《GB/T29055-2019太陽能電池用多晶硅片》

專題研究報(bào)告目錄02040608100103050709多晶硅片分類與規(guī)格要求如何界定?深度解讀標(biāo)準(zhǔn)中不同類型多晶硅片的尺寸

、厚度等核心參數(shù)及未來適配趨勢(shì)多晶硅片電學(xué)性能指標(biāo)如何規(guī)定?專家解讀電阻率

、

少子壽命等關(guān)鍵參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)及與太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)聯(lián)多晶硅片檢測(cè)方法有何技術(shù)要點(diǎn)?全面解讀外觀

、尺寸

、

電學(xué)

、機(jī)械性能等檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)流程與操作規(guī)范多晶硅片包裝

、標(biāo)志

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運(yùn)輸與貯存要求是什么?結(jié)合行業(yè)物流特點(diǎn)解讀標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定及對(duì)產(chǎn)品保護(hù)的重要性基于GB/T29055-2019標(biāo)準(zhǔn),未來太陽能電池用多晶硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向何在?結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)要求展望技術(shù)與市場(chǎng)趨勢(shì)標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)背景與行業(yè)意義何在?專家視角剖析其對(duì)太陽能電池多晶硅片產(chǎn)業(yè)規(guī)范化發(fā)展的關(guān)鍵作用多晶硅片外觀質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)有哪些細(xì)節(jié)?從表面缺陷

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邊緣狀態(tài)等方面解析標(biāo)準(zhǔn)要求及對(duì)電池性能的潛在影響多晶硅片機(jī)械性能要求包含哪些內(nèi)容?深入剖析彎曲強(qiáng)度

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斷裂韌性等指標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)及在生產(chǎn)運(yùn)輸中的實(shí)際意義標(biāo)準(zhǔn)中多晶硅片的檢驗(yàn)規(guī)則如何制定?從抽樣方案

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判定準(zhǔn)則等方面解析其對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量把控的指導(dǎo)價(jià)值標(biāo)準(zhǔn)與國際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)存在哪些差異?專家視角對(duì)比分析并預(yù)測(cè)未來接軌趨勢(shì)、GB/T29055-2019標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)背景與行業(yè)意義何在？專家視角剖析其對(duì)太陽能電池多晶硅片產(chǎn)業(yè)規(guī)范化發(fā)展的關(guān)鍵作用標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)時(shí)太陽能電池用多晶硅片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀是怎樣的？01在GB/T29055-2019標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)前，我國太陽能電池用多晶硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，但存在產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊、參數(shù)指標(biāo)不統(tǒng)一的問題。部分企業(yè)為追求成本優(yōu)勢(shì)，02降低生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致市場(chǎng)上多晶硅片性能差異較大，給下游電池生產(chǎn)企業(yè)帶來困擾，也影響了我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。當(dāng)時(shí)行業(yè)急需統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)來規(guī)范生產(chǎn)。03（二）標(biāo)準(zhǔn)制定的主要依據(jù)和參與單位有哪些？該標(biāo)準(zhǔn)制定主要依據(jù)我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策導(dǎo)向，參考了國內(nèi)多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)的實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、科研機(jī)構(gòu)的研究成果，同時(shí)借鑒了國際先進(jìn)技術(shù)理念。參與單位涵蓋國內(nèi)主要多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)、光伏行業(yè)科研院所、檢測(cè)機(jī)構(gòu)等，確保標(biāo)準(zhǔn)能兼顧生產(chǎn)實(shí)踐與技術(shù)前沿，具有廣泛的行業(yè)代表性和科學(xué)性。（三）專家如何看待該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)范化發(fā)展的關(guān)鍵作用？專家認(rèn)為，此標(biāo)準(zhǔn)明確了多晶硅片的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)和檢測(cè)方法，為企業(yè)生產(chǎn)提供了統(tǒng)一依據(jù)，有效遏制了低質(zhì)產(chǎn)品流入市場(chǎng)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)從“量增”向“質(zhì)升”轉(zhuǎn)變。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施促進(jìn)了企業(yè)間的公平競(jìng)爭(zhēng)，引導(dǎo)企業(yè)加大技術(shù)研發(fā)投入，提升產(chǎn)品質(zhì)量，對(duì)我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展起到重要的支撐和引領(lǐng)作用。12、多晶硅片分類與規(guī)格要求如何界定？深度解讀標(biāo)準(zhǔn)中不同類型多晶硅片的尺寸、厚度等核心參數(shù)及未來適配趨勢(shì)標(biāo)準(zhǔn)中多晶硅片是如何分類的？分類依據(jù)是什么？標(biāo)準(zhǔn)按多晶硅片的應(yīng)用場(chǎng)景和性能特點(diǎn)，將其分為常規(guī)多晶硅片和高效多晶硅片兩類。分類依據(jù)主要是多晶硅片的電阻率范圍、少子壽命以及適配的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率水平，常規(guī)多晶硅片適配中低轉(zhuǎn)換效率電池，高效多晶硅片適配高轉(zhuǎn)換效率電池。（二）不同類型多晶硅片的尺寸參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)是怎樣的？常規(guī)多晶硅片邊長尺寸偏差要求在±0.5mm以內(nèi)，對(duì)角線偏差不超過0.8mm；高效多晶硅片邊長尺寸偏差更嚴(yán)格，控制在±0.3mm，對(duì)角線偏差不超過0.5mm。兩類多晶硅片的尺寸規(guī)格還需滿足與電池生產(chǎn)設(shè)備的適配性，確保后續(xù)加工順利。（三）多晶硅片厚度參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)及未來適配趨勢(shì)如何？01當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)中，常規(guī)多晶硅片厚度要求為180-220μm，高效多晶硅片厚度為160-200μm。未來隨著電池技術(shù)發(fā)展，為降低硅材料消耗、提升組件功率，多晶硅片厚度有向更薄方向發(fā)展的趨勢(shì)，預(yù)計(jì)將逐步降至140-180μm，標(biāo)準(zhǔn)也可能隨之更新適配。02、多晶硅片外觀質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)有哪些細(xì)節(jié)？從表面缺陷、邊緣狀態(tài)等方面解析標(biāo)準(zhǔn)要求及對(duì)電池性能的潛在影響標(biāo)準(zhǔn)對(duì)多晶硅片表面缺陷有哪些具體規(guī)定？01標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定多晶硅片表面不得存在裂紋、缺角、玷污、腐蝕斑等缺陷。其中，缺角尺寸不得超過0.5mm×0.5mm，表面玷污面積占比不超過0.1%，腐蝕斑深度不超過5μm。這些規(guī)定旨在確保多晶硅片表面潔凈、完整，為后續(xù)電池制作的鍍膜、印刷等工序打下良好基礎(chǔ)。02（二）多晶硅片邊緣狀態(tài)的標(biāo)準(zhǔn)要求是什么？01邊緣狀態(tài)方面，多晶硅片邊緣不得有鋸齒狀凸起，凸起高度不超過0.3mm；邊緣崩邊長度不超過1mm，深度不超過0.2mm。同時(shí)，邊緣需經(jīng)過適當(dāng)打磨處理，避免尖銳邊緣在后續(xù)加工和運(yùn)輸中造成損壞，也防止邊緣應(yīng)力集中影響電池性能。02（三）這些外觀質(zhì)量要求對(duì)太陽能電池性能有何潛在影響？若多晶硅片存在表面缺陷，會(huì)導(dǎo)致電池制作過程中膜層覆蓋不完整、電極印刷不良，影響光吸收和載流子傳輸，降低電池轉(zhuǎn)換效率；邊緣狀態(tài)不佳則可能在電池受外力作用時(shí)產(chǎn)生破裂，還會(huì)增加電池的漏電風(fēng)險(xiǎn)，導(dǎo)致電池可靠性下降，縮短使用壽命。符合外觀標(biāo)準(zhǔn)的多晶硅片能更好保障電池性能穩(wěn)定。12、多晶硅片電學(xué)性能指標(biāo)如何規(guī)定？專家解讀電阻率、少子壽命等關(guān)鍵參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)及與太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)中多晶硅片電阻率指標(biāo)的規(guī)定是怎樣的？常規(guī)多晶硅片電阻率要求在0.5-3Ω?cm之間，高效多晶硅片電阻率要求在1-5Ω?cm。電阻率過高或過低都會(huì)影響載流子的輸運(yùn)，過高會(huì)增加電阻損耗，過低則易產(chǎn)生漏電現(xiàn)象，合適的電阻率范圍能保障載流子有效傳輸，為電池高效工作提供基礎(chǔ)。（二）少子壽命指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)要求及檢測(cè)方式是什么？標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定常規(guī)多晶硅片少子壽命不低于2μs，高效多晶硅片少子壽命不低于5μs。少子壽命檢測(cè)采用微波光電導(dǎo)衰減法，檢測(cè)時(shí)需在多晶硅片不同位置選取至少5個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，取平均值作為最終檢測(cè)結(jié)果，確保檢測(cè)數(shù)據(jù)能反映多晶硅片整體的少子壽命水平。12（三）專家如何解讀這些電學(xué)參數(shù)與太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)聯(lián)？1專家指出，電阻率和少子壽命是影響電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)。適宜的電阻率能減少載流子在傳輸過程中的能量損耗，較高的少子壽命能延長載流子存活時(shí)間，增加載流子被收集的概率，從而提升太陽能電池對(duì)光能的轉(zhuǎn)換效率，參數(shù)符合標(biāo)準(zhǔn)的多晶硅片更易制作出高轉(zhuǎn)換效率電池。2、多晶硅片機(jī)械性能要求包含哪些內(nèi)容？深入剖析彎曲強(qiáng)度、斷裂韌性等指標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)及在生產(chǎn)運(yùn)輸中的實(shí)際意義標(biāo)準(zhǔn)對(duì)多晶硅片彎曲強(qiáng)度指標(biāo)有何要求？01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定多晶硅片彎曲強(qiáng)度不低于150MPa。彎曲強(qiáng)度檢測(cè)采用三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)法，試驗(yàn)時(shí)施加的力需均勻緩慢，避免瞬間沖擊力導(dǎo)致多晶硅片破裂，檢測(cè)過程中需記錄多晶硅片斷裂時(shí)的最大載荷，通過計(jì)算得出彎曲強(qiáng)度值，確保檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確可靠。02（二）斷裂韌性指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定及檢測(cè)要點(diǎn)是什么？01多晶硅片斷裂韌性要求不低于0.7MPa?m^(1/2)。檢測(cè)采用單邊切口梁法，需在多晶硅片上預(yù)制標(biāo)準(zhǔn)切口，然后通過加載試驗(yàn)測(cè)定斷裂時(shí)的能量，進(jìn)而計(jì)算斷裂韌性。檢測(cè)過程中切口的尺寸、形狀以及加載速度都需嚴(yán)格遵循標(biāo)準(zhǔn)要求，以保證檢測(cè)結(jié)果的一致性。02（三）這些機(jī)械性能指標(biāo)在生產(chǎn)運(yùn)輸中有何實(shí)際意義？在生產(chǎn)過程中，多晶硅片需經(jīng)過清洗、切割、搬運(yùn)等多道工序，足夠的彎曲強(qiáng)度和斷裂韌性能避免其在這些工序中因受力而損壞；運(yùn)輸過程中可能會(huì)遇到震動(dòng)、顛簸等情況，良好的機(jī)械性能可減少多晶硅片因外力沖擊導(dǎo)致的破碎，降低企業(yè)生產(chǎn)成本，保障生產(chǎn)和供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。、多晶硅片檢測(cè)方法有何技術(shù)要點(diǎn)？全面解讀外觀、尺寸、電學(xué)、機(jī)械性能等檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)流程與操作規(guī)范多晶硅片外觀檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)流程與操作規(guī)范是什么？外觀檢測(cè)采用目視檢測(cè)與放大檢測(cè)相結(jié)合的方式。首先在自然光下用肉眼觀察多晶硅片表面和邊緣，檢查是否存在明顯缺陷；然后用10倍放大鏡對(duì)疑似缺陷區(qū)域進(jìn)行詳細(xì)觀察，記錄缺陷的類型、大小和位置。檢測(cè)時(shí)需保證光線充足且均勻，檢測(cè)人員需經(jīng)過專業(yè)培訓(xùn)，確保檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確。（二）尺寸檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)流程及操作規(guī)范有哪些？A尺寸檢測(cè)使用精度不低于0.01mm的游標(biāo)卡尺或影像測(cè)量儀。測(cè)量邊長時(shí)，需在多晶硅片不同位置測(cè)量至少4組數(shù)據(jù)；測(cè)量對(duì)角線時(shí)，測(cè)量兩條對(duì)角線長度。測(cè)量過程中需將多晶硅片平穩(wěn)放置在檢測(cè)平臺(tái)上，避免因放置不當(dāng)導(dǎo)致測(cè)量誤差，同時(shí)定期對(duì)檢測(cè)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，確保儀器精度。B（三）電學(xué)和機(jī)械性能檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)流程與操作規(guī)范分別是怎樣的？電學(xué)性能檢測(cè)中，電阻率采用四探針法測(cè)量，測(cè)量時(shí)探針需與多晶硅片表面良好接觸，施加的電流大小需符合標(biāo)準(zhǔn)要求；少子壽命采用微波光電導(dǎo)衰減法，檢測(cè)環(huán)境需保持恒溫恒濕。機(jī)械性能檢測(cè)中，彎曲強(qiáng)度和斷裂韌性檢測(cè)需按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)方法準(zhǔn)備試樣，加載速度控制在2-5mm/min，同時(shí)做好試驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄與分析。12、標(biāo)準(zhǔn)中多晶硅片的檢驗(yàn)規(guī)則如何制定？從抽樣方案、判定準(zhǔn)則等方面解析其對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量把控的指導(dǎo)價(jià)值多晶硅片檢驗(yàn)的抽樣方案是怎樣規(guī)定的？標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，多晶硅片檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。出廠檢驗(yàn)按批抽樣，每批產(chǎn)品抽樣數(shù)量根據(jù)批量大小確定，批量小于1000片時(shí)抽樣20片，批量1000-5000片時(shí)抽樣30片，批量大于5000片時(shí)抽樣50片。型式檢驗(yàn)每半年進(jìn)行一次，抽樣數(shù)量為50片，若產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、工藝發(fā)生重大變化，需重新進(jìn)行型式檢驗(yàn)。（二）檢驗(yàn)判定準(zhǔn)則包含哪些內(nèi)容？01判定準(zhǔn)則方面，外觀質(zhì)量、尺寸、電學(xué)性能、機(jī)械性能等各項(xiàng)指標(biāo)均需符合標(biāo)準(zhǔn)要求。若抽樣產(chǎn)品中單項(xiàng)指標(biāo)不合格品數(shù)量不超過抽樣數(shù)量的5%，則判定該批產(chǎn)品該項(xiàng)指標(biāo)合格；若不合格品數(shù)量超過5%，則需加倍抽樣檢驗(yàn)，若仍不合格，則判定該批產(chǎn)品不合格，需進(jìn)行返工或報(bào)廢處理。02（三）這些檢驗(yàn)規(guī)則對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量把控有何指導(dǎo)價(jià)值？明確的抽樣方案和判定準(zhǔn)則為企業(yè)產(chǎn)品檢驗(yàn)提供了統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，避免了檢驗(yàn)過程中的主觀性和隨意性。通過科學(xué)抽樣，能有效反映整批產(chǎn)品質(zhì)量狀況，及時(shí)發(fā)現(xiàn)不合格產(chǎn)品，防止低質(zhì)產(chǎn)品流入市場(chǎng)。同時(shí)，也促使企業(yè)加強(qiáng)生產(chǎn)過程質(zhì)量控制，從源頭提升產(chǎn)品質(zhì)量，保障產(chǎn)業(yè)鏈上下游產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。、多晶硅片包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸與貯存要求是什么？結(jié)合行業(yè)物流特點(diǎn)解讀標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定及對(duì)產(chǎn)品保護(hù)的重要性多晶硅片包裝的標(biāo)準(zhǔn)要求有哪些？包裝采用專用的防靜電包裝盒，包裝盒材質(zhì)需具有良好的緩沖性能，能有效吸收震動(dòng)和沖擊。每盒多晶硅片數(shù)量根據(jù)尺寸確定，常規(guī)多晶硅片每盒不超過50片，高效多晶硅片每盒不超過30片，片間需用防靜電薄膜分隔，防止相互摩擦造成損壞。包裝盒外需密封，防止灰塵、濕氣進(jìn)入。12（二）標(biāo)志標(biāo)注的內(nèi)容和要求是什么？標(biāo)志需標(biāo)注產(chǎn)品名稱、型號(hào)規(guī)格、生產(chǎn)批號(hào)、數(shù)量、生產(chǎn)日期、生產(chǎn)企業(yè)名稱及地址、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)等信息。標(biāo)志應(yīng)清晰、牢固，不易脫落，便于識(shí)別和追溯。同時(shí)，包裝盒上需標(biāo)注“小心輕放”“防潮”“防靜電”等警示標(biāo)志，提醒運(yùn)輸和貯存過程中的注意事項(xiàng)。12（三）結(jié)合行業(yè)物流特點(diǎn)，運(yùn)輸與貯存要求及對(duì)產(chǎn)品保護(hù)的重要性如何？1運(yùn)輸過程中，需選擇具有防震、防潮、防靜電功能的運(yùn)輸車輛，避免劇烈震動(dòng)和溫度、濕度劇烈變化。貯存環(huán)境需保持清潔、干燥，溫度控制在5-30℃,相對(duì)濕度不超過60%，同時(shí)遠(yuǎn)離磁場(chǎng)和腐蝕性物質(zhì)。行業(yè)物流環(huán)節(jié)多、運(yùn)輸距離可能較長，符合標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)輸與貯存要求能有效避免多晶硅片在物流過程中受損，保障產(chǎn)品質(zhì)量，減少企業(yè)損失。2、GB/T29055-2019標(biāo)準(zhǔn)與國際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)存在哪些差異？專家視角對(duì)比分析并預(yù)測(cè)未來接軌趨勢(shì)與國際電工委員會(huì)（IEC）相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的差異主要體現(xiàn)在哪些方面？與IEC標(biāo)準(zhǔn)相比，GB/T29055-2019在多晶硅片尺寸偏差、電阻率范圍等部分指標(biāo)上要求更嚴(yán)格。例如，IEC標(biāo)準(zhǔn)中常規(guī)多晶硅片邊長偏差允許±0.8mm，而我國標(biāo)準(zhǔn)為±0.5mm；在檢測(cè)方法上，我國標(biāo)準(zhǔn)更注重結(jié)合國內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)實(shí)際，部分檢測(cè)流程更簡(jiǎn)便易行，更符合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。12（二）與美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)（ASTM）相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的差異有哪些？01ASTM標(biāo)準(zhǔn)對(duì)多晶硅片機(jī)械性能指標(biāo)的規(guī)定相對(duì)寬松，其彎曲強(qiáng)度要求不低于120MPa，而我國標(biāo)準(zhǔn)為150MPa。在外觀質(zhì)量缺陷判定上，ASTM標(biāo)準(zhǔn)對(duì)部分微小缺陷的容忍度更高，我國標(biāo)準(zhǔn)則更嚴(yán)格，這與我國太陽能電池產(chǎn)業(yè)追求高品質(zhì)產(chǎn)品的發(fā)展方向相符。02（三）專家如何預(yù)測(cè)我國標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)的未來接軌趨勢(shì)？01專家預(yù)測(cè)，隨著我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在國際市場(chǎng)份額的提升和技術(shù)的不斷進(jìn)步，我國標(biāo)準(zhǔn)將逐步與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌，在保持自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，吸收國際標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)理念，縮小指標(biāo)差異。同時(shí)，我國也將積極參與國際標(biāo)準(zhǔn)制定，推動(dòng)我國標(biāo)準(zhǔn)中的先進(jìn)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)轉(zhuǎn)化為國際標(biāo)準(zhǔn)，提升我國在國際光伏領(lǐng)域的話語權(quán)。02、基于GB/T29055-2019標(biāo)準(zhǔn)，未來太陽