《GB/T6115.4-2014電力系統(tǒng)用串聯(lián)電容器第4部分：

晶閘管控制的串聯(lián)電容器》(2025年)實(shí)施指南目錄為何成為柔性輸電核心?GB/T6115.4-2014標(biāo)準(zhǔn)核心框架與行業(yè)價(jià)值深度剖析如何通過試驗(yàn)驗(yàn)證可靠性?GB/T6115.4-2014規(guī)定的TCSC試驗(yàn)項(xiàng)目與方法全解析運(yùn)行中如何防患于未然?GB/T6115.4-2014規(guī)范的TCSC運(yùn)行維護(hù)與故障處理策略控制保護(hù)系統(tǒng)如何精準(zhǔn)賦能?GB/T6115.4-2014下TCSC控制策略與保護(hù)配置深度剖析標(biāo)準(zhǔn)如何銜接未來技術(shù)?GB/T6115.4-2014與新能源并網(wǎng)及智能電網(wǎng)的融合路徑從設(shè)計(jì)源頭把控質(zhì)量:GB/T6115.4-2014對TCSC核心組件技術(shù)要求專家解讀安裝調(diào)試暗藏哪些關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)?GB/T6115.4-2014指導(dǎo)下的TCSC施工與調(diào)試要點(diǎn)精講絕緣性能是生命線?GB/T6115.4-2014對TCSC絕緣設(shè)計(jì)與試驗(yàn)的嚴(yán)格要求解讀環(huán)境適應(yīng)性如何突破局限?GB/T6115.4-2014指導(dǎo)TCSC極端環(huán)境應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)實(shí)施過程常見誤區(qū)如何規(guī)避?GB/T6115.4-2014落地執(zhí)行中的難點(diǎn)與解決方TCSC為何成為柔性輸電核心？GB/T6115.4-2014標(biāo)準(zhǔn)核心框架與行業(yè)價(jià)值深度剖析TCSC技術(shù)崛起：柔性輸電時(shí)代的必然選擇1隨著電力系統(tǒng)向高電壓、大容量、跨區(qū)域方向發(fā)展，傳統(tǒng)輸電方式面臨調(diào)壓難、穩(wěn)定性不足等問題。晶閘管控制的串聯(lián)電容器（TCSC）通過晶閘管精準(zhǔn)控制，實(shí)現(xiàn)容抗連續(xù)調(diào)節(jié)，可快速改善線路潮流分布、提升暫態(tài)穩(wěn)定性。GB/T6115.4-2014的制定，正是順應(yīng)這一技術(shù)趨勢，為TCSC規(guī)?；瘧?yīng)用提供統(tǒng)一技術(shù)規(guī)范，奠定其柔性輸電核心地位。2（二）標(biāo)準(zhǔn)制定背景：解決行業(yè)痛點(diǎn)的關(guān)鍵舉措2014年前，國內(nèi)TCSC應(yīng)用缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，不同廠家產(chǎn)品設(shè)計(jì)、試驗(yàn)方法差異大，導(dǎo)致設(shè)備兼容性差、運(yùn)維成本高。該標(biāo)準(zhǔn)基于國內(nèi)多年工程實(shí)踐，借鑒IEC相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，針對TCSC獨(dú)特結(jié)構(gòu)與運(yùn)行特性，明確技術(shù)要求、試驗(yàn)方法等核心內(nèi)容，有效解決行業(yè)技術(shù)壁壘問題，推動(dòng)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化發(fā)展。12（三）標(biāo)準(zhǔn)核心框架：從范圍到術(shù)語的全面界定1標(biāo)準(zhǔn)開篇界定適用范圍為交流50Hz、電壓等級35kV及以上電力系統(tǒng)用TCSC，明確不包含換流站相關(guān)設(shè)備。術(shù)語定義部分規(guī)范“晶閘管控制電抗器”“觸發(fā)角”等關(guān)鍵概念，避免歧義。整體框架涵蓋技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、安裝調(diào)試等7大模塊，形成“基礎(chǔ)定義-技術(shù)要求-驗(yàn)證落地”的完整邏輯鏈，為實(shí)施提供清晰指引。2行業(yè)價(jià)值重構(gòu)：標(biāo)準(zhǔn)賦能電力系統(tǒng)升級的深層邏輯1標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施后，TCSC設(shè)備質(zhì)量一致性顯著提升，不同廠家產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通。在西電東送等重大工程中，依標(biāo)生產(chǎn)的TCSC有效提升輸電容量15%-20%，降低線損5%-8%。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)技術(shù)研發(fā)聚焦核心痛點(diǎn)，加速國產(chǎn)TCSC替代進(jìn)口，使設(shè)備采購成本降低約30%，彰顯標(biāo)準(zhǔn)對行業(yè)降本增效與技術(shù)升級的核心賦能作用。2、從設(shè)計(jì)源頭把控質(zhì)量：GB/T6115.4-2014對TCSC核心組件技術(shù)要求專家解讀串聯(lián)電容器組：TCSC的容性核心設(shè)計(jì)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)明確串聯(lián)電容器組采用膜紙復(fù)合介質(zhì)或全膜介質(zhì)，額定電壓偏差需控制在±5%內(nèi)，局部放電量≤10pC。針對電容器單元，要求采用內(nèi)熔絲結(jié)構(gòu)，單臺容量偏差不超過±3%，且需通過1.2倍額定電壓下1000h耐久性試驗(yàn)。這些要求從介質(zhì)選型到結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保容性核心的穩(wěn)定性與壽命。（二）晶閘管控制電抗器：調(diào)節(jié)性能的關(guān)鍵保障要求01晶閘管器件需滿足額定電流下通態(tài)壓降≤1.8V，斷態(tài)重復(fù)峰值電壓≥1.2倍額定值，觸發(fā)延遲時(shí)間≤5μs。電抗器繞組采用銅導(dǎo)線，直流電阻偏差≤±2%，額定工況下溫升不超過75K。標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定電抗器需通過突發(fā)短路試驗(yàn)，確保在故障電流下不損壞，為調(diào)節(jié)性能提供硬件保障。02（三）阻尼裝置：抑制振蕩的核心設(shè)計(jì)參數(shù)解析01阻尼裝置分為電阻阻尼和電抗阻尼兩類，標(biāo)準(zhǔn)要求阻尼電阻在額定電流下溫升≤100K，短時(shí)耐受電流能力不低于2倍額定值，持續(xù)時(shí)間5s。阻尼電抗器的額定電抗值偏差≤±5%，與電阻配合需使回路阻尼比≥0.15，有效抑制TCSC投切及調(diào)節(jié)過程中產(chǎn)生的次同步振蕩，保障系統(tǒng)穩(wěn)定。02閥體結(jié)構(gòu)：集成化設(shè)計(jì)的密封性與絕緣要求閥體采用全封閉SF6氣體絕緣結(jié)構(gòu)，SF6氣體含水量≤150μL/L，年泄漏率≤0.5%。閥體內(nèi)部絕緣距離需滿足額定電壓下的工頻耐壓要求，且各組件布置需避免電場畸變，最大場強(qiáng)≤2.5kV/mm。標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定閥體需通過溫度循環(huán)試驗(yàn)，適應(yīng)-40℃至60℃的環(huán)境變化。、如何通過試驗(yàn)驗(yàn)證可靠性？GB/T6115.4-2014規(guī)定的TCSC試驗(yàn)項(xiàng)目與方法全解析型式試驗(yàn)：全面考核設(shè)備性能的核心試驗(yàn)體系01型式試驗(yàn)含12項(xiàng)核心項(xiàng)目，其中溫升試驗(yàn)需在額定工況下持續(xù)運(yùn)行4h，各組件溫升不超過標(biāo)準(zhǔn)限值；短時(shí)耐受電流試驗(yàn)施加2.5倍額定電流，持續(xù)3s，設(shè)備無損傷。此外，還包括雷電沖擊試驗(yàn)、操作沖擊試驗(yàn)等，全面驗(yàn)證設(shè)備在極限工況下的性能，僅通過型式試驗(yàn)的產(chǎn)品方可批量生產(chǎn)。02（二）出廠試驗(yàn)：逐臺把控質(zhì)量的關(guān)鍵檢驗(yàn)流程1每臺設(shè)備需進(jìn)行出廠試驗(yàn)，包括絕緣電阻測量（采用2500V兆歐表，絕緣電阻≥10000MΩ)、直流電阻測量（偏差≤±2%）、密封性試驗(yàn)（SF6氣體泄漏率檢測）。針對晶閘管組件，需逐只進(jìn)行觸發(fā)特性試驗(yàn)，確保觸發(fā)一致性。出廠試驗(yàn)不合格的產(chǎn)品嚴(yán)禁出廠，從源頭把控質(zhì)量。2（三）現(xiàn)場交接試驗(yàn)：確保安裝質(zhì)量的落地驗(yàn)證手段01現(xiàn)場試驗(yàn)重點(diǎn)考核安裝后的整體性能，包括回路電阻測量（采用直流壓降法，偏差≤±5%）、控制系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)試驗(yàn)（觸發(fā)信號響應(yīng)時(shí)間≤10μs）、投切試驗(yàn)（連續(xù)投切10次無異常）。試驗(yàn)需在設(shè)備安裝完畢、SF6氣體充氣并靜置24h后進(jìn)行，試驗(yàn)合格方可移交運(yùn)行。02特殊試驗(yàn)：應(yīng)對極端場景的針對性驗(yàn)證方案1針對高海拔、高濕度等特殊環(huán)境，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定高海拔試驗(yàn)需在模擬海拔4000m條件下進(jìn)行，工頻耐壓值按海拔系數(shù)修正；污穢試驗(yàn)采用等值鹽密法，根據(jù)污穢等級施加對應(yīng)的污穢層，考核絕緣性能。特殊試驗(yàn)為設(shè)備在極端場景應(yīng)用提供可靠性證明，拓展TCSC適用范圍。2、安裝調(diào)試暗藏哪些關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)？GB/T6115.4-2014指導(dǎo)下的TCSC施工與調(diào)試要點(diǎn)精講前期準(zhǔn)備：奠定施工基礎(chǔ)的技術(shù)與環(huán)境要求施工前需核查設(shè)備基礎(chǔ)尺寸偏差≤±2mm，水平度偏差≤1‰。環(huán)境要求施工現(xiàn)場溫度0℃-40℃,濕度≤85%，無粉塵及腐蝕性氣體。技術(shù)準(zhǔn)備包括編制專項(xiàng)施工方案、對施工人員進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)培訓(xùn)，確保熟悉設(shè)備結(jié)構(gòu)及安裝要求，避免因準(zhǔn)備不足導(dǎo)致施工質(zhì)量問題。（二）核心組件安裝：精準(zhǔn)把控的關(guān)鍵施工流程電容器組安裝需采用專用吊具，起吊速度≤0.5m/s，避免碰撞；晶閘管閥體安裝時(shí)，法蘭面平整度偏差≤0.1mm/m，螺栓緊固力矩符合設(shè)計(jì)要求。電抗器安裝需調(diào)整水平度，偏差≤2‰，繞組接線端子連接牢固，接觸電阻≤50μΩ,確保各組件安裝精度達(dá)標(biāo)。（三）系統(tǒng)調(diào)試：實(shí)現(xiàn)整體性能的分步驗(yàn)證策略調(diào)試分三步：第一步單體調(diào)試，校驗(yàn)各組件參數(shù)達(dá)標(biāo)；第二步分系統(tǒng)調(diào)試，測試控制回路與主回路聯(lián)動(dòng)；第三步整體調(diào)試，模擬不同運(yùn)行工況，驗(yàn)證容抗調(diào)節(jié)范圍（0.2-1.0倍額定容抗）、響應(yīng)時(shí)間(≤20ms）等指標(biāo)。調(diào)試過程需記錄關(guān)鍵數(shù)據(jù)，形成調(diào)試報(bào)告。12安裝調(diào)試文檔：追溯質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)化記錄要求A標(biāo)準(zhǔn)要求形成6類核心文檔，包括施工日志、設(shè)備開箱驗(yàn)收記錄、隱蔽工程記錄、調(diào)試數(shù)據(jù)記錄表等。文檔需明確記錄施工人員、時(shí)間、參數(shù)等信息，其中調(diào)試數(shù)據(jù)需經(jīng)監(jiān)理單位簽字確認(rèn)。這些文檔為設(shè)備全生命周期管理提供可追溯依據(jù)，便于后續(xù)運(yùn)維與故障分析。B、運(yùn)行中如何防患于未然？GB/T6115.4-2014規(guī)范的TCSC運(yùn)行維護(hù)與故障處理策略日常巡檢：及時(shí)發(fā)現(xiàn)隱患的標(biāo)準(zhǔn)化檢查流程日常巡檢每日1次，重點(diǎn)檢查SF6氣體壓力（正常范圍0.4-0.6MPa）、設(shè)備外觀有無破損、接頭有無發(fā)熱（紅外測溫≤60℃)。每周進(jìn)行1次控制系統(tǒng)檢查，測試觸發(fā)信號穩(wěn)定性。巡檢需填寫記錄表，對異常數(shù)據(jù)及時(shí)分析，形成“檢查-記錄-分析-整改”閉環(huán)。（二）定期維護(hù)：延長設(shè)備壽命的周期性保養(yǎng)要求每月進(jìn)行電容器組絕緣電阻測量，每季度檢查阻尼裝置連接螺栓緊固情況，每年開展SF6氣體微水含量檢測及晶閘管特性測試。每3年進(jìn)行一次整體預(yù)防性試驗(yàn)，包括溫升試驗(yàn)、絕緣試驗(yàn)等。定期維護(hù)需嚴(yán)格按周期執(zhí)行，避免因保養(yǎng)缺失導(dǎo)致設(shè)備老化加速。（三）常見故障診斷：基于標(biāo)準(zhǔn)的精準(zhǔn)定位方法針對電容器滲漏油故障，采用紫外檢漏法定位，結(jié)合介質(zhì)損耗測試判斷絕緣狀態(tài)；晶閘管觸發(fā)故障通過示波器檢測觸發(fā)信號波形，排查觸發(fā)板或光纜問題。標(biāo)準(zhǔn)提供故障診斷流程圖，明確不同故障現(xiàn)象對應(yīng)的檢測方法，提高診斷效率與準(zhǔn)確性。故障處理預(yù)案：保障快速恢復(fù)的標(biāo)準(zhǔn)化流程故障發(fā)生后，先執(zhí)行緊急停機(jī)流程，切斷電源并做好安全措施。根據(jù)故障類型啟動(dòng)對應(yīng)預(yù)案：絕緣故障需更換受損組件并重新試驗(yàn)；控制故障需更換故障模塊并進(jìn)行聯(lián)動(dòng)測試。處理完成后，需進(jìn)行24h試運(yùn)行，確認(rèn)無異常后方可恢復(fù)正常運(yùn)行，確保故障處理規(guī)范高效。12、絕緣性能是生命線？GB/T6115.4-2014對TCSC絕緣設(shè)計(jì)與試驗(yàn)的嚴(yán)格要求解讀絕緣設(shè)計(jì)基本原則：兼顧強(qiáng)度與壽命的核心邏輯標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定絕緣設(shè)計(jì)需遵循“分級絕緣”原則，核心組件絕緣強(qiáng)度需比輔助組件高1.2倍。采用“絕緣配合”設(shè)計(jì)，確保各組件絕緣水平與系統(tǒng)過電壓水平匹配。同時(shí)，考慮絕緣老化因素，設(shè)計(jì)壽命≥30年，通過材料選型（如耐老化環(huán)氧樹脂）與結(jié)構(gòu)優(yōu)化（如均壓環(huán)設(shè)計(jì)）保障長期絕緣性能。（二）主絕緣結(jié)構(gòu)：關(guān)鍵部位的絕緣強(qiáng)度要求1電容器單元主絕緣介質(zhì)耐溫≥105℃,擊穿場強(qiáng)≥20kV/mm；晶閘管閥體主絕緣采用SF6氣體與環(huán)氧樹脂復(fù)合絕緣，工頻耐壓值為額定電壓的2.5倍，雷電沖擊耐壓值為額定電壓的5倍。主絕緣結(jié)構(gòu)需通過局放試驗(yàn)，在1.1倍額定電壓下局放≤5pC，確保絕緣強(qiáng)度達(dá)標(biāo)。2（三）絕緣試驗(yàn)體系：多維度驗(yàn)證絕緣可靠性的方法01絕緣試驗(yàn)包括工頻耐壓試驗(yàn)（持續(xù)1min無閃絡(luò)）、直流耐壓試驗(yàn)（泄漏電流穩(wěn)定且≤10μA）、局部放電試驗(yàn)、老化試驗(yàn)（1.2倍額定電壓下1000h運(yùn)行）。針對濕熱環(huán)境，增加濕耐受試驗(yàn)，在相對濕度90%、溫度40℃條件下進(jìn)行耐壓試驗(yàn)，全面驗(yàn)證絕緣在不同工況下的可靠性。02絕緣劣化防控：延長絕緣壽命的運(yùn)維保障措施1運(yùn)行中需定期監(jiān)測絕緣參數(shù)，如電容器介質(zhì)損耗角正切值(≤0.005）、SF6氣體含水量。針對絕緣劣化趨勢，采取干燥處理、絕緣涂覆等措施。標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定絕緣組件超過15年需進(jìn)行全面評估，必要時(shí)更換，通過全生命周期管控，防控絕緣劣化風(fēng)險(xiǎn)。2、控制保護(hù)系統(tǒng)如何精準(zhǔn)賦能？GB/T6115.4-2014下TCSC控制策略與保護(hù)配置深度剖析（一）

控制系統(tǒng)架構(gòu)

：分層控制的高效協(xié)同設(shè)計(jì)控制系統(tǒng)采用“站級-間隔級-設(shè)備級”三層架構(gòu)，

站級負(fù)責(zé)全局協(xié)調(diào)，

間隔級實(shí)現(xiàn)單套TCSC

控制，

設(shè)備級控制晶閘管等組件

。

三層之間通過光纖通信，

傳輸延遲≤5ms

。標(biāo)準(zhǔn)要求控制系統(tǒng)具備冗余設(shè)計(jì)，

主備系統(tǒng)切換時(shí)間≤10ms，

確?？刂七B續(xù)性與可靠性。（二）核心控制策略：實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)的關(guān)鍵算法要求1采用“模糊PID控制”算法，根據(jù)線路潮流變化動(dòng)態(tài)調(diào)整PID參數(shù)，容抗調(diào)節(jié)精度≤±2%。針對暫態(tài)穩(wěn)定控制，采用“快速觸發(fā)”策略，故障發(fā)生后10ms內(nèi)調(diào)整晶閘管觸發(fā)角。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定控制策略需通過RTDS實(shí)時(shí)仿真驗(yàn)證，確保在不同運(yùn)行工況下調(diào)節(jié)精準(zhǔn)。2（三）保護(hù)配置原則：兼顧可靠性與選擇性的設(shè)計(jì)規(guī)范1遵循“主保護(hù)-后備保護(hù)-輔助保護(hù)”三級配置原則，主保護(hù)采用縱差保護(hù)，動(dòng)作時(shí)間≤20ms；后備保護(hù)采用過流保護(hù)，延時(shí)0.5s動(dòng)作；輔助保護(hù)包括過溫、過壓保護(hù)。保護(hù)系統(tǒng)需具備抗干擾能力，在電磁干擾環(huán)境下誤動(dòng)率≤0.01%，確保保護(hù)可靠動(dòng)作。2控制保護(hù)聯(lián)動(dòng)：保障系統(tǒng)安全的協(xié)同機(jī)制解析保護(hù)動(dòng)作后，立即向控制系統(tǒng)發(fā)送信號，控制系統(tǒng)在5ms內(nèi)執(zhí)行緊急調(diào)節(jié)或停機(jī)指令。例如，過流保護(hù)動(dòng)作時(shí)，控制系統(tǒng)快速增大容抗，限制故障電流。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定聯(lián)動(dòng)響應(yīng)時(shí)間≤15ms，通過仿真與現(xiàn)場試驗(yàn)驗(yàn)證聯(lián)動(dòng)邏輯，確?？刂婆c保護(hù)協(xié)同工作，保障系統(tǒng)安全。12、環(huán)境適應(yīng)性如何突破局限？GB/T6115.4-2014指導(dǎo)TCSC極端環(huán)境應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)高溫環(huán)境適配：應(yīng)對酷熱的散熱與絕緣優(yōu)化方案A高溫環(huán)境(≥40℃)下，采用強(qiáng)迫風(fēng)冷+熱管散熱組合方式，確保晶閘管結(jié)溫≤120℃。電容器采用耐高溫介質(zhì)，允許工作溫度上限提升至85℃。標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)備在50℃環(huán)境下持續(xù)運(yùn)行24h，各參數(shù)達(dá)標(biāo)，通過高溫老化試驗(yàn)驗(yàn)證長期適應(yīng)性，突破高溫應(yīng)用局限。B（二）低溫環(huán)境應(yīng)對：防止凍損的結(jié)構(gòu)與材料改進(jìn)措施A低溫環(huán)境(≤-20℃)下，SF6氣體采用加熱裝置，確保氣體溫度≥0℃；控制回路采用耐寒電纜，最低工作溫度-40℃。閥體結(jié)構(gòu)采用密封保溫設(shè)計(jì)，內(nèi)部設(shè)置加熱元件，維持溫度≥5℃。設(shè)備需通過-40℃低溫存放24h后通電試驗(yàn)，確保無凍損問題。B（三）高海拔環(huán)境適配：克服絕緣衰減的技術(shù)方案A高海拔(≥1000m）環(huán)境下，絕緣強(qiáng)度隨海拔升高衰減，標(biāo)準(zhǔn)要求按海拔每升高1000m，工頻耐壓值提高10%進(jìn)行修正。采用增大絕緣距離、加裝均壓環(huán)等措施，確保高海拔下絕緣性能達(dá)標(biāo)。設(shè)備需在模擬高海拔環(huán)境下進(jìn)行耐壓試驗(yàn)，驗(yàn)證適配性。B污穢環(huán)境防護(hù)：抵御污染的絕緣強(qiáng)化策略1污穢環(huán)境下，采用防污閃絕緣子，表面涂覆RTV防污涂料，等值鹽密允許值提升至0.2mg/cm2。定期進(jìn)行帶電清掃，每年開展鹽密測試。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定設(shè)備需通過人工污穢試驗(yàn)，在等值鹽密0.3mg/cm2條件下無閃絡(luò)，保障污穢環(huán)境下的絕緣可靠性。2、標(biāo)準(zhǔn)如何銜接未來技術(shù)？GB/T6115.4-2014與新能源并網(wǎng)及智能電網(wǎng)的融合路徑新能源并網(wǎng)挑戰(zhàn)：TCSC依標(biāo)賦能的解決方案新能源（風(fēng)電、光伏）出力波動(dòng)導(dǎo)致電網(wǎng)電壓、頻率不穩(wěn)定，依標(biāo)生產(chǎn)的TCSC可快速調(diào)節(jié)線路容抗，平抑功率波動(dòng)。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的快速響應(yīng)能力(≤20ms）與寬調(diào)節(jié)范圍（0.2-1.0倍額定容抗），適配新能源并網(wǎng)需求，在青海新能源基地應(yīng)用中，有效提升新能源消納率12%。（二）智能電網(wǎng)融合：標(biāo)準(zhǔn)框架下的數(shù)字化升級方向標(biāo)準(zhǔn)預(yù)留數(shù)字化接口，支持TCSC接入智能電網(wǎng)調(diào)度系統(tǒng)。通過加裝傳感器與邊緣計(jì)算模塊，實(shí)現(xiàn)設(shè)備狀態(tài)實(shí)時(shí)監(jiān)測與故障預(yù)警?；跇?biāo)準(zhǔn)的控制策略可與電網(wǎng)調(diào)度系統(tǒng)協(xié)同，實(shí)現(xiàn)全局優(yōu)化調(diào)度。目前，江蘇智能電網(wǎng)試點(diǎn)中，依標(biāo)升級的TCSC已實(shí)現(xiàn)調(diào)度指令自動(dòng)響應(yīng)。（三）技術(shù)迭代兼容：標(biāo)準(zhǔn)對新型TCSC技術(shù)的包容與規(guī)范針對新型混合式TCSC（H-TCSC），標(biāo)準(zhǔn)明確基本技術(shù)要求可沿用，補(bǔ)充混合拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的試驗(yàn)方法。對寬禁帶半導(dǎo)體（SiC）晶閘管應(yīng)用，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其電氣參數(shù)測試方法，確保新技術(shù)在標(biāo)準(zhǔn)化框架內(nèi)迭代。這種包容式規(guī)范，既保障技術(shù)創(chuàng)新，又避免標(biāo)準(zhǔn)滯后。未來標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)：適應(yīng)能源轉(zhuǎn)型的修訂方向預(yù)測隨著氫能、儲能等新技術(shù)融入電網(wǎng)，