2025年無損檢測(cè)員(中級(jí))職業(yè)技能鑒定試卷含答案一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30分。每題只有一個(gè)正確答案，請(qǐng)將正確選項(xiàng)的字母填在括號(hào)內(nèi)）1.在射線檢測(cè)中，決定底片對(duì)比度的主要因素是（）。A.射線能量??B.曝光量??C.膠片類型??D.散射控制答案：C2.采用A型脈沖反射式超聲探傷儀時(shí)，屏幕上橫坐標(biāo)代表（）。A.反射波幅??B.缺陷深度??C.聲波頻率??D.探頭折射角答案：B3.磁粉檢測(cè)中，下列關(guān)于連續(xù)法與剩磁法的比較，正確的是（）。A.連續(xù)法靈敏度高，剩磁法速度快??B.剩磁法靈敏度高，連續(xù)法速度快C.兩者靈敏度相同，剩磁法成本低??D.連續(xù)法僅適用于硬磁材料答案：A4.滲透檢測(cè)時(shí)，顯像劑的主要作用是（）。A.溶解缺陷內(nèi)殘留滲透劑??B.吸收并析出缺陷內(nèi)滲透劑形成可見跡痕C.中和表面清洗劑??D.降低表面張力答案：B5.在射線照相中，若幾何不清晰度增大，則（）。A.對(duì)比度提高??B.固有不清晰度降低??C.圖像邊界變模糊??D.顆粒度減小答案：C6.超聲斜探頭K值為2，則其折射角β約為（）。A.45°??B.56.3°??C.63.4°??D.71.8°答案：C7.磁粉檢測(cè)中，黑光燈波長(zhǎng)峰值應(yīng)處于（）附近。A.254nm??B.365nm??C.550nm??D.780nm答案：B8.采用Se75同位素進(jìn)行射線檢測(cè)時(shí)，其半衰期約為（）。A.33年??B.120天??C.5.27年??D.74天答案：B9.在超聲檢測(cè)中，出現(xiàn)“草狀回波”最可能的原因是（）。A.探頭接觸不良??B.材料晶粒粗大??C.耦合劑過厚??D.儀器抑制過大答案：B10.滲透檢測(cè)中，乳化時(shí)間不足將造成（）。A.背景過亮??B.缺陷漏檢??C.虛假顯示??D.顯像劑脫落答案：C11.射線底片黑度為2.5，則其透光率為（）。A.0.32%??B.3.2%??C.0.1%??D.10%答案：B12.磁粉檢測(cè)中，周向磁化電流一般按（）計(jì)算。A.I=20D??B.I=30D??C.I=45D??D.I=10D答案：A13.超聲檢測(cè)時(shí)，若缺陷回波高度為滿幅80%，衰減器讀數(shù)20dB，則該缺陷比基準(zhǔn)反射體高（）。A.20dB??B.10dB??C.?20dB??D.0dB答案：A14.射線檢測(cè)中，采用雙壁單影法透照Φ219×8mm管道，最佳透照偏移距離約為（）。A.5mm??B.10mm??C.15mm??D.20mm答案：C15.滲透檢測(cè)時(shí)，下列哪種缺陷最難檢出（）。A.表面開口裂紋??B.表面夾雜??C.閉合折疊??D.表面氣孔答案：C16.超聲檢測(cè)中，當(dāng)聲程增大一倍時(shí)，球孔回波高度下降（）。A.6dB??B.9dB??C.12dB??D.3dB答案：C17.射線底片評(píng)片時(shí)，像質(zhì)計(jì)靈敏度22T表示（）。A.可識(shí)別0.2mm線徑，孔徑0.4mm??B.可識(shí)別0.08mm線徑，孔徑0.16mmC.可識(shí)別0.25mm線徑，孔徑0.5mm??D.可識(shí)別0.5mm線徑，孔徑1mm答案：A18.磁粉檢測(cè)中，下列關(guān)于磁場(chǎng)強(qiáng)度的說法正確的是（）。A.磁場(chǎng)越強(qiáng)越好??B.應(yīng)略高于材料磁飽和值C.應(yīng)使缺陷處產(chǎn)生漏磁場(chǎng)且不過度飽和??D.與材料硬度成正比答案：C19.在超聲檢測(cè)中，若探頭頻率從2MHz提高到5MHz，則（）。A.衰減減小，穿透力增強(qiáng)??B.波長(zhǎng)增大，分辨力降低C.衰減增大，分辨力提高??D.聲速顯著增加答案：C20.滲透檢測(cè)中，水洗型滲透劑與后乳化型相比，其優(yōu)點(diǎn)是（）。A.靈敏度高??B.檢測(cè)速度快??C.適合粗糙表面??D.背景低答案：B21.射線檢測(cè)中，采用鉛箔增感屏的主要目的是（）。A.吸收散射線??B.提高底片對(duì)比度??C.降低曝光時(shí)間??D.增加顆粒度答案：C22.超聲檢測(cè)中，若缺陷定位誤差較大，應(yīng)優(yōu)先檢查（）。A.探頭K值??B.儀器水平線性??C.衰減器精度??D.耦合劑溫度答案：B23.磁粉檢測(cè)中，下列哪種情況會(huì)產(chǎn)生非相關(guān)顯示（）。A.刀痕??B.疲勞裂紋??C.磨削裂紋??D.應(yīng)力腐蝕裂紋答案：A24.滲透檢測(cè)時(shí)，顯像時(shí)間一般控制在（）。A.1～2min??B.5～10min??C.15～30min??D.30～60min答案：C25.射線檢測(cè)中，若管電壓升高，則（）。A.對(duì)比度提高??B.固有不清晰度降低??C.散射比減小??D.主因?qū)Ρ榷冉档痛鸢福篋26.超聲檢測(cè)中，當(dāng)探頭與試件表面呈6°入射時(shí)，將產(chǎn)生（）。A.縱波??B.橫波??C.表面波??D.板波答案：C27.磁粉檢測(cè)中，下列關(guān)于濕法與干法的比較，正確的是（）。A.濕法適合高溫檢測(cè)??B.干法靈敏度高C.濕法可檢測(cè)細(xì)微缺陷??D.干法適合復(fù)雜形狀答案：C28.滲透檢測(cè)中，若乳化時(shí)間過長(zhǎng)，將導(dǎo)致（）。A.缺陷漏檢??B.背景過亮??C.虛假顯示??D.顯像劑失效答案：B29.射線檢測(cè)中，若曝光量減半，則底片黑度約（）。A.增加0.3??B.減小0.3??C.增加1.0??D.減小1.0答案：B30.超聲檢測(cè)中，若缺陷當(dāng)量直徑為Φ2mm，實(shí)際缺陷直徑為Φ4mm，則缺陷形狀可能為（）。A.球形??B.圓柱形??C.扁平形??D.不規(guī)則形答案：C二、判斷題（每題1分，共20分。正確打“√”，錯(cuò)誤打“×”）31.超聲檢測(cè)中，聲阻抗Z=ρ·c，其中ρ為密度，c為波速。（√）32.射線檢測(cè)中，增大焦距可減小幾何不清晰度。（√）33.磁粉檢測(cè)時(shí)，磁懸液濃度越高，檢測(cè)靈敏度越高。（×）34.滲透檢測(cè)中，熒光滲透劑需在白光下觀察。（×）35.超聲檢測(cè)中，橫波聲速約為縱波的一半。（√）36.射線底片黑度越大，圖像對(duì)比度一定越高。（×）37.磁粉檢測(cè)可檢測(cè)表面及近表面缺陷，但不可用于非鐵磁性材料。（√）38.滲透檢測(cè)時(shí)，工件表面溫度低于5℃仍可正常檢測(cè)。（×）39.超聲檢測(cè)中，DAC曲線用于缺陷定量。（√）40.射線檢測(cè)中，康普頓效應(yīng)隨能量升高而減弱。（×）41.磁粉檢測(cè)中，交流電磁化可檢測(cè)近表面深層缺陷。（×）42.滲透檢測(cè)時(shí)，顯像劑涂層越厚越好。（×）43.超聲檢測(cè)中，當(dāng)量法適用于小于聲束截面的缺陷。（√）44.射線檢測(cè)中，使用Ir192透照鋼件，最佳厚度范圍為10～80mm。（√）45.磁粉檢測(cè)中，退磁后剩磁應(yīng)小于0.3mT。（√）46.滲透檢測(cè)中，熒光法靈敏度高于著色法。（√）47.超聲檢測(cè)中，水浸法可消除近場(chǎng)影響。（√）48.射線檢測(cè)中，增感屏厚度增加，散射比減小。（×）49.磁粉檢測(cè)中，磁寫現(xiàn)象屬于非相關(guān)顯示。（√）50.滲透檢測(cè)時(shí)，烘干溫度過高會(huì)導(dǎo)致滲透劑氧化分解。（√）三、填空題（每空1分，共20分）51.超聲檢測(cè)中，縱波在鋼中的聲速約為______m/s。答案：592052.射線檢測(cè)中，曝光因子公式為______。答案：F=t·I/d253.磁粉檢測(cè)中，常用退磁頻率為______Hz。答案：5054.滲透檢測(cè)中，乳化劑的作用是使多余滲透劑______。答案：可水洗55.超聲檢測(cè)中，近場(chǎng)長(zhǎng)度N=______。答案：D2/4λ56.射線底片黑度D=______。答案：lg(I?/I)57.磁粉檢測(cè)中，周向磁化電流單位常用______。答案：A/mm58.滲透檢測(cè)時(shí)，熒光法觀察的暗室白光強(qiáng)度應(yīng)不大于______lx。答案：2059.超聲檢測(cè)中，K值與折射角關(guān)系為K=______。答案：tanβ60.射線檢測(cè)中，散射比n=______。答案：Is/Ip61.磁粉檢測(cè)中，磁懸液沉淀體積濃度為______mL/100mL。答案：1.2～2.462.滲透檢測(cè)中，顯像劑顆粒度應(yīng)小于______μm。答案：163.超聲檢測(cè)中，當(dāng)量法常用基準(zhǔn)反射體為______。答案：長(zhǎng)橫孔64.射線檢測(cè)中，固有不清晰度Ui與管電壓關(guān)系為Ui≈______。答案：0.0013U^(0.5)65.磁粉檢測(cè)中，縱向磁化常用______線圈。答案：螺線管66.滲透檢測(cè)時(shí)，滲透時(shí)間一般不少于______min。答案：1067.超聲檢測(cè)中，衰減系數(shù)單位常用______。答案：dB/m68.射線檢測(cè)中，像質(zhì)計(jì)應(yīng)放在______側(cè)。答案：源69.磁粉檢測(cè)中，磁痕觀察應(yīng)在______磁化下進(jìn)行。答案：連續(xù)70.滲透檢測(cè)中，熒光滲透劑主峰波長(zhǎng)為______nm。答案：365四、簡(jiǎn)答題（每題6分，共30分）71.簡(jiǎn)述超聲檢測(cè)中影響缺陷定位精度的主要因素。答案：探頭K值誤差、儀器水平線性、聲速設(shè)定偏差、耦合層厚度、工件表面曲率、溫度梯度、探頭磨損、定位標(biāo)尺誤差、操作手法等。72.射線檢測(cè)中，如何控制散射對(duì)圖像質(zhì)量的影響？答案：采用鉛箔增感屏、鉛板屏蔽、準(zhǔn)直器限制照射場(chǎng)、工件背面墊鉛、低電壓高電流、選擇合適焦距、使用濾板吸收軟射線、控制工件與膠片距離、暗袋背面貼鉛皮、減少環(huán)境散射源。73.磁粉檢測(cè)時(shí)，出現(xiàn)非相關(guān)顯示的常見原因及處理方法。答案：原因：刀痕、磁寫、截面突變、硬度差異、滲碳層、電鍍層、殘余應(yīng)力。處理：退磁后重新磁化、改變磁化方向、減小電流、打磨表面、采用濕法、觀察時(shí)輕輕吹去磁粉、結(jié)合工藝史判斷。74.滲透檢測(cè)中，如何區(qū)分真實(shí)缺陷顯示與虛假顯示？答案：真實(shí)顯示：跡痕輪廓清晰、邊緣整齊、沿缺陷走向連續(xù)、擦拭后重新顯像仍出現(xiàn)；虛假顯示：跡痕模糊、形狀不規(guī)則、分布隨機(jī)、擦拭后不再出現(xiàn)、背景過亮、呈斑點(diǎn)狀、與表面狀態(tài)對(duì)應(yīng)。75.簡(jiǎn)述超聲檢測(cè)中DAC曲線的制作步驟。答案：1.選擇同材質(zhì)試塊；2.鉆制不同深度Φ2mm長(zhǎng)橫孔；3.探頭對(duì)準(zhǔn)孔獲得最高回波；4.調(diào)節(jié)增益使最高波達(dá)80%屏高；5.記錄各深度dB值；6.繪制dB深度曲線；7.保存曲線并標(biāo)注探頭型號(hào)、頻率、試塊編號(hào)。五、計(jì)算題（每題10分，共30分）76.用2.5P14Z直探頭檢測(cè)厚度120mm鍛件，發(fā)現(xiàn)一缺陷回波位于120mm處，波高比Φ2mm長(zhǎng)橫孔基準(zhǔn)高14dB，求缺陷當(dāng)量直徑。（已知：λ=2.36mm，聲程x=120mm，基準(zhǔn)孔Φ2mm，聲程相同，忽略衰減）答案：ΔdB=20lg(πΦ2/2λx)，代入ΔdB=14，得Φ=4.0mm。77.采用Ir192透照外徑Φ325×12mm管道，焊縫余高2mm，單壁外透，焦距600mm，求一次透照長(zhǎng)度L3及搭接長(zhǎng)度ΔL。（T=14mm，K=1.1，源側(cè)焊縫寬度30mm）答案：L3=2f·arccos[(D+2h2KT)/D]/π·πD/360=220mm，ΔL=0.5T·tanθ=10mm。78.磁粉檢測(cè)時(shí)，工件直徑50mm，采用連續(xù)法周向磁化，求所需磁化電流。（按I=20D）答案：I=20×50=1000A。六、綜合應(yīng)用題（每題15分，共30分）79.某石化廠加氫反應(yīng)器筒體材質(zhì)2.25Cr1Mo，壁厚85mm，運(yùn)行10萬小時(shí)后需全面檢測(cè)。請(qǐng)制定UT、RT、MT、PT檢測(cè)工藝要點(diǎn)，包括設(shè)備選型、參數(shù)設(shè)置、缺陷記錄與驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)。答案：UT：采用2MHz雙晶縱波+1MHz橫波，DAC法，Φ2×40mm長(zhǎng)橫孔基準(zhǔn)，記錄≥Φ3mm當(dāng)量缺陷，按NB/T47013.3Ⅱ級(jí)；RT：Se75源，單壁透照，焦距700mm，曝光量15Ci·min，像質(zhì)計(jì)11FEEN，黑度2.0～4.0，無裂紋、未熔合，圓形缺陷Ⅱ級(jí)；MT：交流復(fù)合磁化，電流峰值2500A，濕法黑磁粉，剩磁≤0.3mT，無裂紋；PT：熒光法，乳化5min，顯像20min，無裂紋、無線性顯示，圓形顯示≤3mm，不計(jì)4點(diǎn)以下。80.某風(fēng)電主軸42CrMo4，調(diào)質(zhì)后全長(zhǎng)6m，最大直徑800mm，需檢測(cè)表面