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《深圳市首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、基片尺寸:≥510mm×515mm;
面板級先進封裝濺高端裝集成電路2、薄膜Rs均勻性<5%;刻蝕速率>9.0nm/min,刻蝕均勻
1單臺
射設備備制造裝備性;<10%;除氣加熱均勻性:120±5℃;
3、產(chǎn)能:≥20片/小時;
1、溫度控制精度:±1℃,溫度的均勻性:±1.5℃;
2、單個氣泡內(nèi)最大空洞率≤1%,總空洞率≤3%;
超低空洞率半導體高端裝集成電路
2單臺3、極限真空壓力:≤2mbr;
真空封裝爐備制造裝備
4、網(wǎng)帶的震動量:0.5g,按1000mm/min網(wǎng)速;
5、升溫斜率:1-4℃/sec,冷卻斜率:1-5℃/sec。
半導體封裝載板1、FCBGA粗化均勻性≤10%;
高端裝集成電路
3(FCBGA)ABF膜單臺2、FCBGA化銅均勻性≤0.1μm;
備制造裝備
粗化及化銅設備3、線寬、線距≤5-15μm。
1、高低溫下的最高同測數(shù)1920Duts;
2、同步板卡數(shù)≥32個情況下,I0速率同步精度達到2Gps;
DRAMFT一站式測高端裝集成電路3、高速串行總線I0速率達到32Gps;
4單臺
試機備制造裝備4、電源通道9600路,電流≥19200A;
5、高低溫范圍:-50攝氏度至150攝氏度,控溫精度達到
±1攝氏度。
1、燒結(jié)循環(huán)時間≤12分鐘;
高端裝半導體制
5微納材料燒結(jié)機單臺2、燒結(jié)溫度≤300℃,控制精度±5℃;
備造裝備
3、燒結(jié)壓力≤30Mpa,控制精度±1.5%FS。
1、RD拋光鼓主軸精度:±10um;
2、Notch加工軸精度:±10um;
3、拋光后邊緣形貌:保持倒角形貌不變;
大尺寸邊緣拋光設高端裝半導體制4、拋光后缺陷:無劃傷;
6單臺
備備造裝備5、拋光后金屬離子:PPB級;
6、邊緣拋光后粗糙度:Ra≤0.1nm;
7、硅片尺寸:適應12寸;
8、單片拋光時間:≤30s。
1、支持XRD、XRR和XRF功能;
2、X射線光源:XRF鉬靶,XRR銅靶;
3、側(cè)角儀,2θ:0-130°,步長:0.002°;
高端裝半導體制
7X射線量測設備單臺4、XRD測量精度:<0.03%(Ge%,P%etc),Strain<
備造裝備
0.0012%;
5、XRR測量精度:≤0.1?@THK40-200?,≤0.3?@THK
200-700?。
1、磨削晶圓直徑:最大300mm;
2、磨削主軸轉(zhuǎn)速:500~3000rpm(兩個主軸轉(zhuǎn)速獨立調(diào)
整),承片主軸轉(zhuǎn)速:0~300rpm(三個主軸轉(zhuǎn)速獨立調(diào)
全自動半導體晶圓高端裝半導體制整);主軸關(guān)鍵尺寸公差,跳動精度;
8單臺lμm<lμm
減薄設備備造裝備3、晶圓TTV(厚度變化量)±3μm,片間厚度變化量±3μ
m;
4、表面粗糙度Ra優(yōu)于0.015μm(金剛石砂輪粒度#2000)
。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、線距線寬制程能力:≤8μm/8μm;
2、噴盤均勻性:≥96%;
高端裝半導體制3、壓力均勻性:≥97%;
9垂直快速蝕刻線單臺
備造裝備4、過濾精度:≤1μm;
5、循環(huán)藥水濃度保證穩(wěn)定,溫度控制在±1℃以內(nèi);
6、藥水添加系統(tǒng):可實現(xiàn)在線實時監(jiān)控檢測并自動添加。
1、線寬線距制程能力:≤7μm/7μm;
高端裝半導體制
10干膜顯影設備單臺2、圖形均勻性:±10%;
備造裝備
3、過板速度:180片/小時。
1、芯片貼裝精度:≤1.5um@3sigma,貼裝效率:1500片
每小時;
高端裝半導體制2、貼裝系統(tǒng)
11高精度自動固晶機單臺
備造裝備(1)旋轉(zhuǎn)軸:行程360°,重復定位精度0.02°;
(2)最小吸取尺寸:0.15*0.2mm;
(3)壓力:10-200g±1g;200-2000g±3%。
1、像素分辨率:0.625μm@5X;0.30μm@10X;
2、發(fā)光強度重復性:3σ≤2%
3、檢測項目:PLintensity,WLD,WLP,F(xiàn)WHM
MicroLED晶圓級高端裝顯示器件4、最小可檢測芯片尺寸:6×6μm(5X)3×3μm(10X)
12單臺
光致發(fā)光檢測設備備制造裝備5、產(chǎn)能UPH(5X)
(1)7PCS/H(forB/Gstandardcondition);
(2)6PCS/H(forRstandardcondition);
6、檢出率>99%。
1、綁定精度:±1μm;
2、加熱方式:脈沖+恒溫混合加熱模式;
MicroLED精密綁高端裝顯示器件3、溫控精度:±1℃;
13單臺
定設備備制造裝備4、對位方式:多相機標定,誤差逼近算法;
5、AA區(qū)溫度保護:基于半導體制冷的熱循環(huán);
6、壓頭平面度:2μm@25mm。
1、控制系統(tǒng):五軸聯(lián)動;
2、3D軌跡點膠厚度精度:±3μm;
顯示屏油墨涂布設高端裝顯示器件3、3D曲面檢測精度:±1μm;
14單臺
備備制造裝備4、產(chǎn)品壓力監(jiān)測精度:0.1N;
5、設備重復精度:±15μm(CPK≥1.33);
6、節(jié)拍時間:≤4.5s。
1、總輸出功率:≥5kW,其中藍光激光功率:≥2KW,單
模光纖激光功率:≥3KW,多模光纖激光功率:≥4KW;
2、藍光光纖芯徑:≤600um@NA0.2,光纖激光單模光纖芯
徑:≤20um,多模光纖芯徑:≤50um;
高端裝激光加工
15藍光復合焊接機單臺3、藍光激光波長:450±20nm;光纖激光波長:
備制造裝備
1080±10nm;
4、激光加工頭總承受功率:≥6kW;
5、焊接飛濺尺寸:≤50um,焊接速度:≥150mm/s,銅材焊
接有效深度:≥3mm。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、波長:≤266nm;
2、功率:≥3W;
3、脈沖重復頻率:100-500kHz;
低重頻高功率深紫高端裝激光加工
16單臺、光束質(zhì)量2:;
外皮秒激光器備制造裝備4M≤1.3
5、脈沖寬度(FWHM):<30ps;
6、長期穩(wěn)定性@8hrs(RMS):<1%
7、最大單脈沖能量:≥30μJ。
1、焊點圖像識別精度4.4μm、識別時間小于2ms、視覺識
別準確率>99.9%;
全自動激光錫球焊高端裝激光加工2、激光焊接精度<10μm重復定位精度<30μm定位精度
17單臺
錫機備制造裝備<±20μm;
3、整線生產(chǎn)節(jié)拍≥2PCS/秒;
4、焊點質(zhì)量符合國際IPC標準,檢測誤判率<0.01%。
1、工作波長:1070-1090nm;
2、平均輸出功率:≥60000W;
高功率多模連續(xù)光高端裝激光加工
18單臺3、光束質(zhì)量BBP:<6.5;
纖激光器備制造裝備
4、輸出光纖芯徑:≤150μm;
5、輸出光纜長度:≥20m。
1、激光光束重復定位精度:±2μm;
2、工作臺重復定位精度:±2μm;
3、電阻測量范圍:100mΩ-100MΩ;
高精密薄膜自動激高端裝激光加工
19單臺4、電阻測量精度:
光調(diào)阻機備制造裝備
(1)低阻:±(0.02%+1.0%/R(Ω));
(2)中阻:±0.02%;
(3)高阻:±(0.02%+0.05%×R(MΩ))。
1、波長193nm:
(1)最大單脈沖能量:≥350mJ;
(2)最大重復頻率:≥20Hz;
高端裝激光加工(3)能量穩(wěn)定性:≤1%;
20PLD準分子激光器單臺
備制造裝備2、波長248nm:
(1)最大單脈沖能量:≥700mJ;
(2)最大重復頻率:≥20Hz;
(3)能量穩(wěn)定性:≤1%;
1、激光平均功率:≥200W;
2、最大單脈沖能量:≥200mJ;
高脈沖能量超快碟高端裝激光加工
21單臺3、最高脈沖重復頻率:≥100kHz;
片激光器備制造裝備
4、光束質(zhì)量:M2<1.5;
5、脈沖寬度(FWHM):<800fs。
1、最大成形尺寸:≥(600×600×1000)mm;
2、成型室氧含量:≤50ppm;
大尺寸金屬3D打印高端裝增材制造
22單臺3、成形精度:≤±0.02mm(L≤100mm);
設備備裝備
4、零件致密度:≥99.9%;
5、Z軸重復定位精度:≤±0.01mm。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、適用纖維種類:≥4種,適用熱塑性樹脂種類:≥5種;
2、打印樣件力學性能:
(1)單向拉伸強度:≥700MPa;
連續(xù)碳纖維增強熱(2)彈性模量:≥55GPa;
高端裝增材制造
23塑性復合材料3D打單臺(3)彎曲強度≥650MPa;
備裝備
印機(4)彎曲模量≥55GPa;
(5)ILSS層間剪切模量≥40MPa;
3、最小打印層厚(打印精度):≤100um;
4、打印幅面:≥500×500×400mm。
1、龍門移動速度:最大可達1500mm/s,運行穩(wěn)定;
2、涂布基板尺寸:≥1200mm×600mm,涂布寬度:≥
高端裝光伏制造
24平板涂布機單臺1600mm;
備裝備
3、涂層厚度:50nm~100μm;
4、面密度相對誤差:≤±0.8%。
1、碎片率:≤0.5‰(不含前道工序?qū)е碌娜毕荩?/p>
2、膜層厚度:10~30nm;膜厚均勻性:≤5%;
熱絲化學氣相沉積高端裝光伏制造
25單臺3、沉積溫度:150-250℃,溫度均性±5℃;
設備備裝備
4、工藝腔極限壓力:≤5×10-4pa;
5、腔體氦檢漏率:5×10-10Pa.m3/s。
1、最大產(chǎn)能≥480pcs/run;
2、沉積速率≥1.2nm/min;
陣列板式PECVD設高端裝光伏制造3、微晶晶化率≥60%;
26單臺
備備裝備4、厚度不均勻性<20%;
5、工作溫度≤250℃;
6、溫度均勻性±3℃。
1、整機效率:≥20PPM;
2、極片裁切毛刺(以箔材為基準)縱向毛刺:≤7μm;橫
向毛刺:≤15μm;
固態(tài)電池熱復合疊高端裝鋰電池制3、相鄰極片對齊精度:±0.3mm;
27單臺
片機備造裝備4、設備故障率(以30天為一周期,每天20h計算):≤2%
(來料不良除外);
5、電芯極耳位置精度:±0.05mm;
6、產(chǎn)品合格率:≥99%。
1、疊片速度:0.15s/pcs,復合料帶速度180m/min;
2、激光模切精度:±0.2mm;
3、沖切V角精度:±0.2mm;
大型儲能電池激光高端裝鋰電池制4、電芯整體對齊精度:±0.3mm;
28單臺
模切疊片一體機備造裝備5、時間稼動率:≥98%;
6、具備極片糾偏功能,糾偏系統(tǒng)實現(xiàn)閉環(huán)控制;
7、五金切刀位置除塵風速(捕集口):≥20m/s;
8、產(chǎn)品合格率:≥99%。
1、機械速度:300m/min;
2、雙面涂布速度:150m/min;
高端裝鋰電池制
29雙面擠壓式涂布機單臺3、涂布寬度:雙面1600mm;
備造裝備
4、面密度誤差:≤±0.8%;
5、極片烘烤次數(shù):1次。
1、設備產(chǎn)能:350PPM;
高速高精集流盤焊高端裝鋰電池制2、生產(chǎn)良率:≥99.5%;
30單臺
接轉(zhuǎn)塔備造裝備3、焊接軌跡精度:≤±0.05mm;
4、焊接層數(shù):16±2。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、單批次制漿時間≤2h;
2、捏合線速度≥4m/s,分散線速度≥10m/s;
捏合式高效制漿系高端裝鋰電池制
31單臺3、核心設備包含獨立的捏合模塊和分散模塊;
統(tǒng)備造裝備
4、單位體積制漿時間<1h;
。
5、單位能耗≤50kW/m3
1、異體系漿料單面同時涂布種類:≥2種;
2、單面一次成型涂布可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)的涂布層數(shù):2層;
3、最大涂布寬度:1200mm;
4、調(diào)節(jié)T塊線性定位誤差≤2μm,重復定位誤差≤1μm;
雙層閉環(huán)調(diào)節(jié)涂布高端裝鋰電池制
32單臺5、調(diào)節(jié)T塊運動100μm定位時間≤1秒;
模頭備造裝備
6、鍍層附著率B級以上;
7、鍍層厚度2-8μm;
8、上中下模平面度≤3μm/m;
9、唇口直線度≤3μm/m。
1、機械速度:1m/min;
2、工作速度:0.1-1m/min;
氫能燃料電池用質(zhì)高端裝氫電池制
33單臺3、速度精度:±0.1%;
子交換膜制備設備備造裝備
4、張力控制精度:±0.15kg;
5、漿料粘度:10-100cps。
1、陽極機械速度:≥5m/min;
2、陽極生產(chǎn)速度:≥3m/min;
氫能源膜電極涂布高端裝氫電池制
34單臺3、陰極機械速度:≥15m/min;
機備造裝備
4、陰極生產(chǎn)速度:≥8m/min;
5、張力控制精度:±0.2kg。
1、氫氣純度:≥99.999%;
2、單位制氫直流電耗≤4.3kw.h/m3;
3、氫氣濕度:露點溫度≤-70℃;
、產(chǎn)氫量3;
堿性水電解制氫設高端裝氫電池制4≥250N.m/h
35單臺、功率;
備備造裝備5≥1MW
6、制氫速度≥4000SLPM;
7、熱響應時間≤1s;
8、冷啟動時間≤1min;
9、稀有金屬催化劑載量≤1.25mg/W。
1、功率1MW;
2、有效容量35kwh;
MW級一次調(diào)頻飛輪高端裝氫電池制
36單臺3、效率98%;
集成系統(tǒng)備造裝備
4、自損率1%;
5、輸出能量≥30MJ。
1、鎖模力:≥120000KN;
高端裝一體化壓2、最大空壓射速度:≥8.5m/s;
37臥式冷室壓鑄機單臺
備鑄裝備3、建壓時間:≤40ms;
4、壓射力(增壓):≥3800KN。
1、X/Y/Z軸定位精度:2/2/2μm;
2、A/C軸定位精度:±4″/±4″;
3、X/Y/Z軸重復精度:2/2/2μm;
全直驅(qū)五軸聯(lián)動數(shù)高端裝
38單臺數(shù)控機床4、A/C軸重復定位精度:±2.5″/±1″;
控加工中心備
5、X/Y/Z軸工作行程:260/400/140mm;
6、A/C軸回轉(zhuǎn)角度:±130°/360°;
7、X/Y/Z軸最高運動速度≥60m/min。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、主軸轉(zhuǎn)速≤24000rpm;
2、額定扭矩/最大扭矩72/120Nm;
高端裝
39臥式五軸加工中心單臺數(shù)控機床4、X、Y、Z定位精度≤0.008mm;
備
5、X、Y、Z重復定位精度≤0.005mm;
6、A/C軸重復定位精度:±4″/±4″。
1、端口速率:400Gbps/端口、4.8Tbps/板;
2、StreamBlock:255個/端口、3060個/板;
高端數(shù)據(jù)通信測試精密儀電子測量3、Stream數(shù)量:32K/端口、384K/板;
40單臺
儀器設備分析儀器4、報文長度:64~16000字節(jié);
5、跳變器:1530個/端口、18360個/板;
6、時延測量精度:≤10ns。
1、頻率范圍:覆蓋12GHz~40GHz(標準版),可拓展
0.4GHz~110GHz;
相控陣快速測試系精密儀電子測量
41單臺2、屏蔽效能:≥90dB;
統(tǒng)器設備分析儀器
3、被測件尺寸:≥1m;被測件重量:≥20kg;
4、增益測試精度:±0.3dB。
1、粗糙度噪聲:≤0.05nm;
精密儀電子測量
42EUV鏡頭精測系統(tǒng)單臺2、可測量鏡頭直徑:≤600mm;
器設備分析儀器
3、測頭旋轉(zhuǎn)角度:±45°
1、高度測量重復性:50X物鏡12nm;
精密儀幾何量測2、高度測量精度:≤±(0.2+L/100)μm;
43共聚焦顯微鏡單臺
器設備量儀器3、寬度測量重復性:50X物鏡40nm;
4、視場大?。骸?0.24×0.24)mm。
1、設備圖像自動識別準確率>98%;
2、鍵合力學動態(tài)檢測精度<0.1%FS;
3、重復性/再現(xiàn)性精度±0.1%FS;
全自動晶圓級測試精密儀智能在線
44單臺4、測試推刀尺寸精度≤±2um;
設備器設備檢測設備
5、產(chǎn)能:WPH≥35;
6、WaferWarpage:≤3mm;
7、先進封測晶圓規(guī)格8&12英寸晶圓兼容。
1、高速在線檢測效率:300-310PPM;
新能源汽車動力電精密儀智能在線2、電芯檢測范圍:15~75層;
45單臺
池X-Ray檢測機器設備檢測設備3、電池對齊度的誤判率:≤1%;
4、電池直徑≤50mm,可兼容頭尾部同時檢測。
1、RMS重復性:0.005nm
2、一個西格瑪臺階高度準確性:0.3%
精密儀智能在線
463D白光干涉閃測儀單臺3、PT<10%GRR<10%
器設備檢測設備
4、量測厚度:0.02-5mm
5、Z軸掃描速度:35um/s(最快400um/s)
1、DUT(個數(shù))≥8;
DDR5內(nèi)存條雙模式精密儀智能在線2、測試頻率:≥3200MHz;
47單臺
測試儀器設備檢測設備3、電壓:DIMM輸入電壓12±10%;
4、加熱:被測器件最高85攝氏度。
1、4、6、8吋SIC襯底;
2、檢測加工工藝缺陷和晶體結(jié)構(gòu)缺陷;
SiC晶圓襯底缺陷精密儀智能在線
48單臺3、檢出率:≥99%;
檢測設備器設備檢測設備
4、最小分辨率:顆粒物:≤0.2um;劃傷:≤1um;
5、檢測效率(6吋):大于20WPH。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、元素測量范圍:原子序數(shù)Z≥1包括C,H,O等有機元
素,以及N,Li,Be,B等輕元素,以及幾乎所有金屬、非
金屬元素;
精密儀物質(zhì)成分
49激光誘導光譜儀單臺2、濃度范圍10ppm至%級別;
器設備分析儀器
3、分析時間<30S;
4、八通道光譜儀,波長范圍190-1070nm,分辨率0.1nm
。
1、波長:532nm、515nm、鈦寶石3種可選;
激光掃描光聲顯微高端醫(yī)實驗儀器
50單臺2、分辨率最高3μm;
鏡療器械設備
3、0.9mmx0.9mm成像時間:≤13s。
1、多源數(shù)據(jù)融合;
2、實時三維建模,實時MESH;
三維機載應急測繪精密儀
51單臺其他3、自組網(wǎng)絡,異地同步;
設備器設備
4、重量:1.2kg;
5、測距精度:10cm@50米。
1、測序模式:6張載片同時上機;
2、支持讀長:PE100/PE150(未來有更多類型);
3、運行時間:最高達80h;
4、測序數(shù)據(jù)質(zhì)量:PE100時,Q30≥85%;PE150時,Q30≥
高端醫(yī)體外檢測
52超高通量測序儀單臺80%;
療器械設備
5、標簽長度:樣本標簽序列為10個堿基(bp),可提高樣
本識別的精確度;
6、數(shù)據(jù)通量:每次運行可產(chǎn)生≥72Tb的堿基數(shù)據(jù);
7、最大日通量:21.6Tb。
1、設備通量:150樣本/小時
2、攜帶污染率:10-6
全自動流式熒光發(fā)高端醫(yī)體外檢測3、濃縮清洗液在機稀釋:自帶ADS稀釋系統(tǒng)
53單臺
光免疫分析儀療器械設備4、級聯(lián)拓展:可四臺級聯(lián);與化學發(fā)光設備級聯(lián);連接流
水線
5、試劑位:40個,2-8°C在機冷藏
1、導航定位精度:系統(tǒng)總定位精度≤1mm;
脊柱外科手術(shù)導航高端醫(yī)醫(yī)療機器2、機械臂位置精度≤0.5mm,機械臂重復精度≤0.1mm;
54單臺
定位系統(tǒng)療器械人3、配準精度≤0.5mm;
4、壓力測量范圍:0.0N~20.0N,壓力測量分辨率≤0.1N。
1、左右兩路圖像時差不超過16ms;
2、手術(shù)器械插入部分最大寬度不超過9.5mm;
腹腔內(nèi)窺鏡單孔手高端醫(yī)醫(yī)療機器3、機械臂有效操作力不低于3.5N;
55單臺
術(shù)系統(tǒng)療器械人4、主從控制啟動延遲時間和主從控制跟隨延遲時間均不超
過90ms;
5、輸出視頻最大分辨率不小于1920×1080(像素)。
1、機械臂自由度:≥7自由度;
2、機械臂重復定位誤差:≤0.3mm;
關(guān)節(jié)置換手術(shù)導航高端醫(yī)醫(yī)療機器3、系統(tǒng)綜合導航定位精度:≤1.0mm;
56單臺
定位系統(tǒng)療器械人3、導航儀配備雙目攝像頭刷新率:335Hz;
4、導航儀系統(tǒng)配備同時跟蹤示蹤器數(shù)量:≥6個;
5、單套系統(tǒng)輔助完成膝關(guān)節(jié)、髖關(guān)節(jié)置換手術(shù)。
序號產(chǎn)品名稱類別一級領域二級領域技術(shù)參數(shù)
1、腦血流監(jiān)測流速測量范圍10cm/s~300cm/s;
生命信息2、自動探頭:掃描點81個,掃描時間小于45s,探頭偏轉(zhuǎn)
多參數(shù)心腦血流監(jiān)高端醫(yī)監(jiān)測與生角度大于20°;
57單臺
測系統(tǒng)療器械命支持設3、無創(chuàng)連續(xù)血壓測量準確性:小于±0.4kPa(±3mmHg);
備4、TCD/NIBP/ECG/SpO2/CO2數(shù)據(jù)同步;
5、心率變異性(HRV)和壓力反射敏感性(BRS)分析。
1、輸出像素:3840×2160P;
2、工作景深:3-200mm;
3、器械插入部分:
3D熒光超高清電子高端醫(yī)醫(yī)學影像
58單臺(1)鏡體外徑≤10.2mm;
胸腹腔鏡系統(tǒng)療器械設備
(2)最大工作長度:600mm;
(3)視場角:85°;
4、3D立體感自適應調(diào)節(jié)。
1、便攜一體式雙頻超聲內(nèi)鏡系統(tǒng);
2、雙頻超小探頭;
3、聲工作頻率:12MHz±15%和20MHz±15%;
4、探測深度:≥15mm(12MHz),≥10mm(20MHz);
5、軸向分辨力:≤0.3mm(12MHz),≤0.2mm
(20MHz);
高端醫(yī)醫(yī)學影像
59超聲內(nèi)鏡系統(tǒng)單臺6、側(cè)向分辨力:≤2mm;
療器械設備
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