晶圓測試流程演講人：日期:目錄CONTENTS01來料檢驗規(guī)范02測試環(huán)境準(zhǔn)備03電性參數(shù)測試04功能測試階段05數(shù)據(jù)分析與判定06成品處理與交付01來料檢驗規(guī)范晶圓外觀缺陷檢查晶圓表面劃痕晶圓污漬晶圓邊緣崩缺晶圓平整度檢查晶圓表面是否有明顯的劃痕，這可能會影響晶圓在后續(xù)工藝中的使用。檢查晶圓邊緣是否有崩缺或缺口，這些缺陷可能會影響晶圓的整體結(jié)構(gòu)。檢查晶圓表面是否有污漬或雜質(zhì)，這些污染物可能會影響晶圓的電學(xué)性能。檢查晶圓的平整度，以確保其在后續(xù)工藝中的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。直徑與厚度尺寸測量使用專業(yè)測量工具測量晶圓的直徑，確保其符合規(guī)格要求。晶圓直徑測量使用精確的測量儀器測量晶圓的厚度，以確保晶圓在后續(xù)工藝中的均勻性。晶圓厚度測量評估晶圓直徑和厚度的均勻性，以確保晶圓在后續(xù)工藝中的穩(wěn)定性和一致性。直徑與厚度均勻性基底材料成分檢測元素成分分析使用化學(xué)或物理方法分析晶圓基底材料的元素成分，確保其符合工藝要求。01晶體結(jié)構(gòu)分析檢查晶圓晶體結(jié)構(gòu)是否完整，是否存在缺陷或變異，以確保晶圓在后續(xù)工藝中的可靠性。02材料純度評估評估晶圓基底材料的純度，以確保其不會引入雜質(zhì)或污染后續(xù)工藝。0302測試環(huán)境準(zhǔn)備探針臺設(shè)備校準(zhǔn)包括探針臺位置、探針運動軌跡、探針與晶圓接觸壓力等參數(shù)，確保測試時探針與晶圓上的焊點準(zhǔn)確對位。校準(zhǔn)探針臺機械參數(shù)校準(zhǔn)探針臺電氣參數(shù)校準(zhǔn)探針臺光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)探針臺測試系統(tǒng)的電氣參數(shù)，如電壓、電流、頻率等，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。確保探針臺的光學(xué)系統(tǒng)能夠準(zhǔn)確聚焦并識別晶圓上的測試點，提高測試精度。測試程序參數(shù)設(shè)定測試程序編寫根據(jù)測試流程和測試參數(shù)，編寫測試程序，實現(xiàn)自動化測試，提高測試效率。03根據(jù)測試參數(shù)和測試需求，設(shè)計測試流程，包括測試步驟、測試順序、測試數(shù)據(jù)記錄等。02測試流程設(shè)計測試參數(shù)選擇根據(jù)晶圓測試的需求，選擇合適的測試參數(shù)，如電壓、電流、頻率等，并設(shè)置相應(yīng)的測試范圍。01溫濕度及靜電控制溫濕度控制在測試過程中，需對測試環(huán)境的溫濕度進行嚴(yán)格控制，以確保測試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。靜電防護潔凈度控制測試過程中，需采取有效的靜電防護措施，如使用防靜電手環(huán)、防靜電地墊等，以避免靜電對測試結(jié)果產(chǎn)生干擾。測試環(huán)境需保持潔凈，防止灰塵、雜物等污染晶圓表面，影響測試結(jié)果。12303電性參數(shù)測試直流特性測試項目閾值電壓測試晶體管在特定條件下開啟所需的電壓。01飽和電流測量晶體管在飽和狀態(tài)下的電流。02擊穿電壓測試晶體管或二極管在反向電壓下發(fā)生擊穿的電壓。03漏電流測量在無負載或關(guān)閉狀態(tài)下，晶體管或二極管中的電流。04交流信號響應(yīng)驗證增益和相位裕度頻率響應(yīng)失真度信號延遲測量放大電路的增益和相位裕度，以確保穩(wěn)定性。測試電路對不同頻率信號的響應(yīng)能力。評估電路在輸入信號下的輸出信號失真程度。測量從輸入信號到輸出信號之間的時間延遲。漏電流與擊穿檢測6px6px6px在關(guān)閉狀態(tài)下，測量晶體管或二極管中的漏電流，以確保其處于正常工作范圍。漏電流測試測量在擊穿電壓下，流過晶體管或二極管的電流。擊穿電流測試檢測晶體管或二極管在反向電壓下是否發(fā)生擊穿，以確定其最大工作電壓。擊穿電壓測試010302長時間監(jiān)測漏電流的變化，以評估其穩(wěn)定性。漏電流穩(wěn)定性0404功能測試階段測試晶圓的邏輯功能測試晶圓輸入輸出信號的完整性，驗證其功能是否與設(shè)計規(guī)格一致。驗證輸入輸出信號檢測缺陷和故障通過測試圖形和電路檢測晶圓上的缺陷和故障，以便在后續(xù)的制造過程中進行修復(fù)。通過特定的測試圖形和算法，對晶圓上的邏輯電路進行測試，驗證其功能是否符合設(shè)計要求。核心模塊功能驗證信號兼容性測試測試晶圓上不同信號的電壓和電流值，驗證其是否滿足設(shè)計要求。測試信號的電壓和電流測試晶圓上不同信號之間的時序關(guān)系，驗證其是否滿足設(shè)計要求。信號時序測試測試信號在傳輸過程中的完整性，包括信號的上升時間、下降時間、振鈴等參數(shù)。信號完整性測試高低溫循環(huán)穩(wěn)定性高溫測試在高溫環(huán)境下測試晶圓的穩(wěn)定性和可靠性，驗證其在高溫條件下是否能夠正常工作。01低溫測試在低溫環(huán)境下測試晶圓的穩(wěn)定性和可靠性，驗證其在低溫條件下是否能夠正常工作。02溫度循環(huán)測試在不同溫度條件下進行循環(huán)測試，驗證晶圓在不同溫度環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。0305數(shù)據(jù)分析與判定測試數(shù)據(jù)分類整理電流電壓特性數(shù)據(jù)可靠性測試數(shù)據(jù)功能測試數(shù)據(jù)參數(shù)測試數(shù)據(jù)通過測試得到的電流電壓特性數(shù)據(jù)，可以分析電路是否正常工作。對晶圓進行功能測試，獲取晶圓的功能狀態(tài)，如數(shù)字邏輯電路的輸入輸出關(guān)系等。通過長時間的可靠性測試，獲取晶圓在不同環(huán)境下的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。測試晶圓在不同條件下的性能參數(shù)，如溫度、濕度、光照等。失效模式圖譜分析缺陷分布圖譜根據(jù)測試結(jié)果，將晶圓上出現(xiàn)的缺陷分布情況進行統(tǒng)計和分析，形成缺陷分布圖譜。02040301失效模式與工藝關(guān)系將失效模式與晶圓生產(chǎn)工藝進行關(guān)聯(lián)，分析工藝過程中可能導(dǎo)致失效的因素。失效模式分類將晶圓上出現(xiàn)的失效模式進行分類，如開路、短路、漏電等，并分析每種失效模式的成因。失效模式與電壓關(guān)系分析失效模式與電壓之間的關(guān)系，確定電壓在失效過程中的作用。良品率統(tǒng)計標(biāo)準(zhǔn)良品率計算公式良品率=良品數(shù)量/總測試數(shù)量，其中良品數(shù)量是指通過測試并符合要求的晶圓數(shù)量。良品率評估標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)歷史數(shù)據(jù)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，制定良品率的評估標(biāo)準(zhǔn)，如良品率應(yīng)達到90%以上。良品率與生產(chǎn)成本關(guān)系分析良品率與生產(chǎn)成本之間的關(guān)系，尋找提高良品率的途徑，降低生產(chǎn)成本。良品率穩(wěn)定性評估對良品率進行穩(wěn)定性評估，確保測試結(jié)果的可靠性和穩(wěn)定性。06成品處理與交付使用氮氣進行封裝，防止晶圓氧化。氮氣環(huán)境封裝在封裝盒內(nèi)放入干燥劑，吸收封裝盒內(nèi)的水分，防止晶圓受潮。干燥劑封裝選擇氣密性好、防水防潮的封裝材料，如鋁塑復(fù)合膜、鋁箔袋等。封裝材料選擇防氧化封裝工藝批次標(biāo)簽信息記錄操作人員記錄記錄每個工序的操作人員，便于追溯問題源頭。03記錄晶圓的測試結(jié)果，包括測試項目、測試數(shù)據(jù)等信息。02測試結(jié)果記錄晶圓批次號記錄晶圓的