2025秋招：工藝整合真題及答案

單項選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種工藝用于去除硅片表面氧化層？A.光刻B.刻蝕C.沉積D.摻雜2.光刻工藝中，關(guān)鍵尺寸主要由什么決定？A.光刻膠厚度B.曝光光源波長C.顯影時間D.刻蝕速率3.化學(xué)氣相沉積（CVD）主要用于？A.去除雜質(zhì)B.形成薄膜C.圖形轉(zhuǎn)移D.表面清洗4.離子注入的主要目的是？A.改變材料顏色B.提高表面硬度C.改變材料電學(xué)性能D.增加材料厚度5.濕法刻蝕和干法刻蝕相比，優(yōu)點是？A.各向異性好B.刻蝕速率快C.均勻性好D.對圖形損傷小6.擴散工藝中，雜質(zhì)擴散系數(shù)與什么有關(guān)？A.溫度B.壓力C.氣體流量D.光刻膠類型7.化學(xué)機械拋光（CMP）用于？A.表面平整化B.圖形光刻C.離子注入D.濕法刻蝕8.以下哪種氣體常用于等離子體刻蝕？A.氧氣B.氮氣C.氬氣D.氯氣9.光刻工藝中，光刻膠的作用是？A.保護硅片B.形成圖形C.提高導(dǎo)電性D.增加反射率10.熱氧化工藝中，氧化層生長速率與什么有關(guān)？A.硅片晶向B.光刻膠厚度C.顯影液濃度D.刻蝕氣體流量多項選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合中涉及的主要工藝有？A.光刻B.刻蝕C.沉積D.摻雜2.光刻工藝的主要步驟包括？A.涂膠B.曝光C.顯影D.刻蝕3.化學(xué)氣相沉積（CVD）的類型有？A.低壓CVDB.等離子體增強CVDC.常壓CVDD.高溫CVD4.離子注入的影響因素有？A.離子能量B.離子劑量C.注入角度D.靶材溫度5.濕法刻蝕的特點有？A.各向同性B.設(shè)備簡單C.成本低D.對圖形損傷大6.擴散工藝的雜質(zhì)源有？A.固態(tài)源B.液態(tài)源C.氣態(tài)源D.等離子體源7.化學(xué)機械拋光（CMP）的關(guān)鍵參數(shù)有？A.壓力B.轉(zhuǎn)速C.拋光液成分D.拋光墊材質(zhì)8.等離子體刻蝕的優(yōu)點有？A.各向異性好B.刻蝕速率快C.均勻性好D.對圖形損傷小9.光刻膠的分類有？A.正性光刻膠B.負性光刻膠C.厚光刻膠D.薄光刻膠10.熱氧化工藝的類型有？A.干氧氧化B.濕氧氧化C.水汽氧化D.等離子體氧化判斷題（每題2分，共10題）1.光刻工藝是將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的關(guān)鍵工藝。（）2.化學(xué)氣相沉積（CVD）只能在高溫下進行。（）3.離子注入可以精確控制雜質(zhì)的濃度和分布。（）4.濕法刻蝕的各向異性比干法刻蝕好。（）5.擴散工藝中，雜質(zhì)擴散系數(shù)隨溫度升高而減小。（）6.化學(xué)機械拋光（CMP）主要用于去除硅片表面的雜質(zhì)。（）7.等離子體刻蝕可以實現(xiàn)對特定材料的選擇性刻蝕。（）8.光刻膠在曝光后會發(fā)生化學(xué)變化。（）9.熱氧化工藝中，氧化層生長速率與氧化時間成正比。（）10.工藝整合的目的是將各種工藝有機結(jié)合，實現(xiàn)芯片的制造。（）簡答題（每題5分，共4題）1.簡述光刻工藝的基本原理。光刻利用光刻膠感光特性，通過曝光將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅片上，經(jīng)顯影使圖形顯現(xiàn)，后續(xù)可進行刻蝕等工藝將圖形固定在硅片。2.化學(xué)氣相沉積（CVD）有哪些優(yōu)點？可在較低溫度沉積，能精確控制膜厚和成分，可大面積均勻沉積，能沉積多種材料，適合大規(guī)模生產(chǎn)，可實現(xiàn)臺階覆蓋。3.離子注入與擴散工藝相比，有什么特點？離子注入可精確控制雜質(zhì)劑量和深度，低溫操作，不受固溶度限制，但設(shè)備貴、有損傷；擴散成本低、工藝簡單，但雜質(zhì)分布難精確控制。4.化學(xué)機械拋光（CMP）的作用是什么？用于芯片制造中表面平整化，去除表面高低起伏，使芯片表面達到全局平坦，保證后續(xù)工藝光刻、刻蝕等的精度和質(zhì)量。討論題（每題5分，共4題）1.工藝整合中如何平衡不同工藝的優(yōu)缺點？需綜合考慮芯片性能、成本、生產(chǎn)效率等。如光刻精度高但成本高，可優(yōu)化曝光參數(shù)提高效率；濕法刻蝕成本低但各向同性差，可結(jié)合干法刻蝕互補。2.隨著芯片尺寸不斷縮小，工藝整合面臨哪些挑戰(zhàn)？光刻分辨率難滿足，刻蝕和沉積均勻性控制更難，不同工藝間相互影響增大，熱效應(yīng)、應(yīng)力問題凸顯，對工藝精度和穩(wěn)定性要求極高。3.如何提高光刻工藝的分辨率？可采用短波長曝光光源，改進光刻膠性能，優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)和曝光技術(shù)，如浸沒式光刻、雙重圖形技術(shù)等，還可控制工藝環(huán)境和參數(shù)。4.化學(xué)機械拋光（CMP）過程中可能出現(xiàn)哪些問題及解決方法？可能出現(xiàn)表面劃傷、平整度不均、腐蝕等問題?？蓛?yōu)化拋光液成分和流量，調(diào)整壓力和轉(zhuǎn)速，選擇合適拋光墊，加強清洗和檢測。答案單項選擇題1.B2.B3.B4.C5.C6.A7.A8.D9.B10.A多項選擇題1.A