基礎(chǔ)課時(shí)2構(gòu)造原理與電子排布式電子云與原子軌道學(xué)習(xí)目標(biāo)1.了解原子核外電子排布的構(gòu)造原理，能寫出1～36號(hào)元素基態(tài)原子的電子排布式，進(jìn)一步增強(qiáng)證據(jù)推理意識(shí)。2.知道電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)可通過原子軌道和電子云模型來描述，能說明微觀粒子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)與宏觀物體運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)的差異，建立對(duì)原子結(jié)構(gòu)的模型認(rèn)知。一、構(gòu)造原理與電子排布式(一)知識(shí)梳理1.構(gòu)造原理(1)內(nèi)容以光譜學(xué)事實(shí)為基礎(chǔ)，從氫開始，隨核電荷數(shù)遞增，新增電子填入能級(jí)的順序稱為構(gòu)造原理。如圖所示為構(gòu)造原理示意圖。(2)能級(jí)交錯(cuò)構(gòu)造原理告訴我們，隨核電荷數(shù)遞增，電子并不總是填滿一個(gè)能層后再開始填入下一個(gè)能層的。電子是按3p→4s→3d的順序而不是按3p→3d→4s的順序填充的，這種現(xiàn)象被稱為能級(jí)交錯(cuò)。2.電子排布式(1)含義用核外電子分布的能級(jí)及各能級(jí)上的電子數(shù)來表示電子排布的式子。(2)表達(dá)方式以基態(tài)氮原子為例，電子排布式中各符號(hào)的意義如下：(3)書寫電子排布式的方法①“三步法”書寫電子排布式第一步：按著構(gòu)造原理寫出電子填入能級(jí)時(shí)的順序：1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p→5s→4d→5p……。第二步：分析基態(tài)原子的核外電子數(shù)，根據(jù)各能級(jí)容納的電子數(shù)填充電子。如基態(tài)鐵原子的核外電子數(shù)為26，電子填充順序?yàn)?s2→2s2→2p6→3s2→3p6→4s2→3d6。第三步：去掉空能級(jí)，并按能層順序書寫。Fe：1s22s22p63s23p63d64s2。②簡(jiǎn)化電子排布式將電子排布式中內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體元素原子結(jié)構(gòu)的部分用相應(yīng)的稀有氣體元素符號(hào)外加方括號(hào)表示的式子稱為簡(jiǎn)化電子排布式。如氧、鈣的簡(jiǎn)化電子排布式為：[He]2s22p4；[Ar]4s2。③離子的核外電子排布式先寫出基態(tài)原子的電子排布式，再根據(jù)得失電子情況進(jìn)行調(diào)整。a.陽離子：對(duì)于主族元素的基態(tài)原子來說，原子失去電子時(shí)，一般只失去最外層電子，而過渡元素的原子可能還會(huì)進(jìn)一步失去內(nèi)層電子，如Fe失電子的情況及對(duì)應(yīng)電子排布式如圖所示：b.陰離子：原子得到電子時(shí)，一般是填充到最外層未填滿的能級(jí)上，如基態(tài)Cl原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p5，基態(tài)Cl－的核外電子排布式為1s22s22p63s23p6。④價(jià)層電子排布式價(jià)電子層：為突出化合價(jià)與核外電子排布的關(guān)系，將在化學(xué)反應(yīng)中可能發(fā)生電子變動(dòng)的能級(jí)稱為價(jià)電子層(簡(jiǎn)稱價(jià)層)。元素周期表中給出了元素的價(jià)層電子排布式。如Si的價(jià)層電子排布式為3s23p2，Co的價(jià)層電子排布式為3d74s2。(4)Cr和Cu的最后兩個(gè)能級(jí)的電子排布分別為3d54s1和3d104s1，但它們不符合構(gòu)造原理，可見構(gòu)造原理是被理想化了的。(二)問題探究問題1在多電子原子中，電子最后填入的能級(jí)是不是原子最外層上的能級(jí)，為什么？提示從M層開始出現(xiàn)能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象，電子填入能級(jí)的順序是3p→4s→3d……因此在多電子原子中，電子最后填入的能級(jí)不一定是原子最外能層上的能級(jí)，如Fe原子中電子最后填入的能級(jí)是3d，屬于次外層。問題2為什么K原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖不是，而是？提示能層序數(shù)大，但能級(jí)的能量不一定高，部分能級(jí)有交錯(cuò)現(xiàn)象。K原子在排滿第二層后，先排布3s、3p能級(jí)，因?yàn)?d能級(jí)能量高于4s能級(jí)，故最后一個(gè)電子排入4s能級(jí)而不是3d能級(jí)，所以它的原子結(jié)構(gòu)示意圖是。問題3寫出基態(tài)鋁原子的電子排布式及簡(jiǎn)化的電子排布式。提示Al電子排布式：1s22s22p63s23p1Al的簡(jiǎn)化電子排布式：[Ne]3s23p1問題4書寫電子排布式時(shí)，能級(jí)的排列順序是否完全遵循構(gòu)造原理，是按著什么順序書寫的？提示在書寫電子排布式時(shí)，能級(jí)的排列順序不完全遵循構(gòu)造原理，要按照能層序數(shù)由小到大的順序排布。即當(dāng)出現(xiàn)d軌道時(shí)，電子按ns→(n－l)d→np的順序填充，但在書寫電子排布式時(shí)，要把(n－1)d寫在ns的前面?！咎骄繗w納】(1)構(gòu)造原理是以光譜學(xué)事實(shí)為基礎(chǔ)得出的一個(gè)思維模型，是經(jīng)驗(yàn)的，而非任何理論推導(dǎo)的結(jié)果。(2)原子的核外電子不是完全按能層順序依次填充的，即不總是填滿n能層后再填(n＋1)能層，而是按照構(gòu)造原理示意圖中所示的能級(jí)順序填充的，在該順序中，從第三能層開始，出現(xiàn)了能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象。1.下列有關(guān)構(gòu)造原理的說法錯(cuò)誤的是()A.原子核外電子填充3p、3d、4s能級(jí)的順序一般為3p→4s→3dB.某基態(tài)原子部分核外電子排布式為3s24s2C.在多電子原子中，電子最后填入的能級(jí)不一定是原子最外能層上的能級(jí)D.從第三能層開始出現(xiàn)能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象答案B解析根據(jù)構(gòu)造原理判斷，A項(xiàng)正確；根據(jù)構(gòu)造原理可知，電子填滿3s能級(jí)后，再填入的能級(jí)是3p而非4s，B項(xiàng)錯(cuò)誤；從M層開始出現(xiàn)能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象，電子填入能級(jí)的順序是3s→3p→4s→3d……因此在多電子原子中，電子最后填入的能級(jí)不一定是原子最外能層上的能級(jí)，如Fe原子中電子最后填入的能級(jí)是3d，屬于次外層，C、D項(xiàng)正確。2.下列屬于基態(tài)原子的電子排布式的是()①1s12s2②1s22s12p2③1s22s22p63s1④1s22s22p63s23p3A.全部 B.①②C.②③ D.③④答案D解析①中1s能級(jí)未填滿就填充2s能級(jí)，屬于激發(fā)態(tài)原子的電子排布式；②中2s能級(jí)未填滿就填充2p能級(jí)，屬于激發(fā)態(tài)原子的電子排布式；③和④均按照構(gòu)造原理填充電子，都屬于基態(tài)原子的電子排布式。3.下列原子或離子的核外電子排布式，正確的是()A.16S2－：1s22s22p63s23p4B.21Sc：1s22s22p63s23p64s23d1C.18Ar：1s22s22p63s23p6D.9F：2s22p5答案C解析S2－的原子核外共有18個(gè)電子，其核外電子排布式為1s22s22p63s23p6，選項(xiàng)A是S原子的核外電子排布式，故A不符合題意；書寫電子排布式時(shí)，能層低的能級(jí)要寫在左邊，能層高的能級(jí)要寫在右邊，因此21Sc原子的核外電子排布式應(yīng)為1s22s22p63s23p63d14s2，故B不符合題意；D是F原子的最外層電子(價(jià)層電子)排布式，不符合題意。4.根據(jù)構(gòu)造原理，試比較下列能級(jí)的能量高低(填“>”或“<”)。(1)2p________3p________4p；(2)4s________4p________4d________4f；(3)4s________3d；(4)6s________4f________5d。答案(1)<<(2)<<<(3)<(4)<<5.(1)基態(tài)B原子的電子排布式為____________。(2)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布為____________。(3)Se原子的原子序數(shù)為____________，其M層的電子排布為____________。(4)Li3N晶體中氮以N3－形式存在，基態(tài)N3－的電子排布式為____________。(5)基態(tài)鎵原子的電子排布式：____________。(6)建筑中使用了高強(qiáng)度、高性能的釩氮合金高新鋼。基態(tài)釩原子的價(jià)層電子排布為____________。答案(1)1s22s22p1(或[He]2s22p1)(2)2s22p3(3)343s23p63d10(4)1s22s22p6(或[He]2s22p6)(5)1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1)(6)3d34s2二、電子云與原子軌道(一)知識(shí)梳理1.電子云(1)概率密度量子力學(xué)指出，一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子并不在玻爾假定的線性軌道上運(yùn)行，而在核外空間各處都可能出現(xiàn)但出現(xiàn)的概率不同，可以算出它們的概率密度分布。用P表示電子在某處出現(xiàn)的概率，V表示該處的體積，ρ表示概率密度，則ρ＝P/V。(2)電子云①定義：核外電子的概率密度分布看起來像一片云霧，因而形象地稱作電子云。②意義：電子云是處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外空間的概率密度分布的形象化描述。小點(diǎn)越密，表示概率密度越大。如氫的電子云圖為(3)電子云輪廓圖①含義：繪制電子云輪廓圖的目的是表示電子云輪廓的形狀，對(duì)核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有一個(gè)形象化的簡(jiǎn)便描述。②電子云輪廓圖形狀：所有原子的任一能層的s電子的電子云輪廓圖都是一個(gè)球形，只是球的半徑不同；p電子云輪廓圖是啞鈴形，而且都有3個(gè)相互垂直的電子云。2.原子軌道(1)定義量子力學(xué)把電子在原子核外的一個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)稱為一個(gè)原子軌道。(2)形狀①s軌道呈球形，能層序數(shù)越大，原子軌道的半徑越大。②p軌道呈啞鈴形，無論2p、3p還是4p都有3個(gè)相互垂直的原子軌道。(3)各能級(jí)所含有的原子軌道數(shù)能級(jí)nsnpndnf……原子軌道數(shù)1357……(二)問題探究問題1所有原子任一能層的s電子云輪廓圖的形狀都是相同的，它們的半徑有什么關(guān)系？提示所有原子的任一能層的s電子云輪廓圖都是球形，球的半徑不同，能層越高，s電子云輪廓圖的半徑越大。這是由于1s、2s、3s……電子的能量依次增高，電子在離核更遠(yuǎn)的區(qū)域出現(xiàn)的概率逐漸增大，電子云越來越向更大的空間擴(kuò)展。問題2p電子云輪廓圖的平均半徑與能層序數(shù)有什么關(guān)系？在同一能層中px、py、pz的能量是否相同？提示p電子云輪廓圖的平均半徑隨能層序數(shù)的增大而增大，在同一能層中px、py、pz的能量是相同的。【探究歸納】(1)不同能層的同種能級(jí)的原子軌道形狀相同，只是半徑不同。能層序數(shù)n越大，原子軌道的半徑越大，能量越高。(2)p能級(jí)有3個(gè)原子軌道，它們互相垂直。在同一能層中px、py、pz的能量相同，取向不同。同一能級(jí)中的軌道能量相等。(3)原子軌道數(shù)與能層序數(shù)(n)的關(guān)系：原子軌道為n2。1.關(guān)于電子云的敘述不正確的是()A.電子云是用小點(diǎn)的疏密程度來表示電子在空間出現(xiàn)概率密度大小的圖形B.電子云實(shí)際是電子運(yùn)動(dòng)形成的類似云一樣的圖形C.小點(diǎn)密集的地方，電子在那里出現(xiàn)的概率大D.軌道不同，電子云的形狀一般不一樣答案B解析電子云是用來描述核外電子在空間出現(xiàn)概率大小的圖形，并不是電子實(shí)際的運(yùn)動(dòng)軌道，B錯(cuò)誤。2.下列說法正確的是()A.p軌道是“8”字形的，所以p電子走“8”字形B.電子層數(shù)為3時(shí)，有3s、3p、3d、3f四個(gè)軌道C.氫原子中只有一個(gè)電子，故氫原子只有一條軌道D.原子軌道與電子云都是用來形象描述電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的答案D解析p軌道是啞鈴形，是說電子出現(xiàn)概率高的“區(qū)域”的形狀，而不是p電子的運(yùn)動(dòng)軌跡，A錯(cuò)誤；n＝3時(shí)，共有3s、3p、3d三個(gè)能級(jí)，共有1＋3＋5＝9個(gè)軌道，B錯(cuò)誤；氫原子中只有一個(gè)電子，只填充1s軌道，但氫原子核外有多個(gè)空軌道，C錯(cuò)誤。3.3px所代表的含義是()A.p軌道上有3個(gè)電子B.第三能層px軌道有3個(gè)伸展方向C.px電子云有3個(gè)伸展方向D.第三能層沿x軸方向伸展的p軌道答案D解析3px中3代表第三能層，p指的是p軌道，x指原子軌道沿x軸方向伸展，因此3px代表第三能層沿x軸方向伸展的p軌道，故選D。A級(jí)合格過關(guān)練選擇題只有1個(gè)選項(xiàng)符合題意(一)構(gòu)造原理與電子排布式1.按照構(gòu)造原理，下列電子填入能級(jí)的順序正確的是()A.1s、2p、3d、4s B.1s、2s、3s、2pC.2s、2p、3s、3p D.4p、3d、4s、3p答案C解析由構(gòu)造原理可知，A項(xiàng)中電子填入能級(jí)的正確順序應(yīng)為1s、2p、4s、3d，A錯(cuò)誤；B項(xiàng)中電子填入能級(jí)的正確順序應(yīng)為1s、2s、2p、3s，B錯(cuò)誤；D項(xiàng)中電子填入能級(jí)的正確順序應(yīng)為3p、4s、3d、4p，D錯(cuò)誤。故選C。2.下列各項(xiàng)中，前面的能級(jí)比后面的能級(jí)先填入電子的是()①3d和4s②4p和5s③5s和4d④5p和4dA.①② B.②③C.②④ D.③④答案B解析根據(jù)構(gòu)造原理可知，電子填入能級(jí)的順序?yàn)?s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s、4d、5p、6s，從而可以看出②③中前面的能級(jí)比后面的能級(jí)先填入電子。故選B。3.第四周期某元素基態(tài)原子4s軌道上有2個(gè)電子，則該基態(tài)原子價(jià)層電子排布不可能是()A.4s2 B.3d54s2C.3d94s2 D.4s24p5答案C解析若價(jià)層電子排布為4s2，為20號(hào)元素Ca，電子排布式為[Ar]4s2，A正確；若價(jià)層電子排布為3d54s2，為25號(hào)元素Mn，電子排布式為[Ar]3d54s2，B正確；價(jià)層電子排布為3d94s2，為29號(hào)元素Cu，電子排布式為[Ar]3d104s1，C錯(cuò)誤；若價(jià)層電子排布為4s24p5，為35號(hào)元素Br，電子排布式為[Ar]3d104s24p5，D正確。4.下列電子排布式是基態(tài)原子的電子排布式的是()①Be：1s22s12p1②O：1s22s22p4③He：1s12s1④Cl：1s22s22p63s23p5A.①② B.②③C.①③ D.②④答案D解析①Be：1s22s12p1是激發(fā)態(tài)，2s能量低于2p；②O：1s22s22p4是基態(tài)；③He：1s12s1是激發(fā)態(tài)，1s能量低于2s；④Cl：1s22s22p63s23p5是基態(tài)。5.某原子的最外層電子排布為3s23p2，下列對(duì)其核外電子運(yùn)動(dòng)的說法錯(cuò)誤的是()A.有4種不同的伸展方向B.有5種不同能量的電子C.有5種不同的運(yùn)動(dòng)范圍D.有14種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子答案C解析某原子的最外層電子排布為3s23p2，則該元素是14號(hào)Si元素。在Si原子上有s、p兩種軌道，s軌道是球形對(duì)稱的，p軌道有三個(gè)不同的伸展方向，因此Si原子有4種不同的伸展方向，A正確；Si元素的核外電子排布為1s22s22p63s23p2，處于同一能級(jí)上的電子的能量相同，在Si原子上有5種不同的能級(jí)，有5種不同能量的電子，B正確；Si的核外電子排布為1s22s22p63s23p2，原子核外有9種不同的原子軌道，運(yùn)動(dòng)范圍大于5種，C錯(cuò)誤；Si是14號(hào)元素，原子核外有14個(gè)電子，由于在同一個(gè)原子中，不存在運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子，因此Si原子有14種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，D正確。(二)電子云與原子軌道6.基于構(gòu)造原理填充順序，下列原子軌道的能量大小比較，正確的是()A.E(4s)<E(4f) B.E(3s)>E(3p)C.E(4s)<E(3p) D.E(2px)<E(2py)答案A解析根據(jù)構(gòu)造原理可知，不同能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)椋?s＜2s＜2p＜3s＜3p＜4s＜3d＜4p＜5s＜4f，據(jù)此分析解題。根據(jù)構(gòu)造原理可知，E(4s)<E(4f)，E(3s)＜E(3p)，E(4s)＞E(3p)，A正確，B、C錯(cuò)誤；根據(jù)構(gòu)造原理可知，同一能級(jí)不同軌道的能量相同，故E(2px)＝E(2py)，D錯(cuò)誤。7.下列說法正確的是()A.原子軌道是指原子運(yùn)行的軌道B.電子云中的一個(gè)小黑點(diǎn)代表一個(gè)電子C.s電子的電子云輪廓圖呈啞鈴形，p電子的電子云輪廓圖呈啞鈴形D.電子云密度大的地方，說明電子在該空間單位時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的機(jī)會(huì)多答案D解析原子軌道不是原子運(yùn)行的軌道，是對(duì)核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述，A錯(cuò)誤；電子云中小黑點(diǎn)本身沒有意義，不代表電子，代表的是電子在此處出現(xiàn)的概率，B錯(cuò)誤；s電子的電子云輪廓圖是球形，p電子的電子云輪廓圖為啞鈴形，C錯(cuò)誤；電子云密度大的地方，說明電子在該空間單位時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的機(jī)會(huì)多，D正確。8.下列能級(jí)符號(hào)正確且原子軌道數(shù)最多的是()A.2d B.3fC.4d D.5s答案C解析不存在2d、3f能級(jí)，A、B錯(cuò)誤；4d能級(jí)有5個(gè)原子軌道，5s能級(jí)有1個(gè)原子軌道，C正確，D錯(cuò)誤。9.下列關(guān)于電子云示意圖的敘述正確的是()A.電子云表示電子的運(yùn)動(dòng)軌跡B.小黑點(diǎn)的多少表示電子個(gè)數(shù)的多少C.處于1s軌道上的電子在空間出現(xiàn)的概率分布呈球形對(duì)稱，而且電子在原子核附近出現(xiàn)的概率小，離核越遠(yuǎn)電子出現(xiàn)的概率越大D.處在2pz軌道的電子主要在xy平面的上、下方出現(xiàn)答案D解析電子云示意圖是用小黑點(diǎn)的疏密來表示電子在原子核外出現(xiàn)的概率的大小，A、B錯(cuò)誤；1s軌道的電子云呈球形對(duì)稱，在原子核附近小點(diǎn)密集，電子出現(xiàn)的概率大，離核越遠(yuǎn)電子出現(xiàn)的概率越小，C錯(cuò)誤；處在2pz軌道上的電子在空間出現(xiàn)的概率分布沿z軸方向伸展，電子主要在xy平面的上、下方出現(xiàn)，D正確。10.下列各離子或原子的電子排布式錯(cuò)誤的是()A.Ca2＋：1s22s22p63s23p6B.O2－：1s22s22p6C.K：1s22s22p63s23p64s1D.Fe2＋：1s22s22p63s23p63d54s1答案D解析已知O原子的電子排布式為1s22s22p4，故O2－的電子排布式為1s22s22p6；Fe2＋的電子排布式為1s22s22p63s23p63d6。B級(jí)素養(yǎng)培優(yōu)練11.下列關(guān)于原子結(jié)構(gòu)的說法不正確的是()A.同一原子中，2p、3p、4p電子的能量依次增大B.電子由3d能級(jí)躍遷至5s能級(jí)，可通過光譜儀攝取原子的發(fā)射光譜C.N能層中有4s、4p、4d、4f四個(gè)能級(jí)，共16個(gè)軌道，可容納32種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子D.基態(tài)K原子占據(jù)最高能層的電子的電子云輪廓圖為球形答案B解析相同軌道能層越高能量越大，則能量：2p<3p<4p，故A正確；電子由3d能級(jí)躍遷至5s能級(jí)，吸收能量，所得光譜為吸收光譜，故B錯(cuò)誤；每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子，N能層最多可容納32個(gè)電子，故C正確；基態(tài)K原子核外電子排布式為：[Ar]4s1，最高能層的電子在s軌道，s軌道電子云輪廓圖為球形，故D正確。12.某原子核外共有15個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，下列說法正確的是()A.該基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p23d1B.原子中的所有電子占有3個(gè)能級(jí)9個(gè)軌道C.該元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為兩性氫氧化物D.基態(tài)原子中能量最高的電子的電子云輪廓圖為啞鈴形答案D解析某原子核外共有15個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，則該原子為P原子，其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p3，A錯(cuò)誤；該原子中電子占有1s、2s、2p、3s、3p共5個(gè)能級(jí)，9個(gè)軌道，B錯(cuò)誤；該元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物H3PO4為中強(qiáng)酸，C錯(cuò)誤；基態(tài)原子中能量最高的電子處于3p能級(jí)，3p電子云輪廓圖為啞鈴形，D正確。13.下列各組指定的元素，不能形成AB2型化合物的是()A.[He]2s22p2和[He]2s22p4B.[Ne]3s23p4和[He]2s22p4C.[Ne]3s2和[He]2s22p5D.[Ne]3s1和[Ne]3s23p4答案D解析核外電子排布式為[He]2s22p2的元素為C，核外電子排布式為[He]2s22p4的元素為O，二者可形成CO2，A項(xiàng)不符合題意；核外電子排布式為[Ne]3s23p4的元素為S，核外電子排布式為[He]2s22p4的元素為O，二者可形成SO2，B項(xiàng)不符合題意；核外電子排布式為[Ne]3s2的元素為Mg，核外電子排布式為[He]2s22p5的元素為F，二者可形成MgF2，C項(xiàng)不符合題意；核外電子排布式為[Ne]3s1的元素為Na，核外電子排布式為[Ne]3s23p4的元素為S，二者形成Na2S，不能形成AB2型化合物，D項(xiàng)符合題意。14.某元素基態(tài)原子3d軌道上有5個(gè)電子，則該原子最外層電子的排布可能是()A.4s1 B.4s24p6C.4s24p3 D.3s23p63d5答案A解析3d軌道上有5個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理可知電子先填充4s軌道再填充3d軌道，等3d軌道填滿后再填充4p軌道，故題給原子的價(jià)層電子排布為3d54s1或3d54s2，最外層電子排布為4s1或4s2，故A符合題意。15.下列各組表述中，兩個(gè)微粒不屬于同種原子的是()A.3p能級(jí)有一個(gè)空軌道的基態(tài)原子和核外電子排布式為1s22s22p63s23p2的基態(tài)原子B.2p能級(jí)無空軌道，且有一個(gè)未成對(duì)電子的基態(tài)原