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文檔簡介
★啟用前注意保密
2026屆大灣區(qū)普通高中畢業(yè)年級聯(lián)合模擬考試
物理
有一項是符合要求的。
1.“神舟二十號”在較低軌道運行,“天和”核心艙在較高軌道運行,它們都
繞地球近似做勻速圓周運動,運行軌道如圖所示.下列說法正確的是
A.“神舟二十號”運行的周期比“天和”核心艙的大
B.“神舟二十號”運行的線速度比“天和”核心艙的大
C.“神舟二十號”運行時受到的向心力一定比“天和”核心艙的大
第1題圖
D.“神舟二十號”和“天和”核心艙都處于平衡狀態(tài)
2.如圖所示為氫原子能級圖,已知可見光的光子能量范圍為1.62nE/eV
--
紫外線的光子能量范圍為3.11則對于5-8.54
eV<E<3.11eV,eV<E<124eV.4--0.85
大量處于n=4激發(fā)態(tài)的氫原子輻射的光子,下列說法正確的是3--1.51
2--3.40
A.包含5種不同頻率的光子
B.有3種是可見光
C.有3種是紫外線1--13.6
第2題圖
D.其中一種光子是γ光子(能量超過1Mev)
3.如圖所示,射擊槍水平放置,射擊槍與目標靶中心位于離地面足夠高的同一水平線上,槍口
與目標靶之間的水平距離x=100m,子彈射出的水平速度v=100m/s,子彈從槍口射出的瞬間
目標靶由靜止開始釋放,不計空氣阻力,重力加速度g取10m/s2,下列說法正確的是
→V
目標靶
射擊槍X一
第3題圖
A.子彈從槍口射出到擊中目標靶經(jīng)歷的時間t=1s
B.目標靶由靜止釋放到被子彈擊落的過程中,下落的距離h=0.5m
C.若子彈從槍口射出的水平速度變?yōu)関=200m/s,一定擊不中目標靶
D.若子彈從槍口射出的瞬間目標靶以某速度豎直下拋,子彈可能擊中目標靶中心
2026屆大灣區(qū)聯(lián)考高三物理第1頁共6頁
4.某同學利用半圓形玻璃磚進行實驗,兩單色光I和Ⅱ分別沿半徑方向
由空氣射入半圓形玻璃磚,出射光合成一束復色光c,已知兩光與法
線間的夾角分別為45°和30°,其出射光都是由圓心O點沿OC方向
射出,下列說法正確的是
A.Ⅱ光與I光在玻璃磚中的傳播時間之比為1:√2
B.Ⅱ光與I光在玻璃磚中的折射率之比為1:√2第4題圖
C.Ⅱ光與I光在玻璃磚中傳播速度大小的比為1:√2
D.Ⅱ光與I光由該玻璃磚射向真空發(fā)生全反射時的臨界角之比為1:√2
5.如圖所示,三根輕繩的一端系于0點,繩1、繩2的另一端分別固定在墻上,繩3的另一端
與質(zhì)量為m的重物相連.重物處于靜止狀態(tài)時,繩1水平,繩2與水平方向的夾角為θ.F?、
F?分別表示繩1、繩2受到的拉力大小.下列表達式正確的是
A.F?=mgsinθ
B.F?=mgsinθ
C.
第5題圖
D.F?=mgcosθ
6.如圖所示,用兩根不可伸長的絕緣細繩將一段質(zhì)量為m的銅質(zhì)導體abc豎直懸掛在勻強磁場
中,磁場的磁感應強度大小為B,方向垂直紙面向里,導體ab、bc的長度均為L,且∠
abc=120°.現(xiàn)給導體abc通以方向從c到a、大小為I的電流,則
A.通電后兩繩拉力變小
B.通電后兩根細繩偏離豎直方向
C.導體ab所受安培力大小為
D.導體abc所受安培力大小為√3BIL第6題圖
7.一列簡諧橫波沿x軸正向傳播,a、b為x軸上兩質(zhì)點,其平衡位置相距3m.a、b的振動圖
像分別如圖乙、丙所示,已知該波的波長大于3m.下列說法正確的是
甲乙丙
第7題圖
A.質(zhì)點b在0~1.4s時間內(nèi)的運動路程為24cm
B.該波波速大小為5m/s
C.該波波長為12m
D.t=0時,質(zhì)點a速度方向沿y軸負方向
2026屆大灣區(qū)聯(lián)考高三物理第2頁共6頁
二、多項選擇題:本題共3小題,每小題6分,共18分。在每小題給出的四個選項中,有多項
符合題目要求。全部選對的得6分,選對但不全的得3分,有選錯的得0分。
8.圖示為空間某區(qū)域的電場線,M、N為虛線上的兩點.下列說法正確的有
第8題圖
A.M點電勢高于N點電勢
B.M點場強大于N點場強
C.正電荷在M點的電勢能大于在N點的電勢能
D.將電子從M點移動到N點,電場力做正功
9.如圖所示,質(zhì)量為m的物體從固定在地面上的粗糙斜面頂端由靜止開始勻加速下滑,斜面傾
角為θ,長度為s,物體下滑至底部速度大小為v,下列說法中正確的有
A.物體運動至斜面底部時,重力的瞬時功率為mgvsinθ
B.該過程中重力的沖量大小為
C.物體下滑過程中,系統(tǒng)機械能守恒
第9題圖
D.物體下滑過程中,克服摩擦力做功
10.如圖所示,在磁感應強度為B的勻強磁場中,有一匝數(shù)為N、面積為S的矩形線圈,以角速
度w繞00′軸順時針勻速轉動.圖中變壓器視作理想變壓器,從圖示位置(線圈平面與磁場
平行)開始計時,下列說法正確的有
第10題圖
A.線圈產(chǎn)生的感應電動勢的最大值為√2NBSw
B.若增大角速度w,電流表示數(shù)不變
C.若保持角速度w不變,閉合開關S,則電流表示數(shù)增大
D.在圖示位置線圈產(chǎn)生的感應電流方向為MNPQ
2026屆大灣區(qū)聯(lián)考高三物理第3頁共6頁
三、非選擇題:本題共5小題,共54分。
11.(6分)某實驗小組用如圖甲所示裝置測當?shù)氐闹亓铀俣?光電門1、2固定在鐵架臺上,
兩光電門分別與數(shù)字計時器連接.
(1)用螺旋測微器測量小球的直徑d,示數(shù)如圖乙所示,則小球直徑為mm.
1
t2
b1
0t2
11題圖甲11題圖乙11題圖丙
(2)安裝實驗裝置時,對兩光電門的位置有怎樣的要求?
(3)將小球從光電門1正上方某位置由靜止釋放,通過光電門1和光電門2時,小球的擋光時
間分別為t?、t?,則t1t?(填“大于”“小于”或“等于”).
(4)保持兩光電門間距離為H,改變小球在光電門1上方靜止釋放的位置,多次重復實驗,測
得多組通過光電門1和光電門2的擋光時間t?、t?,作圖像(如圖丙),圖線與縱軸
的交點為(0,b),則當?shù)刂亓铀俣萭=.(用題目中相關物理量的字母符號表示).
12.(10分)某同學利用圖甲所示電路測量兩阻值接近的未知電阻阻值,其操作過程如下:
圖甲圖乙
2026屆大灣區(qū)聯(lián)考高三物理第4頁共6頁
(1)在實物圖中,已正確連接了部分導線,請根據(jù)電路圖完成剩余部分的連接;
(2)圖乙中,閉合電鍵S?前,將滑動變阻器的滑片撥到端(填“A”或“B”);
(3)斷開S?,閉合S?,調(diào)節(jié)滑動變阻器到合適位置,兩表讀數(shù)分別為U、I?,可得待測電
阻Rx?=;
(4)閉合S?,調(diào)節(jié)滑動變阻器使電壓表讀數(shù)仍為U,此時電流表的讀數(shù)為I?,可得待測電阻
Rx?=;
(5)考慮到電壓表的內(nèi)阻影響,R?的測量值真實值,R?的測量值真實值(填“大
于”“等于”或“小于”).
13.(10分)如圖所示,導熱性能良好的氣缸開口向上豎直放置,a、b是固定在氣缸內(nèi)壁的卡環(huán),
兩卡環(huán)間的距離為h,缸內(nèi)一個質(zhì)量為m、橫截面積為S的活塞與氣缸內(nèi)壁接觸良好,無摩
擦不漏氣,活塞只能在a、b之間移動,缸內(nèi)封閉一定質(zhì)量的理想氣體.此時環(huán)境溫度為To,
活塞與卡環(huán)b剛好接觸,且無相互作用力,活塞離缸底的距離為3h.已知卡環(huán)能承受的壓
力最大為活塞的厚度不計,大氣壓強滿足,重力加速度為g,求:
(1)要使卡環(huán)不被破壞,環(huán)境的溫度最低能降到多少;
(2)若提高環(huán)境溫度,當環(huán)境溫度為1.4To時,試通過計算判斷卡環(huán)是否損
壞?若不損壞,此時缸內(nèi)氣體的壓強多大.
第13題圖
14.(12分)尺擊棋子實驗過程如下:實驗者用尺子擊打一摞棋子最下面的一個,只要速度夠快,
可使該棋子飛出,并且上面的棋子落下而不傾倒.某同學受到該實驗啟發(fā),設計了下面的探
究裝置,在水平桌面上沿豎直方向疊放4枚相同的圓柱形棋子,最底層為棋子A.用一個內(nèi)
徑略大于棋子直徑的豎直固定圓筒套住上面3枚棋子,限制它們只能沿豎直方向運動,棋子
A可在水平方向運動.已知每枚棋子質(zhì)量m=0.1kg,直徑d=0.05m,棋子與棋子之間、棋子
與桌面之間的動摩擦因數(shù)μ均為0.4,圓筒與棋子間的摩擦力忽略不計,重力加速度g取10
m/s2.
(1)該同學用水平拉力F將A勻速拉出,求F的大小.
(2)改用質(zhì)量為M的擺球撞擊A.擺球從與懸掛點O等高處(細線處于伸直狀態(tài))由靜止釋放,
在最低點時與A發(fā)生彈性正碰.碰后棋子A移動0.2m位移后停下,已知繩長1=0.2m.求
擺球的質(zhì)量M.
2026屆大灣區(qū)聯(lián)考高三物理第5頁共6頁
第14題圖
15.(16分)微通道電子倍增管是利用入射電子經(jīng)過微通道時的多次反射放大信號強度的一種電
子器件,圖甲為微通道的截面圖.已知圓柱形微通道的直徑為d、高為h,通道內(nèi)有沿軸向
的勻強電場,電場強度大小為E,設一電子恰從微通道的入口邊緣沿半徑方向進入微通道內(nèi),
入射速度大小為vo.假設每個電子撞入內(nèi)壁后撞出n個次級電子,忽略重力和各級電子間的
相互作用,假設每個原電子的軸向動量在撞擊后被通道壁完全吸收,徑向動量被完全反彈并
被沿半徑方向出射的n個次級電子均分.已知電子電量的絕對值為e,質(zhì)量為m.
(1)如果n=1,求電子在通道內(nèi)壁第一次撞擊點與微通道入口的豎直方向距離h?.
(2)如果n=2,假設電子剛好在撞擊通道末端后離開,則欲使信號電量被放大到8倍,則h至
少多大?
(3)實際的微通道電子倍增管工作過程中,電子每次撞擊微通道內(nèi)壁時,n=1、2兩種情況都有
一定的概率發(fā)生,取求單個電子離開微通道瞬間的動能Ek.
第15題圖
2026屆大灣區(qū)聯(lián)考高三物理第6頁共6頁
2026屆大灣區(qū)普通高中畢業(yè)年級聯(lián)合模擬考試
物理答案及評分標準
1.B2.C3.A4.C5.C6.D7.B8.AC9.AD10.CD
11.(1)3.340mm(3.339-3.341mm都可以)(1分)
(2)兩光電門在同一豎直線上,避免過近(2分)
(3)大于(1分)
12.(10分)
(1)如圖所示:(2分)
(2分)(5)小于等于(共2分,各1分)
13.(1)開始時,缸內(nèi)氣體壓強p?S=P?S+mg(1分)
氣體溫度Ti=To;設溫度降低到T?時活塞對卡環(huán)的壓力此時缸內(nèi)氣體壓強
(2分)
得
氣體發(fā)生等容變化,則有(1分)
解得
(1分)
第1頁共3頁
(2)假設環(huán)境溫度為1.4TO時活塞與卡環(huán)a接觸,且卡環(huán)a沒有被破壞。設此時缸內(nèi)氣體
壓強為p?,根據(jù)理想氣體狀態(tài)方程有
(2分)
解得
(2分)
設此時活塞與卡環(huán)的作用力為F,
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