《2025年無損檢測員(初級)職業(yè)技能鑒定模擬試題及答案》一、單項選擇題（每題1分，共30分。每題只有一個正確答案，請將正確選項字母填入括號內）1.在射線照相中，決定影像對比度的首要因素是（）。A.管電壓B.曝光量C.膠片梯度D.工件厚度差答案：C2.采用A型脈沖反射式超聲探傷儀時，始脈沖后出現(xiàn)的“雜波”最可能來源于（）。A.探頭阻尼塊B.電纜反射C.儀器阻塞時間D.工件表面耦合差異答案：C3.滲透檢測中，顯像劑層過厚會導致（）。A.背景熒光增強B.缺陷顯示放大C.吸出過程受阻D.滲出時間縮短答案：C4.磁粉檢測時，若周向磁化電流過大而縱向磁化不足，最易漏檢的缺陷方向為（）。A.與軸線成45°B.平行于軸線C.垂直于軸線D.與軸線成20°答案：B5.在射線實時成像系統(tǒng)中，圖像增強器輸入屏的主要作用是（）。A.吸收散射射線B.將X射線轉換為可見光C.提高分辨率D.降低量子噪聲答案：B6.超聲檢測板厚為12mm的對接焊縫，探頭K值選2.5，則一次波聲程約為（）。A.24mmB.30mmC.36mmD.42mm答案：B7.下列哪一條不是滲透檢測乳化劑的作用（）。A.降低表面張力B.使多余滲透液可水洗C.延長滲透時間D.形成水包油乳液答案：C8.對同一缺陷，射線照相的Ug（幾何不清晰度）隨焦點—工件距離增大而（）。A.增大B.減小C.不變D.先增后減答案：B9.磁粉檢測中，若使用交流電磁軛提升力達不到要求，應優(yōu)先（）。A.增加磁化時間B.更換磁軛極距C.提高電流頻率D.降低磁軛重量答案：B10.在超聲檢測中，若底波高度降低6dB，則聲壓降至原來的（）。A.25%B.50%C.70.7%D.10%答案：B11.射線膠片特性曲線中，“肩部”對應（）。A.曝光不足區(qū)B.曝光過度區(qū)C.線性區(qū)D.灰霧區(qū)答案：B12.滲透檢測時，水溫超過40℃會（）。A.加快顯像B.提高熒光亮度C.造成過洗D.降低背景答案：C13.計算曝光量時，若材料半值層為2mm，則穿過10mm后的射線強度約為入射強度的（）。A.3.125%B.6.25%C.12.5%D.25%答案：A14.超聲探頭晶片厚度共振頻率f與晶片厚度t的關系為（）。A.f=2t·cB.f=c/2tC.f=t/2cD.f=c·t答案：B15.磁粉檢測中，黑光輻照度計校準周期一般不超過（）。A.1周B.1個月C.3個月D.6個月答案：C16.射線照相采用雙膠片技術，其主要目的是（）。A.提高對比度B.擴大厚度寬容度C.降低散射D.減少曝光時間答案：B17.超聲檢測時，若儀器重復頻率過高，可能出現(xiàn)（）。A.幻象波B.遲到波C.表面波D.棱角波答案：A18.下列哪種顯像方式最適合于水洗型熒光滲透檢測（）。A.干式顯像B.水懸浮顯像C.溶劑型顯像D.非水濕顯像答案：B19.在射線照相中，使用0.1mm鉛增感屏的主要作用是（）。A.吸收散射線B.增加膠片對比度C.減少曝光時間D.降低固有不清晰度答案：C20.磁粉檢測中，若工件表面有非導電涂層，其厚度一般不應超過（）。A.25μmB.50μmC.75μmD.150μm答案：B21.超聲探傷儀的“抑制”旋鈕主要用于（）。A.降低噪聲B.提高增益C.改變頻帶D.調節(jié)延遲答案：A22.滲透檢測中，缺陷顯示呈“點狀”且邊緣清晰，可判定為（）。A.縮松B.氣孔C.裂紋D.夾雜答案：B23.射線實時成像系統(tǒng)的空間分辨率主要受限于（）。A.射線能量B.探測器像素尺寸C.工件厚度D.幀頻答案：B24.磁粉檢測中，采用剩磁法時，工件材料矯頑力應大于（）。A.0.5kA/mB.1kA/mC.2kA/mD.4kA/m答案：B25.超聲檢測時，若探頭楔塊磨損，會導致K值（）。A.增大B.減小C.不變D.先增后減答案：B26.射線膠片暗室處理中，顯影液溫度允許波動范圍為（）。A.±0.5℃B.±1℃C.±2℃D.±3℃答案：B27.滲透檢測中，黑光燈濾光片若破裂，會導致（）。A.背景熒光增強B.缺陷熒光減弱C.可見光干擾D.紫外輻射增強答案：C28.超聲檢測中，當量法適用于（）。A.平面缺陷B.體積缺陷C.密集缺陷D.裂紋高度測定答案：B29.磁粉檢測中，若使用交流電，其趨膚深度δ與頻率f的關系為（）。A.δ∝fB.δ∝√fC.δ∝1/√fD.δ∝1/f答案：C30.射線照相底片上出現(xiàn)“樹枝狀”黑影，最可能的原因是（）。A.靜電放電B.增感屏劃傷C.膠片受壓D.顯影不足答案：A二、判斷題（每題1分，共20分。正確打“√”，錯誤打“×”）31.超聲檢測中，橫波聲速在任何材料中均小于縱波聲速。（）答案：√32.射線能量越高，膠片固有不清晰度Ui越小。（）答案：×33.滲透檢測時，顯像時間越長，缺陷顯示尺寸越大。（）答案：√34.磁粉檢測中，交流電磁化對表面缺陷靈敏度高于直流電。（）答案：√35.射線照相的對比度與工件厚度差成正比，與散射比無關。（）答案：×36.超聲探頭晶片直徑越大，近場長度越長。（）答案：√37.滲透檢測中，熒光滲透液的亮度與缺陷深度無關。（）答案：×38.磁粉檢測時，磁懸液濃度越高，則缺陷顯示越清晰。（）答案：×39.射線實時成像系統(tǒng)的CR技術使用IP板代替膠片。（）答案：√40.超聲檢測時，底波消失一定存在缺陷。（）答案：×41.滲透檢測后，工件表面殘留氯離子可能引起應力腐蝕。（）答案：√42.射線照相中，增大焦距可以提高幾何不清晰度。（）答案：×43.磁粉檢測中，剩磁法不適用于軟磁材料。（）答案：√44.超聲檢測中，K值越大，則一次波可檢測厚度范圍越小。（）答案：√45.射線膠片灰霧度增加會導致信噪比降低。（）答案：√46.滲透檢測時，工件表面粗糙度Ra≤6.3μm即可滿足任何方法要求。（）答案：×47.磁粉檢測中，黑光輻照度越低，則熒光磁粉亮度越高。（）答案：×48.超聲探傷儀的垂直線性誤差應≤5%。（）答案：√49.射線照相中，使用微粒膠片可提高對比度但降低速度。（）答案：√50.滲透檢測中，溶劑去除法適用于現(xiàn)場無水源條件。（）答案：√三、填空題（每空1分，共20分）51.超聲檢測中，當量法常用的基準反射體為________和________。答案：平底孔、橫孔52.射線照相的“三大參數”是指________、________和________。答案：管電壓、曝光量、焦距53.磁粉檢測中，衡量磁懸液污染程度的指標是________含量。答案：非磁性固體54.滲透檢測的基本步驟依次為預清洗、________、________、________、顯像和檢驗。答案：滲透、去除、干燥55.射線膠片特性曲線的橫坐標是________，縱坐標是________。答案：曝光量的對數、光學密度56.超聲探頭中，匹配層的作用是________和________。答案：降低界面反射、提高聲能透射57.磁粉檢測時，交流電磁軛的極間距一般控制在________mm至________mm之間。答案：75，20058.射線實時成像系統(tǒng)的圖像對比度主要取決于________和________。答案：射線能量、動態(tài)范圍59.滲透檢測中，熒光滲透液的黑光激發(fā)峰值波長為________nm左右。答案：36560.超聲檢測中，聲束擴散角θ與波長λ及晶片直徑D的關系為sinθ=________。答案：1.22λ/D四、簡答題（每題6分，共30分）61.簡述射線照相中散射線的來源及常用控制措施。答案：散射線主要來源于工件內部康普頓散射、邊緣散射及地面反射?？刂拼胧?.采用限束器縮小照射場；2.在工件與膠片間加鉛屏蔽板；3.工件背面鋪鉛板吸收背散射；4.使用濾板提高射線平均能量；5.選擇較低管電壓減少散射比；6.采用柵格或銅濾線柵。62.說明超聲檢測中“遲到波”產生的原因及識別方法。答案：遲到波系因聲束在工件壁內多次反射后，以較長聲程到達探頭。原因：1.壁厚與聲程匹配；2.探頭K值大；3.平行壁面多次反射。識別：1.位置固定且隨探頭移動同速；2.波幅低于主底波；3.改變探頭K值或厚度時，其相對位置變化；4.用沾耦合劑手指拍打對應壁面，遲到波幅度波動。63.寫出滲透檢測中“過洗”缺陷顯示的特征及預防措施。答案：特征：1.缺陷顯示模糊、邊緣發(fā)虛；2.熒光亮度低；3.背景發(fā)黃；4.點狀顯示消失。預防：1.控制水壓≤0.2MPa；2.噴嘴距工件≥30cm；3.水溫15–30℃；4.縮短沖洗時間；5.采用“親油”乳化劑降低滲透液親水性；6.對粗糙表面優(yōu)先選用溶劑去除法。64.說明磁粉檢測時如何確定周向磁化電流值（按GB/T26951）。答案：1.按公式I=H·π·D，H取2–4kA/m（交流）或1–2kA/m（直流）；2.用標準試片驗證；3.試片30/100或15/100刻槽顯示清晰；4.提升力≥45N（交流軛）；5.多向磁化時，各方向電流疊加滿足H值；6.記錄電流、時間、極距，確保復現(xiàn)。65.比較CR技術與DR技術在射線數字成像中的優(yōu)缺點。答案：CR優(yōu)點：1.IP板可彎曲，適合復雜形狀；2.設備成本低；3.動態(tài)范圍寬。缺點：1.需掃描，實時性差；2.分辨率受激光點大小限制。DR優(yōu)點：1.實時成像，可動態(tài)觀察；2.分辨率可達50μm；3.無中間掃描，效率高。缺點：1.平板昂貴易損；2.對溫度、輻射敏感；3.大面積探測器重量大。五、綜合計算題（共20分）66.用單面單側超聲檢測板厚T=20mm的對接焊縫，探頭K=2，儀器按水平1:1校準。發(fā)現(xiàn)一缺陷波出現(xiàn)在刻度60mm處，無拐角波，求缺陷水平距離與深度。（8分）答案：聲程S=60mm，K=tanβ=2，則深度d=S·cosβ=60·cos(arctan2)=60·0.447=26.8mm>T，說明二次波。二次波深度d′=2T–d=40–26.8=13.2mm。水平距離L=K·(2T–d′)=2×(40–13.2)=53.6mm。答：缺陷水平距離53.6mm，深度13.2mm。67.用Ir192射線源透照外徑D=300mm、壁厚t=20mm的環(huán)焊縫，源在外單壁透照，焦距F=600mm，求一次透照長度L3及搭接長度ΔL，已知像質計放在源側，要求像質指數Z=10，求最小可見絲徑d。（6分）答案：幾何修正系數K=1.1，θ=arccos[(D–2t)/D]=arccos(260/300)=29.9°L3=π·D·θ/180=3.14×300×29.9/180=156mm搭接ΔL=0.5·L3·(K–1)