADF-STEM，在對a區(qū)域打mapping得到圖b、c、d、e、f，圖b為各個元素成分的mapping圖，c、d、e、f分別為Mg元素Cs元素、Cu元素、Cl元素的mapping圖。從HAADF-STEM圖中可以看出20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點尺寸均勻分布，且大小均一。從元素成分分布的mapping圖可以看出鎂元素，銫元素，銅元素和氯元素均勻的分布在量子點中。圖STYLEREF1\s3SEQ圖\*ARABIC\s16a為20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點的HAADF-STEM，圖b為各個元素成分的mapping圖，c~f分別為Mg、Cs、Cu、Cl元素的mapping圖。本章小結(jié)本章首先通過引入Mg元素合成不同摻雜比例下的Cs3Cu2Cl5量子點，并通過PL的熒光強度，選擇出強度最大的20%MgCs3Cu2Cl5量子點作為對照組，其熒光強度約為參照組的200%。通過測量XRD，Cs3Cu2Cl5量子點和20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點的XRD的峰位與標準的卡片基本吻合，說明了合成的物質(zhì)是Cs3Cu2Cl5量子點，并且Mg摻雜過程沒有導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著的變化。不同尺標下的TEM圖像進一步說明了Mg的引入促進了Cs3Cu2Cl5量子點的生長，與參照組相比，生成的量子點更為規(guī)整。從HAADF-STEM圖中也可以看出20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點尺寸均勻分布，且大小均一。元素成分分布的mapping圖也說明了鎂元素，銫元素，銅元素和氯元素均勻的分布在量子點中。

高亮度綠光LED器件的制備與測試引言LED器件發(fā)光有兩種機制：熒光轉(zhuǎn)換發(fā)光ADDINEN.CITEADDINEN.CITE.DATA[\o"Liu,2023#27"31,\o"Bai,2021#29"34,\o"Kar,2023#30"35]和光致發(fā)光ADDINEN.CITEADDINEN.CITE.DATA[\o"Mei,2019#31"36]。熒光轉(zhuǎn)換LED器件因低功耗、長壽命和簡單的制備，在LED器件中運用較廣ADDINEN.CITE<EndNote><Cite><Author>Sun</Author><Year>2016</Year><RecNum>32</RecNum><DisplayText><styleface="superscript">[37]</style></DisplayText><record><rec-number>32</rec-number><foreign-keys><keyapp="EN"db-id="wrz9af2r6p29tqefe25p0z285sesd5wdvpf2"timestamp="1712718961">32</key></foreign-keys><ref-typename="JournalArticle">17</ref-type><contributors><authors><author>Sun,C.</author><author>Zhang,Y.</author><author>Ruan,C.</author><author>Yin,C.</author><author>Wang,X.</author><author>Wang,Y.</author><author>Yu,W.W.</author></authors></contributors><auth-address>StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics,CollegeofElectronicScienceandEngineering,JilinUniversity,Changchun,130012,China. NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructuresandCollaborativeInnovationCenterofAdvancedMicrostructures,SchoolofPhysics,NanjingUniversity,Nanjing,210093,China. DepartmentofChemistryandPhysics,LouisianaStateUniversity,Shreveport,LA,71115,USA.</auth-address><titles><title>EfficientandStableWhiteLEDswithSilica-CoatedInorganicPerovskiteQuantumDots</title><secondary-title>AdvMater</secondary-title></titles><periodical><full-title>AdvMater</full-title></periodical><pages>10088-10094</pages><volume>28</volume><number>45</number><edition>2016/10/08</edition><keywords><keyword>inorganicperovskites</keyword><keyword>quantumdots</keyword><keyword>silicacoatings</keyword><keyword>stability</keyword><keyword>whitelight-emittingdiodes</keyword></keywords><dates><year>2016</year><pub-dates><date>Dec</date></pub-dates></dates><isbn>1521-4095(Electronic) 0935-9648(Linking)</isbn><accession-num>27717018</accession-num><urls><related-urls><url>/pubmed/27717018</url></related-urls></urls><electronic-resource-num>10.1002/adma.201603081</electronic-resource-num></record></Cite></EndNote>[\o"Sun,2016#32"37]。就熒光轉(zhuǎn)換LED器件來說，稀土基熒光粉因其在熒光轉(zhuǎn)換LED方面取得了重大成果，在市場中使用較廣ADDINEN.CITEADDINEN.CITE.DATA[\o"Li,2021#33"38]。但是，基于稀土類熒光粉LED器件也面臨著一些問題，如成本較高和回收困難。目前，已經(jīng)有無鉛鈣鈦礦應(yīng)用于發(fā)光和顯示領(lǐng)域，也是一種制備LED器件方案。在本文中，將在有氧的環(huán)境下用改進后的熱注入法制備Cs3Cu2Cl5量子點，然后用來制備具有高亮度綠光的熒光轉(zhuǎn)換型LED器件。實驗部分LED器件的制備過程聚甲基丙烯酸甲酯溶液的制備：首先，精確測量出400mg聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）粉末，并將其轉(zhuǎn)移到一個經(jīng)過徹底清潔的20ml容量的玻璃試劑瓶中。隨后，向瓶中注入20ml的甲苯溶劑，并加入已經(jīng)清潔過的磁力攪拌子。以600r/min攪拌2~3h，所需的PMMA溶液就制備完畢。制備好的PMMA溶液可重復(fù)使用，使用前需重新進行攪拌。LED器件的制備：在經(jīng)過離心后的Cs3Cu2Cl5量子點白色沉淀和20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點白色沉淀中分別加入0.4ml的PMMA溶液，充分震蕩超聲后，在通風(fēng)櫥中，用量程為100ul的移液槍，每次取25ul的量滴在商用280nm的紫外LED上，重復(fù)10~15次，待Cs3Cu2Cl5量子點鋪滿紫外LED芯片上，則綠光LED器件制備完成。PMMA溶液在量子點的表面形成均一穩(wěn)定的薄膜，對鈣鈦礦量子點起到保護作用。PMMA膜還有良好的透明性，因此覆蓋在量子點表面并不會影響其發(fā)光。同時，此薄膜可以阻止Cs3Cu2Cl5量子點接觸到空氣中的水和氧氣，增強量子點的發(fā)光穩(wěn)定性。LED器件的檢測檢測儀器：電致發(fā)光量子效率測量系統(tǒng)，能測量LED器件的外量子效率。此系統(tǒng)包括多個通道，可以選擇其中一個或多個通道進行測試。在本實驗中，我們只選擇一個通道。該測試系統(tǒng)可以測量發(fā)光波長、強度以及在不同電壓下的發(fā)光情況。儀器配備有積分球、光譜儀、電流源表、探針臺、光纖等組件。系統(tǒng)能夠提供全面的電致發(fā)光效率參數(shù)，如電致發(fā)光器件的EQE、亮度、色度、輻射通量等。LED測試參數(shù)(1)亮度：是描述光源或發(fā)光表面在特定方向上發(fā)光強度的物理量。用于衡量人眼能夠感知到的光源發(fā)出的光的明亮程度。亮度的單位是坎德拉每平方米（cd/m2）。(2)外量子效率（EQE）：是評價光電LED器件性能的一個重要參數(shù)。它描述了器件將輸入的電荷（電子和空穴）轉(zhuǎn)換為輸出的光子的效率。EQE是一個無量綱的比例，定義為單位時間內(nèi)從器件外部出射的光子數(shù)與注入到器件活性區(qū)的電子數(shù)之比。(3)顯色指數(shù)（CRI）：是衡量光源對物體顏色的還原能力的指標。顯色指數(shù)值越大，意味著光源在該光源照射下物體顏色的還原越接近自然光（通常以日光作為參考標準）下的顏色，即顏色失真越小，顏色表現(xiàn)越真實ADDINEN.CITE<EndNote><Cite><Author>李瑞鑫</Author><Year>2017</Year><RecNum>2</RecNum><DisplayText><styleface="superscript">[39]</style></DisplayText><record><rec-number>2</rec-number><foreign-keys><keyapp="EN"db-id="f0zzwtrspz0wroe22v1vpp5itvesf5s9zadw"timestamp="1712719932">2</key></foreign-keys><ref-typename="Thesis">32</ref-type><contributors><authors><author>李瑞鑫</author></authors><tertiary-authors><author>李宏,</author></tertiary-authors></contributors><titles><title>白光LED封裝用熒光玻璃制備及其應(yīng)用研究</title></titles><keywords><keyword>白光LED封裝</keyword><keyword>熒光玻璃</keyword><keyword>絲網(wǎng)印刷</keyword><keyword>光學(xué)性能</keyword><keyword>可靠性</keyword></keywords><dates><year>2017</year></dates><work-type>碩士</work-type><urls><related-urls><url>/kcms2/article/abstract?v=nouGVBS_tgcFA4VsrV1SpMVn2B2JkBR5_NnyLwMMpdqURiMn2BcDLaMJFTaqpg1AiV72NxsKYFDQ40dbsYfC_8xSHe93jiZD3QKB9p1zBNsRWpKExdBjJY6g_uoGJV0bXdA_92OoSQ3NisXzv608-A==&uniplatform=NZKPT&language=CHS</url></related-urls></urls><remote-database-provider>Cnki</remote-database-provider></record></Cite></EndNote>[\o"李瑞鑫,2017#2"39]。顯色指數(shù)Ra的范圍通常是從0到100，其中：Ra=0表示沒有顏色還原能力；Ra=100表示完美的顏色還原，即與自然光下的顏色完全相同。Cs3Cu2Cl5量子點制備的LED器件的表征及測試分析用制備的LED先進行點亮測試，發(fā)光效果如REF_Ref161838219\h圖41的圖a和圖b所示，所制備的LED器件均發(fā)綠光。根據(jù)REF_Ref161838219\h圖41的圖a和圖bCs3Cu2Cl5量子點和20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點制備的綠光LED隨著驅(qū)動電壓的增加的光譜強度來看，隨著驅(qū)動電壓的變化，發(fā)光峰會隨著電壓的增大向左偏移，這是由于LED器件在越高的電壓下，工作時就會產(chǎn)生更多的熱量，而溫度的生高就會導(dǎo)致發(fā)光峰的藍移，這一點也與第二章相對應(yīng)。且隨著驅(qū)動電壓的增大，峰值強度都會先增大后減小，圖f就很好的說明了這一點。REF_Ref161838219\h圖41中圖c和圖d可以看出，兩者制備的LED器件其亮度都隨著驅(qū)動電壓的增大而變大，Cs3Cu2Cl5量子點制備的綠光LED其最大亮度在驅(qū)動電壓6.5V,最大可以達到7133cd/m2，20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點制備的綠光LED其最大亮度在驅(qū)動電壓6.75V，最大可以達到13230cd/m2；未摻雜Mg元素的LED器件其外量子效率隨著驅(qū)動電壓的增大一直在減小，最后趨向于0，摻雜Mg元素的LED器件外量子效率隨著驅(qū)動電壓的增大先增大后減?。粡牧炼葋砜?，摻雜Mg的LED其亮度要更亮，約為未摻雜亮度的2倍。而且摻雜Mg元素的LED器件有較高的外量子效率，且在同一電壓下?lián)诫sMg元素的LED，其外量子效率都要比未摻雜LED要大；REF_Ref161838219\h圖41中圖e可以看出兩者都有較大的半峰全寬，隨著驅(qū)動電壓的變化，半峰全寬均在90nm以上，摻雜Mg元素的LED器件其半峰全寬在95-115nm，摻雜Mg元素的LED器件其半峰全寬在135-150nm。半寬全峰越大，這表明LED器件發(fā)出的光包含得波長就越多，摻雜Mg元素的LED器件光譜中半寬全峰較小，表明其發(fā)出的光譜純度較高，Mg摻雜符合我們制備高亮度綠光LED的預(yù)期。REF_Ref161838219\h圖41中圖f說明了在不同的驅(qū)動電壓下，在發(fā)光峰的發(fā)光強度，且隨著驅(qū)動電壓的增大，峰值強度都會先增大后減小，隨著電壓的增加，LED的功率消耗也會增加，導(dǎo)致溫度升高。Cs3Cu2Cl5量子點對于溫度較為敏感，溫度的升高導(dǎo)致發(fā)光效率下降，從而在電壓增加到一定程度后，發(fā)光峰的發(fā)光強度不再增加甚至開始下降。有Mg摻雜的LED器件其亮度均超過未摻雜的LED器件，說明Mg的摻雜的Cs3Cu2Cl5量子點發(fā)光效果更為穩(wěn)定。且發(fā)光強度的最大值時，有Mg摻雜的亮度約為未摻雜Mg的2倍。REF_Ref161838219\h圖41中圖g和圖h采用的是CIE1931色空間，可以看出未摻雜Mg元素的LED器件其發(fā)光偏向黃色，在驅(qū)動電壓6.5V下，CIE坐標為（0.3617，0.4885），顯色指數(shù)為63，相關(guān)色溫為4297K。在而摻雜Mg元素的LED器件其發(fā)光更偏向綠色，在驅(qū)動電壓6.75V下，CIE坐標為（0.3358，0.4766），顯色指數(shù)為58，相關(guān)色溫為4970K。未摻雜Mg元素的LED器件其CIE上的色坐標偏移更大，而摻雜Mg元素的LED器件其CIE上的色坐標隨著電壓的增加偏移更小，對于LED發(fā)光器件來說，在不同電流或溫度下，其CIE坐標不應(yīng)有顯著變化，而摻雜Mg元素的LED器件CIE坐標變化較小，這表明摻雜Mg元素的器件具有較好的色穩(wěn)定性和可靠性。根據(jù)表征結(jié)果和以上分析來看，20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點LED器件其性能相比較于Cs3Cu2Cl5量子點LED器件來說，其發(fā)光性能更好，發(fā)光效果更為穩(wěn)定，有更好的色穩(wěn)定性和可靠性，更適合制備高亮度綠光LED器件。圖STYLEREF1\s4SEQ圖\*ARABIC\s11a)Cs3Cu2Cl5量子點,b)20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點的綠光LED隨著驅(qū)動電壓的增加的光譜強度；c,d）不同驅(qū)動電壓下外量子效率和亮度的關(guān)系；e)半峰全寬；f)峰值強度；g,h)色坐標。本章小結(jié)把上一章節(jié)制備的量子點加入PMMA，以制備發(fā)光二極管（LED）器件。具體而言，我們分別制備了基于Cs3Cu2Cl5量子點的LED器件，以及摻雜了20%鎂的Cs3Cu2Cl5量子點LED器件。在完成這些器件的制造之后，我們對它們的性能進行了全面的測試與評估，在相同的驅(qū)動電壓下，摻雜Mg元素的LED器件亮度更大，外量子效率也更大，其半峰全寬更小，發(fā)出的光光譜純度較高。在CIE色坐標上，摻雜Mg元素的LED器件其發(fā)光更偏向綠色，而且隨著電壓的增大，其CIE上的色坐標隨著電壓的增加偏移更小，說明摻雜Mg元素的LED器件有更好的色穩(wěn)定性和可靠性?？傮w來說，20%Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點LED器件其性能相比較于Cs3Cu2Cl5量子點LED器件來說，其發(fā)光性能更好。

總結(jié)與展望總結(jié)在光電器件的研究與發(fā)展中，無鉛鈣鈦礦量子點因其卓越的光電性能和無毒性而備受矚目。特別是以無鉛鈣鈦礦量子點為基礎(chǔ)制備的發(fā)光二極管（LED），得益于其出色的光轉(zhuǎn)換效率和對環(huán)境的友好性，已經(jīng)成為研究者們關(guān)注的焦點。深入研究這類無鉛鈣鈦礦材料，不僅能夠有效減少有害元素的排放，還能夠提升光電器件的環(huán)境兼容性，這對于推動可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。值得強調(diào)的是，采用無鉛鈣鈦礦Cs3Cu2Cl5QDs制備的LED器件，不僅滿足了環(huán)保標準，而且避免了使用汞、鉛等有害元素，從而減輕了對環(huán)境的潛在影響。目前，制備無鉛鈣鈦礦Cs3Cu2Cl5主要是隔絕空氣熱注入法進行，在手套箱真空環(huán)境下制備，工藝復(fù)雜且成本較高。本文在空氣環(huán)境下用熱注入法成功的制備了Cs3Cu2Cl5量子點并通過引入鎂元素進行摻雜并成功制備了LED器件，通過摻雜制備的LED器件其發(fā)光性能有很大的提升。此論文不但彌補了在有氧環(huán)境下制備無鉛鈣鈦礦Cs3Cu2Cl5研究的不足，也拓展了此類鈣鈦礦在LED領(lǐng)域的應(yīng)用前景。本論文的創(chuàng)新點主要包括：1.空氣環(huán)境下用熱注入法制備Cs3Cu2Cl5量子點時，通過引入抗氧化劑L-抗壞血酸，成功的制備了Cs3Cu2Cl5量子點。2.通過引入Mg元素對Cs3Cu2Cl5量子點進行摻雜，成功的制備了發(fā)光性能更好的Mg摻雜Cs3Cu2Cl5量子點。本論文的研究成果包括：1.通過改變添加L-抗壞血酸的量，找到發(fā)光效果最好時添加的量，并進一步探究添加油酸的量，成功制備出Cs3Cu2Cl5量子點，并以此為基礎(chǔ)成功制備了LED器件。2.通過添加乙酸鎂來引入鎂元素來進行摻雜，提高了Cs3Cu2Cl5量子點的發(fā)光效果，并以此為基礎(chǔ)制備了LED器件。制備的LED器件性能要好于以Cs3Cu2Cl5量子點為基礎(chǔ)制備的LED器件。不足與展望鑒于個人研究能力的局限，本文的研究尚有待完善，未來研究需進一步深化：1.Cs3Cu2Cl5量子點在空氣中的穩(wěn)定性較差，容易在存放過程中發(fā)生聚集沉淀，這會對其發(fā)光特性產(chǎn)生不利影響。為了優(yōu)化這些量子點的性能并提高其穩(wěn)定性，未來的研究應(yīng)當致力于探索更為有效的合成條件，包括但不限于使用多種抗氧化劑來保護量子點免受環(huán)境因素的影響。2.本研究成功在空氣環(huán)境中合成了Cs3Cu2Cl5量子點，這一成果為有氧條件下制備為有氧環(huán)境下制備無鉛鈣鈦礦Cs3Cu2Cl5量子點提供了一種新的思路。但是由于時間與能力有限，只探索了其在LED器件的初步應(yīng)用，今后希望能進一步探索在更多光器件中的應(yīng)用。

參考文獻ADDINEN.REFLIST[1] 方文惠,張靈驕,陸冠樺,等.無鉛鈣鈦礦發(fā)光二極管的實現(xiàn)及研究進展[J].發(fā)光學(xué)報,2023,44(08):1422-38.[2] LiangH.,YuanF.,JohnstonA.,etal.HighColorPurityLead-FreePerovskiteLight-EmittingDiodesviaSnStabilization[J].AdvSci(Weinh),2020,7(8):1903213.[3] YangB.,ChenJ.,YangS.,etal.Lead-FreeSilver-BismuthHalideDoublePerovskiteNanocrystals[J].AngewChemIntEdEngl,2018,57(19):5359-63.[4] YangXiaoqing,WangWei,RanRan,etal.RecentAdvancesinCs2AgBiBr6-BasedHalideDoublePerovskitesasLead-FreeandInorganicLightAbsorbersforPerovskiteSolarCells[J].Energy&Fuels,2020,34(9):10513-28.[5] MuscarellaL.A.,HutterE.M.HalideDouble-PerovskiteSemiconductorsbeyondPhotovoltaics[J].ACSEnergyLett,2022,7(6):2128-35.[6] LeiHongwei,HardyDavid,GaoFeng.Lead‐FreeDoublePerovskiteCs2AgBiBr6:Fundamentals,Applications,andPerspectives[J].AdvancedFunctionalMaterials,2021,31(49).[7] LiuZ.,YangH.,WangJ.,etal.SynthesisofLead-FreeCs(2)AgBiX(6)(X=Cl,Br,I)DoublePerovskiteNanoplateletsandTheirApplicationinCO(2)PhotocatalyticReduction[J].NanoLett,2021,21(4):1620-7.[8] LiuChengjun,WangLixi,FangFan,etal.EnergyDown-ConversionCs3Cu2Cl5NanocrystalsforBoostingtheEfficiencyofUVPhotodetector[J].FrontiersinMaterials,2021,8.[9] ZhaoShuangyi,ChenChen,CaiWensi,etal.EfficientlyLuminescentandStableLead‐freeCs3Cu2Cl5@SilicaNanocrystalsforWhiteLight‐EmittingDiodesandCommunication[J].AdvancedOpticalMaterials,2021,9(13).[10] ZhaoShunfan,YuYing,LiuChang,etal.EnhancingtheGreenLuminescenceEfficiencyandStabilityofCs3Cu2Cl5NanocrystalsbyNa+SubstitutionalDoping[J].ACSAppliedNanoMaterials,2023,6(23):22104-16.[11] JinJianbo,FolguerasMariaC.,GaoMengyu,etal.ANewPerspectiveandDesignPrincipleforHalidePerovskites:IonicOctahedronNetwork(ION)[J].NanoLetters,2021,21(12):5415-21.[12] JellicoeT.C.,RichterJ.M.,GlassH.F.,etal.SynthesisandOpticalPropertiesofLead-FreeCesiumTinHalidePerovskiteNanocrystals[J].JAmChemSoc,2016,138(9):2941-4.[13] YangBin,HanKeli.UltrafastDynamicsofSelf-TrappedExcitonsinLead-FreePerovskiteNanocrystals[J].TheJournalofPhysicalChemistryLetters,2021,12(34):8256-62.[14] WuXiaotong,SongWeidong,LiQian,etal.SynthesisofLead‐freeCsGeI3PerovskiteColloidalNanocrystalsandElectronBeam‐inducedTransformations[J].Chemistry–AnAsianJournal,2018,13(13):1654-9.[15] RayAniruddha,DeTrizioLuca,ZitoJuliette,etal.LightEmissionfromLow‐DimensionalPb‐FreePerovskite‐RelatedMetalHalideNanocrystals[J].AdvancedOpticalMaterials,2022,11(4).[16] TangHuidong,XuYanqiao,HuXiaobo,etal.Lead‐FreeHalideDoublePerovskiteNanocrystalsforLight‐EmittingApplications:StrategiesforBoostingEfficiencyandStability[J].AdvancedScience,2021,8(7).[17] WeiY.,ChengZ.,LinJ.Anoverviewonenhancingthestabilityofleadhalideperovskitequantumdotsandtheirapplicationsinphosphor-convertedLEDs[J].ChemSocRev,2019,48(1):310-50.[18] 陸海東.阱中量子點光電器件特性及其信號讀出研究[D],2019.[19] 鄭模艷.Cs_3Cu_2X_5納米晶的制備與閃爍體應(yīng)用研究[D],2020.[20] LinHaoran,ZhouChenkun,TianYu,etal.Low-DimensionalOrganometalHalidePerovskites[J].ACSEnergyLetters,2017,3(1):54-62.[21] 阮霖霽.金屬鹵化物鈣鈦礦發(fā)光材料的表面鈍化和穩(wěn)定性研究[D],2021.[22] ProtesescuL.,YakuninS.,BodnarchukM.I.,etal.NanocrystalsofCesiumLeadHalidePerovskites(CsPbX(3),X=Cl,Br,andI):NovelOptoelectronicMaterialsShowingBrightEmissionwithWideColorGamut[J].NanoLett,2015,15(6):3692-6.[23] DeRooJ.,IbanezM.,GeiregatP.,etal.HighlyDynamicLigandBindingandLightAbsorptionCoefficientofCesiumLeadBromidePerovskiteNanocrystals[J].ACSNano,2016,10(2):2071-81.[24] HanLili,SunBeibei,GuoChao,etal.PhotophysicsinZero‐DimensionalPotassium‐DopedCesiumCopperChlorideCs3Cu2Cl5NanosheetsandItsApplicationforHigh‐PerformanceFlexibleX‐RayDetection[J].AdvancedOpticalMaterials,2022,10(6).[25] MaXueqing,ZhouTianrui,WangYunluo,etal.FacileSynthesisofEfficientCopperChlorine‐In‐GlassforWhiteLight‐EmittingDiodeandAnticounterfeiting[J].physicastatussolidi(RRL)–RapidResearchLetters,2023,18(2).[26] FengZhangHaizhengZhong,ChengChen,Xian-GangWu,XiangminHu,HailongHuang,JunboHan,BingsuoZou,andYupingDong.Brightly-LuminescentandColor-TunableColloidalCH3NH3PbX3(X=Br,I,Cl)QuantumDots:PotentialAlternativesforDisplayTechnology[J].2015.[27] 牛玉瑋.有機/無機雜化鈣鈦礦材料的制備及其激子發(fā)光特性研究[D],2014.[28] 陳瀾.不同有源區(qū)結(jié)構(gòu)對InGaN/GaN多量子阱光學(xué)性能的影響[D],2020.[29] 彭青.二維單層二硫化鎢環(huán)境作用的光致發(fā)光光譜表征[D],2021.[30] ChenJie,LiYu,YinZhe,etal.Phasetransitionandrapid