工藝整合招聘面試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.光刻工藝的主要目的是（）A.沉積薄膜B.圖形轉(zhuǎn)移C.刻蝕材料D.摻雜雜質(zhì)2.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）主要用于（）A.去除表面雜質(zhì)B.平整化表面C.沉積金屬D.刻蝕硅襯底3.以下哪種氣體常用于等離子體刻蝕（）A.氧氣B.氮?dú)釩.氬氣D.氯氣4.擴(kuò)散工藝是為了（）A.形成PN結(jié)B.沉積絕緣層C.去除光刻膠D.生長硅外延層5.離子注入與擴(kuò)散相比，優(yōu)點(diǎn)是（）A.溫度高B.濃度均勻C.可精確控制D.工藝簡單6.以下哪種薄膜沉積方法屬于物理氣相沉積（PVD）（）A.化學(xué)氣相沉積（CVD）B.原子層沉積（ALD）C.濺射D.電鍍7.光刻膠在曝光后需要進(jìn)行（）A.顯影B.刻蝕C.沉積D.退火8.濕法刻蝕的特點(diǎn)是（）A.各向異性B.選擇性好C.設(shè)備復(fù)雜D.污染小9.外延生長的作用是（）A.提高襯底純度B.改變襯底導(dǎo)電類型C.生長高質(zhì)量單晶層D.去除表面損傷10.用于檢測晶圓表面缺陷的設(shè)備是（）A.電子顯微鏡B.光刻機(jī)C.刻蝕機(jī)D.清洗機(jī)多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.工藝整合中需要考慮的因素有（）A.工藝順序B.工藝兼容性C.成本D.產(chǎn)量2.常見的光刻工藝步驟包括（）A.涂膠B.曝光C.顯影D.刻蝕3.化學(xué)氣相沉積（CVD）可分為（）A.低壓CVDB.常壓CVDC.等離子體增強(qiáng)CVDD.原子層CVD4.刻蝕工藝可分為（）A.干法刻蝕B.濕法刻蝕C.物理刻蝕D.化學(xué)刻蝕5.離子注入工藝的參數(shù)有（）A.能量B.劑量C.角度D.溫度6.薄膜沉積的質(zhì)量受以下哪些因素影響（）A.氣體流量B.溫度C.壓力D.襯底表面狀態(tài)7.清洗工藝的目的是（）A.去除表面雜質(zhì)B.去除光刻膠C.改善表面親水性D.提高襯底平整度8.以下屬于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的有（）A.光刻機(jī)B.刻蝕機(jī)C.擴(kuò)散爐D.清洗機(jī)9.工藝整合中可能遇到的問題有（）A.工藝兼容性問題B.設(shè)備故障C.良率問題D.成本過高10.影響外延生長質(zhì)量的因素有（）A.襯底質(zhì)量B.氣體純度C.生長溫度D.生長速率判斷題（每題2分，共20分）1.光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最重要的圖形化工藝。（）2.化學(xué)機(jī)械拋光只能用于硅襯底的平整化。（）3.離子注入會對襯底造成損傷，需要進(jìn)行退火修復(fù)。（）4.濕法刻蝕比干法刻蝕的選擇性差。（）5.外延生長可以在非晶襯底上進(jìn)行。（）6.薄膜沉積的厚度可以通過沉積時(shí)間精確控制。（）7.清洗工藝對半導(dǎo)體制造的良率影響不大。（）8.工藝整合只需要考慮工藝本身，不需要考慮設(shè)備和成本。（）9.光刻膠的靈敏度越高，曝光時(shí)間越短。（）10.擴(kuò)散工藝的溫度一般比離子注入工藝低。（）簡答題（每題5分，共20分）1.簡述光刻工藝的基本原理。光刻利用光刻膠感光特性，通過掩膜版將圖形投影到涂有光刻膠的晶圓上，經(jīng)曝光、顯影，使光刻膠形成與掩膜版對應(yīng)的圖形，為后續(xù)刻蝕或摻雜做準(zhǔn)備。2.說明化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的作用和原理。作用是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平整化。原理是通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨協(xié)同作用，在拋光墊和晶圓間加入拋光液，去除表面材料，達(dá)到平整效果。3.比較干法刻蝕和濕法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)。干法刻蝕各向異性好、精度高，但設(shè)備復(fù)雜、成本高；濕法刻蝕選擇性好、設(shè)備簡單，但各向同性、污染大。4.簡述離子注入工藝的主要步驟。主要步驟有：確定注入離子種類、能量和劑量；將晶圓放入離子注入機(jī)；離子源產(chǎn)生離子束，經(jīng)加速、聚焦注入晶圓；注入后進(jìn)行退火消除損傷。討論題（每題5分，共20分）1.討論工藝整合在半導(dǎo)體制造中的重要性。工藝整合確保各工藝有序銜接、兼容，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率，降低成本，是實(shí)現(xiàn)高性能半導(dǎo)體器件量產(chǎn)的關(guān)鍵，影響產(chǎn)品質(zhì)量和企業(yè)競爭力。2.分析光刻工藝中可能出現(xiàn)的問題及解決方法。可能出現(xiàn)圖形失真、光刻膠殘留等問題。可通過優(yōu)化曝光參數(shù)、改善光刻膠性能、提高掩膜版質(zhì)量，以及加強(qiáng)顯影和清洗工藝來解決。3.探討如何提高薄膜沉積的質(zhì)量。控制氣體流量、壓力、溫度等參數(shù)，保證氣體純度；優(yōu)化襯底表面狀態(tài)；選擇合適沉積方法和設(shè)備，加強(qiáng)過程監(jiān)控和檢測。4.談?wù)劰に囌现腥绾纹胶獬杀竞唾|(zhì)量。合理規(guī)劃工藝順序和參數(shù)，選用性價(jià)比高的設(shè)備和材料；優(yōu)化工藝減少廢品率；加強(qiáng)生產(chǎn)管理提高效率，在保證質(zhì)量前提下降低成本。答案單項(xiàng)選擇題答案1.B2.B3.D4.A5.C6.C7.A8.B9.C10.A多項(xiàng)選擇題答案1.ABCD2.ABC3.ABCD4.AB5.