2025陜西源杰半導體科技股份有限公司招聘筆試歷年備考題庫附帶答案詳解（第1套）一、單項選擇題下列各題只有一個正確答案，請選出最恰當?shù)倪x項（共30題）1、在N型半導體中，主要參與導電的載流子是：A．空穴

B．電子

C．正離子

D．負離子2、PN結(jié)在正向偏置時，其內(nèi)建電場的變化趨勢是：A．增強

B．不變

C．減弱

D．先增強后減弱3、以下哪種材料最常用于制造半導體器件的襯底？A．銅

B．玻璃

C．硅

D．塑料4、在CMOS工藝中，P型襯底通常用于制作哪種類型的晶體管？A．NMOS

B．PMOS

C．BJT

D．JFET5、半導體器件中，禁帶寬度的單位通常表示為：A．伏特（V）

B．焦耳（J）

C．電子伏特（eV）

D．歐姆（Ω）6、在N型半導體中，主要的載流子是什么？A.空穴B.電子C.正離子D.負離子7、下列哪種材料最常用于制造半導體器件的襯底？A.銅B.玻璃C.硅D.塑料8、PN結(jié)在正向偏置時，其電阻特性表現(xiàn)為？A.高電阻B.零電阻C.低電阻D.無窮大電阻9、在CMOS電路中，功耗主要來源于以下哪一項？A.靜態(tài)電流B.漏電流C.動態(tài)開關功耗D.電阻發(fā)熱10、下列哪項工藝是實現(xiàn)集成電路中器件隔離的常用技術？A.光刻B.離子注入C.淺溝槽隔離（STI）D.化學氣相沉積11、在N型半導體中，主要的載流子是電子，那么其導電性能主要取決于以下哪種因素？A.空穴濃度B.施主雜質(zhì)濃度C.受主雜質(zhì)濃度D.晶體缺陷數(shù)量12、在PN結(jié)加反向偏壓時，耗盡層寬度和勢壘高度的變化趨勢是？A.耗盡層變窄，勢壘降低B.耗盡層變寬，勢壘升高C.耗盡層變窄，勢壘升高D.耗盡層變寬，勢壘降低13、下列哪種工藝常用于半導體材料的摻雜過程？A.光刻B.化學氣相沉積C.離子注入D.物理氣相沉積14、若某半導體材料的禁帶寬度為1.12eV，它最可能屬于以下哪種材料？A.砷化鎵（GaAs）B.硅（Si）C.鍺（Ge）D.氮化鎵（GaN）15、在CMOS工藝中，NMOS和PMOS晶體管通常構(gòu)建在何種襯底上？A.同一P型襯底B.同一N型襯底C.分別使用P型和N型獨立襯底D.P型襯底上構(gòu)建PMOS，N型襯底上構(gòu)建NMOS16、在半導體材料中，摻入五價元素形成的雜質(zhì)半導體主要依靠哪種載流子導電？A．空穴

B．電子

C．離子

D．中子17、下列哪種工藝是用于在硅片表面形成二氧化硅層的關鍵步驟？A．光刻

B．離子注入

C．熱氧化

D．化學氣相沉積18、在CMOS工藝中，P型襯底通常用于制作哪種類型的MOS管？A．NMOS

B．PMOS

C．BJT

D．JFET19、下列哪項參數(shù)直接反映半導體激光器的發(fā)光效率？A．閾值電流

B．波長穩(wěn)定性

C．外量子效率

D．工作電壓20、在集成電路制造中，光刻膠曝光后需進行的下一步工藝是？A．顯影

B．刻蝕

C．去膠

D．沉積21、在N型半導體中，主要的載流子是以下哪種粒子？A．空穴

B．正離子

C．自由電子

D．負離子22、下列哪種工藝常用于半導體材料的摻雜過程？A．光刻

B．離子注入

C．化學氣相沉積

D．物理氣相沉積23、PN結(jié)在反向偏置時，其耗盡層的變化趨勢是？A．變寬

B．變窄

C．不變

D．先變寬后變窄24、以下哪種材料最常用于制造半導體器件的襯底？A．二氧化硅

B．砷化鎵

C．單晶硅

D．氮化鋁25、在CMOS工藝中，P型襯底通常用于制作哪種類型的MOSFET？A．NMOS

B．PMOS

C．JFET

D．MESFET26、在CMOS工藝中，P型襯底通常用于制作哪種類型的MOSFET？A.NMOSB.PMOSC.雙極型晶體管D.IGBT27、在半導體材料中，摻雜濃度增加時，其電阻率將如何變化？A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小28、下列哪種光刻技術具有最高的分辨率？A.紫外光刻（UV）B.深紫外光刻（DUV）C.極紫外光刻（EUV）D.電子束光刻29、在PN結(jié)中，反向偏置電壓增大時，耗盡層寬度將如何變化？A.變窄B.變寬C.不變D.先變寬后變窄30、下列哪項是降低MOSFET短溝道效應的有效方法？A.增加柵氧厚度B.采用淺溝槽隔離（STI）C.使用高k介質(zhì)材料D.降低摻雜濃度二、多項選擇題下列各題有多個正確答案，請選出所有正確選項（共15題）31、在半導體材料中，以下哪些特性是影響載流子遷移率的主要因素？A.晶格振動散射B.雜質(zhì)電離散射C.材料的禁帶寬度D.表面態(tài)密度32、在CMOS工藝中，以下哪些措施可以有效降低短溝道效應？A.采用淺溝槽隔離（STI）B.引入高介電常數(shù)（high-k）柵介質(zhì)C.使用輕摻雜漏（LDD）結(jié)構(gòu)D.增加柵極長度33、以下關于PIN光電二極管的說法，哪些是正確的？A.I層通常為本征或輕摻雜半導體B.響應速度受載流子渡越時間限制C.工作在反向偏置狀態(tài)D.量子效率隨I層厚度減小而提高34、在半導體器件建模中，以下哪些參數(shù)常用于描述MOSFET的直流特性？A.閾值電壓B.跨導C.柵氧電容D.輸出電阻35、下列哪些工藝步驟在集成電路制造中通常涉及化學氣相沉積（CVD）技術？A.多晶硅柵極形成B.淺結(jié)注入后的退火C.二氧化硅隔離層沉積D.金屬間介質(zhì)層填充36、在半導體材料中，影響載流子遷移率的主要因素包括哪些？A．晶格缺陷

B．溫度

C．雜質(zhì)濃度

D．外加電場強度37、下列關于PN結(jié)正向偏置特性的描述，正確的是哪些？A．耗盡層變窄

B．擴散電流大于漂移電流

C．內(nèi)建電勢增大

D．多數(shù)載流子注入增強38、在MOSFET器件中，閾值電壓受哪些因素影響？A．柵氧化層厚度

B．襯底摻雜濃度

C．溝道長度

D．柵極材料功函數(shù)39、下列哪些工藝步驟常用于半導體器件制造中的圖形轉(zhuǎn)移？A．光刻

B．刻蝕

C．離子注入

D．薄膜沉積40、提高雙極型晶體管（BJT）電流放大系數(shù)β的方法包括哪些？A．增加發(fā)射區(qū)摻雜濃度

B．減薄基區(qū)寬度

C．提高基區(qū)摻雜濃度

D．優(yōu)化發(fā)射結(jié)注入效率41、在半導體材料中，以下哪些元素常用于摻雜以形成N型半導體？A.硼B(yǎng).磷C.砷D.鋁42、下列關于PN結(jié)正向偏置的說法正確的是？A.P區(qū)接電源負極，N區(qū)接電源正極B.耗盡層變窄C.電流難以通過D.內(nèi)建電場被削弱43、以下哪些是衡量半導體器件性能的關鍵參數(shù)？A.載流子遷移率B.禁帶寬度C.介電常數(shù)D.飽和電子速度44、在集成電路制造中，光刻工藝的關鍵步驟包括？A.涂膠B.曝光C.刻蝕D.顯影45、以下關于MOSFET工作特性描述正確的是？A.柵極電壓控制溝道導電性B.屬于雙極型器件C.具有高輸入阻抗D.漏極電流受柵源電壓調(diào)控三、判斷題判斷下列說法是否正確（共10題）46、在CMOS工藝中，N型MOS管和P型MOS管通常成對使用，以實現(xiàn)低靜態(tài)功耗的邏輯電路。A.正確B.錯誤47、在半導體材料中，禁帶寬度越寬，其在高溫環(huán)境下的工作穩(wěn)定性通常越差。A.正確B.錯誤48、光刻工藝中的分辨率僅取決于曝光光源的波長，與光學系統(tǒng)無關。A.正確B.錯誤49、在PN結(jié)中，反向偏置電壓增大時，耗盡層寬度會減小。A.正確B.錯誤50、晶圓制造中，化學機械拋光（CMP）主要用于實現(xiàn)表面平坦化，提升多層布線的工藝一致性。A.正確B.錯誤51、在半導體材料中，本征載流子濃度僅與材料種類有關，與溫度無關。A.正確B.錯誤52、PN結(jié)在反向偏置時，空間電荷區(qū)變窄，有利于多數(shù)載流子擴散。A.正確B.錯誤53、在CMOS電路中，NMOS和PMOS晶體管通常串聯(lián)連接，用于實現(xiàn)邏輯功能。A.正確B.錯誤54、光刻工藝中的分辨率僅由光源波長決定，與光學系統(tǒng)無關。A.正確B.錯誤55、摻雜濃度越高，半導體的電阻率越低。A.正確B.錯誤

參考答案及解析1.【參考答案】B【解析】N型半導體通過摻雜五價元素（如磷）引入多余電子，這些電子成為主要的導電載流子。雖然空穴也存在，但數(shù)量極少，因此導電以電子為主。正確選項為B。2.【參考答案】C【解析】正向偏置時，外加電壓方向與內(nèi)建電場相反，削弱了耗盡層中的電場強度，使勢壘降低，促進載流子擴散，形成正向電流。因此內(nèi)建電場減弱，選C。3.【參考答案】C【解析】硅是目前應用最廣泛的半導體襯底材料，因其資源豐富、禁帶寬度適中、可形成高質(zhì)量氧化層，適合制造晶體管、集成電路等器件。其他選項不具備半導體特性，故選C。4.【參考答案】A【解析】在標準CMOS工藝中，P型襯底上制作NMOS管，而PMOS管則制作在N型阱中。P型襯底提供空穴導電環(huán)境，利于NMOS的源漏區(qū)形成，因此選A。5.【參考答案】C【解析】禁帶寬度是指價帶頂?shù)綄У椎哪芰坎?，屬于微觀粒子能級差，常用電子伏特（eV）表示。1eV等于一個電子在1伏特電壓下獲得的能量，故選C。6.【參考答案】B【解析】N型半導體通過摻雜五價元素（如磷）形成，其外層五個價電子中有一個多余電子，易成為自由電子。因此，自由電子是多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。導電主要由電子完成，故正確答案為B。7.【參考答案】C【解析】硅是目前應用最廣泛的半導體材料，因其儲量豐富、工藝成熟、氧化性能優(yōu)良，適合制造晶體管、集成電路等器件。銅為導體，玻璃和塑料為絕緣體，不具備半導體特性，故選C。8.【參考答案】C【解析】當PN結(jié)加正向電壓（P區(qū)接正，N區(qū)接負），外電場削弱內(nèi)建電場，耗盡層變窄，載流子易于擴散，形成較大正向電流，呈現(xiàn)低電阻狀態(tài)，故選C。反向偏置時才表現(xiàn)為高電阻。9.【參考答案】C【解析】CMOS電路靜態(tài)時幾乎無電流，功耗極低；主要功耗來自電容充放電，即動態(tài)開關過程中的充放電電流。因此，動態(tài)開關功耗是主要來源，尤其在高頻工作時顯著。漏電流在深亞微米工藝中影響上升，但仍次于動態(tài)功耗，故選C。10.【參考答案】C【解析】淺溝槽隔離（STI）通過在硅片上刻蝕溝槽并填充絕緣介質(zhì)（如二氧化硅），實現(xiàn)相鄰器件間的電學隔離，廣泛應用于現(xiàn)代CMOS工藝。光刻、離子注入和CVD是配套工藝，但不直接完成隔離功能，故選C。11.【參考答案】B【解析】N型半導體通過摻入施主雜質(zhì)（如磷）提供額外電子，從而增強導電性。電子是多數(shù)載流子，其濃度主要由施主雜質(zhì)決定，因此導電性能與施主雜質(zhì)濃度密切相關?？昭樯贁?shù)載流子，受主雜質(zhì)用于P型摻雜，晶體缺陷雖影響遷移率，但非主導因素。故正確答案為B。12.【參考答案】B【解析】反向偏壓使P區(qū)電位低于N區(qū)，外電場與內(nèi)建電場方向一致，增強對載流子的排斥作用，導致耗盡層擴展，勢壘增高，阻礙多數(shù)載流子擴散，僅有微小反向飽和電流。該現(xiàn)象是PN結(jié)整流特性的基礎。因此選B。13.【參考答案】C【解析】離子注入是將摻雜元素離子加速后植入半導體晶圓的技術，具有摻雜濃度和深度可控的優(yōu)點，廣泛用于現(xiàn)代半導體制造。光刻用于圖形轉(zhuǎn)移，CVD和PVD用于薄膜沉積，不直接實現(xiàn)摻雜。因此C為正確答案。14.【參考答案】B【解析】硅在室溫下的禁帶寬度約為1.12eV，是典型的間接帶隙半導體，廣泛用于集成電路。砷化鎵約為1.43eV，鍺為0.67eV，氮化鎵約為3.4eV。根據(jù)數(shù)值匹配，該材料最可能是硅。故選B。15.【參考答案】A【解析】標準CMOS工藝通常采用P型硅襯底，在其上構(gòu)建NMOS管；PMOS管則制作在N型阱區(qū)中，實現(xiàn)電學隔離。這種結(jié)構(gòu)便于集成，降低成本。因此NMOS與PMOS共用P型襯底，選項A正確。16.【參考答案】B【解析】摻入五價元素（如磷、砷）后，雜質(zhì)原子提供多余的自由電子，形成N型半導體。其主要導電載流子為電子，空穴為少數(shù)載流子。因此，該半導體以電子導電為主。這是半導體物理的基礎知識，廣泛應用于二極管、晶體管等器件設計中。17.【參考答案】C【解析】熱氧化是將硅片置于高溫氧氣或水蒸氣環(huán)境中，使其表面生成一層致密的二氧化硅薄膜，常用于柵極絕緣層或器件隔離。光刻用于圖形轉(zhuǎn)移，離子注入用于摻雜，CVD可用于沉積多種薄膜，但熱氧化是原生SiO?的主流方法。18.【參考答案】A【解析】CMOS工藝中，NMOS管通常制作在P型襯底上，而PMOS則制作在N型阱中。P型襯底提供空穴環(huán)境，有利于電子在NMOS溝道中流動。這種結(jié)構(gòu)設計可實現(xiàn)低功耗互補邏輯電路，是現(xiàn)代集成電路的核心工藝。19.【參考答案】C【解析】外量子效率（EQE）表示注入的每個電子-空穴對產(chǎn)生的光子數(shù)，直接衡量電光轉(zhuǎn)換效率。閾值電流是激光起振的最小電流，波長穩(wěn)定性影響單色性，工作電壓與功耗相關，但均不直接反映發(fā)光效率。20.【參考答案】A【解析】光刻流程為：涂膠→前烘→曝光→顯影→后烘→刻蝕→去膠。顯影是將曝光區(qū)域的光刻膠溶解，形成所需圖形的關鍵步驟。正膠中曝光區(qū)被去除，負膠則保留。顯影質(zhì)量直接影響圖形精度和器件性能。21.【參考答案】C【解析】N型半導體是在本征半導體中摻入五價元素（如磷）形成的，其中提供額外電子的雜質(zhì)原子稱為施主雜質(zhì)。這些額外電子成為導帶中的自由電子，因此N型半導體的主要載流子是自由電子，而空穴為少數(shù)載流子。自由電子的濃度遠高于空穴，決定了其導電特性。22.【參考答案】B【解析】離子注入是將雜質(zhì)原子電離后加速注入半導體晶圓的技術，可精確控制摻雜濃度和深度，是現(xiàn)代半導體制造中主流的摻雜方法。光刻用于圖形轉(zhuǎn)移，CVD和PVD用于薄膜沉積，不直接實現(xiàn)摻雜。離子注入具有重復性好、摻雜均勻的優(yōu)點，廣泛應用于集成電路制造。23.【參考答案】A【解析】當PN結(jié)加反向電壓時，外電場方向與內(nèi)建電場一致，使多子遠離結(jié)區(qū)，導致空間電荷區(qū)擴展，耗盡層變寬。此時電流極小，表現(xiàn)為截止狀態(tài)。該特性使PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕嵌O管整流功能的基礎。反向電壓過大可能引發(fā)擊穿，需控制工作范圍。24.【參考答案】C【解析】單晶硅因其禁帶寬度適中、資源豐富、機械性能好、易于生長高質(zhì)量大尺寸晶圓，成為主流半導體襯底材料。二氧化硅是絕緣層材料，砷化鎵用于高頻器件，氮化鋁多用于散熱基板。90%以上的集成電路采用硅基工藝，技術成熟，成本低。25.【參考答案】A【解析】在標準CMOS工藝中，P型襯底上直接制作NMOS晶體管，而PMOS則制作在N型阱區(qū)中。由于電子遷移率高于空穴，NMOS具有更快的響應速度和更強的驅(qū)動能力，通常作為主控器件使用。P型襯底提供良好的隔離基礎，有利于集成NMOS與PMOS構(gòu)成互補結(jié)構(gòu)。26.【參考答案】A【解析】在標準CMOS工藝中，P型襯底用于構(gòu)建NMOS晶體管，其源極和漏極由N型摻雜區(qū)構(gòu)成，柵極通過氧化層控制溝道導通。PMOS則通常制作在N型阱區(qū)中，以避免閂鎖效應。因此P型襯底主要承載NMOS器件，是CMOS集成電路的基礎結(jié)構(gòu)之一。該設計有利于實現(xiàn)低功耗、高集成度的數(shù)字電路。27.【參考答案】B【解析】半導體的導電性主要依賴載流子濃度。摻雜會顯著增加自由電子（N型）或空穴（P型）的數(shù)量，從而提升電導率。電阻率是電導率的倒數(shù)，因此隨著摻雜濃度上升，載流子增多，電導率升高，電阻率相應降低。這一特性被廣泛應用于調(diào)節(jié)器件的接觸電阻、擴散區(qū)導電能力等工藝環(huán)節(jié)。28.【參考答案】C【解析】極紫外光刻（EUV）使用波長為13.5nm的光源，遠短于DUV的193nm，顯著提升了分辨率，適用于7nm及以下工藝節(jié)點。雖然電子束光刻分辨率更高，但因其效率低，僅用于掩模制作或研發(fā)，不適用于大規(guī)模生產(chǎn)。EUV是當前先進制程中實現(xiàn)高分辨率量產(chǎn)的主流技術。29.【參考答案】B【解析】當PN結(jié)施加反向偏置電壓時，外電場與內(nèi)建電場方向一致，促使更多離子暴露，導致耗盡層向P區(qū)和N區(qū)擴展，寬度增加。該特性被用于變?nèi)荻O管、光電二極管等器件設計中。反向電壓越大，耗盡層越寬，直至發(fā)生擊穿。30.【參考答案】C【解析】短溝道效應包括閾值電壓漂移、漏致勢壘降低等，源于溝道長度縮小后電場耦合增強。使用高k介質(zhì)（如HfO?）可增加等效電容，允許物理厚度更厚但保持強柵控能力，有效抑制漏電和短溝道效應，是45nm以下工藝的關鍵技術之一。31.【參考答案】A、B、D【解析】載流子遷移率主要受散射機制影響。晶格振動散射（聲子散射）隨溫度升高而增強，降低遷移率；電離雜質(zhì)散射在摻雜濃度高時顯著，也降低遷移率；表面態(tài)密度影響表面溝道載流子運動，如在MOS結(jié)構(gòu)中尤為關鍵。禁帶寬度主要決定材料的本征載流子濃度和光電特性，不直接影響遷移率，故C不選。32.【參考答案】B、C、D【解析】短溝道效應包括閾值電壓下降、漏致勢壘降低等。LDD結(jié)構(gòu)緩解漏極電場，減少熱載流子效應；high-k介質(zhì)增強柵控能力，抑制漏電；增加柵長直接緩解短溝道效應。STI主要用于器件隔離，防止latch-up，對抑制短溝道效應作用有限，故A不選。33.【參考答案】A、B、C【解析】PIN光電二極管的I層增寬耗盡區(qū)，提高光吸收和響應速度；反向偏置擴大耗盡區(qū)，加快載流子收集。響應速度受限于載流子在I層的渡越時間。I層過薄會降低光吸收，從而降低量子效率，故D錯誤。34.【參考答案】A、B、D【解析】閾值電壓決定器件開啟條件；跨導反映柵壓對漏電流的控制能力；輸出電阻描述飽和區(qū)電流隨漏壓變化。三者均為直流或準靜態(tài)特性參數(shù)。柵氧電容是結(jié)構(gòu)參數(shù)，雖影響性能，但不直接表征直流電學行為，故C不選。35.【參考答案】A、C、D【解析】CVD用于沉積多種薄膜：多晶硅柵常用LPCVD沉積；SiO?隔離層可通過PECVD或APCVD實現(xiàn)；金屬間介質(zhì)（IMD）也常用CVD氧化物填充。退火是熱處理過程，屬快速熱退火（RTA）范疇，不涉及CVD，故B不選。36.【參考答案】A、B、C【解析】載流子遷移率受晶格振動（溫度）、電離雜質(zhì)散射（雜質(zhì)濃度）和晶格缺陷影響顯著。溫度升高加劇晶格熱振動，降低遷移率；雜質(zhì)濃度增加增強散射作用；晶格缺陷破壞周期性勢場，阻礙載流子運動。外加電場在弱場下對遷移率影響較小，強場下才出現(xiàn)速度飽和或散射增強，但非主要影響因素，故不選D。37.【參考答案】A、B、D【解析】正向偏置時，外加電壓削弱內(nèi)建電場，導致耗盡層變窄（A正確），促進多數(shù)載流子擴散，擴散電流占主導（B正確），注入到對方區(qū)域的載流子增多（D正確）。內(nèi)建電勢因外加電壓抵消而減小，非增大（C錯誤），故不選。38.【參考答案】A、B、D【解析】閾值電壓與柵氧化層電容（與厚度相關）、襯底摻雜濃度（影響耗盡層電荷）及柵極與襯底材料功函數(shù)差密切相關。溝道長度影響短溝道效應，但不直接決定閾值電壓理想值，僅在短溝道時引起漂移，故C不選。39.【參考答案】A、B【解析】光刻用于將掩模圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，刻蝕則將該圖形進一步轉(zhuǎn)移到下層材料，二者構(gòu)成圖形轉(zhuǎn)移核心流程。離子注入用于摻雜，薄膜沉積用于生長介質(zhì)或?qū)щ妼?，雖關鍵但不直接實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，故C、D不選。40.【參考答案】A、B、D【解析】β取決于發(fā)射效率和基區(qū)輸運系數(shù)。提高發(fā)射區(qū)摻雜可增強注入效率（A、D正確）；減薄基區(qū)減少載流子復合，提升輸運效率（B正確）?；鶇^(qū)摻雜過高會降低少子壽命并削弱注入效率，反而降低β，故C錯誤。41.【參考答案】B、C【解析】N型半導體通過摻入五價元素實現(xiàn)，這些元素提供多余電子。磷（P）和砷（As）均為五價元素，能有效形成N型半導體。硼（B）和鋁（Al）為三價元素，用于形成P型半導體。因此正確答案為B和C。42.【參考答案】B、D【解析】正向偏置時，P區(qū)接正極，N區(qū)接負極，使外加電場與內(nèi)建電場方向相反，削弱內(nèi)建電場，耗盡層變窄，促進載流子擴散，形成較大正向電流。A項描述為反向偏置，C項錯誤。故正確答案為B、D。43.【參考答案】A、B、D【解析】載流子遷移率影響導電能力，禁帶寬度決定材料導電類型與熱穩(wěn)定性，飽和電子速度關系高頻性能。介電常數(shù)雖重要，但更常用于絕緣材料評估。三者中A、B、D為直接決定器件性能的核心半導體參數(shù)。44.【參考答案】A、B、D【解析】光刻工藝流程為：清洗、涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘。刻蝕是光刻后的獨立工藝，用于轉(zhuǎn)移圖形。涂膠、曝光、顯影是光刻核心步驟。C項雖相關，但不屬于光刻本身步驟。故答案為A、B、D。45.【參考答案】A、C、D【解析】MOSFET是電壓控制型場效應晶體管，柵極絕緣使其具有高輸入阻抗。柵源電壓決定溝道形成與導電能力，從而調(diào)控漏極電流。B項錯誤，雙極型器件指BJT，MOSFET為單極型。故正確答案為A、C、D。46.【參考答案】A【解析】CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術通過將N型MOS管和P型MOS管互補連接，使得在穩(wěn)態(tài)時總有一管截止，從而極大降低靜態(tài)功耗。這是CMOS電路的核心優(yōu)勢之一，廣泛應用于數(shù)字集成電路設計中，符合低功耗設計需求。47.【參考答案】B【解析】禁帶寬度越寬的半導體（如SiC、GaN），電子從價帶躍遷到導帶所需能量更高，因此在高溫下本征激發(fā)更弱，載流子濃度更穩(wěn)定，器件更耐高溫。寬禁帶半導體正因其高熱穩(wěn)定性被用于高功率、高溫環(huán)境。48.【參考答案】B【解析】光刻分辨率不僅與光源波長有關，還受數(shù)值孔徑（NA）和工藝因子（k?）影響，公式為R=k?λ/NA。提升分辨率需綜合優(yōu)化光源、鏡頭系統(tǒng)及光刻膠工藝，僅縮短波長不足以保證高分辨率。49.【參考答案】B【解析】反向偏置時，外加電壓增強內(nèi)建電場，使空間電荷區(qū)中的離子暴露更多，耗盡層向P區(qū)和N區(qū)擴展，寬度增大。這是PN結(jié)實現(xiàn)電容調(diào)諧和高壓阻斷能力的基礎原理之一。50.【參考答案】A【解析】CMP通過化學腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，有效去除表面高低不平的結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)全局平坦化。在多層互連工藝中，平坦表面是后續(xù)光刻和薄膜沉積精度的重要保障，是先進制程的關鍵步驟。51.【參考答案】B【解析】本征載流子濃度與溫度密切相關，其關系由公式\(n_i=\sqrt{N_cN_v}\exp\left(-\frac{E_g}{2kT}\right)\)決定，其中\(zhòng)(E_g\)為禁帶寬度，\(T\)為絕對溫度。溫度升高時，電子獲得足夠能量躍遷至導帶，導致本征載流子濃度顯著增加。因此，該說法錯誤。52.【參考答案】B【解析】反向偏置時，外加電壓方向與內(nèi)建電場一致，使耗盡層（空間電荷區(qū)）加寬，阻礙多數(shù)載流子擴散，而促進少數(shù)載流子漂移，形成微小反向飽和電流。因此，空間電荷區(qū)變寬而非變窄，該說法錯誤。53.【參考答案】A【解析】CMOS邏輯門的基本結(jié)構(gòu)由一個NMOS下拉網(wǎng)絡和一個PMOS上拉網(wǎng)絡組成，二者互補串聯(lián)。當輸入為高電平時，NMOS導通、PMOS截止，輸出接地；反之則輸出接電源。這種結(jié)構(gòu)功耗低、抗干擾能力強，廣泛應用于數(shù)字集成電路。54.【參考答案】B【解析】光刻分辨率由瑞利公式\(R=k_1\cdot\lambda/NA\)決定，其中\(zhòng)(\lambda\)為波長，\(NA\)為數(shù)值孔徑，\(k_1\)為工藝因子。因此，分辨率不僅與波長有關，還受鏡頭系統(tǒng)NA和工藝技術影響。僅依賴波長的說法不全面，故錯誤。55.【參考答案】A【解析】半導體電阻率與載流子濃度成反比。摻雜引入額外自由電子（N型）或空穴（P型），顯著提高載流子濃度，增強導電能力，從而降低電阻率。在非簡并摻雜范圍內(nèi)，該規(guī)律成立，因此說法正確。

2025陜西源杰半導體科技股份有限公司招聘筆試歷年備考題庫附帶答案詳解（第2套）一、單項選擇題下列各題只有一個正確答案，請選出最恰當?shù)倪x項（共30題）1、在N型半導體中，主要的載流子是（）。A．空穴

B．電子

C．正離子

D．負離子2、下列哪種材料最常用于制造半導體器件中的PN結(jié)？A．銅

B．硅

C．玻璃

D．塑料3、在CMOS電路中，P溝道MOS管和N溝道MOS管通常如何連接？A．串聯(lián)

B．并聯(lián)

C．交叉反饋

D．獨立供電4、下列哪項參數(shù)直接影響半導體激光器的發(fā)光波長？A．摻雜濃度

B．禁帶寬度

C．封裝材料

D．引腳長度5、在半導體制造工藝中，光刻技術主要用于實現(xiàn)下列哪項功能？A．沉積金屬薄膜

B．去除表面氧化層

C．圖形轉(zhuǎn)移

D．高溫退火6、在CMOS工藝中，NMOS和PMOS晶體管通常構(gòu)建在何種類型的襯底上？A．NMOS在P型襯底，PMOS在N型襯底

B．NMOS在N型襯底，PMOS在P型襯底

C．兩者均在P型襯底

D．兩者均在N型襯底7、在半導體材料中，禁帶寬度（Bandgap）最大的是以下哪一種？A．硅（Si）

B．鍺（Ge）

C．砷化鎵（GaAs）

D．碳化硅（SiC）8、下列哪種摻雜元素在硅中作為受主雜質(zhì)？A．磷（P）

B．砷（As）

C．硼（B）

D．銻（Sb）9、在PN結(jié)中，反向偏置電壓增加時，耗盡層寬度如何變化？A．變窄

B．不變

C．先變寬后變窄

D．變寬10、下列哪種工藝步驟主要用于形成晶體管的柵極結(jié)構(gòu)？A．離子注入

B．光刻與刻蝕

C．擴散

D．化學氣相沉積11、在N型半導體中，主要的載流子是什么？A.空穴B.電子C.正離子D.負離子12、下列哪種材料常用于制造半導體器件的鈍化層？A.銅B.二氧化硅C.鋁D.硅酸鈉13、在CMOS工藝中，P型襯底通常用于制作哪種類型的MOS管？A.NMOSB.PMOSC.JFETD.MESFET14、下列哪項是衡量半導體激光器性能的關鍵參數(shù)？A.量子效率B.電阻率C.熱導率D.介電常數(shù)15、在半導體制造中，光刻工藝的主要作用是什么？A.增加材料導電性B.形成精確圖形掩模C.提高晶體純度D.實現(xiàn)摻雜擴散16、在N型半導體中，主要的載流子是電子，那么其導電性能主要取決于下列哪個因素？A.空穴濃度B.摻雜濃度C.晶體缺陷數(shù)量D.溫度變化速率17、在CMOS電路中，P溝道MOS管通常在什么條件下導通？A.柵極電壓高于源極電壓B.柵極電壓低于源極電壓C.漏極電壓等于源極電壓D.柵極與源極短接18、下列哪種材料最常用于制作半導體器件中的歐姆接觸？A.二氧化硅B.鋁C.氮化硅D.聚酰亞胺19、在光刻工藝中，決定最小可分辨圖形尺寸的關鍵因素是？A.光刻膠厚度B.曝光時間C.光源波長D.顯影液濃度20、若某PN結(jié)施加反向偏壓，其耗盡層寬度將如何變化？A.變窄B.不變C.先變寬后變窄D.變寬21、在半導體材料中，摻入五價元素形成的雜質(zhì)半導體主要依靠哪種載流子導電？A．空穴

B．電子

C．離子

D．中子22、MOSFET器件中，當柵極電壓低于閾值電壓時，源極與漏極之間處于何種狀態(tài)？A．導通狀態(tài)

B．截止狀態(tài)

C．飽和狀態(tài)

D．擊穿狀態(tài)23、在晶體管共射極放大電路中，若輸入信號加在基極，輸出信號從哪個極引出？A．發(fā)射極

B．基極

C．集電極

D．源極24、下列哪項參數(shù)最能反映集成電路制造工藝的先進程度？A．工作電壓

B．晶體管特征尺寸

C．芯片面積

D．功耗大小25、在數(shù)字邏輯電路中，實現(xiàn)“有0出1，全1出0”邏輯功能的門電路是？A．與門

B．或門

C．與非門

D．異或門26、在N型半導體中，主要的載流子是電子，那么其多數(shù)載流子濃度主要取決于下列哪一項？A．本征激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對數(shù)量

B．摻雜的施主雜質(zhì)濃度

C．環(huán)境溫度的高低

D．晶體缺陷密度27、在PN結(jié)正向偏置時，空間電荷區(qū)的變化趨勢是：A．變寬

B．變窄

C．保持不變

D．先變寬后變窄28、下列哪種材料常用于制造半導體器件中的歐姆接觸？A．二氧化硅（SiO?）

B．氮化硅（Si?N?）

C．鋁（Al）

D．高純硅29、在CMOS工藝中，P阱通常是在哪種類型的襯底上制作的？A．P型襯底

B．N型襯底

C．本征襯底

D．高阻襯底30、若某半導體的禁帶寬度為1.12eV，它最可能屬于以下哪種材料？A．砷化鎵（GaAs）

B．硅（Si）

C．鍺（Ge）

D．碳化硅（SiC）二、多項選擇題下列各題有多個正確答案，請選出所有正確選項（共15題）31、在半導體材料中，下列哪些因素會影響載流子的遷移率？A.晶格缺陷B.溫度C.雜質(zhì)濃度D.外加電場強度32、關于PN結(jié)的反向飽和電流，下列說法正確的是？A.主要由少數(shù)載流子的擴散形成B.隨溫度升高而增大C.與摻雜濃度無關D.在反向偏壓下基本保持不變33、下列關于MOSFET工作特性的描述，正確的是？A.閾值電壓受柵氧化層厚度影響B(tài).溝道長度調(diào)制效應發(fā)生在飽和區(qū)C.亞閾值區(qū)電流與柵電壓呈指數(shù)關系D.跨導反映柵電壓對漏電流的控制能力34、在半導體工藝中，下列哪些方法可用于薄膜沉積？A.化學氣相沉積（CVD）B.分子束外延（MBE）C.離子注入D.物理氣相沉積（PVD）35、下列關于光電二極管的描述，正確的是？A.工作于反向偏置狀態(tài)B.光照強度越大，反向電流越大C.響應速度與結(jié)電容有關D.可用于光信號檢測與轉(zhuǎn)換36、在半導體材料中，以下哪些因素會影響載流子的遷移率？A.晶格缺陷B.溫度C.摻雜濃度D.外加電場強度37、關于PN結(jié)的特性，以下描述正確的有哪些？A.正向偏置時耗盡層變窄B.反向偏置時主要電流為擴散電流C.存在內(nèi)建電勢D.擊穿后一定損壞38、下列哪些工藝屬于半導體制造中的圖形化工藝？A.光刻B.刻蝕C.離子注入D.薄膜沉積39、以下關于CMOS器件特性的描述，正確的有哪些？A.靜態(tài)功耗低B.噪聲容限高C.輸入阻抗低D.易受靜電放電損傷40、下列哪些測試方法常用于半導體器件的電參數(shù)檢測？A.I-V特性測試B.C-V特性測試C.四探針法測電阻率D.X射線衍射41、在半導體材料中，以下哪些特性使其廣泛應用于光電子器件？A.具有直接帶隙結(jié)構(gòu)B.載流子遷移率高C.光吸收系數(shù)大D.熱導率極高42、關于PN結(jié)的反向擊穿機制，以下說法正確的是？A.齊納擊穿主要發(fā)生在重摻雜PN結(jié)中B.雪崩擊穿是由于強電場導致載流子碰撞電離C.反向擊穿后PN結(jié)必然損壞D.齊納擊穿的溫度系數(shù)為負值43、在CMOS工藝中，以下哪些措施可以有效降低功耗？A.降低電源電壓B.采用高介電常數(shù)（high-k）柵介質(zhì)C.提高時鐘頻率D.使用多閾值電壓技術44、下列關于半導體摻雜的說法中，正確的是？A.摻入V族元素使硅成為N型半導體B.摻雜濃度越高，載流子遷移率通常越低C.摻雜改變本征載流子濃度D.受主雜質(zhì)接受電子后帶負電45、在光刻工藝中，影響分辨率的主要因素包括？A.光源波長B.數(shù)值孔徑（NA）C.光刻膠厚度D.工藝因子（k?）三、判斷題判斷下列說法是否正確（共10題）46、在半導體材料中，N型半導體是通過摻入三價元素形成的，其主要載流子為電子。A.正確B.錯誤47、在CMOS電路中，NMOS和PMOS晶體管通常以并聯(lián)方式連接，實現(xiàn)邏輯功能。A.正確B.錯誤48、光刻工藝是半導體制造中的關鍵步驟，用于將掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上。A.正確B.錯誤49、半導體器件的漏電流隨溫度升高而減小，因此低溫下器件更易發(fā)生漏電現(xiàn)象。A.正確B.錯誤50、在放大電路中，共發(fā)射極放大器具有較高的電壓增益和電流增益，常用于信號放大。A.正確B.錯誤51、在PN結(jié)中，當外加正向電壓時，耗盡層的寬度會變窄。A.正確B.錯誤52、CMOS集成電路的主要優(yōu)點是靜態(tài)功耗極低。A.正確B.錯誤53、在半導體材料中，載流子僅由電子和空穴兩種組成。A.正確B.錯誤54、使用萬用表測量二極管時，若正反向電阻均很小，說明二極管處于開路狀態(tài)。A.正確B.錯誤55、在N型半導體中，自由電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子。A.正確B.錯誤

參考答案及解析1.【參考答案】B【解析】N型半導體是在本征半導體中摻入五價元素（如磷）形成的，五價元素提供多余電子，使自由電子成為多數(shù)載流子?？昭樯贁?shù)載流子。因此，N型半導體的主要載流子是電子。該知識點是半導體物理基礎內(nèi)容，常見于半導體企業(yè)技術崗位筆試考查。2.【參考答案】B【解析】硅是目前應用最廣泛的半導體材料，因其儲量豐富、工藝成熟、電學性能穩(wěn)定，被廣泛用于制造二極管、晶體管、集成電路等PN結(jié)器件。銅為導體，玻璃和塑料為絕緣體，均無法形成可控的半導體結(jié)。此題考查半導體材料的基礎認知，屬于高頻考點。3.【參考答案】A【解析】CMOS邏輯門由P溝道MOS管和N溝道MOS管組成互補結(jié)構(gòu)，通常串聯(lián)連接，P管接電源，N管接地，輸入信號同時控制兩管柵極。當一管導通時另一管截止，顯著降低靜態(tài)功耗。該結(jié)構(gòu)是CMOS技術的核心，為數(shù)字集成電路基礎內(nèi)容。4.【參考答案】B【解析】半導體激光器的發(fā)光波長由有源區(qū)材料的禁帶寬度決定，滿足公式λ≈1.24/Eg（Eg單位為eV，λ單位為μm）。禁帶寬度越大，發(fā)光波長越短。摻雜濃度影響載流子濃度，封裝和引腳為機械結(jié)構(gòu)參數(shù)，不決定波長。此題考查光電器件物理機制。5.【參考答案】C【解析】光刻是通過涂膠、曝光、顯影等步驟，將掩模版上的微細圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面光刻膠上，為后續(xù)刻蝕或離子注入提供模板，是集成電路制造的核心步驟。沉積、去膜、退火為其他工藝環(huán)節(jié)，不由光刻完成。該題考查半導體工藝流程基礎。6.【參考答案】A【解析】在標準CMOS工藝中，NMOS晶體管直接制作在P型襯底上，而PMOS晶體管則制作在由P型襯底中形成的N型阱（N-well）中，因此PMOS實際上位于N型區(qū)域。該結(jié)構(gòu)可有效隔離兩種器件，避免latch-up現(xiàn)象。選項A正確描述了這一基本工藝配置，是CMOS集成電路設計的基礎。7.【參考答案】D【解析】禁帶寬度決定了材料的電學和熱學性能。硅約為1.12eV，鍺約為0.67eV，砷化鎵約為1.42eV，而碳化硅（如4H-SiC）可達3.26eV。更大的禁帶寬度使SiC適用于高溫、高壓和高頻器件。因此D選項正確，符合寬禁帶半導體材料的發(fā)展趨勢。8.【參考答案】C【解析】受主雜質(zhì)在硅中接受電子，產(chǎn)生空穴，形成P型半導體。硼（B）是典型的三價元素，替代硅原子后缺少一個價電子，形成空穴。而磷、砷、銻均為五價元素，作為施主雜質(zhì)產(chǎn)生自由電子，屬于N型摻雜。因此C為正確答案。9.【參考答案】D【解析】反向偏置時，外加電場與內(nèi)建電場方向相同，促使更多載流子遠離結(jié)區(qū)，導致耗盡層中離子暴露增多，寬度增大。該現(xiàn)象在二極管、光電探測器等器件中有重要應用。因此耗盡層隨反向電壓增加而變寬，選項D正確。10.【參考答案】B【解析】柵極的形成需通過光刻定義圖形，再經(jīng)干法或濕法刻蝕精確轉(zhuǎn)移圖形至柵介質(zhì)層上方的多晶硅或金屬層。雖然CVD用于沉積材料，離子注入用于摻雜，但圖形化關鍵依賴光刻與刻蝕。因此B是實現(xiàn)柵極結(jié)構(gòu)的核心步驟。11.【參考答案】B【解析】N型半導體通過摻雜五價元素（如磷）引入額外自由電子，這些電子成為多數(shù)載流子，而空穴為少數(shù)載流子。因此，主要導電載流子是電子。該特性是半導體材料設計的基礎，廣泛應用于二極管、晶體管等器件中。12.【參考答案】B【解析】二氧化硅（SiO?）具有良好的絕緣性、化學穩(wěn)定性和與硅基材料的兼容性，常用于半導體工藝中作為鈍化層，防止表面污染和漏電。其熱生長工藝成熟，是集成電路制造的關鍵步驟之一。13.【參考答案】A【解析】CMOS工藝中，NMOS管直接制作在P型襯底上，而PMOS管則制作在N型阱中。P型襯底提供空穴環(huán)境，有利于電子在NMOS溝道中流動，這是CMOS結(jié)構(gòu)實現(xiàn)互補功能的基礎。14.【參考答案】A【解析】量子效率反映激光器將注入載流子轉(zhuǎn)換為光子的能力，直接影響輸出功率和能耗。高量子效率意味著更高效的光電轉(zhuǎn)換，是設計和優(yōu)化半導體激光器的核心指標之一。15.【參考答案】B【解析】光刻通過曝光和顯影將掩模版上的微細圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，為后續(xù)刻蝕或離子注入提供精確模板。它是集成電路微細化的核心工藝，決定器件尺寸與集成度。16.【參考答案】B【解析】N型半導體通過摻入五價元素（如磷）提供多余電子，增強導電性。導電性能主要由自由電子濃度決定，而電子濃度與摻雜濃度直接相關。溫度雖影響載流子激發(fā)，但主導因素仍是摻雜水平?？昭樯贁?shù)載流子，影響較小。因此，正確答案為B。17.【參考答案】B【解析】P溝道MOS管在柵極電壓低于源極電壓一定閾值（負壓）時形成空穴導電溝道，從而導通。CMOS結(jié)構(gòu)中，PMOS通常接高電平源極，低電平柵極觸發(fā)。選項A適用于NMOS，C和D不構(gòu)成導通條件。因此，正確答案為B。18.【參考答案】B【解析】歐姆接觸要求金屬與半導體之間實現(xiàn)低電阻、線性電流-電壓特性的連接。鋁因其與硅良好的電學匹配、工藝成熟，廣泛用于硅基半導體的歐姆接觸。二氧化硅、氮化硅為絕緣層材料，聚酰亞胺為封裝材料，均不具備導電接觸功能。因此，正確答案為B。19.【參考答案】C【解析】根據(jù)瑞利判據(jù)，光刻分辨率與光源波長成反比，波長越短，可分辨的線條越細。深紫外（DUV）、極紫外（EUV）光刻即通過縮短波長提升分辨率。光刻膠厚度影響輪廓，曝光時間和顯影液影響圖形完整性，但非分辨率主因。因此，正確答案為C。20.【參考答案】D【解析】反向偏壓使P區(qū)電位低于N區(qū)，外電場與內(nèi)建電場同向，增強對載流子的排斥，導致耗盡層中離子暴露增多，寬度增大。此現(xiàn)象為PN結(jié)基本特性，用于電容調(diào)諧、光電探測等應用。正向偏壓才會使耗盡層變窄。因此，正確答案為D。21.【參考答案】B【解析】摻入五價元素（如磷、砷）會提供多余電子，形成N型半導體。其主要導電載流子為自由電子，而空穴為少數(shù)載流子。因此該類半導體以電子導電為主，故正確答案為B。22.【參考答案】B【解析】MOSFET的導通依賴于柵極電壓形成反型層溝道。當柵極電壓低于閾值電壓時，無法形成導電溝道，源漏之間無電流通路，器件處于截止狀態(tài)。因此正確答案為B。23.【參考答案】C【解析】共射極放大電路中，發(fā)射極為公共端，輸入信號接基極，輸出信號從集電極取出。該結(jié)構(gòu)具有較高的電壓和電流放大倍數(shù)，是常用放大電路形式。選項中源極為場效應管術語，不適用于雙極型晶體管。故正確答案為C。24.【參考答案】B【解析】晶體管特征尺寸（如線寬、柵極長度）是衡量半導體工藝節(jié)點的核心指標，尺寸越小，單位面積集成度越高，性能越強、功耗越低。因此特征尺寸直接反映制造工藝水平。正確答案為B。25.【參考答案】C【解析】“有0出1，全1出0”符合與非門（NAND）的真值表邏輯：僅當所有輸入為1時輸出為0，其余情況輸出為1。與門全1出1，或門有1出1，異或門相同為0、不同為1，均不符合。故正確答案為C。26.【參考答案】B【解析】N型半導體通過摻入施主雜質(zhì)（如磷）提供自由電子，因此多數(shù)載流子（電子）濃度主要由施主雜質(zhì)濃度決定。雖然溫度會影響電離程度，但常溫下施主基本完全電離，濃度主導因素仍為摻雜量。本征激發(fā)和缺陷對載流子影響較小，屬于次要因素。故正確選項為B。27.【參考答案】B【解析】正向偏置時，外加電壓方向與內(nèi)建電場相反，削弱了內(nèi)建電場強度，導致耗盡層中電荷被中和，空間電荷區(qū)寬度減小。這有利于多數(shù)載流子擴散，形成正向電流。反向偏置時空間電荷區(qū)才會變寬。因此，正向偏置下空間電荷區(qū)變窄，正確答案為B。28.【參考答案】C【解析】歐姆接觸要求金屬與半導體之間形成低電阻、線性電流-電壓特性的連接。鋁因其良好的導電性、與硅的工藝兼容性以及可形成穩(wěn)定接觸，廣泛用于硅基半導體器件的歐姆接觸。SiO?和Si?N?為絕緣層材料，高純硅非導電材料，均不用于電極接觸。故正確答案為C。29.【參考答案】A【解析】標準CMOS工藝通常采用P型襯底，在其上制作N型MOS管，并在P型襯底中擴散P阱用于制作P型MOS管。P阱與N型源漏區(qū)配合實現(xiàn)器件隔離與功能構(gòu)建。采用P型襯底有利于工藝集成和latch-up控制。因此正確答案為A。30.【參考答案】B【解析】硅在室溫下的禁帶寬度約為1.12eV，是典型的間接帶隙半導體，廣泛用于集成電路。鍺的禁帶寬度約為0.67eV，較??；砷化鎵約為1.43eV，屬直接帶隙；碳化硅可達3.2eV以上，為寬禁帶材料。根據(jù)數(shù)值匹配，1.12eV對應硅材料，故正確答案為B。31.【參考答案】A、B、C【解析】載流子遷移率主要受晶格振動（聲子散射）、雜質(zhì)電離散射和晶格缺陷散射影響。溫度升高會增強晶格振動，降低遷移率；雜質(zhì)濃度增加導致電離雜質(zhì)散射增強，遷移率下降；晶格缺陷作為散射中心也會顯著降低遷移率。外加電場在強場下會引起速度飽和，但不直接影響低場遷移率本身，故D不選。32.【參考答案】A、B、D【解析】PN結(jié)反向飽和電流源于P區(qū)電子和N區(qū)空穴的少數(shù)載流子擴散到耗盡區(qū)后被電場掃入對方區(qū)域。該電流受溫度影響顯著，因本征載流子濃度隨溫度指數(shù)增長。摻雜濃度會影響耗盡區(qū)寬度和內(nèi)建電勢，間接影響電流，故C錯誤。在一定反向電壓范圍內(nèi)，電流趨于飽和，基本不變。33.【參考答案】A、B、C、D【解析】柵氧化層越厚，閾值電壓越高；溝道長度調(diào)制表現(xiàn)為飽和區(qū)漏電流隨漏壓微增，因耗盡區(qū)擴展導致有效溝道變短；亞閾值區(qū)柵壓微小變化即可引起電流指數(shù)變化；跨導定義為gm=?ID/?VGS，是器件放大能力的關鍵參數(shù)，四項均正確。34.【參考答案】A、B、D【解析】CVD通過化學反應在襯底表面生成固態(tài)薄膜，適用于SiO?、多晶硅等；MBE在超高真空下通過原子束外延生長單晶薄膜，精度高；PVD如濺射、蒸發(fā)，用于金屬沉積。離子注入用于摻雜，不形成薄膜，故C錯誤。35.【參考答案】A、B、C、D【解析】光電二極管通常反向偏置以增大耗盡區(qū)，提高響應速度和量子效率。光照產(chǎn)生電子-空穴對，在電場作用下形成光電流，其大小與光強成正比。結(jié)電容影響充放電時間，制約響應速度。廣泛應用于光通信、傳感器等領域，實現(xiàn)光信號到電信號的轉(zhuǎn)換。36.【參考答案】A、B、C【解析】載流子遷移率主要受晶格振動（聲子散射）和電離雜質(zhì)散射影響。溫度升高會增強晶格振動，降低遷移率；摻雜濃度提高會增加電離雜質(zhì)散射，同樣降低遷移率；晶格缺陷作為散射中心也會顯著影響遷移率。外加電場在弱場下對遷移率影響較小，強場下才會引起速度飽和等非線性效應，但不屬常規(guī)遷移率決定因素。37.【參考答案】A、C【解析】正向偏置削弱內(nèi)建電場，耗盡層變窄，A正確；反向偏置時漂移電流為主，擴散電流極小，B錯誤；PN結(jié)因摻雜形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)建電勢，C正確；擊穿包括可逆的齊納擊穿和雪崩擊穿，不一定損壞器件，D錯誤。38.【參考答案】A、B【解析】圖形化工藝指將設計圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面的過程，主要包括光刻（通過曝光顯影形成圖形）和刻蝕（去除未保護區(qū)域材料）。離子注入用于摻雜，薄膜沉積用于生長材料層，雖關鍵但不屬于圖形化步驟，故選A、B。39.【參考答案】A、B、D【解析】CMOS電路在穩(wěn)態(tài)時幾乎無電流流過，靜態(tài)功耗極低；具有較寬的噪聲容限，抗干擾能力強；輸入為MOS管柵極，絕緣層薄，輸入阻抗高但易積累電荷導致靜電擊