(19)國家知識產權局院地址528000廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)科教路1號申請人中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所H01S李光輝理有限公司44542激光封裝器件包括：自下而上依次設置的基板、圍壩以及透光材料；多波長激光封裝器件還包出至少一種波長的激光照射到反射構件的入射21.一種多波長激光封裝器件，其特征在于，所述多波長激光封裝器件包括：自下而上依所述多波長激光封裝器件還包括：反射構件和多顆激光芯片；所述反射構件的中心設置在所述圍壩形成的腔體底部中心，每兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側；多顆所述激光芯片，用于發(fā)出至少一種波長的激光照射到所述反射構件的入射點；所述反射構件，用于對各所述激光芯片發(fā)出的激光進行反射，通過所述透光材料發(fā)射向外界，并在距離所述激光芯片預設固定距離處匯聚。2.如權利要求1所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述多波長激光封裝器件還包括：兩倍于所述激光芯片數量的電極結構；每顆所述激光芯片對應設置兩個所述電極結構，所述激光芯片設置在至少一個電極結構的上部，所述電極結構與對應的所述激光芯片電性連接，所述電極結構還貫通所述基板連接至外部供電源。3.如權利要求1所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述反射構件為多面錐體結構，所述反射構件的側面數量不少于所述激光芯片的數量；所述反射構件的側面設置有反射鍍層；所述反射構件的高度低于所述圍壩的高度，高于所述激光芯片的高度；所述反射構件的傾斜角設置在預設傾角范圍內。4.如權利要求3所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述激光芯片發(fā)射的激光照射到所述反射構件上的入射點的高度設置在所述反射構件的側面高度的預設比例范圍內；兩顆對稱設置的所述激光芯片在所述反射構件上入射點的距離以及所述反射構件的傾斜角根據測試探頭的所述預設固定距離構建第一映射關系，并根據所述第一映射關系設置入射點的距離以及傾斜角。5.如權利要求4所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述基板與所述反射構件的接觸部位設置有預設深度的凹槽；所述反射構件設置在預設深度的所述凹槽后，所述激光芯片發(fā)射的激光照射到所述反射構件上的入射點的高度設置在所述反射構件的側面高度的預設比例范圍內。6.如權利要求1所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述激光芯片的數量為兩顆，兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側，兩顆所述激光芯片發(fā)出的激光位于同一條直線上。7.如權利要求6所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述反射構件靠近所述激光芯片的兩個側面為傾斜反射面，所述反射構件的兩個傾斜反射面延伸至所述圍壩；所述反射構件與所述圍壩一體形成。8.如權利要求1所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述激光芯片的數量為四顆，所述反射構件為四棱錐結構，包含四個傾斜反射面，四顆所述激光芯片分別對應所述反射構件的四個傾斜反射面設置，四個傾斜反射面的傾斜角相同，四顆所述激光芯片的共同重心位于所述反射構件的中心。9.如權利要求8所述的多波長激光封裝器件，其特征在于，所述傾斜反射面在所述激光芯片的入射點位置的水平寬度以及所述激光芯片到所述入射點的距離根據所述激光芯片3的發(fā)散角度進行設置。10.一種檢測設備，其特征在于，所述檢測設備包括如權利要求1至9中任一項所述多波長激光封裝器件。4技術領域[0001]本發(fā)明涉及光電子器件技術領域，尤其涉及一種多波長激光封裝器件和檢測設背景技術[0002]激光芯片一般分為邊發(fā)射激光器以及垂直腔面發(fā)射激光器。邊發(fā)射激光器一般采用晶體管外形(TransistorOutline,TO)方式封裝。垂直腔面發(fā)射激光器一般采用陶瓷基板封裝方式?，F(xiàn)有的激光封裝方式一般適用于獨立激光器件的應用。對于一些小功率，多芯片的集成應用，現(xiàn)有的封裝方式不能解決應用需求。例如在涉及到多個波長的不同芯片時，可能需要使用多個獨立激光器件。[0003]上述內容僅用于輔助理解本發(fā)明的技術方案，并不代表承認上述內容是現(xiàn)有技發(fā)明內容[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種多波長激光封裝器件和檢測設備，旨在解決現(xiàn)有技術中獨立激光器件無法實現(xiàn)多波長同時應用的技術問題。[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種多波長激光封裝器件，所述多波長激光封裝器所述多波長激光封裝器件還包括：反射構件和多顆激光芯片；所述反射構件的中心設置在所述圍壩形成的腔體底部中心，每兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側，各所述激光芯片到所述反射構件上的入射點距離相同；多顆所述激光芯片，用于發(fā)出至少一種波長的激光照射到所述反射構件的入射所述反射構件，用于對各所述激光芯片發(fā)出的激光進行反射，通過所述透光材料發(fā)射向外界，并在距離芯片預設固定距離處匯聚。[0006]可選地，所述多波長激光封裝器件還包括：兩倍于所述激光芯片數量的電極結構；每顆所述激光芯片對應設置兩個所述電極結構，所述激光芯片設置在至少一個電極結構的上部，所述電極結構與對應的所述激光芯片電性連接，所述電極結構還貫通所述基板連接至外部供電源。[0007]可選地，所述反射構件為多面錐體結構，所述反射構件的側面數量不少于所述激光芯片的數量；所述反射構件的側面設置有反射鍍層；所述反射構件的高度低于所述圍壩的高度，高于所述激光芯片的高度；所述反射構件的傾斜角設置在預設傾角范圍內。[0008]可選地，所述激光芯片發(fā)射的激光照射到所述反射構件上的入射點的高度設置在所述反射構件的側面高度的預設比例范圍內；5兩顆對稱設置的所述激光芯片在所述反射構件上入射點的距離以及所述反射構件的傾斜角根據測試探頭的所述預設固定距離構建第一映射關系，并根據所述第一映射關系設置入射點的距離以及傾斜角。[0009]可選地，所述基板與所述反射構件的接觸部位設置有預設深度的凹槽；所述反射構件設置在預設深度的所述凹槽后，所述激光芯片發(fā)射的激光照射到所述反射構件上的入射點的高度設置在所述反射構件的側面高度的預設比例范圍內。[0010]可選地，所述激光芯片的數量為兩顆，兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側，兩顆所述激光芯片發(fā)出的激光位于同一條直線上。[0011]可選地，所述反射構件靠近所述激光芯片的兩個側面為傾斜反射面，所述反射構件的兩個傾斜反射面連接至所述圍壩；所述反射構件與所述圍壩一體形成。[0012]可選地，所述激光芯片的數量為四顆，所述反射構件為四棱錐結構，包含四個傾斜反射面，四顆所述激光芯片分別對應所述反射構件的四個傾斜反射面設置，四個傾斜反射面的傾斜角相同，四顆所述激光芯片的共同重心位于所述反射構件的中心。[0013]可選地，所述傾斜反射面在所述激光芯片的入射點位置的水平寬度以及所述激光芯片到所述入射點的距離根據所述激光芯片的發(fā)散角度進行設置。[0014]此外，為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種檢測設備，所述檢測設備包括如上文所述的多波長激光封裝器件。[0015]本申請?zhí)岢龅囊粋€或多個技術方案，至少具有以下技術效果：本發(fā)明提供了一種多波長激光封裝器件和檢測設備，多波長激光封裝器件包括：自下而上依次設置的基板、圍壩以及透光材料；所述多波長激光封裝器件還包括：反射構件和多顆激光芯片；所述反射構件的中心設置在所述圍壩形成的腔體底部中心，每兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側；多顆所述激光芯片，用于發(fā)出至少一種波長的激光照射到所述反射構件的入射點；所述反射構件，用于對各所述激光芯片發(fā)出的激光進行反射，通過所述透光材料發(fā)射向外界，并在距離芯片預設固定距離處匯聚。通過集成多顆激光芯片以及設置反射構件的封裝芯片，發(fā)出的不同波長激光經由反射構件反射后能在固定距離匯聚以供進行檢測。實現(xiàn)多波長激光的單探頭檢測，有利于便攜化設計。附圖說明[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖示出的結構獲得其他的附圖。[0017]圖1為本發(fā)明多波長激光封裝器件第一實施例的結構示意圖；圖2為本發(fā)明多波長激光封裝器件第一實施例中激光的傳輸示意圖；圖3為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例的結構示意圖；圖4為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例中芯片俯視的結構示意圖；圖5為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例中芯片一體形成的俯視結構示意6圖6為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例中凹槽設置的結構示意圖；圖7為本發(fā)明多波長激光封裝器件第三實施例的結構示意圖；圖8為本發(fā)明多波長激光封裝器件第三實施例中反射構件多面錐體設置的俯視結構示意圖；圖9為本發(fā)明檢測設備一實施例的結構示意圖。[0018]本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。具體實施方式[0019]應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。[0020]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關系、運動情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時，則該方向性指示也相應地隨之改變。二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外，各個實施例之間的技術方案可以相互結合，但是必須是以本領域普通技術人員能夠實現(xiàn)為基礎，當技術方案的結合出現(xiàn)相互矛盾或無法實現(xiàn)時應當認為這種技術方案的結合不存在，也不在本發(fā)明要求的保護范圍之內。[0023]本發(fā)明實施例的主要解決方案是：所述多波長激光封裝器件包括：自下而上依次設置的基板、圍壩以及透光材料；所述多波長激光封裝器件還包括：反射構件和多顆激光芯片。所述反射構件的中心設置在所述圍壩形成的腔體底部中心，每兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側，各所述激光芯片到所述反射構件上的入射點距離相同；多顆所述激光芯片，用于發(fā)出至少一種波長的激光照射到所述反射構件的入射點；所述反射構件，用于對各所述激光芯片發(fā)出的激光進行反射，通過所述透光材料發(fā)射向外界，并在距離芯片預設固定距離處的測試探頭80處匯聚。[0024]激光芯片一般分為邊發(fā)射激光器以及垂直腔面發(fā)射激光器。邊發(fā)射激光器一般采用晶體管外形(TransistorOutline,TO)方式封裝。垂直腔面發(fā)射激光器一般采用陶瓷基板封裝方式。現(xiàn)有的激光封裝方式一般適用于獨立激光器件的應用。[0025]對于一些小功率，多芯片的集成應用，現(xiàn)有的封裝方式不能解決應用需求。以水質的檢測應用為例，光譜法檢測設備目前小型化，便攜化是發(fā)展趨勢。激光封裝器件由于體積小，亮度高適用于設備的發(fā)展應用。光譜法檢測的原理是測試光通過水體后由測試探頭80測試水體的吸光度，進而計算水中的溶解物含量。針對水質中不同溶解物，采用光譜法檢測時會涉及多個發(fā)光波長的芯片。涉及到多個波長的不同芯片時，需要使用多個獨立激光器件采集進行檢測，不利于檢測和攜帶。[0026]本申請?zhí)峁┑囊环N解決方案中，通過集成多顆激光芯片以及設置反射構件的封裝7芯片，發(fā)出的不同波長激光經由反射構件反射后能在固定距離匯聚以供進行檢測。實現(xiàn)多波長激光的單探頭檢測，有利于便攜化設計。[0027]基于此，本申請實施例提供了一種多波長激光封裝器件，參照圖1,圖1為本發(fā)明多波長激光封裝器件第一實施例的結構示意圖，如圖1所示，在本實施例中，所述多波長激光封裝器件包括：自下而上依次設置的基板10、圍壩20以及透光材料30。所述多波長激光封裝器件還包括：反射構件40以及多顆激光芯片50。[0028]其中，所述反射構件40的中心設置在所述圍壩20形成的腔體底部中心，每兩顆所述激光芯片50對稱設置在所述反射構件40的兩側，各所述激光芯片50到所述反射構件40上的入射點。[0029]需要說明的是，基板10可以是承載整體芯片各部件的底部平面基板，圍壩20形成的腔體底部設置激光芯片50和反射構件40,反射構件40和激光芯片50均設置在基板10上。基板10和圍壩20均可采用金屬，陶瓷或硅等材料。[0030]其中，激光芯片50可以是具備一個波長的激光發(fā)射能力的電子芯片，采用多顆激光芯片，每顆均具備不同波長的激光發(fā)射能力。反射構件40可以是具備光路調節(jié)能力的結構，可以由金屬及硅等材料構成?？梢栽诩す獾慕佑|反射面上制備反射鍍層的方式提高光的反射能力。[0031]需要說明的是，多顆所述激光芯片50可以用于發(fā)出至少一種波長的激光照射到所述反射構件40的入射點；所述反射構件40可以用于對各所述激光芯片發(fā)出的激光進行反射，通過所述透光材料發(fā)射向外界，并在距離芯片預設固定距離處匯聚。[0032]應當理解的是，反射構件40具備多個反射面對應多顆激光芯片50,多顆激光芯片50兩兩根據反射構件40的中心進行對稱，每個反射面的傾斜角相同，激光芯片到所述反射構件上的入射點距離相同，若是中間沒有設置反射構件，那么各激光芯片發(fā)射的激光會匯聚到一點上(即反射構件的中心位置)。因此多顆激光芯片50發(fā)出的激光經過反射構件40的反射后，會通過透光材料30向外部發(fā)射，并在距離芯片預設固定距離處的測試探頭處匯聚。[0033]其中，測試探頭可以是采集接收激光并進行處理的功能元件，預設固定距離可以是測試探頭至芯片的距離，更精確的可以是激光芯片到所述反射構件上的入射點所處平面至測試探頭的距離。經由反射構件40反射的激光會在預設固定距離的位置匯聚在一點，以便測試探頭對不同波長的激光進行采集接收。[0034]圖1中以兩顆激光芯片為例，也可以設置更多顆激光芯片發(fā)出不同波長的激光以滿足不同的檢測實驗需求。反射構件40可以對應設置為多面錐體結構，所述反射構件的側面數量不少于所述激光芯片的數量。例如當多波長激光封裝器件包含兩顆激光芯片時，激光芯片能夠對稱設置在反射構件的兩側，當激光芯片為六面錐體時，激光芯片可以設置朝向六面錐體對應設置的第一側面和第四側面。當多波長激光封裝器件包含三顆激光芯片時，激光芯片能夠中心對稱設置在反射構件的三個側面，當激光芯片為六面錐體時，激光芯片可以設置朝向六面錐體中心對稱的第二側面、第四側面和第六側面。所述反射構件40的高度需要低于所述圍壩的高度，并高于所述激光芯片的高度。以確保芯片能夠合縫封裝并實現(xiàn)對激光的反射功能。如本實施例的封裝方式，可以使得兩顆激光芯片照射到反射構件上的入射點之間的距離小于3mm,即小于一般獨立封裝器件中心距。[0035]參照圖2,圖2為本發(fā)明多波長激光封裝器件第一實施例中激光的傳輸示意圖。激8光芯片發(fā)射的激光照射到所述反射構件上的入射點的高度設置在所述反射構件的側面高度的預設比例范圍內。所述反射構件的傾斜角設置在預設傾角范圍內。[0036]應當理解的是，入射點的高度應該位于反射構件高度的預設比例范圍(例如1/3~2/3)之間，避免入射點位于反射構件的反射面兩端時，由于反射面制作工藝可能存在的兩端不平造成反射效果變差的問題。[0037]在一種可能的實現(xiàn)方式中，反射構件的傾斜角(即發(fā)射面與平面的夾角)設置在預設傾角范圍(例如30~60度)之間。傾斜角不能太大，若是太大則無法形成光線的反射；也不能太小，由于激光發(fā)射存在一定的發(fā)散角，傾斜角太小容易造成反射光線的發(fā)散。通過調整反射構件的傾斜角，使得激光能夠反射到預設固定距離處的一個范圍內，以便激光采樣器件接收反射激光。[0038]進一步的，兩顆對稱設置的所述激光芯片在所述反射構件上入射點的距離以及所述反射構件的傾斜角根據測試探頭的所述預設固定距離構建第一映射關系，即：Tan20=整反射構件的傾斜角，使得激光能夠精確反射到預設固定距離處，可以根據所述第一映射關系，按照實際的預設固定距離設置入射點的距離以及對應的傾斜角。[0039]在本實施例中，多波長激光封裝器件包括：自下而上依次設置的基板、圍壩以及透光材料；所述多波長激光封裝器件還包括：反射構件和多顆激光芯片；所述反射構件的中心設置在所述圍壩形成的腔體底部中心，每兩顆所述激光芯片對稱設置在所述反射構件的兩側；多顆所述激光芯片，用于發(fā)出至少一種波長的激光照射到所述反射構件的入射點；所述反射構件，用于對各所述激光芯片發(fā)出的激光進行反射，通過所述透光材料發(fā)射向外界，并在距離芯片預設固定距離處匯聚。通過集成多顆激光芯片以及設置反射構件的封裝芯片，發(fā)出的不同波長激光經由反射構件反射后能在固定距離匯聚以供進行檢測。實現(xiàn)多波長激光的單探頭檢測，有利于便攜化設計。[0040]參照圖3和圖4,圖3為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例的結構示意圖；圖4為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例中芯片俯視的結構示意圖。在本實施例中，與上述第一實施例相同或相似的內容，可以參考上文介紹，后續(xù)不再贅述。[0041]所述多波長激光封裝器件還包括：兩倍于所述激光芯片數量的電極結構60;每顆所述激光芯片50對應設置兩個所述電極結構60,進而形成完整的供電回路。所述激光芯片50設置在至少一個電極結構60的上部，所述電極結構60與對應的所述激光芯片50電性連接，所述電極結構60還貫通所述基板10連接至外部供電源(未在圖中示出),外部供電源的供電信號通過基板下方的底部電極，傳輸至激光芯片50為激光發(fā)射進行供電。[0042]在一種可能的實現(xiàn)方式中，當激光芯片50的數量為兩顆時，所述反射構件40靠近所述激光芯片50的兩個側面為傾斜反射面，所述反射構件40的兩個傾斜反射面連接至所述圍壩20;所述反射構件40與所述圍壩20一體形成。參照圖5,圖5為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例中芯片一體形成的俯視結構示意圖。反射構件40與所述圍壩20通過刻蝕等工藝直接形成，并在傾斜反射面上設置反射鍍層，進而簡化芯片的加工難度。[0043]進一步地，由于部分激光芯片的高度較低，入射點的高度無法位于反射構件高度的預設比例范圍(例如1/3~2/3)之間。所述基板與所述反射構件的接觸部位可以設置有預設深度的凹槽70;所述反射構件設置在預設深度的所述凹槽后，所述激光芯片發(fā)射的激光9照射到所述反射構件上的入射點的高度設置在所述反射構件的側面高度的預設比例范圍內。參照圖6,圖6為本發(fā)明多波長激光封裝器件第二實施例中凹槽設置的結構示意圖。通過設置預設深度的凹槽避免芯片高度較低時入射角在反射構件底部，調控光線出射的集中度，凹槽的深度可以根據激光芯片以及反射構件的高度具體設置，例如可以設置凹槽深度[0044]參照圖7,圖7為本發(fā)明多波長激光封裝器件第三實施例的結構示意圖，如圖7所[0045]在本實施例中，所述激光芯片50的數量可以為四顆，所述反射構件40為四棱錐結構，包含四個傾斜反射面，四顆所述激光芯片分別對應所述反射構件的四個傾斜反射面設置，四個傾斜反射面的傾斜角相同，四顆所述激光芯片的共同重心位于所述反射構件的中心。四顆激光芯片發(fā)射的激光在沒有反射構件的情況下匯聚于一點。匯聚點位