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碳化鉬析氫催化劑的研究與發(fā)展文獻(xiàn)綜述目錄TOC\o"1-3"\h\u7876碳化鉬析氫催化劑的研究與發(fā)展文獻(xiàn)綜述 1267941.1碳化鉬的結(jié)構(gòu)與形成 1207181.2碳化鉬的制備方法 4177761.3提升碳化鉬析氫性能的策略 78815參考文獻(xiàn) 12過渡金屬碳化物是由碳原子插入過渡金屬晶格中,形成面心立方(fcc)或六方密堆積(hcp)、簡單六方(hex)結(jié)構(gòu)的一類間隙性化合物,其晶體結(jié)構(gòu)如圖1.4。碳插入到金屬-金屬晶格中,拉長了金屬-金屬的距離,導(dǎo)致金屬原子的d帶結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,體現(xiàn)出與Pt相似的電子結(jié)構(gòu),因而過渡金屬碳化物被稱為“類鉑催化劑”,在材料科學(xué)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。圖1.4幾種過渡金屬碳化物的典型晶體結(jié)構(gòu)[41]Figure1.4Typicalcrystalstructureofsometransitionmetalcarbides[41].1.1碳化鉬的結(jié)構(gòu)與形成碳化鉬屬于典型的過渡金屬碳化物,其鉬原子與碳原子的鍵合囊括了三種形式:金屬鉬之間形成的金屬鍵、金屬鉬與非金屬碳之間的共價鍵以及以鉬碳電荷轉(zhuǎn)移形成的離子鍵[41]。因此,碳化鉬良好地結(jié)合了過渡金屬、共價化合物和離子晶體三種不同類別材料的特性,不僅具有類似于過渡金屬的電子特性和導(dǎo)電性,還有與共價化合物相似的高硬度和耐磨性、與離子晶體相似的高熔點,因而被廣泛應(yīng)用于加氫及制氫反應(yīng)、氧還原反應(yīng)、異構(gòu)化反應(yīng)等多個催化領(lǐng)域。2012年,Vrubel和Hu等[42]證實了商業(yè)微米Mo2C顆粒在酸、堿性電解質(zhì)溶液中較高的催化活性和穩(wěn)定性,此外,碳化鉬良好的耐酸堿腐蝕性,對于發(fā)展全pH范圍內(nèi)的電解水析氫催化劑來說意義重大。從化學(xué)組成上來看,根據(jù)碳鉬原子比的差異,碳化鉬具有MoC、Mo2C和MoxCy之分[43,44]。當(dāng)間隙碳原子占據(jù)所有的鉬原子八面體空隙時形成MoC,而Mo2C是由碳原子占據(jù)一半的空隙形成,MoxCy出現(xiàn)的情況較少,碳與鉬以非化學(xué)計量比的形式存在,彰顯了碳化鉬組成可靈活調(diào)節(jié)的優(yōu)勢。晶型上,碳化鉬常以β-Mo2C、γ-MoC、η-MoC、α-MoC1-x的形式出現(xiàn),通過調(diào)整碳鉬比、碳化條件,就可以得到不同晶型的碳化鉬[43,45]。Wan等[45]研究了以上四種不同晶型結(jié)構(gòu)的碳化鉬的電催化析氫性能,發(fā)現(xiàn)HER活性遵循如下規(guī)律:β-Mo2C>γ-MoC>η-MoC>α-MoC1-x,其中,β-Mo2C對催化析氫活性的貢獻(xiàn)最大,而γ-MoC表現(xiàn)出最佳穩(wěn)定性。由于碳化鉬靈活多變的化學(xué)組成與晶相結(jié)構(gòu),明確其形成機(jī)理對于按需調(diào)控其物相來說具有重要的意義。關(guān)于碳化鉬物相的形成機(jī)理,普遍認(rèn)為這是一個原位滲碳的過程,Chen的團(tuán)隊[46]證實了這一點。研究以鉬酸銨((NH4)6Mo7O24·4H2O)為鉬源,XC-72R炭黑為碳源,利用原位XRD同步監(jiān)測了從室溫25℃到800℃的升溫過程中原料逐步轉(zhuǎn)變?yōu)樘蓟f的相變過程,并結(jié)合原料的TG-DTA結(jié)果進(jìn)行分析,提出了鉬碳固相反應(yīng)的機(jī)理。首先是鉬酸銨的熱分解:較低溫度(100~350℃)下,(NH4)6Mo7O24·4H2O脫水脫氨形成(NH4)2Mo3O10、(NH4)4Mo8O26等一系列中間化合物,最終形成α-MoO3。其次是α-MoO3與碳發(fā)生氧化還原反應(yīng)(圖1.5),碳原子滲入其晶格中,晶格中的氧以CO、CO2的形式擴(kuò)散到結(jié)構(gòu)以外,于415℃時開始形成MoO2,再形成經(jīng)過反復(fù)的滲碳排氧,碳原子與鉬原子重新排列規(guī)整,最終在800℃得到穩(wěn)定的碳化鉬。類似的碳化鉬形成機(jī)理在Kaewpanha等[47]探討不同碳化溫度對碳化鉬物相的影響中被提出,低滲碳溫度(600℃)下,XRD僅觀察到MoO2,當(dāng)溫度升至700℃時,MoO2的信號峰減弱,并伴隨著Mo2C信號開始出現(xiàn),而純相Mo2C在800℃時徹底形成。Liang等人[48]采用樹脂、鉬酸銨為原料,以不同的前驅(qū)體制備方法,在不同的還原氣體氛圍下高溫碳化,意外得到不同晶相的碳化鉬。在惰性Ar氣保護(hù)下進(jìn)行高溫煅燒,以離子交換法、浸漬法、機(jī)械混合法制備的前驅(qū)體分別生成了α-MoC1?x、α-MoC1?x/β-Mo2C和β-Mo2C。然而,在強(qiáng)還原性的H2氣體中碳化,所有前驅(qū)體均轉(zhuǎn)化為β-Mo2C。其中,不同碳化溫度下的XRD表征結(jié)果進(jìn)一步顯示,β-Mo2C的形成路線存在兩種可能:MoO2→β-Mo2C或MoOx→MoOxCy→β-Mo2C,而α-MoC1?x是通過MoOx→MoOxCy→α-MoC1?x的途徑實現(xiàn)的。顯然,碳化鉬的最終晶相主要取決于前軀體的制備方法和還原氣體的種類。同樣地,Lee等[49]通過調(diào)節(jié)滲碳?xì)夥湛刂七^渡金屬的物相。正交晶系的MoO3與CH4/H2混合氣流在程序升溫程序(TPR)后轉(zhuǎn)變?yōu)榱骄档腗o2C,但在MoO3上浸漬了少量鉑后,TPR的結(jié)果則為立方晶系的α-MoC1?x。此外,通過MoO3與NH3的TPR反應(yīng)制備的Mo2N,與CH4/H2進(jìn)一步反應(yīng),也能得到α-MoC1?x。圖1.5三氧化鉬原位滲碳形成碳化鉬的過程[46]Figure1.5InsitucarburizingprocessofMoO3formingMo2C[46].表1.2不同制備方法得到的樣品的物相[48]Table1.2Thephasestructureofsamplesobtainedbyvariousmethods[48].溫度離子交換法浸漬法機(jī)械混合法ArH2ArH2ArH2350℃非晶非晶非晶MoO2MoO2MoO2500℃非晶非晶非晶MoO2MoO2MoO2700℃MoOxCyβ-Mo2C,MoOxCyMoO2,MoOxCyβ-Mo2C,MoOxCyMoO2,MoOxCyMoOxCy,β-Mo2C900℃α-MoC1?xβ-Mo2Cβ-Mo2C,α-MoC1?xβ-Mo2Cβ-Mo2Cβ-Mo2C在上述研究中,碳化鉬的形成途徑主要是通過生成中間鉬氧化物再繼續(xù)碳化得到的,而在ZheLv等人[50]的研究中報道了不一樣的轉(zhuǎn)化路徑。研究以富氮的三聚氰胺和三氧化鉬為前體,通過溶液蒸發(fā)法獲取均勻的前驅(qū)體,并在Ar氣中進(jìn)行高溫煅燒。較低溫度下(550℃),體系中出現(xiàn)MoO2與Mo2N的混合相,600℃時,只觀察到Mo2N。繼續(xù)升高溫度到650℃時,β-Mo2C開始形成,表明隨著溫度的升高,MoO3被還原為MoO2,然后轉(zhuǎn)化為Mo2N,Mo2N在更高的溫度下轉(zhuǎn)化為Mo2C,這種轉(zhuǎn)變是由碳化物逐漸占據(jù)氮化物晶格的拓?fù)浞磻?yīng)引起的,即N原子擴(kuò)散出去,C原子滲入取代N原子,而金屬鉬原子保持靜止。本課題組曾在構(gòu)建Mo2C/Mo2N異質(zhì)結(jié)構(gòu)的工作中,也發(fā)現(xiàn)了物相隨著溫度發(fā)生轉(zhuǎn)變的現(xiàn)象:γ-Mo2N(600℃)→Mo2C/Mo2N(700℃)→β-Mo2C(800℃)[51]。這表明在形成碳化鉬物相的過程中,根據(jù)反應(yīng)條件、制備方法、使用原料的不同,氧化鉬不是唯一的中間過渡相,碳化鉬也可以通過氮化鉬低溫相在較高的溫度下轉(zhuǎn)化得來。因此,碳化鉬的形成機(jī)理需要結(jié)合具體情況具體分析,不能同一而論。1.2碳化鉬的制備方法起初,碳化鉬的制備依靠高溫碳化來實現(xiàn),即在高于1000℃的高溫下直接將鉬碳化,這種方法得到的碳化鉬顆粒大,比表面積小,形貌尺寸難以控制,不利于合成高性能的碳化鉬催化劑。要想提高材料的析氫催化活性,必須具有較小的顆粒尺寸、較大的比表面積、充分暴露的足夠多的活性位點,因此選擇有效的材料制備方法尤為重要。(1)程序升溫還原法(Temperatureprogrammedreductionmethod,TPR)TPR法是指以MoO2或MoO3作為碳化前體,烴類氣體如CH4、C2H6、C3H8的高溫裂解物作為碳源,在通入H2作為還原氣的緩慢升溫過程中實現(xiàn)材料的高溫碳化。其中,熱處理條件取決于烴類分子鏈斷裂的難易程度,容易斷裂的長鏈烷烴對應(yīng)的碳化溫度低于結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定的短鏈烷烴[52]。采用TPR法可以按需調(diào)控原料配比、控制反應(yīng)條件來制備不同形貌、晶型、孔道結(jié)構(gòu)的碳化鉬。在Roohi等人[53]關(guān)于滲碳反應(yīng)混合氣體(CH4/H2)組成對TPR法制備Mo2C的影響研究中指出,隨著混合氣中CH4含量的降低,MoO3和MoO2的相場變寬,增加CH4含量,MoO3將在較低溫度下會發(fā)生還原和滲碳,但是CH4的存在也增加了產(chǎn)品被碳污染的可能性。TPR法合成條件比較復(fù)雜和嚴(yán)格,不僅需要較高的氣體流率,還需要緩慢的升溫速率和嚴(yán)格的溫度控制,使用易燃?xì)怏w也存在安全隱患,而氣固反應(yīng)的本質(zhì)也使得反應(yīng)物的不完全轉(zhuǎn)化和過量積碳難以避免[41]。(2)碳熱氫還原法(Carbothermalhydrogenreductionmethod)將鉬酸銨或其它鉬源與高比表面積含碳載體的混合物在H2氣氛中升溫,利用其還原性將鉬化合物還原,同時氫化碳載體生成活性CHx組分以提供反應(yīng)的碳源,這樣的制備過程稱為碳熱氫還原法。Song等[54]將預(yù)處理后的三氧化鉬(MoO3)粉末與炭黑作為前驅(qū)體,在H2氣流(100mL/min)中進(jìn)行碳化,以5℃/min的加熱速率從室溫升至1100℃并保持2h,冷卻后得到了平均粒徑為230nm的純相Mo2C。在合成過程中,避免了烴類氣體的使用,一定程度上降低了碳化鉬的表面積碳量,同時碳化鉬在高比表面積載體上原位形成,故而碳載體的選擇對催化劑的分散性影響較大。由于在碳熱氫還原過程中,氣體碳源的量是不可控制的,因此很難精確地確定體系加碳量,而且該方法還存在載體選擇有限、金屬-碳界面小、碳化物混合相形成、粒度難以控制等缺點[52]。(3)化學(xué)氣相沉積法(Chemicalvapordepositionmethod)化學(xué)氣相沉積法(CVD)是指利用含有所需樣品元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成樣品的技術(shù),常用來制備高負(fù)載量的材料,成品形貌單一且純度和分散性高,但化學(xué)氣相沉積法的沉積速率不太高,并且基體需要局部或某一個表面沉積薄膜時很困難,對設(shè)備往往還有耐腐蝕性的要求。Stefanos等[55]將厚度為100μm的Cu箔和Mo箔置于CVD反應(yīng)器,在H2氣氛下將腔室加熱到950℃退火10min,隨后引入作為碳源的CH4,利用Cu蒸汽的催化作用,促進(jìn)CH4的分解和Mo的碳化,最終得到了厚度為450nm的Mo2C薄膜。Wolden等人[56]采用等離子體增強(qiáng)CVD技術(shù)預(yù)先制備了致密的MoO3薄膜,隨即使用TPR方法將該前驅(qū)體進(jìn)行滲碳得到晶體尺寸保持在50-100nm左右的Mo2C薄膜,并且薄膜的RMS(均方根)粗糙度僅為11nm。(4)有機(jī)-無機(jī)雜化法(Organic-inorganichybridmethod)有機(jī)-無機(jī)雜化法是一種基于Mo前體和有機(jī)物簡單熱解的新途徑。通過無機(jī)骨架與有機(jī)分子的接觸,簡單處理后,便得到均勻的雜化產(chǎn)物。在轉(zhuǎn)化過程中,可以利用無機(jī)和有機(jī)分子的特性對產(chǎn)物的形貌、結(jié)構(gòu)、組成進(jìn)行調(diào)控,從而使材料表現(xiàn)出獨特的性能。Wan等人[57]靈活利用有機(jī)胺類分子與鉬氧化物的相互作用力,系統(tǒng)研究了多種胺類,如:1,6-己二胺(1,6-HDA)、1,12-十二烷二胺(1,12-DDA)、苯胺(AL)、均三胺(MA)、鄰苯二胺(oPDA)、對苯二胺(pPDA)、2-硝基對苯二胺(2N-pPDA)、4-氯苯基二胺(4Cl-oPDA)、六亞甲基四胺(HMT),與鉬酸銨形成的胺-金屬氧化物復(fù)合物,在高溫處理后得到的碳化鉬在形貌與晶相上的區(qū)別。結(jié)果如圖1.6所示,通過調(diào)控胺類種類、碳化溫度、鉬胺比,獲取了形貌各異的碳化鉬,如線狀、棒狀、塊狀、花狀、層狀等,甚至在特定條件下發(fā)生了晶型轉(zhuǎn)變。該方法中,有機(jī)胺既是碳源、還原劑,也是合成具有可控尺寸、形態(tài)和結(jié)晶度的碳化鉬的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。劉長城等[58]進(jìn)一步探究了不同表面活性劑(P123、PVP、CTAB、X100、羥丙基纖維素)對有機(jī)-無機(jī)雜化法制備的β-Mo2C的影響。反應(yīng)中,表面活性劑與有機(jī)胺相互作用形成不同形狀的膠束,在達(dá)到臨界膠團(tuán)濃度時產(chǎn)生沉淀,再經(jīng)碳化便得到了線性、球形、塊體等不同納米形狀的碳化鉬。圖1.6不同胺類在不同條件下制備的碳化鉬晶型和形貌[57]Figure1.6Crystallineandmorphologyofmolybdenumcarbidepreparedbydifferentaminesunderdifferentconditions[57].(5)模板法(Templatemethod)模板法是將具有特定結(jié)構(gòu)、形狀可控的物質(zhì)作為模板,通過物理或化學(xué)的方法將材料沉積到模板中從而獲取具有模板結(jié)構(gòu)特征材料的技術(shù)。由于可以在制備過程中有效控制產(chǎn)品的形貌、粒徑和結(jié)構(gòu),模板法常用來制備納米多層多孔材料。Zhu等[59]采用介孔二氧化硅(SBA-15)為模板,通過調(diào)控磷鉬酸(PMA)與SBA-15的質(zhì)量比合成了比表面積從37到406m2g-1變化的Mo2C納米線。先將PMA浸漬在SBA-15模板中,在CH4/N2下加熱轉(zhuǎn)化為MoO2@SBA-15,然后將其原位滲碳成具有豐富表面缺陷的Mo2C納米線。最后用10.0wt%的HF溶液去除模板,最終獲得中孔Mo2C@GC核殼納米線陣列。模板法提供了有效控制催化劑形態(tài)和孔徑的方法,但模板的合成和去除造成了資源浪費和成本的增加,甚至還涉及到危險有機(jī)化合物的使用,不適合作為催化劑大規(guī)模制備的手段。為了改進(jìn)剛性模板需要額外去除的不足,先構(gòu)建多級多孔金屬中間體化合物,再通過特定方法將其轉(zhuǎn)化為碳材料的方法應(yīng)運而生。金屬有機(jī)骨架材料(MOFs)是由金屬離子或金屬簇單元與有機(jī)配體通過配位作用自組裝的一類多孔晶態(tài)材料,孔結(jié)構(gòu)豐富、比表面積較大,高溫?zé)峤夂竽芫S持或部分維持原有形貌結(jié)構(gòu),并獲得多孔碳材料包覆的納米金屬化合物。在碳化鉬制備的研究中,常用作模板來有效限制其納米顆粒的過度生長,并達(dá)到良好的分散效果,還可以引入摻雜金屬原子,提供導(dǎo)電多孔碳層,助力碳化鉬催化劑發(fā)揮更優(yōu)越的催化活性。Li等[60]以FeCl3為鐵源、均苯三甲酸為有機(jī)配體、多金屬氧酸鹽(H3PMo12O40)為鉬源,130℃水熱反應(yīng)72h合成含鉬的鐵基MIL-100,再與三聚氰胺(碳源)球磨,得到的前驅(qū)體高溫滲碳轉(zhuǎn)化為由N,P共摻雜的石墨碳包覆的Fe3C/Mo2C材料(Fe3C/Mo2C@NPGC)。經(jīng)表征,該材料具有3個典型的特征:(1)納米尺寸的Fe3C/Mo2C顆粒;(2)豐富的介孔結(jié)構(gòu);(3)導(dǎo)電性良好的石墨碳層,均有利于提高催化劑的反應(yīng)活性。不足的是,MOFs作為新興研究材料,制作成本較高,無疑為碳化鉬的制備增添了成本,制備過程也沒有避免采用一些有毒有害的有機(jī)溶劑。圖1.7基于MIL-100的Fe3C/Mo2C@NPGC納米復(fù)合物的合成路線[60]Figure1.7PreparationoftheFe3C/Mo2C@NPGCnanocompositederivedfromMIL-100[60].除了上述方法,機(jī)械活化法、微波輔助合成法、溶劑熱法等在碳化鉬的制備中均有應(yīng)用[61-63]。Baklanova等人[61]采用機(jī)械活化法,按照一定的化學(xué)計量比,將金屬鋁粉或鋅粉作為還原劑,與三氧化鉬(鉬源)、炭黑(碳源)混合,放置在水冷高能AGO-2行星軋機(jī)中,機(jī)械活化15min,高溫煅燒后制得到了10~15μm的碳化鉬。Huang等[62]采用微波輻射技術(shù),在短時間內(nèi)合成了一系列生長于不同碳基材(石墨烯,碳納米管和炭黑)上的Mo2C納米顆粒。其原理在于以碳基材作為加熱介質(zhì)和碳源,利用微波和碳材料之間的強(qiáng)相互作用,在改良的微波爐(800W)中實現(xiàn)了Mo2C的快速生長。1.3提升碳化鉬析氫性能的策略能量因素、幾何因素是影響陰極材料電催化析氫活性的主要原因。能量因素是指金屬-氫鍵(M-H)的鍵能,具有合適吸附氫特性的金屬,M-H鍵能小,容易形成性能較好的析氫材料。幾何因素是指電極材料的結(jié)構(gòu)、形貌及比表面積。從能量因素和幾何因素出發(fā),有助于從理論上指導(dǎo)碳化鉬HER活性的進(jìn)一步提高。為此,科研者圍繞構(gòu)建碳化鉬納米結(jié)構(gòu)、異質(zhì)原子摻雜、復(fù)合催化劑等方向開展了大量研究。1.3.1納米化2012年,Vrubel和Hu等[42]發(fā)現(xiàn)商業(yè)Mo2C微米顆粒在酸性和堿性電解質(zhì)溶液中都有較高的活性和穩(wěn)定性,然而仍與Pt/C電極相差甚遠(yuǎn),這主要是因為碳化鉬顆粒尺寸較大,比表面積較小。納米化作為一種簡單有效的方法,可有效增加Mo2C比表面積,使其暴露更多活性位點,提高其催化活性。迄今為止,已成功制備出納米纖維、納米管、納米片、納米球等結(jié)構(gòu),HER性能相比商業(yè)碳化鉬、塊狀碳化鉬大幅提高。Han等[63]采用一鍋熱策略合成了N摻雜多孔碳層負(fù)載的超細(xì)納米Mo2C(Mo2C/N-PC),顆粒尺寸僅為3~5nm,比表面積增大到57.1m2g-1,是商用微米Mo2C(4.6m2g-1)的十幾倍不等。經(jīng)HER性能測試,Mo2C/N-PC在酸性、中性、堿性介質(zhì)下僅需178、224、100mV即可達(dá)到10mAcm-2的電流密度,明顯優(yōu)于微米Mo2C(246、319、205mV)。從析氫反應(yīng)動力學(xué)上來說,Mo2C/N-PC具有更低的Tafel斜率、更小的電子轉(zhuǎn)移電阻(Rct)。Ji及其團(tuán)隊[64]通過靜電紡絲技術(shù)制備了一維多孔中空的碳化鉬納米纖維,豐富的孔隙和中空通道暴露出大量的活性位點,促進(jìn)了界面反應(yīng)的電荷/質(zhì)量轉(zhuǎn)移,從而使材料在堿性析氫(HER)、析氧(OER)反應(yīng)中均表現(xiàn)出較高的活性。此外,將該催化劑用作自制水分解裝置的雙功能催化劑電極,僅需要1.68V的電池電壓就能達(dá)到10mAcm-2的電流密度。Hui等[65]采用天然多糖瓜爾膠(GG)和NaCl作為碳源和硬模板,合成了超細(xì)Mo2C(平均直徑約為2.5nm)顆粒嵌入的2D碳納米片。NaCl作為構(gòu)造超薄碳納米片的硬模板,同時調(diào)節(jié)Mo2C的成核和生長,控制納米晶體的直徑。該材料具有豐富的納米孔,這些納米孔通過毛細(xì)作用力將電解質(zhì)泵送到催化劑表面,并抑制氣體在氣固界面上的吸附,加速了氣體從活性位點表面的釋放,對于提高HER效率具有積極作用。圖1.8三維uf-Mo2C/CF材料的合成路線圖[66]Figure1.8Syntheticrouteof3Duf-Mo2C/CFmaterial[66].Hou等開發(fā)了在堿性HER中表現(xiàn)優(yōu)越的介孔三明治狀碳化鉬催化劑。分布均勻的小尺寸Mo2C納米顆粒,為反應(yīng)提供了豐富的活性位點。而高度石墨化的多孔碳基底賦予了材料較高的比表面積和良好的導(dǎo)電性,大量的活性位點得以暴露在電解液中,反應(yīng)物質(zhì)或電子通過孔道結(jié)構(gòu)快速地進(jìn)行轉(zhuǎn)移,加速了HER動力學(xué)過程。Kou等[66]以膠體SiO2納米球約束Mo2C生長的策略(圖1.8),制取了均勻組裝在原位形成的3D碳泡沫上的Mo2C納米晶(uf-Mo2C/CF)。材料比表面積高達(dá)257m2g-1,納米晶體平均尺寸為1.9nm,在超細(xì)微粒和連通性良好的多孔通道作用下,uf-Mo2C/CF在pH=7和14時表現(xiàn)出良好的HER活性,只需要174和185mV的過電位即可驅(qū)動10mAcm-2的電流密度。1.3.2原子摻雜從能量因素來看,純碳化鉬的強(qiáng)Mo-H鍵致其吸附活性H原子的能力太強(qiáng),不利于HER反應(yīng),而碳化鉬d帶的移動會引起氫原子吸附能的變化,故通過改變Mo2C的d帶電子結(jié)構(gòu)特性可以實現(xiàn)其電催化析氫性能的調(diào)控。引入非金屬原子(N、S、P、B等)是提高碳化鉬HER性能的常用手段,這些非金屬原子通過取代半徑相似的碳原子,在結(jié)構(gòu)中形成缺陷,或者與鉬原子發(fā)生電子轉(zhuǎn)移效應(yīng),從而引起電子結(jié)構(gòu)和電催化劑表面性質(zhì)的改變。理論計算表明,非金屬原子摻雜促進(jìn)了Mo→C→非金屬原子的電子轉(zhuǎn)移,從而激發(fā)相鄰C原子的HER催化活性,而摻雜原子本身也能起到催化作用[67,68]。由于引入了極性鍵,非金屬原子摻雜還被認(rèn)為是提高碳化鉬催化劑親水性的有效策略,有益于電解水反應(yīng)的界面接觸[69]。Jia及其課題組[70]以MoO3為模板,制備了N摻雜的超薄Mo2C納米片(N-Mo2CNSs),相比純相Mo2C,該催化劑的HER性能大幅提高,為達(dá)到10mAcm-2的電流密度,純相Mo2C需要463mV,而N-Mo2CNSs只需99mV。摻雜N通過取代Mo2C中的C原子,改變了Mo和C原子的ΔGH*值(圖1.9),并引入了新的析氫活性位點:位于頂部的N原子(N-T)及與其相鄰的頂部Mo原子(Mo-3-T),其ΔGH*分別為0.3eV、0.07eV,大大提高了材料的催化活性。Huang等[71]對不同N摻雜量的碳化鉬Mo原子的d軌道價電子進(jìn)行了電荷分析,隨著摻雜量的增加,Mo原子的d軌道價電子減少,d帶中心向高能級移動,ΔGH*也由負(fù)轉(zhuǎn)為正,表明摻雜引起了Mo2C對氫原子中間體由強(qiáng)吸附到弱吸附的過渡,也意味著只有適量的N摻雜才能提高催化劑的性能,過量摻雜反而會束縛材料的活性。Fu等[72]報道了一種由碳片支撐的具有暴露(001)晶面的單晶Mo2C六角形納米片陣列,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步實現(xiàn)了P原子的原子級分散(SAP-Mo2C-CS)。其中,P原子以占據(jù)晶面的3個Mo原子間隙的形式穩(wěn)定存在于結(jié)構(gòu)中,并吸引了相鄰Mo原子的電子,與其形成不同的雜化軌道,產(chǎn)生強(qiáng)電子耦合效應(yīng)。DFT計算表明了Mo2C載體上P單原子的ΔGH*為0.009eV,幾乎接近理想值0,意味著獲得電子的P原子可以充當(dāng)氫吸附和活化的高活性中心。此外,與P鍵合的Mo原子d帶中心明顯降低,弱化了氫原子中間體在催化劑上的強(qiáng)吸附。在P原子的雙向調(diào)節(jié)下,SAP-Mo2C-CS在10mAcm-2的電流密度下實現(xiàn)了36mV的低過電勢。圖1.9Mo2C(a,d)和N-Mo2C(b,c,e)不同位置上H*吸附的理論結(jié)構(gòu)模型和ΔGH*[70]Figure1.9ThetheoreticalstructuremodelandΔGH*ofH*adsorptionatdifferentpositionsofMo2C(a,d)andN-Mo2C(b,c,e)[70].相比單摻雜,Wang等人[67]揭示了N,P和N,S雙摻雜的Mo2C催化劑更高的HER活性。與單獨的N摻雜相比,N,P和N,S雜原子的共摻雜明顯增加了材料中活性位點的數(shù)量,并進(jìn)一步調(diào)控了碳基底的電子結(jié)構(gòu),提高了材料的導(dǎo)電性。同時,雙重?fù)诫s引發(fā)了協(xié)同效應(yīng),顯著增強(qiáng)了每個析氫位點的固有活性。此外,Mo2C中的部分C原子被N,P或N,S原子取代,Mo-H鍵被削弱,改善了氫原子中間體的解吸,加快了HER動力學(xué)。同樣地,Mohsin等人[68]也報道了B,N共摻雜的Mo2C納米顆粒在HER、OER中的優(yōu)越反應(yīng)活性。根據(jù)Brewer-Engel價鍵理論,過渡系金屬,如:Fe、Co、Ni,具有豐富的外層電子,容易和含有空的或半滿d軌道的金屬Mo產(chǎn)生協(xié)同作用,或改變原子間結(jié)合力,或改變Mo原子的電子層狀態(tài),進(jìn)而提高HER活性[73]。Xu等[74]用酸蝕去除摻雜在Mo2C中的金屬Ni以后,材料的HER性能明顯降低。對此,研究者作出了解釋:Ni與Mo2C的電子協(xié)同效應(yīng)可以降低催化劑對氫原子中間體(Hads)的吸附自由能,從而促進(jìn)Hads的解吸和H2的釋放。圖1.10Ni摻雜MoxC的XPS高分辨率窄譜:(a)Ni2p;(b)Mo3d[75]Figure1.10(a)High-resolutionNi2pand(b)Mo3dXPSspectraofNidopedMoxC[75].Das等[75]采用XPS表征明確了摻雜Ni降低MoxC中Mo原子化學(xué)價態(tài)同時自身原子價態(tài)提高的現(xiàn)象(圖1.10)。在金屬Ni向MoxC轉(zhuǎn)移電子的作用下,Mo原子周圍的電子增多,化學(xué)位移隨即發(fā)生變化,向低結(jié)合能移動了0.4~0.7eV,而金屬Ni由于失去了部分電子,產(chǎn)生了新的化學(xué)狀態(tài)——Ni2+。這種電子轉(zhuǎn)移效應(yīng)使得催化劑在HER和OER反應(yīng)中發(fā)揮出良好的活性,因而金屬Ni是促進(jìn)碳化鉬催化劑HER活性提高的重要因素。Ma等人[76]通過DFT計算表明,Co摻雜及酸蝕部分Co后產(chǎn)生的Mo空位,可以豐富Mo原子周圍的電子,導(dǎo)致其費米能級(EF)附近的價電子濃度增加,d帶中心(εd)下降,從而優(yōu)化了Mo-H鍵的強(qiáng)度,有效提高HER反應(yīng)動力。由于Co的電負(fù)性低于Mo,電子由Co向Mo遷移,這種轉(zhuǎn)移導(dǎo)致εd迅速下降,而Mo空位的屏蔽作用會削弱電子轉(zhuǎn)移程度,避免εd的過度下降,從而使其處于最佳位置。因而,該材料在酸性環(huán)境下顯示出較低的過電位(η10=125mV)。Yu等人[77]在相同條件下制備了一系列含有不同金屬摻雜劑的Mo2C納米材料(TM-Mo2C,TM=Fe、Co、Ni、Cr),并通過DFT計算和電催化實驗證實了TM摻雜劑對Mo2C的ΔGH*和催化活性的顯著影響。ΔGH*的變化如下:Ni-Mo2C>Co-Mo2C>Fe-Mo2C>Cr-Mo2C>Mo2C,與實驗測得的酸性HER活性規(guī)律一致。當(dāng)Ni-Mo2C進(jìn)一步包裹于N摻雜碳?xì)ぃ∟i-Mo2C@C)時,ΔGH*降低到0.19eV,氫解吸更容易。因而,Ni-Mo2C@C具有最佳的HER性能,當(dāng)電流密度為10mAcm-2時過電位僅為72mV,Tafel斜率為64.8mVdec-1。Koverga等[78]也探究了Fe、Co、Ni、Cu在弱酸性(pH=5)、弱堿性(pH=9)環(huán)境下對α-Mo2CHER性能的影響,卻發(fā)現(xiàn)了與Yu等人不同的實驗結(jié)論。當(dāng)pH=5時,未摻雜的α-Mo2C催化性能最佳,金屬摻雜后性能反而有所降低,而在堿性介質(zhì)下,析氫活性遵循Co-Mo2C>Ni-Mo2C>Fe-Mo2C>Cu-Mo2C>Mo2C的規(guī)律,說明過渡金屬摻雜提高了Mo2C的堿性析氫活性。這種差異主要歸因于材料的制備方法、使用原料、添加比例的不同,因此元素?fù)诫s時需綜合考慮。1.3.3復(fù)合由于碳化鉬的制備溫度通常在700℃以上,團(tuán)聚和燒結(jié)現(xiàn)象明顯,嚴(yán)重限制了材料的本征電催化活性。因此,具有突出比表面積的碳納米管、石墨烯、多孔碳常用作碳化鉬的復(fù)合載體,改善其HER活性。在復(fù)合載體的限域效應(yīng)下,Mo2C顆粒的生長被限制在納米級別,并實現(xiàn)了顆粒的均勻分散。同時,碳載體優(yōu)異的導(dǎo)電性更加速了反應(yīng)中物質(zhì)、離子的運輸,碳納米管、石墨烯還可以作為碳化鉬的保護(hù)殼,減緩碳化鉬在空氣中的氧化與在強(qiáng)酸堿環(huán)境下的腐蝕,提高催化劑的使用壽命。C.Tranca團(tuán)隊[79]從理論計算的角度出發(fā),對比了純相Mo2C、純相石墨烯、Mo2C復(fù)合石墨烯的氫原子吸附自由能(ΔGH*),結(jié)果表明單一Mo2C或石墨烯對氫原子吸附過強(qiáng),而當(dāng)兩者復(fù)合時,ΔGH*的絕對值更接近于0,吸附能力明顯下降。當(dāng)使用N摻雜的石墨烯與Mo2C復(fù)合時,ΔGH*達(dá)到了更為理想的數(shù)值,對提升HER活性具有積極意義,表明N摻雜石墨烯是一種有HER潛力的碳載體。Li等[80]將還原氧化石墨烯(RGO)作為載體,N、P摻雜輔助進(jìn)一步提高M(jìn)o2C的性能。對比發(fā)現(xiàn),在未使用載體時,需要260mV的過電位才能達(dá)到10mAcm-2的電流密度,而與RGO復(fù)合后,過電位大幅降低至34mV,HER活性顯著提升。研究者指出,RGO可以增加多金屬氧酸鹽(POMs)的分散度,從而在碳化過程中獲得高度分散的Mo2C。同時,RGO出色的導(dǎo)電率、Mo2C與RGO之間的牢固結(jié)合提供了有利于電子快速轉(zhuǎn)移的低電阻路徑。Ai等[81]以金屬Co誘導(dǎo)產(chǎn)生的碳納米管為碳源,與鉬酸銨進(jìn)行高溫處理,獲取了封裝在碳納米管內(nèi)的Mo2C顆粒。得益于直徑250nm、長約幾個微米的碳納米管的空間限制作用,Mo2C以單個納米顆粒的形式均勻封裝在管中。在金屬Co、納米Mo2C顆粒與介孔導(dǎo)電碳納米管的協(xié)同效應(yīng)下,催化劑在1MKOH的HER測試中表現(xiàn)良好,并在45h的長時間測試中保持了相當(dāng)穩(wěn)定的過電位,而這種耐久性主要歸因于碳納米管的保護(hù)作用。Lee等[82]利用改良的尿素玻璃路線合成了CNT-RGO復(fù)合載體封裝的Mo2C納米催化劑(Mo2C/CNT-RGO),并比較了單一碳載體下的催化性能。為了實現(xiàn)10mAcm-2的電流密度,Mo2C/RGO、Mo2C/CNT、Mo2C/CNT-RGO分別需要225、210、145mV,Tafel斜率分別為76、74、64mVdec-1,而電子轉(zhuǎn)移電阻Rct依次減小,說明復(fù)合碳載體更有利于提高材料的反應(yīng)活性和動力學(xué)速率,減少HER的反應(yīng)阻力。相比單一碳載體,CNT和RGO的組合既防止了CNT的聚集又改善了RGO的堆積,從而增加了電解質(zhì)接觸面積。同時,復(fù)合載體下的石墨化程度更高,導(dǎo)電性更好,因此所得的材料才能在堿性溶液中表現(xiàn)出良好的催化活性。參考文獻(xiàn)[1] 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